JPH05320892A - 真空薄膜形成装置 - Google Patents
真空薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH05320892A JPH05320892A JP4132772A JP13277292A JPH05320892A JP H05320892 A JPH05320892 A JP H05320892A JP 4132772 A JP4132772 A JP 4132772A JP 13277292 A JP13277292 A JP 13277292A JP H05320892 A JPH05320892 A JP H05320892A
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- Japan
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- film forming
- target
- vacuum
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面に凹凸がある被薄膜形成体に対しても、
均一な薄膜を形成できる真空薄膜形成装置を提供するこ
とを目的としている。 【構成】 真空容器１内に、成膜材料で構成されるター
ゲット４と被薄膜形成体３を保持する被薄膜形成体ホル
ダー２とを対向させて配置し、前記ターゲット４に電源
５を接続して放電させることによって、前記被薄膜形成
体３上に前記ターゲット４を構成する成膜材料よりなる
薄膜を形成する真空薄膜形成装置において、前記ターゲ
ット４が１個以上あり、且つ、少なくとも１つのターゲ
ット４が、前記被薄膜形成体３に対する対向角度を任意
に変化できることを特徴とする。
均一な薄膜を形成できる真空薄膜形成装置を提供するこ
とを目的としている。 【構成】 真空容器１内に、成膜材料で構成されるター
ゲット４と被薄膜形成体３を保持する被薄膜形成体ホル
ダー２とを対向させて配置し、前記ターゲット４に電源
５を接続して放電させることによって、前記被薄膜形成
体３上に前記ターゲット４を構成する成膜材料よりなる
薄膜を形成する真空薄膜形成装置において、前記ターゲ
ット４が１個以上あり、且つ、少なくとも１つのターゲ
ット４が、前記被薄膜形成体３に対する対向角度を任意
に変化できることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品製造分野で使
用される真空薄膜形成装置に関し、特に、凹凸がある被
薄膜形成体上に均一な薄膜を形成する真空薄膜形成装置
に関するものである。
用される真空薄膜形成装置に関し、特に、凹凸がある被
薄膜形成体上に均一な薄膜を形成する真空薄膜形成装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板（被薄膜形成体）上に薄膜を形成す
る真空薄膜形成装置（スパッタ装置）の従来例を図３に
基づいて説明する。
る真空薄膜形成装置（スパッタ装置）の従来例を図３に
基づいて説明する。
【０００３】図３において、従来例は、真空容器１と、
真空容器１に設けられた排気口７及びガス導入口８と、
真空容器１内に設けられ支持軸を中心にして回転する基
板ホルダー２と、基板ホルダー２に対向する位置に基板
ホルダー２と平行に配置されたターゲット４と、ターゲ
ット４に接続するＲＦ又はＤＣ電源５とを有する。ター
ゲット４は、成膜材料から構成されている。
真空容器１に設けられた排気口７及びガス導入口８と、
真空容器１内に設けられ支持軸を中心にして回転する基
板ホルダー２と、基板ホルダー２に対向する位置に基板
ホルダー２と平行に配置されたターゲット４と、ターゲ
ット４に接続するＲＦ又はＤＣ電源５とを有する。ター
ゲット４は、成膜材料から構成されている。
【０００４】次に、この従来例の動作を図３に基づいて
説明する。基板ホルダー２に基板３を保持させ、真空容
器１内を、排気口７からの真空排気で高真空状態にし、
ガス導入口８からＡｒ等のガスを一定量導入して放電可
能な真空度に維持する。この状態で、ＲＦ又はＤＣ電源
５をターゲット４に接続し、ターゲット４から放電を起
こさせ、ターゲット４を構成する成膜材料を気化し、こ
の気化した成膜材料の薄膜を基板３上に形成する。
説明する。基板ホルダー２に基板３を保持させ、真空容
器１内を、排気口７からの真空排気で高真空状態にし、
ガス導入口８からＡｒ等のガスを一定量導入して放電可
能な真空度に維持する。この状態で、ＲＦ又はＤＣ電源
５をターゲット４に接続し、ターゲット４から放電を起
こさせ、ターゲット４を構成する成膜材料を気化し、こ
の気化した成膜材料の薄膜を基板３上に形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来例の上記
の構成では、図３に示すように基板３の表面に凹凸があ
る場合には、ターゲット４と基板３との相互位置が固定
され且つ平行しているので、基板ホルダー２が支持軸を
中心にして回転していても、ターゲット４に対する表面
に凹凸がある基板３の各部分の距離や対向角度の部分的
な相違が前記回転によって打ち消されることが無く｛回
転しても、表面に凹凸がある基板３の各部分とターゲッ
ト４との相対距離に変化が無く、影（対向角度が小さい
部分）の部分は常に影である。｝、部分的に成膜レート
が異なり、表面に凹凸がある基板３上の成膜の厚さが部
分的に異なるという問題点がある。
の構成では、図３に示すように基板３の表面に凹凸があ
る場合には、ターゲット４と基板３との相互位置が固定
され且つ平行しているので、基板ホルダー２が支持軸を
中心にして回転していても、ターゲット４に対する表面
に凹凸がある基板３の各部分の距離や対向角度の部分的
な相違が前記回転によって打ち消されることが無く｛回
転しても、表面に凹凸がある基板３の各部分とターゲッ
ト４との相対距離に変化が無く、影（対向角度が小さい
部分）の部分は常に影である。｝、部分的に成膜レート
が異なり、表面に凹凸がある基板３上の成膜の厚さが部
分的に異なるという問題点がある。
【０００６】本発明は、上記の問題点を解決し、凹凸の
ある基板３に対しても、均一な薄膜を形成できる真空薄
膜形成装置を提供することを課題としている。
ある基板３に対しても、均一な薄膜を形成できる真空薄
膜形成装置を提供することを課題としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の真空薄膜形成装
置は、上記の課題を解決するために、真空容器内に、成
膜材料で構成されるターゲットと被薄膜形成体を保持す
る被薄膜形成体ホルダーとを対向させて配置し、前記タ
ーゲットに電源を接続して放電させることによって、前
記被薄膜形成体上に前記ターゲットを構成する成膜材料
よりなる薄膜を形成する真空薄膜形成装置において、前
記ターゲットが１個以上あり、且つ、少なくとも１つの
ターゲットが、前記被薄膜形成体に対する対向角度を任
意に変化できることを特徴とする。
置は、上記の課題を解決するために、真空容器内に、成
膜材料で構成されるターゲットと被薄膜形成体を保持す
る被薄膜形成体ホルダーとを対向させて配置し、前記タ
ーゲットに電源を接続して放電させることによって、前
記被薄膜形成体上に前記ターゲットを構成する成膜材料
よりなる薄膜を形成する真空薄膜形成装置において、前
記ターゲットが１個以上あり、且つ、少なくとも１つの
ターゲットが、前記被薄膜形成体に対する対向角度を任
意に変化できることを特徴とする。
【０００８】又、本発明の真空薄膜形成装置は、上記の
課題を解決するために、ターゲットは、同時もしくは個
別に電源に接続されることが好適である。
課題を解決するために、ターゲットは、同時もしくは個
別に電源に接続されることが好適である。
【０００９】又、本発明の真空薄膜形成装置は、上記の
課題を解決するために、ターゲットは、２種類以上の個
別又は混合の成膜材料で構成されることが好適である。
課題を解決するために、ターゲットは、２種類以上の個
別又は混合の成膜材料で構成されることが好適である。
【００１０】
【作用】本発明の真空薄膜形成装置は、表面に凹凸があ
る被薄膜形成体に対しても、真空容器１内に設けられた
被薄膜形成体ホルダーが支持軸を中心にして回転するこ
とと、１個以上のターゲットを有し、少なくとも１つの
ターゲットが、被薄膜形成体に対する対向角度を任意に
変化できることとによって、均一な薄膜を形成すること
ができる。即ち、被薄膜形成体表面の凹凸形状に応じ
て、少なくとも１つのターゲットの被薄膜形成体に対す
る対向角度を任意に変化させた場合、対向角度を任意に
変化したこれらのターゲットに対しては、表面に凹凸が
ある被薄膜形成体の各部分の距離や対向角度の部分的な
相違が前記回転によって打ち消されることになり｛回転
によって、表面に凹凸がある被薄膜形成体の各部分とこ
れらのターゲットとの相対距離が変化し、１回転すれ
ば、そのターゲットに対する表面に凹凸がある被薄膜形
成体の各部分の距離や対向角度の部分的な相違が打ち消
し合って無くなり、常に影（対向角度が小さい部分）で
ある部分が無くなる。｝、部分的な成膜レートが一致
し、表面に凹凸がある被薄膜形成体上の成膜の厚さが均
一になる。勿論、被薄膜形成体に対する対向角度を任意
に変化できるターゲットの数を多くすれば効果が向上す
る。
る被薄膜形成体に対しても、真空容器１内に設けられた
被薄膜形成体ホルダーが支持軸を中心にして回転するこ
とと、１個以上のターゲットを有し、少なくとも１つの
ターゲットが、被薄膜形成体に対する対向角度を任意に
変化できることとによって、均一な薄膜を形成すること
ができる。即ち、被薄膜形成体表面の凹凸形状に応じ
て、少なくとも１つのターゲットの被薄膜形成体に対す
る対向角度を任意に変化させた場合、対向角度を任意に
変化したこれらのターゲットに対しては、表面に凹凸が
ある被薄膜形成体の各部分の距離や対向角度の部分的な
相違が前記回転によって打ち消されることになり｛回転
によって、表面に凹凸がある被薄膜形成体の各部分とこ
れらのターゲットとの相対距離が変化し、１回転すれ
ば、そのターゲットに対する表面に凹凸がある被薄膜形
成体の各部分の距離や対向角度の部分的な相違が打ち消
し合って無くなり、常に影（対向角度が小さい部分）で
ある部分が無くなる。｝、部分的な成膜レートが一致
し、表面に凹凸がある被薄膜形成体上の成膜の厚さが均
一になる。勿論、被薄膜形成体に対する対向角度を任意
に変化できるターゲットの数を多くすれば効果が向上す
る。
【００１１】又、ターゲットを、同時もしくは個別に電
源に接続できるようにすれば、都合の良いターゲット、
例えば、対向角度を任意に変化できるターゲットのみを
選択使用できるので、被薄膜形成体の表面の凹凸に対す
る対応性が向上する。
源に接続できるようにすれば、都合の良いターゲット、
例えば、対向角度を任意に変化できるターゲットのみを
選択使用できるので、被薄膜形成体の表面の凹凸に対す
る対応性が向上する。
【００１２】又、ターゲットを、２種類以上の個別又は
混合の成膜材料で構成すれば、混合膜を形成することが
でき、又、ターゲットを、同時もしくは個別に電源に接
続されるようにすこととの相乗効果で、多層膜や混合膜
を形成することができる。
混合の成膜材料で構成すれば、混合膜を形成することが
でき、又、ターゲットを、同時もしくは個別に電源に接
続されるようにすこととの相乗効果で、多層膜や混合膜
を形成することができる。
【００１３】
【実施例】本発明の真空薄膜形成装置の一実施例を図
１、図２に基づいて説明する。
１、図２に基づいて説明する。
【００１４】図１、図２において、本実施例は、真空容
器１と、真空容器１に設けられた排気口７及びガス導入
口８と、真空容器１内に設けられ支持軸を中心にして回
転する基板ホルダー（被薄膜形成体ホルダー）２と、基
板ホルダー２に対向する位置に１個以上のターゲット４
を設け、傾斜角可変機構６によって、少なくとも１個以
上のターゲット４の前記基板ホルダー（被薄膜形成体ホ
ルダー）２に対する対向角度を任意に変化できるように
している。本実施例では、５個のターゲット４を設け、
中央の１個は固定ターゲット４とし、周囲の４個は傾斜
角可変機構６によって傾斜角可変にしている。又、本実
施例では、ＲＦ又はＤＣ電源５をターゲット４に接続し
ているが、５個のターゲット４に、同時もしくは個別に
電源を印加することができる。そして、ターゲット４
は、成膜材料から構成されているが、この成膜材料を２
種類以上にし、２種類以上の成膜材料で夫々別のターゲ
ット４を構成する場合もあり、又、混合してターゲット
４を構成する場合もある。又、ＲＦ又はＤＣ電源５は、
複数のターゲット４に、同時もしくは個別に電源を印加
することができるようにしている。
器１と、真空容器１に設けられた排気口７及びガス導入
口８と、真空容器１内に設けられ支持軸を中心にして回
転する基板ホルダー（被薄膜形成体ホルダー）２と、基
板ホルダー２に対向する位置に１個以上のターゲット４
を設け、傾斜角可変機構６によって、少なくとも１個以
上のターゲット４の前記基板ホルダー（被薄膜形成体ホ
ルダー）２に対する対向角度を任意に変化できるように
している。本実施例では、５個のターゲット４を設け、
中央の１個は固定ターゲット４とし、周囲の４個は傾斜
角可変機構６によって傾斜角可変にしている。又、本実
施例では、ＲＦ又はＤＣ電源５をターゲット４に接続し
ているが、５個のターゲット４に、同時もしくは個別に
電源を印加することができる。そして、ターゲット４
は、成膜材料から構成されているが、この成膜材料を２
種類以上にし、２種類以上の成膜材料で夫々別のターゲ
ット４を構成する場合もあり、又、混合してターゲット
４を構成する場合もある。又、ＲＦ又はＤＣ電源５は、
複数のターゲット４に、同時もしくは個別に電源を印加
することができるようにしている。
【００１５】本実施例の動作を図１、図２に基づいて説
明する。
明する。
【００１６】図１、図２において、本実施例では、基板
ホルダー（被薄膜形成体ホルダー）２に基板（被薄膜形
成体）３を保持させ、真空容器１内を、排気口７からの
真空排気で高真空状態にし、ガス導入口８からＡｒ等の
ガスを一定量導入して放電可能な真空度に維持する。こ
の状態で、ＲＦ又はＤＣ電源５をターゲット４に接続
し、ターゲット４から放電を起こさせ、ターゲット４を
構成する成膜材料を気化し、この気化した成膜材料の薄
膜を基板（被薄膜形成体）３上に形成する。
ホルダー（被薄膜形成体ホルダー）２に基板（被薄膜形
成体）３を保持させ、真空容器１内を、排気口７からの
真空排気で高真空状態にし、ガス導入口８からＡｒ等の
ガスを一定量導入して放電可能な真空度に維持する。こ
の状態で、ＲＦ又はＤＣ電源５をターゲット４に接続
し、ターゲット４から放電を起こさせ、ターゲット４を
構成する成膜材料を気化し、この気化した成膜材料の薄
膜を基板（被薄膜形成体）３上に形成する。
【００１７】この場合、基板（被薄膜形成体）３の表面
に凹凸があれば、真空容器１内に設けられた基板ホルダ
ー（被薄膜形成体ホルダー）２が支持軸を中心にして回
転すると共に、４個のターゲット４が、基板（被薄膜形
成体）３に対する対向角度を任意に変化できる。このよ
うにすると、基板（被薄膜形成体）３に対する対向角度
を任意に変化した前記４個のターゲットに対しては、表
面に凹凸がある基板（被薄膜形成体）３の各部分の距離
や対向角度の部分的な相違が前記回転によって打ち消さ
れることになり｛回転によって、表面に凹凸がある被薄
膜形成体の各部分とそのターゲットとの相対距離が変化
し、１回転すれば、そのターゲットに対する表面に凹凸
がある被薄膜形成体の各部分の距離や対向角度の部分的
な相違が打ち消し合って無くなり、常に影（対向角度が
小さい部分）である部分が無くなる。｝、部分的な成膜
レートが一致し、表面に凹凸がある被薄膜形成体上の薄
膜の厚さが均一になる。この場合、基板（被薄膜形成
体）３に対する対向角度を任意に変化できるターゲット
４の数を多くすれば効果が向上するが、本実施例のよう
に、対向角度を任意に変化できるターゲット４の数を偶
数にして、対称位置に配置すると、対称位置にあるター
ゲット４が、基板（被薄膜形成体）３の表面の凹凸の影
響を打ち消し合うので、均一性が向上する。又、成膜作
業中に、傾斜角可変機構６によって、任意の時期に傾斜
角を変化させることも成膜の均一化に有効である。
に凹凸があれば、真空容器１内に設けられた基板ホルダ
ー（被薄膜形成体ホルダー）２が支持軸を中心にして回
転すると共に、４個のターゲット４が、基板（被薄膜形
成体）３に対する対向角度を任意に変化できる。このよ
うにすると、基板（被薄膜形成体）３に対する対向角度
を任意に変化した前記４個のターゲットに対しては、表
面に凹凸がある基板（被薄膜形成体）３の各部分の距離
や対向角度の部分的な相違が前記回転によって打ち消さ
れることになり｛回転によって、表面に凹凸がある被薄
膜形成体の各部分とそのターゲットとの相対距離が変化
し、１回転すれば、そのターゲットに対する表面に凹凸
がある被薄膜形成体の各部分の距離や対向角度の部分的
な相違が打ち消し合って無くなり、常に影（対向角度が
小さい部分）である部分が無くなる。｝、部分的な成膜
レートが一致し、表面に凹凸がある被薄膜形成体上の薄
膜の厚さが均一になる。この場合、基板（被薄膜形成
体）３に対する対向角度を任意に変化できるターゲット
４の数を多くすれば効果が向上するが、本実施例のよう
に、対向角度を任意に変化できるターゲット４の数を偶
数にして、対称位置に配置すると、対称位置にあるター
ゲット４が、基板（被薄膜形成体）３の表面の凹凸の影
響を打ち消し合うので、均一性が向上する。又、成膜作
業中に、傾斜角可変機構６によって、任意の時期に傾斜
角を変化させることも成膜の均一化に有効である。
【００１８】又、本実施例の５個のターゲット４を、同
時もしくは個別に電源に接続できるようにすると、基板
（被薄膜形成体）３の表面の凹凸形状に対応して、都合
の良いターゲット４を選択使用できるので（例えば、中
央のターゲット４を使用しない等）、被薄膜形成体の表
面の凹凸に対する対応性が向上する。
時もしくは個別に電源に接続できるようにすると、基板
（被薄膜形成体）３の表面の凹凸形状に対応して、都合
の良いターゲット４を選択使用できるので（例えば、中
央のターゲット４を使用しない等）、被薄膜形成体の表
面の凹凸に対する対応性が向上する。
【００１９】又、本実施例の任意のターゲット４を、２
種類以上の個別（この場合はターゲット４は複数にな
る。）又は混合の成膜材料で構成すれば（例えば、周囲
の４個のターゲット４を使用し、対称位置にあるターゲ
ット４を同一の成膜材料で構成する。）、同時に２種類
以上の成膜材料で成膜できるので、混合膜を形成するこ
とができ、更に、ターゲット４を同時もしくは個別に電
源に接続できるようにして、同一の成膜材料で構成した
ターゲット別に成膜すれば、混合膜だけではなく、多層
膜も形成することができる。
種類以上の個別（この場合はターゲット４は複数にな
る。）又は混合の成膜材料で構成すれば（例えば、周囲
の４個のターゲット４を使用し、対称位置にあるターゲ
ット４を同一の成膜材料で構成する。）、同時に２種類
以上の成膜材料で成膜できるので、混合膜を形成するこ
とができ、更に、ターゲット４を同時もしくは個別に電
源に接続できるようにして、同一の成膜材料で構成した
ターゲット別に成膜すれば、混合膜だけではなく、多層
膜も形成することができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明の真空薄膜形成装置は、被薄膜形
成体の表面に凹凸があっても、真空容器内に設けられた
被薄膜形成体ホルダーが支持軸を中心にして回転するこ
とと、１個以上のターゲットを有し、少なくとも１つの
ターゲットが、被薄膜形成体に対する対向角度を任意に
変化できることとによって、凹凸がある被薄膜形成体上
に均一な薄膜を形成できるという効果を奏する。
成体の表面に凹凸があっても、真空容器内に設けられた
被薄膜形成体ホルダーが支持軸を中心にして回転するこ
とと、１個以上のターゲットを有し、少なくとも１つの
ターゲットが、被薄膜形成体に対する対向角度を任意に
変化できることとによって、凹凸がある被薄膜形成体上
に均一な薄膜を形成できるという効果を奏する。
【００２１】又、本発明の真空薄膜形成装置において、
ターゲットを、同時もしくは個別に電源に接続した場合
は、被薄膜形成体の表面の凹凸形状に対応して、使用す
るターゲットの数とその対向角度とを選択することがで
き、被薄膜形成体の表面の凹凸に対する対応性が向上す
るという効果を奏する。
ターゲットを、同時もしくは個別に電源に接続した場合
は、被薄膜形成体の表面の凹凸形状に対応して、使用す
るターゲットの数とその対向角度とを選択することがで
き、被薄膜形成体の表面の凹凸に対する対応性が向上す
るという効果を奏する。
【００２２】又、本発明の真空薄膜形成装置において、
ターゲットを、２種類以上の個別又は混合の成膜材料で
構成した場合は、混合膜を形成することができ、又、タ
ーゲットを、同時もしくは個別に電源に接続できるよう
にすこととの相乗効果で、混合膜だけではなく、多層膜
も形成することができるという効果を奏する。
ターゲットを、２種類以上の個別又は混合の成膜材料で
構成した場合は、混合膜を形成することができ、又、タ
ーゲットを、同時もしくは個別に電源に接続できるよう
にすこととの相乗効果で、混合膜だけではなく、多層膜
も形成することができるという効果を奏する。
【図１】本発明の真空薄膜形成装置の一実施例の構成図
である。
である。
【図２】図１の一部拡大斜視図である。
【図３】従来例の構成図である。
１ 真空容器 ２ 基板ホルダー（被薄膜形成体ホルダー） ３ 基板（被薄膜形成体） ４ ターゲット ５ ＲＦ又はＤＣ電源（電源） ６ 傾斜角可変機構 ７ 排気口 ８ ガス導入口
Claims (3)
- 【請求項１】 真空容器内に、成膜材料で構成されるタ
ーゲットと被薄膜形成体を保持する被薄膜形成体ホルダ
ーとを対向させて配置し、前記ターゲットに電源を接続
して放電させることによって、前記被薄膜形成体上に前
記ターゲットを構成する成膜材料よりなる薄膜を形成す
る真空薄膜形成装置において、前記ターゲットが１個以
上あり、且つ、少なくとも１つのターゲットが、前記被
薄膜形成体に対する対向角度を任意に変化できることを
特徴とする真空薄膜形成装置。 - 【請求項２】 ターゲットは、同時もしくは個別に電源
に接続される請求項１に記載の真空薄膜形成装置。 - 【請求項３】 ターゲットは、２種類以上の個別又は混
合の成膜材料で構成される請求項１又は２に記載の真空
薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4132772A JPH05320892A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 真空薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4132772A JPH05320892A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 真空薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05320892A true JPH05320892A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=15089198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4132772A Pending JPH05320892A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | 真空薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05320892A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007043058A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Avms Corp Ltd | シリコン低温結晶化のための金属触媒ドーピング装置及びこれを利用したドーピング方法 |
| JP2007170215A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Yamaha Motor Co Ltd | 内燃機関用部品およびその製造方法 |
| US8110078B2 (en) | 2007-11-19 | 2012-02-07 | Kojima Press Industry Co., Ltd. | Substrate supporting device and sputtering apparatus including the same |
| JP2016084496A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 株式会社日本製鋼所 | ２個のターゲットによるスパッタリング方法およびスパッタリング装置 |
| WO2017098537A1 (ja) * | 2015-12-07 | 2017-06-15 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁気抵抗効果素子の製造方法および装置 |
| JP2020050925A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置 |
-
1992
- 1992-05-25 JP JP4132772A patent/JPH05320892A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007043058A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Avms Corp Ltd | シリコン低温結晶化のための金属触媒ドーピング装置及びこれを利用したドーピング方法 |
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