JPH05320914A - プラズマｃｖｄ装置および反応性イオンエッチング装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置および反応性イオンエッチング装置Info
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- JPH05320914A JPH05320914A JP13066992A JP13066992A JPH05320914A JP H05320914 A JPH05320914 A JP H05320914A JP 13066992 A JP13066992 A JP 13066992A JP 13066992 A JP13066992 A JP 13066992A JP H05320914 A JPH05320914 A JP H05320914A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一な膜厚のＣＶＤ膜を形成することのでき
る電極板もしくは拡散板を有するプラズマＣＶＤ装置、
および、基板上でエッチング速度が均一になることので
きる電極板もしくは拡散板を有する反応性イオンエッチ
ング装置を提供する。 【構成】 電極板１に両面間を貫通する断面円形状の貫
通孔２を複数形成し、貫通孔２内には貫通孔２の長手方
向ほぼ中央に円環状に突出した突起物３が内方に向けて
突出形成する。原料ガスあるいはエッチングガスは下方
に向って、貫通孔２の出口から遠ざかり下方の基板の領
域に近づくにつれ、一部に速いベクトルの集中がなくな
る。半導体デバイスまたは液晶ディスプレイデバイスな
どの基板付近では、原料ガスあるいはエッチングガスを
均一に散布する。
る電極板もしくは拡散板を有するプラズマＣＶＤ装置、
および、基板上でエッチング速度が均一になることので
きる電極板もしくは拡散板を有する反応性イオンエッチ
ング装置を提供する。 【構成】 電極板１に両面間を貫通する断面円形状の貫
通孔２を複数形成し、貫通孔２内には貫通孔２の長手方
向ほぼ中央に円環状に突出した突起物３が内方に向けて
突出形成する。原料ガスあるいはエッチングガスは下方
に向って、貫通孔２の出口から遠ざかり下方の基板の領
域に近づくにつれ、一部に速いベクトルの集中がなくな
る。半導体デバイスまたは液晶ディスプレイデバイスな
どの基板付近では、原料ガスあるいはエッチングガスを
均一に散布する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】請求項１記載のものは、膜厚の均
一性を向上できる電極板および拡散板を有するプラズマ
ＣＶＤ装置に関する。
一性を向上できる電極板および拡散板を有するプラズマ
ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】請求項２記載のものは、エッチング速度の
均一性を向上できる電極板および拡散板を有する反応性
イオンエッチング装置に関する。
均一性を向上できる電極板および拡散板を有する反応性
イオンエッチング装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】薄膜の形成方法として従来一般に広く用
いられているものの一つに、化学的気相成長法（ＣＶ
Ｄ：Chemical Vapour Deposition）があり、このＣＶＤ
はガス状物質を化学反応で固体物質にし、基板上に堆積
させるものである。
いられているものの一つに、化学的気相成長法（ＣＶ
Ｄ：Chemical Vapour Deposition）があり、このＣＶＤ
はガス状物質を化学反応で固体物質にし、基板上に堆積
させるものである。
【０００４】また、ＣＶＤは成長しようとする薄膜の融
点よりかなり低い堆積温度で種々の薄膜が得られること
および成長した薄膜の純度が高く、シリコン（Ｓｉ）や
シリコン上に形成された熱酸化膜上に成長した場合も電
気的特性が安定であることで、半導体表面のパッシベー
ション膜として広く利用されている。
点よりかなり低い堆積温度で種々の薄膜が得られること
および成長した薄膜の純度が高く、シリコン（Ｓｉ）や
シリコン上に形成された熱酸化膜上に成長した場合も電
気的特性が安定であることで、半導体表面のパッシベー
ション膜として広く利用されている。
【０００５】一方、最近の半導体技術の進歩あるいは液
晶パネルディスプレイの普及により、半導体デバイスは
ますます高集積化、高速度化が進み、使用される基板の
サイズも５インチ径のものから対角１６インチのものへ
と大きくなり、大面積基板全域にわたって均一な成膜を
行なうことを要求されるようになってきている。
晶パネルディスプレイの普及により、半導体デバイスは
ますます高集積化、高速度化が進み、使用される基板の
サイズも５インチ径のものから対角１６インチのものへ
と大きくなり、大面積基板全域にわたって均一な成膜を
行なうことを要求されるようになってきている。
【０００６】また、プラズマＣＶＤ装置では、一般的
に、多数の貫通孔が開設されたいわゆるシャワー電極が
使用される。そして、このようなシャワー電極を使用
し、電極板上部から反応ガスを基板上にシャワーのよう
に降り注ぎながら、プラズマ成膜反応を起こさせると、
基板上に均一な膜厚のＣＶＤ膜を得ることができる。
に、多数の貫通孔が開設されたいわゆるシャワー電極が
使用される。そして、このようなシャワー電極を使用
し、電極板上部から反応ガスを基板上にシャワーのよう
に降り注ぎながら、プラズマ成膜反応を起こさせると、
基板上に均一な膜厚のＣＶＤ膜を得ることができる。
【０００７】ところが、基板へのガス到達時間を短縮す
るために、ガスの流速を高くしようとして、貫通孔径を
電極板もしくは拡散板厚よりも非常に小さくしたり、あ
るいは、２段内径を持つ貫通孔を有する電極板もしくは
拡散板の細い径の孔側を基板側に設置したりして成膜を
行なうと、電極板−基板間距離が近づくにつれ、ガス流
速を推持したまま基板上にガスが到着するので、貫通孔
付近の膜厚が貫通孔周辺に比べて厚くなりむらが発生し
てしまう。
るために、ガスの流速を高くしようとして、貫通孔径を
電極板もしくは拡散板厚よりも非常に小さくしたり、あ
るいは、２段内径を持つ貫通孔を有する電極板もしくは
拡散板の細い径の孔側を基板側に設置したりして成膜を
行なうと、電極板−基板間距離が近づくにつれ、ガス流
速を推持したまま基板上にガスが到着するので、貫通孔
付近の膜厚が貫通孔周辺に比べて厚くなりむらが発生し
てしまう。
【０００８】また、薄膜のエッチング方法として一般に
広く用いられているものの一つに反応性イオンエッチン
グ法（Reactive Ion Etching）がある。この反応性イオ
ンエッチングは、反応性ガスのイオンと中性な活性種、
すなわちラジカルの相互作用によりエッチングを進行さ
せるものである。
広く用いられているものの一つに反応性イオンエッチン
グ法（Reactive Ion Etching）がある。この反応性イオ
ンエッチングは、反応性ガスのイオンと中性な活性種、
すなわちラジカルの相互作用によりエッチングを進行さ
せるものである。
【０００９】そして、反応性エッチングによれば、イオ
ンの物理的なスパッタ効果とラジカルによる化学的なエ
ッチング効果の相乗効果により、ドライエッチングにと
って最も重要な特性、すなわち異方性と高い生産性とが
得られる。
ンの物理的なスパッタ効果とラジカルによる化学的なエ
ッチング効果の相乗効果により、ドライエッチングにと
って最も重要な特性、すなわち異方性と高い生産性とが
得られる。
【００１０】一方、この反応性イオンエッチングの場合
も、ＣＶＤの場合と同様に、最近の半導体技術の進歩あ
るいは液晶パネルディスプレイの普及により、半導体デ
バイスはますます高集積化、高速度化が進み、使用され
る基板のサイズも５インチ径のものから対角１６インチ
のものへと大きくなり、大面積基板全域にわたって均一
なエッチングを行なうことを要求されるようになってき
ている。
も、ＣＶＤの場合と同様に、最近の半導体技術の進歩あ
るいは液晶パネルディスプレイの普及により、半導体デ
バイスはますます高集積化、高速度化が進み、使用され
る基板のサイズも５インチ径のものから対角１６インチ
のものへと大きくなり、大面積基板全域にわたって均一
なエッチングを行なうことを要求されるようになってき
ている。
【００１１】また、反応性イオンエッチング装置では、
一般的に、反応性ガスを対向電極からシャワー状に吹き
出し、反応性ガスの交替を促進して、高いエッチング速
度と、均一性の良いエッチングを実現している。
一般的に、反応性ガスを対向電極からシャワー状に吹き
出し、反応性ガスの交替を促進して、高いエッチング速
度と、均一性の良いエッチングを実現している。
【００１２】しかし、基板大型化に伴い枚葉式の反応式
イオンエッチングの場合も、導入管の電極−基板間距離
のナローギャップ化が図られると、エッチングの均一性
は基板表面に到達する反応性ガスの流速の影響を受けや
すくなる。すなわち、電極板もしくは拡散板上の貫通孔
の径が十分小さくかつ電極板−基板間距離が近づくにつ
れ、反応性ガスの流速を残したまま、反応性ガスが基板
上に到達するので貫通孔付近のエッチングの程度が周辺
と異なりむらが発生してしまう。
イオンエッチングの場合も、導入管の電極−基板間距離
のナローギャップ化が図られると、エッチングの均一性
は基板表面に到達する反応性ガスの流速の影響を受けや
すくなる。すなわち、電極板もしくは拡散板上の貫通孔
の径が十分小さくかつ電極板−基板間距離が近づくにつ
れ、反応性ガスの流速を残したまま、反応性ガスが基板
上に到達するので貫通孔付近のエッチングの程度が周辺
と異なりむらが発生してしまう。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、最近の
半導体技術の進歩あるいは液晶パネルディスプレイの普
及により、デバイスはますます高集積化、高速度化が進
み、使用される基板のサイズも５インチ径のものから対
角１６インチのものへと大きくなり、大面積基板全域に
わたって均一な成膜およびエッチングを行なうことを要
求されるようになってきている。
半導体技術の進歩あるいは液晶パネルディスプレイの普
及により、デバイスはますます高集積化、高速度化が進
み、使用される基板のサイズも５インチ径のものから対
角１６インチのものへと大きくなり、大面積基板全域に
わたって均一な成膜およびエッチングを行なうことを要
求されるようになってきている。
【００１４】ところが、プラズマＣＶＤ装置では、基板
へのガス到達時間を短縮するために、ガスの流速を高く
すると、貫通孔付近の膜厚が貫通孔周辺に比べて厚くな
りむらが発生してしまう問題を有している。
へのガス到達時間を短縮するために、ガスの流速を高く
すると、貫通孔付近の膜厚が貫通孔周辺に比べて厚くな
りむらが発生してしまう問題を有している。
【００１５】また、反応性イオンエッチング装置では、
反応性ガスの流速を残したまま、反応性ガスが基板上に
到達するので貫通孔付近のエッチング程度が周辺と異な
りむらが発生してしまう問題を有している。
反応性ガスの流速を残したまま、反応性ガスが基板上に
到達するので貫通孔付近のエッチング程度が周辺と異な
りむらが発生してしまう問題を有している。
【００１６】請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置は、均
一な膜厚のＣＶＤ膜を形成することのできる電極板もし
くは拡散板を有するプラズマＣＶＤ装置を提供すること
を目的とする。
一な膜厚のＣＶＤ膜を形成することのできる電極板もし
くは拡散板を有するプラズマＣＶＤ装置を提供すること
を目的とする。
【００１７】請求項２記載の反応性イオンエッチング装
置は、基板上でエッチング速度が均一になることのでき
る電極板もしくは拡散板を有する反応性イオンエッチン
グ装置を提供することを目的とする。
置は、基板上でエッチング速度が均一になることのでき
る電極板もしくは拡散板を有する反応性イオンエッチン
グ装置を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のプラズマ
ＣＶＤ装置は、接地基板電極を構成する金属製均熱板
と、この金属製均熱板を加熱する加熱手段を有するサセ
プタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙する高周
波電極と、原料ガスを導入する原料ガス導入口側に位置
する電極板と、前記原料ガス導入口から導入された前記
原料ガスを前記電極板に拡散する拡散板とを備えたプラ
ズマＣＶＤ装置において、前記電極板および前記拡散板
の内少なくともいずれか一方に配設された複数個の貫通
孔と、この貫通孔内部に配設され、前記電極板および前
記拡散板のいずれか対応する側の厚さより薄く、前記貫
通孔の表面径より小径の突起物とを具備したものであ
る。
ＣＶＤ装置は、接地基板電極を構成する金属製均熱板
と、この金属製均熱板を加熱する加熱手段を有するサセ
プタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙する高周
波電極と、原料ガスを導入する原料ガス導入口側に位置
する電極板と、前記原料ガス導入口から導入された前記
原料ガスを前記電極板に拡散する拡散板とを備えたプラ
ズマＣＶＤ装置において、前記電極板および前記拡散板
の内少なくともいずれか一方に配設された複数個の貫通
孔と、この貫通孔内部に配設され、前記電極板および前
記拡散板のいずれか対応する側の厚さより薄く、前記貫
通孔の表面径より小径の突起物とを具備したものであ
る。
【００１９】請求項２記載の反応性イオンエッチング装
置は、互いに平行に対向して設置された一対の平板の電
極と、この一対の電極に高周波を印加してプラズマを発
生させるプラズマ発生手段と、エッチングガスを導入す
るエッチングガス導入口側に位置する電極板と、前記エ
ッチングガス導入口から導入されたエッチングガスを前
記電極板に拡散する拡散板とを備え、前記いずれかの電
極上に配設した基板をエッチングする反応性イオンエッ
チング装置において、前記電極板および前記拡散板の内
少なくともいずれか一方に配設された複数個の貫通孔
と、この貫通孔内部に配設され、前記電極板および前記
拡散板のいずれか対応する側の厚さより薄く、この貫通
孔のエッチングガスの吹き出し側の孔径より小径の突起
物とを具備したものである。
置は、互いに平行に対向して設置された一対の平板の電
極と、この一対の電極に高周波を印加してプラズマを発
生させるプラズマ発生手段と、エッチングガスを導入す
るエッチングガス導入口側に位置する電極板と、前記エ
ッチングガス導入口から導入されたエッチングガスを前
記電極板に拡散する拡散板とを備え、前記いずれかの電
極上に配設した基板をエッチングする反応性イオンエッ
チング装置において、前記電極板および前記拡散板の内
少なくともいずれか一方に配設された複数個の貫通孔
と、この貫通孔内部に配設され、前記電極板および前記
拡散板のいずれか対応する側の厚さより薄く、この貫通
孔のエッチングガスの吹き出し側の孔径より小径の突起
物とを具備したものである。
【００２０】
【作用】請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置は、貫通孔
内部に設けられた突起物がガス流速を速めるとともに、
貫通孔の表面径より突起物を小径としたため、基板側に
おいて再び径が広くなるような貫通孔の構造となってい
るので、貫通孔を通過した原料ガスは基板に対して均一
に分散され、均一な膜厚が形成される。
内部に設けられた突起物がガス流速を速めるとともに、
貫通孔の表面径より突起物を小径としたため、基板側に
おいて再び径が広くなるような貫通孔の構造となってい
るので、貫通孔を通過した原料ガスは基板に対して均一
に分散され、均一な膜厚が形成される。
【００２１】請求項２記載の反応性イオンエッチング装
置は、貫通孔内部に設けられた突起物がガス流速を速め
るとともに、貫通孔のエッチングガスの吹き出し側の孔
径より突起物を小径としたため、基板側において再び径
が広くなるような貫通孔の構造となっているので、貫通
孔を通過したエッチングガスは基板に対して均一に分散
され、均一にエッチングできる。
置は、貫通孔内部に設けられた突起物がガス流速を速め
るとともに、貫通孔のエッチングガスの吹き出し側の孔
径より突起物を小径としたため、基板側において再び径
が広くなるような貫通孔の構造となっているので、貫通
孔を通過したエッチングガスは基板に対して均一に分散
され、均一にエッチングできる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明のプラズマＣＶＤ装置および反
応性イオンエッチング装置の一実施例について図面を参
照して説明する。
応性イオンエッチング装置の一実施例について図面を参
照して説明する。
【００２３】まず、プラズマＣＶＤ装置は、金属製均熱
板で接地基板電極を構成し、サセプタの加熱手段で金属
製均熱板を加熱するようになっており、サセプタ上の接
地基板電極に高周波電極が対峙している。また、プラズ
マＣＶＤ膜成膜用の原料ガスを導入する原料ガス導入口
が設けられ、この原料ガス導入口側に位置して電極板が
設けられ、さらに、原料ガス導入口から導入された原料
ガスを電極板に拡散する拡散板が設けられている。
板で接地基板電極を構成し、サセプタの加熱手段で金属
製均熱板を加熱するようになっており、サセプタ上の接
地基板電極に高周波電極が対峙している。また、プラズ
マＣＶＤ膜成膜用の原料ガスを導入する原料ガス導入口
が設けられ、この原料ガス導入口側に位置して電極板が
設けられ、さらに、原料ガス導入口から導入された原料
ガスを電極板に拡散する拡散板が設けられている。
【００２４】また、反応性イオンエッチング装置は、互
いに平行に対向して一対の平板の電極が設置され、この
一対の電極にプラズマ発生手段が設けられ高周波を印加
してプラズマを発生させている。そして、エッチングガ
スを導入するエッチングガス導入口が設けられ、このエ
ッチングガス導入口側に位置して電極板が設けられ、さ
らに、エッチングガス導入口から導入されたエッチング
ガスを電極板に拡散する拡散板が設けられている。
いに平行に対向して一対の平板の電極が設置され、この
一対の電極にプラズマ発生手段が設けられ高周波を印加
してプラズマを発生させている。そして、エッチングガ
スを導入するエッチングガス導入口が設けられ、このエ
ッチングガス導入口側に位置して電極板が設けられ、さ
らに、エッチングガス導入口から導入されたエッチング
ガスを電極板に拡散する拡散板が設けられている。
【００２５】そして、プラズマＣＶＤ装置も反応性イオ
ンエッチング装置も、電極板１は、図１に示すようにな
っている。
ンエッチング装置も、電極板１は、図１に示すようにな
っている。
【００２６】すなわち、電極板１に両面間を貫通する断
面円形状の貫通孔２が複数形成され、この貫通孔２内に
は貫通孔２の長手方向ほぼ中央に円環状に突出された突
起物３が内方に向けて突出形成されている。
面円形状の貫通孔２が複数形成され、この貫通孔２内に
は貫通孔２の長手方向ほぼ中央に円環状に突出された突
起物３が内方に向けて突出形成されている。
【００２７】そして、電極板１の厚さをａとすると、貫
通孔２の両表面の孔径ｂは電極板１の厚さａの１／２以
下である。一方、貫通孔２内の突起物３は両表面の孔径
ｂの１／２以下に対応する厚さｃで、電極板１の両表面
の孔径ｂの１／２以下である内径ｄにて形成されること
が好ましい。
通孔２の両表面の孔径ｂは電極板１の厚さａの１／２以
下である。一方、貫通孔２内の突起物３は両表面の孔径
ｂの１／２以下に対応する厚さｃで、電極板１の両表面
の孔径ｂの１／２以下である内径ｄにて形成されること
が好ましい。
【００２８】次に、電極板１の貫通孔２を含む範囲での
ＣＶＤ装置あるいは反応性イオンエッチング装置内のガ
ス流れをシミュレーションした状態を図２に示す。な
お、この図２では上記実施例の貫通孔２を右側（ａ）
に、従来の２段内径を持つ貫通孔を左側（ｂ）に示して
いる。
ＣＶＤ装置あるいは反応性イオンエッチング装置内のガ
ス流れをシミュレーションした状態を図２に示す。な
お、この図２では上記実施例の貫通孔２を右側（ａ）
に、従来の２段内径を持つ貫通孔を左側（ｂ）に示して
いる。
【００２９】また、原料ガスあるいはエッチングガスの
流れをシミュレーションした時の速度ベクトル図を図３
に示す。この図３に示す場合も、上記実施例の貫通孔２
を右側（ａ）に、従来の２段内径を持つ貫通孔を左側
（ｂ）に示している。
流れをシミュレーションした時の速度ベクトル図を図３
に示す。この図３に示す場合も、上記実施例の貫通孔２
を右側（ａ）に、従来の２段内径を持つ貫通孔を左側
（ｂ）に示している。
【００３０】そして、原料ガスあるいはエッチングガス
は下方に向って上記実施例の貫通孔２も従来の２段内径
を持つ貫通孔も、上側から同じ速度で流入されている
が、（ａ）に示す上記実施例の貫通孔２の方では貫通孔
２の出口から遠ざかり下方の基板の領域に近づくにつ
れ、一部に速いベクトルの集中が明らかになくなってい
るのに対し、（ｂ）に示す２段内径の従来例ではベクト
ルの集中が現れている。したがって、（ａ）に示す上記
実施例の場合には、（ｂ）に示す２段内径の場合に比べ
て、半導体デバイスまたは液晶ディスプレイデバイスな
どの基板付近では原料ガスあるいはエッチングガスが均
一に散布されていることが理解できる。
は下方に向って上記実施例の貫通孔２も従来の２段内径
を持つ貫通孔も、上側から同じ速度で流入されている
が、（ａ）に示す上記実施例の貫通孔２の方では貫通孔
２の出口から遠ざかり下方の基板の領域に近づくにつ
れ、一部に速いベクトルの集中が明らかになくなってい
るのに対し、（ｂ）に示す２段内径の従来例ではベクト
ルの集中が現れている。したがって、（ａ）に示す上記
実施例の場合には、（ｂ）に示す２段内径の場合に比べ
て、半導体デバイスまたは液晶ディスプレイデバイスな
どの基板付近では原料ガスあるいはエッチングガスが均
一に散布されていることが理解できる。
【００３１】次に、図４を参照して他の実施例を説明す
る。
る。
【００３２】この図４に示す実施例は、図１に示す実施
例において、突起物３を貫通孔２のガス流入側に形成し
たものである。
例において、突起物３を貫通孔２のガス流入側に形成し
たものである。
【００３３】また、この図４に示す実施例も、貫通孔２
のガス吹き出し側の孔径ｂは電極板１の厚さａの１／２
以下であり、貫通孔２内の突起物３はガス吹き出し側の
孔径ｂの１／２以下である厚さｃを持ち、電極板１のガ
ス吹き出し側の孔径ｂの１／２以下である内径ｄを持つ
ことが望ましい。
のガス吹き出し側の孔径ｂは電極板１の厚さａの１／２
以下であり、貫通孔２内の突起物３はガス吹き出し側の
孔径ｂの１／２以下である厚さｃを持ち、電極板１のガ
ス吹き出し側の孔径ｂの１／２以下である内径ｄを持つ
ことが望ましい。
【００３４】そして、この図４に示す実施例を用いた場
合にも、図１に示す実施例の場合と同様に、基板付近で
原料ガスあるいはエッチングガスを均一に散布できる。
合にも、図１に示す実施例の場合と同様に、基板付近で
原料ガスあるいはエッチングガスを均一に散布できる。
【００３５】さらに、図５を参照して他の実施例を説明
する。
する。
【００３６】この図５に示す実施例は、図４に示す実施
例において、突起物３は複数の突起物３1 ，３2 ，
３3 ，３4 にて形成され、順次段階的に原料ガスあるい
はエッチングガスの吹き出し側に向けて、大きな内径に
形成されている。
例において、突起物３は複数の突起物３1 ，３2 ，
３3 ，３4 にて形成され、順次段階的に原料ガスあるい
はエッチングガスの吹き出し側に向けて、大きな内径に
形成されている。
【００３７】そして、この図５に示す実施例は、貫通孔
２のガス吹き出し側の孔径ｂは電極板１の厚さａ以下で
あり、貫通孔２内の突起物３は複数の突起物３1 ，
３2 ，３3 ，３4 は、それぞれ順次ガス吹き出し側の孔
径ｂの１／２以下である厚さｃ1，ｃ2 ，ｃ3 ，ｃ4 で
あり、電極板１のガス吹き出し側の孔径ｂの１／２以下
である内径ｄ1 ，ｄ2 ，ｄ3 ，ｄ4 であることが望まし
い。
２のガス吹き出し側の孔径ｂは電極板１の厚さａ以下で
あり、貫通孔２内の突起物３は複数の突起物３1 ，
３2 ，３3 ，３4 は、それぞれ順次ガス吹き出し側の孔
径ｂの１／２以下である厚さｃ1，ｃ2 ，ｃ3 ，ｃ4 で
あり、電極板１のガス吹き出し側の孔径ｂの１／２以下
である内径ｄ1 ，ｄ2 ，ｄ3 ，ｄ4 であることが望まし
い。
【００３８】そして、この図５に示す実施例を用いた場
合にも、図１に示す実施例の場合と同様に、基板付近で
原料ガスあるいはエッチングガスを均一に散布できる。
合にも、図１に示す実施例の場合と同様に、基板付近で
原料ガスあるいはエッチングガスを均一に散布できる。
【００３９】また、上記図１、図４および図５に示す実
施例においては、いずれも電極板に貫通孔を設けていた
が、拡散板に貫通孔を設けても、同様の効果を得ること
ができる
施例においては、いずれも電極板に貫通孔を設けていた
が、拡散板に貫通孔を設けても、同様の効果を得ること
ができる
【００４０】
【発明の効果】請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置によ
れば、貫通孔内部に設けられた突起物がガス流速を速め
るとともに、貫通孔の表面径より突起物を小径としたた
め、基板側において再び径が広くなるような貫通孔の構
造となっているので、貫通孔を通過した原料ガスは噴出
側で流速が緩和され、基板に対して均一に分散され、均
一な膜厚となるので、従来のような不均一な膜生成が効
果的に防止され、歩留まりを向上させることができる。
れば、貫通孔内部に設けられた突起物がガス流速を速め
るとともに、貫通孔の表面径より突起物を小径としたた
め、基板側において再び径が広くなるような貫通孔の構
造となっているので、貫通孔を通過した原料ガスは噴出
側で流速が緩和され、基板に対して均一に分散され、均
一な膜厚となるので、従来のような不均一な膜生成が効
果的に防止され、歩留まりを向上させることができる。
【００４１】請求項２記載の反応性イオンエッチング装
置は、貫通孔内部に設けられた突起物がガス流速を速め
るとともに、貫通孔のエッチングガスの吹き出し側の孔
径より突起物を小径としたため、基板側において再び径
が広くなるような貫通孔の構造となっているので、貫通
孔を通過したエッチングガスは噴出側で流速が緩和さ
れ、基板に対して均一に分散され、均一にエッチングで
きるので、従来のような不均一なエッチングが効果的に
防止され、歩留りを向上させることができる。
置は、貫通孔内部に設けられた突起物がガス流速を速め
るとともに、貫通孔のエッチングガスの吹き出し側の孔
径より突起物を小径としたため、基板側において再び径
が広くなるような貫通孔の構造となっているので、貫通
孔を通過したエッチングガスは噴出側で流速が緩和さ
れ、基板に対して均一に分散され、均一にエッチングで
きるので、従来のような不均一なエッチングが効果的に
防止され、歩留りを向上させることができる。
【図１】本発明のプラズマＣＶＤ装置および反応性イオ
ンエッチング装置の一実施例の電極板の貫通孔を示す断
面図である。
ンエッチング装置の一実施例の電極板の貫通孔を示す断
面図である。
【図２】ガス流出をシミュレーションする時のメッシュ
図である。 （ａ） 図１の貫通孔を示す図 （ｂ） 従来の２段内径を持つ貫通孔を示す図
図である。 （ａ） 図１の貫通孔を示す図 （ｂ） 従来の２段内径を持つ貫通孔を示す図
【図３】ガス流速のシミュレーション結果を示すグラフ
である。 （ａ） 図１の貫通孔を示す図 （ｂ） 従来の２段内径を持つ貫通孔を示す図
である。 （ａ） 図１の貫通孔を示す図 （ｂ） 従来の２段内径を持つ貫通孔を示す図
【図４】他の実施例の電極板の貫通孔を示す断面図であ
る。
る。
【図５】また他の実施例の電極板の貫通孔を示す断面図
である。
である。
１ 電極板 ２ 貫通孔 ３ 突起物
Claims (2)
- 【請求項１】 接地基板電極を構成する金属製均熱板
と、この金属製均熱板を加熱する加熱手段を有するサセ
プタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙する高周
波電極と、原料ガスを導入する原料ガス導入口側に位置
する電極板と、前記原料ガス導入口から導入された前記
原料ガスを前記電極板に拡散する拡散板とを備えたプラ
ズマＣＶＤ装置において、 前記電極板および前記拡散板の内少なくともいずれか一
方に配設された複数個の貫通孔と、 この貫通孔内部に配設され、前記電極板および前記拡散
板のいずれか対応する側の厚さより薄く、前記貫通孔の
表面径より小径の突起物とを具備したことを特徴とする
プラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 互いに平行に対向して設置された一対の
平板の電極と、この一対の電極に高周波を印加してプラ
ズマを発生させるプラズマ発生手段と、エッチングガス
を導入するエッチングガス導入口側に位置する電極板
と、前記エッチングガス導入口から導入されたエッチン
グガスを前記電極板に拡散する拡散板とを備え、前記い
ずれかの電極上に配設した基板をエッチングする反応性
イオンエッチング装置において、 前記電極板および前記拡散板の内少なくともいずれか一
方に配設された複数個の貫通孔と、 この貫通孔内部に配設され、前記電極板および前記拡散
板のいずれか対応する側の厚さより薄く、この貫通孔の
エッチングガスの吹き出し側の孔径より小径の突起物と
を具備したことを特徴とする反応性イオンエッチング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13066992A JPH05320914A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | プラズマｃｖｄ装置および反応性イオンエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13066992A JPH05320914A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | プラズマｃｖｄ装置および反応性イオンエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05320914A true JPH05320914A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=15039788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13066992A Pending JPH05320914A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | プラズマｃｖｄ装置および反応性イオンエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05320914A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009074180A (ja) * | 2008-11-17 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ処理装置及びｃｖｄ処理方法 |
| JP2023181538A (ja) * | 2020-03-24 | 2023-12-21 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用電極板 |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP13066992A patent/JPH05320914A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009074180A (ja) * | 2008-11-17 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ処理装置及びｃｖｄ処理方法 |
| JP2023181538A (ja) * | 2020-03-24 | 2023-12-21 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用電極板 |
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