JPH053229B2 - - Google Patents
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- JPH053229B2 JPH053229B2 JP9494983A JP9494983A JPH053229B2 JP H053229 B2 JPH053229 B2 JP H053229B2 JP 9494983 A JP9494983 A JP 9494983A JP 9494983 A JP9494983 A JP 9494983A JP H053229 B2 JPH053229 B2 JP H053229B2
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/06—Circuits specially adapted for rendering non-conductive gas discharge tubes or equivalent semiconductor devices, e.g. thyratrons, thyristors
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- Power Engineering (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ゲートターンオフサイリスタや静電
誘導サイリスタ等の自己消弧形サイリスタにおけ
る電力を巧みに処理するようにした自己消弧形サ
イリスタのスナバ回路に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、自己消弧形サイリスタとしてゲートター
ンオフサイリスタ(以下GTOサイリスタと称す
る)が慣用されているところであり、さらには新
しいタイプとして静電誘導サイリスタ(以下SIサ
イリスタと称する)が知られている。
このSIサイリスタは、GTOサイリスタと同様
に通電中の素子のカソード・ゲート間に逆バイア
ス電圧を印加することにより、素子をターンオフ
させることができる。
また、これのターンオンに関しては、GTOサ
イリスタと同様に、ゲート・カソード間に順バイ
アスを印加する必要のあるノーマリーオフ形と、
ゲート・カソード間の逆バイアスを除くだけでオ
ンするノーマリーオン形の2種類がある。
いずれもスイツチング時間が極めて早いのが特
徴で、高耐圧化が容易なことと合わせ、高周波
用、大電力用のスイツチング素子として有望視さ
れている。
つぎに、GTOサイリスタまたはSIサイリスタ
を用いた直流スイツチ回路の代表例を第1図に示
す。なお、説明を簡単化するため自己消弧形サイ
リスタとしてSIサイリスタを用いた例により説明
することにする。
第1図はノーマリーオフ形SIサイリスタを採用
した直流スイツチ回路の構成例を示すものであ
り、1はSIサイリスタ、2は主電流、3は負荷、
4はスイツチ、5はスナバコンデンサ、6はスナ
バ抵抗、7はスナバダイオード、8はゲート回路
である。
かくの如きSIサイリスタを用いてなる回路構成
の動作はつぎの如くである。また、かかる作用の
理解を容易にするため第1図の各部波形の状態を
第2図a,bに示している。
図中、T1はSIサイリスタ1がターンオフ動作
を開始したターンオン開始点、T2はSIサイリス
タ1がターンオフ動作を開始したターンオフ開始
点を示し、また電流、電圧をそれぞれi,vで符
号化して表している。
さて、第1図において、ゲート回路8によつて
SIサイリスタ1のゲート・カソード間に逆バイア
ス電圧を印加しておきスイツチ4を閉じると、主
電源2電圧が負荷3を介してSIサイリスタ1のア
ソード・カソード間に印加されるため、スナバコ
ンデンサ5がスナバダイオード7を介し充電され
て電源電圧に等しくなる。
ここで、SIサイリスタ1のターンオフさせる場
合、ゲート回路8よりSIサイリスタ1のゲートに
順方向電流を供給すればよく、SIサイリスタ1の
ターンオンにより、スナバコンデンサ5に充電さ
れていた電荷はスナバ抵抗6を介して放電され、
そのエネルギーがスナバ抵抗6により消費されて
熱に変るものとなる。
また、通電中のSIサイリスタ1をターンオフさ
せるには、ゲート回路8よりSIサイリスタ1のゲ
ートに逆方向電流を供給すればよい。このとき、
SIサイリスタ1は急速にオフし、スナバコンデン
サ5はスナバダイオード7を経由して電源電圧に
まで充電される。
〔発明が解決しようとする課題〕
かようにして、第1の回路ではスナバコンデン
サ5の電荷はSIサイリスタ1のオン・オフに応じ
て充放電を繰り返すわけであるが、その際スナバ
コンデンサ5に出入りする電力PCは(1)式で表わ
せる。
PC=C・E2・f ………(1)
ただし、Cはスナバコンデンサ5の容量、Eは
主電源2の電圧、fは動作周波数である。
また、スナバ抵抗6がスナバコンデンサ5の放
電時のみ通電されるので、ここで消費される電力
PRは電力PCの半分になり、
PR=(1/2)C・E2・f ………(2)
となる。
よつて、スナバ抵抗6による電力PRが特に電
圧、周波数が大きくなると、急速に増大して発生
する熱量が大きくなつて熱処理に問題を生じるこ
とからも、スナバ回路の電力処理が大きな問題と
なつていた。
本発明は上述したような点に鑑みて、スナバ回
路における電力損失を効果的に低減し得る格別な
自己消弧形サイリスタのスナバ回路を提供するも
のである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明はかかる電力損失を改善するため、つぎ
のような構成をなす。すなわち、
第1のダイオードのカソードを第1のコンデン
サに接続した第1の直列回路を自己消弧形サイリ
スタにアノードが共通になるよう並列接続してス
ナバ回路を形成し、第2のコンデンサと第2のリ
アクトルよりなる第2の直列回路の一端を自己消
弧形サイリスタのアノードに接続し、他端を第2
のダイオードのカソードに接続し、第2のダイオ
ードのアノードは第1のコンデンサに接続して、
第1のコンデンサ、第2のダイオード、第2の直
列回路、自己消弧形サイリスタ、第1のコンデン
サから成る第1の閉回路を備えるとともに、第2
の直列回路と第2のダイオードの接続点に第3の
ダイオードのアノードを接続し、第3のダイオー
ドのカソードを第1のリアクトルの電源側端子に
接続するとともに、第1のリアクトルの他端を自
己消弧形サイリスタのアノードに接続して、第2
の直列回路、第3のダイオード、第1のリアクト
ル、第2の直列回路から成る第2の閉回路を備え
るようにしたものである。
〔作用〕
かようにしてなる解決手段により、自己消弧形
サイリスタがオフする時に充電される第1のコン
デンサの電荷を、自己消弧形サイリスタがオンす
る時に第1の閉回路を流れる第1のコンデンサの
放電電流によつて、第2のコンデンサに移行せし
め、自己消弧形サイリスタの次回のオフ時に生じ
る自己消弧形サイリスタのアノード電圧の上昇に
より、第2のコンデンサに移行された電荷を、第
2の閉回路によつて放電することで、負荷である
第1のリアクトルに給電せしめることができるも
のである。
〔実施例〕
第3図は本発明が適用された第1図に類する一
例の要部構成を示す回路図で、9,13はコンデ
ンサ、10,11,14,16はダイオード、1
2,15はリアクトルである。図中、第1図と同
符号のものは同じ構成部分を示す。なお、図にお
いて負荷の表示を割愛したが、ここでは誘導性負
荷を対象とする適用の場合で説明する。つぎに、
かかる回路の機能をSIサイリスタ1のターンオン
時とターンオフ時について以下に詳細説明する。
ここで、第4図は第3図のターンオン時の各部
波形の状態を第2図と同様に表したタイムチヤー
トである。
さて、第3図において、図示しないゲート回路
によりSIサイリスタ1の逆バイアス電圧を与えた
状態でスイツチ4を閉じると、主電源2の電圧ES
がリアクトル15を介してSIサイリスタ1のアノ
ード・カソード間に印加され、さらにはコンデン
サ9がダイオード10を通し充電されて電圧ESに
等しくなる。
ここで、ゲート回路によりSIサイリスタ1のゲ
ートに順電流を供給すれば、SIサイリスタ1はタ
ーンオンする。
したがつて、ここまでの動作は第1図に示した
スナバ回路におけるものと何ら変るものではな
い。
そして、SIサイリスタ1がオンすると、コンデ
ンサ9に蓄えられた電荷は、
コンデンサ9→ダイオード11→リアクトル1
2→コンデンサ13→SIサイリスタ1→コンデン
サ9の共振回路により、コンデンサ13に移行さ
れるものとなる。
かような作用は第4図に示した波形の推移から
も明らかである。
また、コンデンサ13に移つた電荷がその端子
電圧を第3図に示した極性に充電するものとなる
が、ここに、コンデンサ13のマイナス端子電位
は、SIサイリスタ1がオンしているため主電源2
の負電位に等しく、ダイオード14は逆バイアス
されている。そのため、SIサイリスタ1のターン
オン期間を通じてコンデンサ13の電荷が放電さ
れず、コンデンサ13は充電状態を保つことにな
る。
さらに、第3図のスナバ回路部の等価回路とし
て表した第5図を参照して前述のターンオン動作
を説明する。
すなわち、第5図は第3図と同一機能を有する
部分を同じ符号を付し、17はスイツチを示して
いる。
ここで、コンデンサ9とコンデンサ13の容量
および電荷をそれぞれC1,C2およびQ1,Q2とし
てリアクトル12のインダクタンスをLとする
と、SIサイリスタ1のターンオン動作は、その損
失を無視して考えれば、電荷Q1の初期値をQKと
してスイツチ17を閉じることに相当する。
そして、この際の回路方程式はつぎの如く示せ
る。
(−1/C1)・Q1+L・(d2/d)Q2 2=0
………(3)
Q1+Q2=QK………(4)
よつて、(3),(4)式は電荷Q1,Q2に関する連立
方程式であるから、これを解くとつぎのようにな
る。
Q1(t)=QK〔(CP/C2)
+{1−(CP/C2)}
・cos√{1/(L・CP)}・t〕 ………(5)
Q2(t)=QK{1−(CP/C2)}
・〔1−cos√{1/(L・CP)}・t〕
………(6)
ただし、CP=(C1・C2)/(C1+C2)
したがつて、(5)式よりコンデンサ9の電荷Q1
は周期的に振動することわかる。
ここに、スイツチ17がオンしてから半周期経
過したのちの電荷Q1を考えてみるに、(7)式の如
くである。
cos√{1/(L・CP)}・(T/2)=1
………(7)
ただし、T=2〓√(L・CP)
この(7)式を(5)式に代入すれば、つぎのようにな
る。
Q1(T/2)
=QK{(C1−C2)/(C1+C2)} ………(8)
Q2(T/2)=QK{2C2/(C1+C2)}
………(8′)
ここで、(C1=C2)に選べば(8)式の右辺は零に
なり、(8′)式の右辺はQKになる。
よつて、始めにコンデンサ9に蓄えられていた
電荷QKを、全てコンデンサ13に移したことに
なる。
また、(C1>C2)のときに〔Q1(T/2)〕は正
となつてコンデンサ9電荷は放電しきつておら
ず、(C1<C2)のときには〔Q1(T/2)〕は負で
あつて、これよりSIサイリスタ1を逆バイアスす
るので好ましくないことは明らかである。
つぎに、第3図のターンオフ時の作用を説明す
る。
また、第6図は第4図と同様にしてターンオフ
時の各部波形の状態を表すタイムチヤートであ
る。
さて、SIサイリスタ1がターンオフするに電流
iTは(iT=0)になるが、コンデンサ9の充電電
流がつぎのような経路、
主電源2→リアクトル15→ダイオード10→
コンデンサ9→主電源2
で流れ、電流iCHは直ぐには零にならない。
また、コンデンサ9の電位が上がるにつれてダ
イオード14が順バイアスされるので、コンデン
サ13の電荷はつぎのような経路で放電されるも
のとなる。
コンデンサ13→リアクトル12→ダイオード
14→リアクトル15→コンデンサ13
そして、ターンオフ直後の電流iCHは、前述の
コンデンサ9の充電電流iSC11とコンデンサ13の
放電電流iSC2の合成されたものであり、その電流
比はつぎの如く示すことができる。
(iSC1/C1)=(iSC2/C2) ………(9)
そして、さらにターンオフの過程が進んでコン
デンサ9電圧が電圧ESに等しくなると、ダイオー
ド16が順バイアスされてフリーホイール電流
iFWが流れるようになる。
よつて、コンデンサ13電圧も零になるため、
ターンオフの始めにコンデンサ13にえられてい
た電荷はリアクトル15を通じて放電されたこと
になる。
かくの如く、第3図〜第6図に示した如き例
は、特にSIサイリスタ1のタンオフ時に、第1の
コンデンサ9に蓄えられた電荷を、SIサイリスタ
1のターンオフにより、第2のコンデンサ13に
移行し、さらにSIサイリスタの次回のオフ動作に
より、負荷に給電消費させることができるもので
ある。
かようにかかる例のものは、第1図に示したス
ナバ抵抗6にみられるような発熱を生じるものを
除去でき、無駄な電力消費を抑えることができ
る。
つぎにまた、第3図の変形例を第7図に示す。
図中、第3図と同符号のものは同一構成部分を示
している。
すなわち、第7図はSIサイリスタ1を電源側に
配置した例である。
なお、かくの如く構成においては、コンデンサ
13に蓄えられた電荷を負荷に放電消費させるた
め、コンデンサ13を、SIサイリスタ1のカソー
ド側に配する必要がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、スナバコ
ンデンサ部分に蓄えられた電力を効果的に処理す
る簡便な手法により、高周波用にあるいはパルス
幅変調方式インバータ等に好都合に適用し得る実
用価値の極めて高いスナバ回路を提供できる。
[Industrial Application Field] The present invention relates to a snubber circuit for a self-arc-extinguishing thyristor, such as a gate turn-off thyristor or an electrostatic induction thyristor, which skillfully processes power in the self-arc-extinguishing thyristor. [Prior Art] Conventionally, gate turn-off thyristors (hereinafter referred to as GTO thyristors) have been commonly used as self-extinguishing thyristors, and electrostatic induction thyristors (hereinafter referred to as SI thyristors) are also known as a new type. ing. Similar to GTO thyristors, this SI thyristor can be turned off by applying a reverse bias voltage between the cathode and gate of the energized element. Regarding turn-on, there are normally-off types that require forward bias to be applied between the gate and cathode, similar to GTO thyristors.
There are two types of normally-on types that turn on simply by removing the reverse bias between the gate and cathode. All of them are characterized by extremely fast switching times, and together with the fact that they can easily be made to withstand high voltages, they are viewed as promising switching elements for high frequency and high power applications. Next, FIG. 1 shows a typical example of a DC switch circuit using a GTO thyristor or SI thyristor. In order to simplify the explanation, an example in which an SI thyristor is used as a self-extinguishing thyristor will be explained. Figure 1 shows an example of the configuration of a DC switch circuit using a normally-off type SI thyristor, where 1 is the SI thyristor, 2 is the main current, 3 is the load,
4 is a switch, 5 is a snubber capacitor, 6 is a snubber resistor, 7 is a snubber diode, and 8 is a gate circuit. The operation of the circuit configuration using such an SI thyristor is as follows. Further, in order to facilitate understanding of this effect, the states of waveforms at various parts in FIG. 1 are shown in FIGS. 2a and 2b. In the figure, T 1 indicates the turn-on start point where SI thyristor 1 starts turning off, and T 2 indicates the turn-off starting point where SI thyristor 1 starts turning off. represents. Now, in FIG. 1, the gate circuit 8
When a reverse bias voltage is applied between the gate and the cathode of the SI thyristor 1 and the switch 4 is closed, the main power supply 2 voltage is applied between the anode and the cathode of the SI thyristor 1 via the load 3, so that the snubber capacitor 5 is charged through the snubber diode 7 and becomes equal to the power supply voltage. Here, in order to turn off the SI thyristor 1, it is sufficient to supply a forward current from the gate circuit 8 to the gate of the SI thyristor 1, and when the SI thyristor 1 is turned on, the charge stored in the snubber capacitor 5 is transferred to the snubber resistor 6. is discharged through
The energy is consumed by the snubber resistor 6 and converted into heat. Further, in order to turn off the SI thyristor 1 while it is energized, a reverse current may be supplied from the gate circuit 8 to the gate of the SI thyristor 1. At this time,
The SI thyristor 1 is rapidly turned off, and the snubber capacitor 5 is charged to the power supply voltage via the snubber diode 7. [Problem to be Solved by the Invention] In this way, in the first circuit, the charge of the snubber capacitor 5 is repeatedly charged and discharged according to the on/off of the SI thyristor 1. The power P C flowing in and out can be expressed by equation (1). P C = C・E 2・f (1) where C is the capacity of the snubber capacitor 5, E is the voltage of the main power supply 2, and f is the operating frequency. In addition, since the snubber resistor 6 is energized only when the snubber capacitor 5 is discharging, the power consumed here is
P R is half of the electric power P C , and P R = (1/2) C・E 2・f (2). Therefore, as the power P R generated by the snubber resistor 6 increases, particularly when the voltage and frequency increase, the amount of heat generated increases rapidly, causing problems in heat treatment, and the power treatment of the snubber circuit becomes a major problem. was. In view of the above-mentioned points, the present invention provides a special snubber circuit for a self-extinguishing thyristor that can effectively reduce power loss in the snubber circuit. [Means for Solving the Problems] In order to improve such power loss, the present invention has the following configuration. That is, a first series circuit in which the cathode of the first diode is connected to the first capacitor is connected in parallel to a self-extinguishing thyristor so that the anodes are common, forming a snubber circuit, and connecting the cathode of the first diode to the first capacitor. One end of a second series circuit consisting of two reactors is connected to the anode of the self-extinguishing thyristor, and the other end is connected to the second series circuit consisting of two reactors.
and the anode of the second diode is connected to the first capacitor,
A first closed circuit including a first capacitor, a second diode, a second series circuit, a self-extinguishing thyristor, and a first capacitor;
The anode of the third diode is connected to the connection point between the series circuit of and the second diode, the cathode of the third diode is connected to the power supply side terminal of the first reactor, and the other end of the first reactor is Connect to the anode of the self-extinguishing thyristor to
The second closed circuit includes a series circuit, a third diode, a first reactor, and a second series circuit. [Operation] With the above-described solution, the electric charge of the first capacitor that is charged when the self-arc-extinguishing thyristor is turned off is transferred to the first capacitor that flows through the first closed circuit when the self-arc-extinguishing thyristor is turned on. The charge transferred to the second capacitor is transferred to the second capacitor by the discharge current of the capacitor, and the rise in the anode voltage of the self-turning thyristor that occurs when the self-turning thyristor turns off next time causes the charge transferred to the second capacitor to be transferred to the second capacitor. By discharging through the second closed circuit, power can be supplied to the first reactor, which is a load. [Embodiment] FIG. 3 is a circuit diagram showing the main part configuration of an example similar to FIG.
2 and 15 are reactors. In the figure, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same components. Note that although the load is not shown in the figure, an application to an inductive load will be described here. next,
The function of this circuit will be explained in detail below when the SI thyristor 1 is turned on and turned off. Here, FIG. 4 is a time chart showing the states of waveforms of various parts at turn-on in FIG. 3 in the same way as FIG. 2. Now, in FIG. 3, when the switch 4 is closed while the reverse bias voltage of the SI thyristor 1 is applied by the gate circuit (not shown), the voltage of the main power supply 2 is E S
is applied between the anode and cathode of the SI thyristor 1 via the reactor 15, and the capacitor 9 is further charged through the diode 10 to become equal to the voltage E S. Here, if a forward current is supplied to the gate of the SI thyristor 1 by the gate circuit, the SI thyristor 1 is turned on. Therefore, the operation up to this point is no different from that of the snubber circuit shown in FIG. Then, when SI thyristor 1 turns on, the charge stored in capacitor 9 is transferred as follows: capacitor 9 → diode 11 → reactor 1
2 → capacitor 13 → SI thyristor 1 → capacitor 9 through the resonant circuit, the signal is transferred to capacitor 13. Such an effect is also clear from the waveform transition shown in FIG. Also, the charge transferred to the capacitor 13 charges its terminal voltage to the polarity shown in Figure 3, but since the SI thyristor 1 is on, the negative terminal potential of the capacitor 13 is 2
diode 14 is reverse biased. Therefore, the charge in the capacitor 13 is not discharged throughout the turn-on period of the SI thyristor 1, and the capacitor 13 remains charged. Furthermore, the above-mentioned turn-on operation will be explained with reference to FIG. 5, which is shown as an equivalent circuit of the snubber circuit section of FIG. 3. That is, in FIG. 5, parts having the same functions as those in FIG. 3 are given the same reference numerals, and 17 indicates a switch. Here, if the capacitance and charge of capacitor 9 and capacitor 13 are C 1 , C 2 and Q 1 , Q 2 respectively, and the inductance of reactor 12 is L, then the turn-on operation of SI thyristor 1 can be considered ignoring its loss. For example, this corresponds to closing the switch 17 by setting the initial value of the charge Q 1 to Q K. The circuit equation at this time can be shown as follows. (-1/C 1 )・Q 1 +L・(d 2 /d)Q 2 2 =0
………(3) Q 1 + Q 2 = Q K ………(4) Therefore, since equations (3) and (4) are simultaneous equations regarding charges Q 1 and Q 2 , solving them yields the following It becomes like this. Q 1 (t)=Q K [(C P /C 2 ) + {1−(C P /C 2 )} ・cos√{1/(L・C P )}・t] ………(5) Q 2 (t)=Q K {1-(C P /C 2 )} ・[1-cos√{1/(L・C P )}・t]
......(6) However, C P = (C 1・ C 2 ) / (C 1 + C 2 ) Therefore, from formula (5), the charge Q 1 of the capacitor 9
It can be seen that it oscillates periodically. Now, considering the charge Q 1 after half a cycle has passed since the switch 17 was turned on, it is as shown in equation (7). cos√{1/(L・C P )}・(T/2)=1
......(7) However, T=2〓√(L・C P ) Substituting this equation (7) into equation (5), we get the following. Q 1 (T/2) = Q K {(C 1 − C 2 )/(C 1 + C 2 )} ………(8) Q 2 (T/2) = Q K {2C 2 / (C 1 + C 2 )}
......(8') Here, if we choose (C 1 = C 2 ), the right-hand side of equation (8) becomes zero, and the right-hand side of equation (8') becomes Q K. Therefore, all of the charge Q K initially stored in capacitor 9 is transferred to capacitor 13. Also, when (C 1 > C 2 ), [Q 1 (T/2)] becomes positive and the charge on the capacitor 9 has not been completely discharged, and when (C 1 < C 2 ), [Q 1 (T/2)] becomes positive. T/2)] is negative and reverse biases the SI thyristor 1, which is obviously not desirable. Next, the operation at turn-off shown in FIG. 3 will be explained. Further, FIG. 6 is a time chart showing the states of waveforms of various parts at turn-off, similar to FIG. 4. Now, the current for SI thyristor 1 to turn off is
i T becomes (i T = 0), but the charging current of capacitor 9 follows the following path: main power supply 2 → reactor 15 → diode 10 →
It flows from capacitor 9 to main power supply 2, and the current i CH does not become zero immediately. Further, as the potential of the capacitor 9 increases, the diode 14 becomes forward biased, so that the charge in the capacitor 13 is discharged through the following path. Capacitor 13 → Reactor 12 → Diode 14 → Reactor 15 → Capacitor 13 The current i CH immediately after turn-off is a combination of the aforementioned charging current i SC11 of the capacitor 9 and discharging current i SC2 of the capacitor 13. The current ratio can be expressed as follows. (i SC1 /C 1 ) = (i SC2 /C 2 ) ......(9) Then, when the turn-off process progresses further and the capacitor 9 voltage becomes equal to the voltage E S , the diode 16 becomes forward biased and freewheels. current
i FW will start flowing. Therefore, since the voltage of capacitor 13 also becomes zero,
The charge accumulated in the capacitor 13 at the beginning of turn-off is discharged through the reactor 15. As described above, in the example shown in FIGS. 3 to 6, especially when the SI thyristor 1 is turned off, the charge stored in the first capacitor 9 is transferred to the second capacitor 13 by turning off the SI thyristor 1. When the SI thyristor is turned off next time, the power can be consumed by the load. In this example, it is possible to eliminate a component that generates heat as seen in the snubber resistor 6 shown in FIG. 1, and it is possible to suppress wasteful power consumption. Next, a modification of FIG. 3 is shown in FIG. 7.
In the figure, the same reference numerals as in FIG. 3 indicate the same components. That is, FIG. 7 shows an example in which the SI thyristor 1 is placed on the power supply side. In this configuration, the capacitor 13 must be placed on the cathode side of the SI thyristor 1 in order to discharge and consume the charge stored in the capacitor 13 to the load. [Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a simple method for effectively processing the power stored in the snubber capacitor portion can be conveniently applied to high frequency or pulse width modulation type inverters. It is possible to provide a snubber circuit with extremely high practical value.
第1図および第2図は自己消弧形サイリスタを
用いてなる直流スイツチ回路の構成例を示す回路
図およびその各部波形の状態を表すタイムチヤー
ト、第3図は本発明によるスナバ回路の一例の要
部構成を示す回路図、第4図は第3図のターンオ
フ時の各部波形の状態を表すタイムチヤート、第
5図は第3図のターンオン時の動作説明のため示
した等価回路図、第6図は第3図のターンオフ時
の各部波形の状態を表すタイムチヤート、第7図
は第3図の変形例を示す回路図である。
1……静電誘導サイリスタ(SIサイリスタ)、
2……主電源、3……負荷、9,13……コンデ
ンサ、10,11,14,16……ダイオード、
12,15……リアクトル、T1……ターンオン
開始点、T2……ターンオフ開始点。
1 and 2 are circuit diagrams showing a configuration example of a DC switch circuit using a self-extinguishing thyristor, and time charts showing waveform states of each part thereof. FIG. 3 is an example of a snubber circuit according to the present invention. 4 is a time chart showing the state of the waveforms of each part at turn-off in FIG. 3; FIG. 5 is an equivalent circuit diagram showing the operation at turn-on in FIG. 3; FIG. 6 is a time chart showing the state of waveforms at various parts during turn-off in FIG. 3, and FIG. 7 is a circuit diagram showing a modification of FIG. 3. 1... Electrostatic induction thyristor (SI thyristor),
2... Main power supply, 3... Load, 9, 13... Capacitor, 10, 11, 14, 16... Diode,
12, 15...Reactor, T1 ...Turn-on starting point, T2 ...Turn-off starting point.
Claims (1)
ンサに接続した第1の直列回路を自己消弧形サイ
リスタにアノードが共通になるよう並列接続し、
第2のコンデンサと第2のリアクトルよりなる第
2の直列回路の一端を前記自己消弧形サイリスタ
のアノードに接続するとともに、他端を第2のダ
イオードのカソードに接続し、該第2のダイオー
ドのアノードは第1のコンデンサに接続して成る
第1の閉回路と、前記第2の直列回路と第2のダ
イオードの接続点に第3のダイオードのアノード
を接続し、該第3のダイオードのカソードを前記
第1のリアクトルの電源側端子に接続するととも
に、該第1のリアクトルの他端を前記自己消弧形
サイリスタのアノードに接続して成る第2の閉回
路とを備えたことを特徴とする自己消弧形サイリ
スタのスナバ回路。1 A first series circuit in which the cathode of a first diode is connected to a first capacitor is connected in parallel to a self-extinguishing thyristor so that the anode is common,
One end of a second series circuit including a second capacitor and a second reactor is connected to the anode of the self-extinguishing thyristor, and the other end is connected to the cathode of the second diode. The anode of the third diode is connected to the first closed circuit connected to the first capacitor, and the anode of the third diode is connected to the connection point of the second series circuit and the second diode. A second closed circuit having a cathode connected to the power supply side terminal of the first reactor and the other end of the first reactor being connected to the anode of the self-extinguishing thyristor. A snubber circuit for a self-extinguishing thyristor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9494983A JPS59222073A (en) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | Snubber circuit system of self-extinguishing type thyristor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9494983A JPS59222073A (en) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | Snubber circuit system of self-extinguishing type thyristor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59222073A JPS59222073A (en) | 1984-12-13 |
| JPH053229B2 true JPH053229B2 (en) | 1993-01-14 |
Family
ID=14124188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9494983A Granted JPS59222073A (en) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | Snubber circuit system of self-extinguishing type thyristor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59222073A (en) |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9494983A patent/JPS59222073A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59222073A (en) | 1984-12-13 |
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