JPS5933251B2 - プラズマ気相処理装置 - Google Patents
プラズマ気相処理装置Info
- Publication number
- JPS5933251B2 JPS5933251B2 JP12451877A JP12451877A JPS5933251B2 JP S5933251 B2 JPS5933251 B2 JP S5933251B2 JP 12451877 A JP12451877 A JP 12451877A JP 12451877 A JP12451877 A JP 12451877A JP S5933251 B2 JPS5933251 B2 JP S5933251B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- plasma
- vapor phase
- phase processing
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポジ
ション）装置のようなプラズマ気相処理装置の改良に関
する。
ション）装置のようなプラズマ気相処理装置の改良に関
する。
プラズマＣＶＤ法は比較的低温でＣＶＤ膜を形成するこ
とができる利点を有するため、最近、半導体装置のパッ
シベーション膜形成に適用されつつある。
とができる利点を有するため、最近、半導体装置のパッ
シベーション膜形成に適用されつつある。
プラズマＣＶＤ法によるパッシベーション膜形成に使用
される従来の装置は第１図に示す如く一対の対向する電
極１、２の一方の電極２に半導体ウエフア３、４、５を
載置し、反応性雰囲気、例えばＳｉＨ４＋ＰＨ３＋Ｏ２
の混合雰囲気中で電５ 極１及び２に高周波電圧を印加
してプラズマを発生させ、このプラズマ化したガスを反
応させて（例えばリンガラスのような生成物を試料３表
面上に堆積する構成となつている。
される従来の装置は第１図に示す如く一対の対向する電
極１、２の一方の電極２に半導体ウエフア３、４、５を
載置し、反応性雰囲気、例えばＳｉＨ４＋ＰＨ３＋Ｏ２
の混合雰囲気中で電５ 極１及び２に高周波電圧を印加
してプラズマを発生させ、このプラズマ化したガスを反
応させて（例えばリンガラスのような生成物を試料３表
面上に堆積する構成となつている。
この様な、従来のプラズマＣＶＤ装置ではプラ１０ ズ
マの強さは電極間一様でなく、第１図点線６で示す如く
中央部と周辺部とではプラズマの強さが異なり、その結
果、電極２上の試料に生成するＣＶＤ膜の厚さに不均一
が生じ半導体装置製造の歩留を下げる結果となつている
。
マの強さは電極間一様でなく、第１図点線６で示す如く
中央部と周辺部とではプラズマの強さが異なり、その結
果、電極２上の試料に生成するＣＶＤ膜の厚さに不均一
が生じ半導体装置製造の歩留を下げる結果となつている
。
１５本発明の目的は均一なプラズマＣＶＤ膜を生成した
り、均一なプラズマエッチングを行うことができるプラ
ズマ気相処理装置を提供するにある。
り、均一なプラズマエッチングを行うことができるプラ
ズマ気相処理装置を提供するにある。
本発明の一実施例は、試料に対向する一方の電極を複数
に分割すると共に可動にし、各電極と上２０記試料との
間隔を任意に調節できるようにしたことである。すなわ
ち、本発明では電極間に発生するプラズマの強さは電極
間の距離に依存して変えられるとの事実にもとづき、電
極を複数に分割すると共に可動にし、それによつて任意
に電極間距２５離分布を調整し、電極間に発生するプラ
ズマの強さを各場所で均一になる様に制御しうるように
したものである。以下、本発明の一実施例を第２図にも
とずき説明する。
に分割すると共に可動にし、各電極と上２０記試料との
間隔を任意に調節できるようにしたことである。すなわ
ち、本発明では電極間に発生するプラズマの強さは電極
間の距離に依存して変えられるとの事実にもとづき、電
極を複数に分割すると共に可動にし、それによつて任意
に電極間距２５離分布を調整し、電極間に発生するプラ
ズマの強さを各場所で均一になる様に制御しうるように
したものである。以下、本発明の一実施例を第２図にも
とずき説明する。
第２図において、第１図における同一部３０分には同一
符号を付して示す。電極１の上に載置された半導体ウエ
ー・３、４、５に対向して複数に分割された他方の可動
電極７、８、９、１０、１１が設けられ、それぞれの電
極が少しづつ電極１との間隔を異にしている。
符号を付して示す。電極１の上に載置された半導体ウエ
ー・３、４、５に対向して複数に分割された他方の可動
電極７、８、９、１０、１１が設けられ、それぞれの電
極が少しづつ電極１との間隔を異にしている。
ここ３５で、電極間隔分布は、対向電極間に反応性ガス
、例えばＳｉＨ４＋ ＰＨ３＋Ｏ２の混合ガスを導入し
つつ電極１と電極Ｔ乃至１１間に高周波電圧を印加した
場合に生ずるプラズマの強さが点線６で示す如く、電極
間のどの位置をとつても一様になるように予め設定され
ている。このようにしておくことにより、ブラズマガス
の反応の進展につれて半導体ウエ一・３，４，５上にほ
ぼ同一の厚さのリンガラス膜を堆積することが可能にな
る。本発明を実施するにあたり、複数に分割する電極の
数は堆積膜の均一性及び分割された個々の電極の操作上
の困難性等から適宜決められるものである。第３図は、
細分割され可動電極７〜１１の具体化構造の一例として
可動電極７の保持構造を代表的に示すものである。
、例えばＳｉＨ４＋ ＰＨ３＋Ｏ２の混合ガスを導入し
つつ電極１と電極Ｔ乃至１１間に高周波電圧を印加した
場合に生ずるプラズマの強さが点線６で示す如く、電極
間のどの位置をとつても一様になるように予め設定され
ている。このようにしておくことにより、ブラズマガス
の反応の進展につれて半導体ウエ一・３，４，５上にほ
ぼ同一の厚さのリンガラス膜を堆積することが可能にな
る。本発明を実施するにあたり、複数に分割する電極の
数は堆積膜の均一性及び分割された個々の電極の操作上
の困難性等から適宜決められるものである。第３図は、
細分割され可動電極７〜１１の具体化構造の一例として
可動電極７の保持構造を代表的に示すものである。
可動電極７に取付けられた導電ロツド７ａはペルシャー
内で昇降自在に配置されている。すなわち、ペルシャー
壁２０には、絶縁性保持板２１がとめねじ２２により固
定され、導電ロツド７ａに嵌合固定されたナツト２４が
保持板２１のロツド取巻部２１ａの外周面に螺合してい
る。なお、２３，２５はシーリングである。このような
構造によれば、必要に応じてナツト２４を回転，駆動す
ることにより電極７の上下方向の位置を微細に調整し、
設定することができる。上述した本発明の装置を使用す
れば、一度に数十枚の半導体ウエハ上にパツシベーシヨ
ン膜を堆積しても、どのウエハにもほぼ同一厚さのパツ
シベーシヨン膜を被着することができ、歩留を著しく高
かめることができる。なお、本発明の考え方は、プラズ
マエツチング装置にも適用できる。
内で昇降自在に配置されている。すなわち、ペルシャー
壁２０には、絶縁性保持板２１がとめねじ２２により固
定され、導電ロツド７ａに嵌合固定されたナツト２４が
保持板２１のロツド取巻部２１ａの外周面に螺合してい
る。なお、２３，２５はシーリングである。このような
構造によれば、必要に応じてナツト２４を回転，駆動す
ることにより電極７の上下方向の位置を微細に調整し、
設定することができる。上述した本発明の装置を使用す
れば、一度に数十枚の半導体ウエハ上にパツシベーシヨ
ン膜を堆積しても、どのウエハにもほぼ同一厚さのパツ
シベーシヨン膜を被着することができ、歩留を著しく高
かめることができる。なお、本発明の考え方は、プラズ
マエツチング装置にも適用できる。
第１図は公知のプラズマＣＶＤ装置の電極部を説明する
断面図、第２図は本発明のブラズマＣＤ装置の電極部を
説明する断面図、第３図は可動電極の具体化構造を示す
断面図である。 １，２・・・電極、３，４，５・・・半導体ウエフア、
６・・・ブラズマ強度分布、７，８，９，１０，１１・
・・細分割可動電極。
断面図、第２図は本発明のブラズマＣＤ装置の電極部を
説明する断面図、第３図は可動電極の具体化構造を示す
断面図である。 １，２・・・電極、３，４，５・・・半導体ウエフア、
６・・・ブラズマ強度分布、７，８，９，１０，１１・
・・細分割可動電極。
Claims (1)
- １ 対向する一対の電極の一方に試料を載置又は係止し
、反応性気体雰囲気中で上記一対の電極に高周波電圧を
印加し、上記電極間にプラズマガスを発生させ、該プラ
ズマガスの反応によつて上記試料上に所望の薄膜を堆積
させ又は気相エッチングを行うようにしたプラズマ気相
処理装置に於て、上記一対の電極の少なくとも一方の電
極を複数に分割するとともに可動にし、電極間隔を調節
できるようにしたことを特徴とするプラズマ気相処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12451877A JPS5933251B2 (ja) | 1977-10-19 | 1977-10-19 | プラズマ気相処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12451877A JPS5933251B2 (ja) | 1977-10-19 | 1977-10-19 | プラズマ気相処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5458361A JPS5458361A (en) | 1979-05-11 |
| JPS5933251B2 true JPS5933251B2 (ja) | 1984-08-14 |
Family
ID=14887453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12451877A Expired JPS5933251B2 (ja) | 1977-10-19 | 1977-10-19 | プラズマ気相処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933251B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512733A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-29 | Anelva Corp | Dry process etching device |
| JPS5683033A (en) * | 1980-04-18 | 1981-07-07 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS59199037A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-12 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜生成装置 |
| JPS59217330A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-07 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
| JPS62271418A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質シリコン半導体素子の製造方法 |
| JP5319731B2 (ja) * | 2000-02-24 | 2013-10-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 平行平板型ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
| US7032536B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-04-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film formation apparatus including engagement members for support during thermal expansion |
| KR100978754B1 (ko) | 2008-04-03 | 2010-08-30 | 주식회사 테스 | 플라즈마 처리 장치 |
| US8382941B2 (en) | 2008-09-15 | 2013-02-26 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactor with adjustable plasma electrodes and associated methods |
-
1977
- 1977-10-19 JP JP12451877A patent/JPS5933251B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5458361A (en) | 1979-05-11 |
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