JPH05323102A - 反射−帯電防止膜およびその製造方法 - Google Patents
反射−帯電防止膜およびその製造方法Info
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- JPH05323102A JPH05323102A JP4128509A JP12850992A JPH05323102A JP H05323102 A JPH05323102 A JP H05323102A JP 4128509 A JP4128509 A JP 4128509A JP 12850992 A JP12850992 A JP 12850992A JP H05323102 A JPH05323102 A JP H05323102A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複雑な形状または大面積の物質表面に容易に
形成可能で長期安定性に優れた反射−帯電防止膜および
その製法を提供する。 【構成】 テトラアルコキシシランのエタノール溶液
と、塩化金酸の水溶液に還元剤を作用させて析出した金
コロイドとを含有するゾルをブラウン管表面に付着させ
６０℃でゲル化し、２００ｎｍの厚みを有する被膜を形
成した。この膜の電気抵抗値は、１０4 〜１０5 Ω／□
であり、透光性は８８％であった。
形成可能で長期安定性に優れた反射−帯電防止膜および
その製法を提供する。 【構成】 テトラアルコキシシランのエタノール溶液
と、塩化金酸の水溶液に還元剤を作用させて析出した金
コロイドとを含有するゾルをブラウン管表面に付着させ
６０℃でゲル化し、２００ｎｍの厚みを有する被膜を形
成した。この膜の電気抵抗値は、１０4 〜１０5 Ω／□
であり、透光性は８８％であった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光の反射および帯電を防
止する被膜およびその製造方法に関するものであり、デ
ィスプレイや太陽電池等の表面などに適用すことによ
り、その表面の帯電を防止し、表面からの光の反射を防
止できる被膜およびその製造方法に関するものである。
止する被膜およびその製造方法に関するものであり、デ
ィスプレイや太陽電池等の表面などに適用すことによ
り、その表面の帯電を防止し、表面からの光の反射を防
止できる被膜およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】メ−タ類の窓ガラスやブラウン管、液
晶、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等のディスプレ
イ表面からの光の反射は、目の疲れの原因になり、また
表面の帯電はちりやほこりの付着の原因になるので、デ
ィスプレイ表面からの光の反射および帯電を防止する技
術が注目されている。
晶、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等のディスプレ
イ表面からの光の反射は、目の疲れの原因になり、また
表面の帯電はちりやほこりの付着の原因になるので、デ
ィスプレイ表面からの光の反射および帯電を防止する技
術が注目されている。
【０００３】この分野における従来の技術としては、例
えばガラスやプラスチックスの帯電を防止するために表
面に透明導電性被膜を形成するものがある。この方法
は、（１）ＡｕやＰｄ等の非常に薄い膜をスパッタ法に
より表面に形成する、（２）Ｉｎ2 Ｏ3 等の半導体薄膜
をスパッタ法、または化学蒸着法により表面に形成す
る、さらに、（３）各種の導電性高分子を塗布法により
表面に形成するものがある。
えばガラスやプラスチックスの帯電を防止するために表
面に透明導電性被膜を形成するものがある。この方法
は、（１）ＡｕやＰｄ等の非常に薄い膜をスパッタ法に
より表面に形成する、（２）Ｉｎ2 Ｏ3 等の半導体薄膜
をスパッタ法、または化学蒸着法により表面に形成す
る、さらに、（３）各種の導電性高分子を塗布法により
表面に形成するものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記方法の帯電防止膜
の製造方法では、次のような課題がある。 （１）金属薄膜の場合：薄膜を作製するのに真空装置が
必要であり、大きな面積の被膜を形成することが困難で
ある。また、湾曲したような複雑な形状を有する物質を
被覆することが困難である。すなわち大型の真空装置や
大きな金属ターゲットが必要となるが、生成する膜の均
一性を考慮すると直径１０ｃｍ以上にすることは極めて
困難であり、また、スパッタリング法では平面状のもの
にしか膜を形成することができないからである。
の製造方法では、次のような課題がある。 （１）金属薄膜の場合：薄膜を作製するのに真空装置が
必要であり、大きな面積の被膜を形成することが困難で
ある。また、湾曲したような複雑な形状を有する物質を
被覆することが困難である。すなわち大型の真空装置や
大きな金属ターゲットが必要となるが、生成する膜の均
一性を考慮すると直径１０ｃｍ以上にすることは極めて
困難であり、また、スパッタリング法では平面状のもの
にしか膜を形成することができないからである。
【０００５】（２）半導体薄膜の場合：金属薄膜の場合
と同様に薄膜を作製するのに真空装置が必要であり、上
記と同様の理由により大きな面積の被膜を形成すること
が困難である。また、同様に湾曲したような複雑な形状
を有する物質を被覆することが困難である。さらに、こ
の様なスパッタ法では、半導体を構成する元素のスパッ
タ蒸発速度に違いがあるため、半導体の組成を制御する
ことも容易ではない。
と同様に薄膜を作製するのに真空装置が必要であり、上
記と同様の理由により大きな面積の被膜を形成すること
が困難である。また、同様に湾曲したような複雑な形状
を有する物質を被覆することが困難である。さらに、こ
の様なスパッタ法では、半導体を構成する元素のスパッ
タ蒸発速度に違いがあるため、半導体の組成を制御する
ことも容易ではない。
【０００６】（３）導電性高分子の場合：塗布法やディ
ップコ−ティング法により容易に被膜を形成することが
できる。しかしながら、耐湿特性に劣るため長期安定性
に欠け、時間の経過とともに被膜が次第に失透してく
る。
ップコ−ティング法により容易に被膜を形成することが
できる。しかしながら、耐湿特性に劣るため長期安定性
に欠け、時間の経過とともに被膜が次第に失透してく
る。
【０００７】本発明は、多孔質ガラスと金属微粒子ある
いは酸化物半導体とから構成される被膜を容易に形状を
とわず広い面積に形成することが可能であり、被覆した
物質からの光の反射と帯電を同時に防止できる被膜およ
びその製造方法を提供することを目的とする。
いは酸化物半導体とから構成される被膜を容易に形状を
とわず広い面積に形成することが可能であり、被覆した
物質からの光の反射と帯電を同時に防止できる被膜およ
びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の反射−帯電防止膜は、多孔質ガラス中に金
属微粒子および／または酸化物半導体微粒子が分散され
てなる反射−帯電防止膜からなる。
め、本発明の反射−帯電防止膜は、多孔質ガラス中に金
属微粒子および／または酸化物半導体微粒子が分散され
てなる反射−帯電防止膜からなる。
【０００９】また、第２の本発明の反射−帯電防止膜
は、多孔質ガラスと多孔質な酸化物半導体との混合物か
らなる一体化物からなる。前記、いずれかの発明の反射
−帯電防止膜においては、多孔質ガラスがＳｉＯ 2 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 またはＳｉＯ2 −Ｔｉ
Ｏ2 から選ばれた多孔質ガラスであることが好ましい。
は、多孔質ガラスと多孔質な酸化物半導体との混合物か
らなる一体化物からなる。前記、いずれかの発明の反射
−帯電防止膜においては、多孔質ガラスがＳｉＯ 2 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 またはＳｉＯ2 −Ｔｉ
Ｏ2 から選ばれた多孔質ガラスであることが好ましい。
【００１０】また、前記第１の発明の反射−帯電防止膜
においては、金属微粒子がＡｕ、Ｐｄ，ＰｔおよびＣｕ
から選ばれた少なくとも１種の金属微粒子であることが
好ましい。
においては、金属微粒子がＡｕ、Ｐｄ，ＰｔおよびＣｕ
から選ばれた少なくとも１種の金属微粒子であることが
好ましい。
【００１１】また、前記第１または第２の発明の反射−
帯電防止膜においては、酸化物半導体がＳｎＯ2 、Ｉｎ
2 Ｏ3 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｓｂド−プＳｎＯ2 、Ｓｎド−プＩ
ｎ2Ｏ3 およびＴｉＯ2 から選ばれた少なくとも１種の
酸化物半導体であることが好ましい。
帯電防止膜においては、酸化物半導体がＳｎＯ2 、Ｉｎ
2 Ｏ3 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｓｂド−プＳｎＯ2 、Ｓｎド−プＩ
ｎ2Ｏ3 およびＴｉＯ2 から選ばれた少なくとも１種の
酸化物半導体であることが好ましい。
【００１２】次に第１の多孔質ガラス中に金属微粒子が
分散されてなる反射−帯電防止膜の製造方法の発明は、
多孔質ガラスの原料となる金属アルコキシドと、還元さ
れると金属微粒子を析出する金属塩との混合溶液を、加
水分解、熱処理することからなる。
分散されてなる反射−帯電防止膜の製造方法の発明は、
多孔質ガラスの原料となる金属アルコキシドと、還元さ
れると金属微粒子を析出する金属塩との混合溶液を、加
水分解、熱処理することからなる。
【００１３】また、第２の多孔質ガラスと多孔質な酸化
物半導体との混合物の一体化物からなる反射−帯電防止
膜の製造方法の発明は、多孔質ガラスの原料となる金属
アルコキシドと多孔質な酸化物半導体の原料となる金属
アルコキシドとからなる混合溶液を、加水分解、熱処理
することからなる。
物半導体との混合物の一体化物からなる反射−帯電防止
膜の製造方法の発明は、多孔質ガラスの原料となる金属
アルコキシドと多孔質な酸化物半導体の原料となる金属
アルコキシドとからなる混合溶液を、加水分解、熱処理
することからなる。
【００１４】また、第３の多孔質ガラス中に酸化物半導
体微粒子が分散されてなる反射−帯電防止膜の製造方法
の発明は、多孔質ガラスの原料となる金属アルコキシド
と、加熱ならびに酸化されて酸化物半導体となる金属塩
溶液との混合溶液を、加水分解、熱処理することからな
る。
体微粒子が分散されてなる反射−帯電防止膜の製造方法
の発明は、多孔質ガラスの原料となる金属アルコキシド
と、加熱ならびに酸化されて酸化物半導体となる金属塩
溶液との混合溶液を、加水分解、熱処理することからな
る。
【００１５】
【作用】前記本発明の反射−帯電防止膜は、多孔質ガラ
ス中に金属微粒子および／または酸化物半導体微粒子が
分散されているので、多孔質ガラスによる光の散乱と、
特にガラスの屈折率が大きいほどガラス表面からの光の
反射を防止でき、かつ多孔質ガラス材料中に分散担持し
た金属微粒子および／または酸化物半導体の導電性によ
り帯電を防止することが可能となる。
ス中に金属微粒子および／または酸化物半導体微粒子が
分散されているので、多孔質ガラスによる光の散乱と、
特にガラスの屈折率が大きいほどガラス表面からの光の
反射を防止でき、かつ多孔質ガラス材料中に分散担持し
た金属微粒子および／または酸化物半導体の導電性によ
り帯電を防止することが可能となる。
【００１６】また、第２の本発明の反射−帯電防止膜
は、多孔質ガラスと多孔質な酸化物半導体との混合物か
らなる一体化物からなるので、多孔質ガラスと多孔質な
酸化物半導体とによる多孔による光の散乱などにより、
光の反射を防止でき、かつ酸化物半導体成分の導電性に
より帯電を防止することが可能となる。
は、多孔質ガラスと多孔質な酸化物半導体との混合物か
らなる一体化物からなるので、多孔質ガラスと多孔質な
酸化物半導体とによる多孔による光の散乱などにより、
光の反射を防止でき、かつ酸化物半導体成分の導電性に
より帯電を防止することが可能となる。
【００１７】また、前記構成において、多孔質ガラスが
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 またはＳ
ｉＯ2 −ＴｉＯ2 から選ばれた多孔質ガラスとすること
により、これらのガラス成分は可視領域で透明な物質で
あり、かつ屈折率が通常の硼珪酸ガラスより大きく屈折
率の違いにより反射率を小さくできるので好ましい。
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 またはＳ
ｉＯ2 −ＴｉＯ2 から選ばれた多孔質ガラスとすること
により、これらのガラス成分は可視領域で透明な物質で
あり、かつ屈折率が通常の硼珪酸ガラスより大きく屈折
率の違いにより反射率を小さくできるので好ましい。
【００１８】また、前記構成において、金属微粒子がＡ
ｕ、Ｐｄ，ＰｔおよびＣｕから選ばれた少なくとも１種
の金属微粒子とすることにより、これらの金属は微粒子
化が容易で電気伝導性が高く、従って、透明性をあまり
低下させずに反射防止性と帯電防止性を達成することが
でき好ましい。
ｕ、Ｐｄ，ＰｔおよびＣｕから選ばれた少なくとも１種
の金属微粒子とすることにより、これらの金属は微粒子
化が容易で電気伝導性が高く、従って、透明性をあまり
低下させずに反射防止性と帯電防止性を達成することが
でき好ましい。
【００１９】さらに、前記構成の酸化物半導体がＳｎＯ
2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｓｂド−プＳｎＯ2 、Ｓｎ
ド−プＩｎ2 Ｏ3 およびＴｉＯ2 から選ばれた少なくと
も１種の酸化物半導体とすることにより、これらの酸化
物半導体は可視領域で透明であり、かつ電気伝導性を有
するので、透明性を低下させずに反射防止性と帯電防止
性を達成することができ好ましい。
2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｓｂド−プＳｎＯ2 、Ｓｎ
ド−プＩｎ2 Ｏ3 およびＴｉＯ2 から選ばれた少なくと
も１種の酸化物半導体とすることにより、これらの酸化
物半導体は可視領域で透明であり、かつ電気伝導性を有
するので、透明性を低下させずに反射防止性と帯電防止
性を達成することができ好ましい。
【００２０】次に、本発明の第１の反射−帯電防止膜の
製造方法は、多孔質ガラスの原料となる金属アルコキシ
ドと金属微粒子となる金属の塩を加水分解、熱処理する
ことにより多孔質ガラス中に金属微粒子を均一に分散さ
せることができ、原料調製段階でも金属微粒子の凝集が
なく、また、低温で均一に金属微粒子を分散させること
が可能で、反射率が低く導電性を有した帯電防止膜を容
易に得ることができる。
製造方法は、多孔質ガラスの原料となる金属アルコキシ
ドと金属微粒子となる金属の塩を加水分解、熱処理する
ことにより多孔質ガラス中に金属微粒子を均一に分散さ
せることができ、原料調製段階でも金属微粒子の凝集が
なく、また、低温で均一に金属微粒子を分散させること
が可能で、反射率が低く導電性を有した帯電防止膜を容
易に得ることができる。
【００２１】また、本発明の第２の反射−帯電防止膜の
製造方法は、多孔質ガラスの原料となる金属アルコキシ
ドと多孔質な酸化物半導体となる金属アルコキシドとの
混合溶液を加水分解、熱処理することにより多孔質ガラ
スと多孔質な酸化物半導体との一体混合物とすることが
でき、いずれの原料も金属アルコキシドであるので均一
に原料を混合させることが可能で、反射率が低く導電性
を有した帯電防止膜を容易に得ることができる。
製造方法は、多孔質ガラスの原料となる金属アルコキシ
ドと多孔質な酸化物半導体となる金属アルコキシドとの
混合溶液を加水分解、熱処理することにより多孔質ガラ
スと多孔質な酸化物半導体との一体混合物とすることが
でき、いずれの原料も金属アルコキシドであるので均一
に原料を混合させることが可能で、反射率が低く導電性
を有した帯電防止膜を容易に得ることができる。
【００２２】さらに、本発明の第３の反射−帯電防止膜
の製造方法は、多孔質ガラスとなる金属アルコキシド
と、加熱ならびに酸化されて酸化物半導体微粒子となる
金属塩溶液との混合溶液を加水分解、熱処理することに
より、多孔質ガラス中に酸化物半導体微粒子が分散され
た構成することができ、この場合でも、原料調製段階で
金属塩の凝集がなく、また、低温で均一に酸化物半導体
を分散させることが可能で、反射率が低く導電性を有し
た帯電防止膜を容易に得ることができる。
の製造方法は、多孔質ガラスとなる金属アルコキシド
と、加熱ならびに酸化されて酸化物半導体微粒子となる
金属塩溶液との混合溶液を加水分解、熱処理することに
より、多孔質ガラス中に酸化物半導体微粒子が分散され
た構成することができ、この場合でも、原料調製段階で
金属塩の凝集がなく、また、低温で均一に酸化物半導体
を分散させることが可能で、反射率が低く導電性を有し
た帯電防止膜を容易に得ることができる。
【００２３】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。本発明において、金属アルコキシドのゲル
法により作製する多孔質ガラスは、化学的に安定であり
かつ光学的に広い波長範囲で透明で、しかも従来の硼珪
酸ガラスよりも屈折率の大きなＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、
ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 またはＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 等のガ
ラスが好ましい。
に説明する。本発明において、金属アルコキシドのゲル
法により作製する多孔質ガラスは、化学的に安定であり
かつ光学的に広い波長範囲で透明で、しかも従来の硼珪
酸ガラスよりも屈折率の大きなＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、
ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 またはＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 等のガ
ラスが好ましい。
【００２４】多孔質ガラスの原料となる金属アルコキシ
ドの代表的な具体例を挙げると、テトラメトキシシラン
やテトラエトキシシラン等のシリコンの低級アルコキシ
ド類、トリメトキシアルミニウムやトリセコンダリ−ブ
トキシアルミニウム等のアルミニウムの低級アルコキシ
ド類、テトラメトキシ錫やテトライソプロポキシド錫等
の錫の低級アルコキシド類、テトラメトキシチタンやテ
トラプロポキシチタン等のチタンの低級アルコキシド
類、ジメトキシ亜鉛やジエトキシ亜鉛等の亜鉛の低級ア
ルコキシド類、トリメトキシインジウムやトリエトキシ
インジウム等のインジウムの低級アルコキシド類などが
挙げられる。このようなアルコキシドの分散媒としては
水および／またはメタノ−ル、エタノ−ル等の低級アル
コ−ルあるいはエチレングリコ−ルを用い、通常加水分
解用触媒としては、塩酸やアンモニア等の酸、アルカリ
を用いる。アルコキシドの分散媒溶液としては、特に限
定するものではないが、通常０．１〜５ｍｏｌ％の溶液
が好ましく用いられ、また、加水分解用触媒は通常金属
アルコキシドに対して０．０１〜０．５ｍｏｌ％程度が
好ましく用いられる。
ドの代表的な具体例を挙げると、テトラメトキシシラン
やテトラエトキシシラン等のシリコンの低級アルコキシ
ド類、トリメトキシアルミニウムやトリセコンダリ−ブ
トキシアルミニウム等のアルミニウムの低級アルコキシ
ド類、テトラメトキシ錫やテトライソプロポキシド錫等
の錫の低級アルコキシド類、テトラメトキシチタンやテ
トラプロポキシチタン等のチタンの低級アルコキシド
類、ジメトキシ亜鉛やジエトキシ亜鉛等の亜鉛の低級ア
ルコキシド類、トリメトキシインジウムやトリエトキシ
インジウム等のインジウムの低級アルコキシド類などが
挙げられる。このようなアルコキシドの分散媒としては
水および／またはメタノ−ル、エタノ−ル等の低級アル
コ−ルあるいはエチレングリコ−ルを用い、通常加水分
解用触媒としては、塩酸やアンモニア等の酸、アルカリ
を用いる。アルコキシドの分散媒溶液としては、特に限
定するものではないが、通常０．１〜５ｍｏｌ％の溶液
が好ましく用いられ、また、加水分解用触媒は通常金属
アルコキシドに対して０．０１〜０．５ｍｏｌ％程度が
好ましく用いられる。
【００２５】本発明において、金属アルコキシドゾルを
ゲル化させる場合、加水分解用触媒を添加することによ
り、通常室温から７０℃の範囲で行うのが効果的であ
る。。本発明において分散する金属微粒子は、Ａｕ、Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ｃｕ等が好ましく、ここで用いる金属微粒子
の平均半径は着色が少なく、均一な分散をさせる点から
も１０−１００ｎｍが好ましい。また、金属微粒子は多
孔質ガラスに対して、０．０１〜５ｗｔ％程度用いるこ
とが透明性、帯電防止性の点からも好ましい。
ゲル化させる場合、加水分解用触媒を添加することによ
り、通常室温から７０℃の範囲で行うのが効果的であ
る。。本発明において分散する金属微粒子は、Ａｕ、Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ｃｕ等が好ましく、ここで用いる金属微粒子
の平均半径は着色が少なく、均一な分散をさせる点から
も１０−１００ｎｍが好ましい。また、金属微粒子は多
孔質ガラスに対して、０．０１〜５ｗｔ％程度用いるこ
とが透明性、帯電防止性の点からも好ましい。
【００２６】金属微粒子の原料としては、例えば、比較
的水に対する溶解度の高い塩化金酸、塩化パラジウム、
塩化白金酸、硝酸第二銅が好ましい。これらの金属の塩
は通常水溶液の形で用いられる。水溶液中の金属塩の濃
度は特に制限するものではないが、通常０．１〜５ｍｏ
ｌ％程度が好ましい。
的水に対する溶解度の高い塩化金酸、塩化パラジウム、
塩化白金酸、硝酸第二銅が好ましい。これらの金属の塩
は通常水溶液の形で用いられる。水溶液中の金属塩の濃
度は特に制限するものではないが、通常０．１〜５ｍｏ
ｌ％程度が好ましい。
【００２７】さらに、本発明に用いる酸化物半導体とし
ては、例えば、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ 3 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｓｂ
ド−プＳｎＯ2 、Ｓｎド−プＩｎ2 Ｏ3 およびＴｉＯ2
等が好ましく、原料としては塩化第二錫、硝酸インジウ
ム、メタバナジン酸アンモニウム、五塩化アンチモン、
四塩化チタンが好ましい。また、アルコキシドの形で用
いる場合には、例えば、Ｓｎ（ＯＣＨ3 ）4 ，Ｉｎ（Ｏ
ＣＨ3 ）3 ，Ｓｂ（ＯＣＨ3 ）3 ，ＶＯ（ＯＣＨ3 ）3
などが容易に入手しやすいが必ずしもこれらのみに限定
されるものではない。分散媒としては用いる化合物によ
って異なるが水および／またはメタノ−ル、エタノ−ル
等の低級アルコ−ルあるいはエチレングリコ−ルなどが
用いられ、特に限定するものではないが、通常０．１〜
５ｍｏｌ％の溶液が好ましく用いられる。
ては、例えば、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ 3 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｓｂ
ド−プＳｎＯ2 、Ｓｎド−プＩｎ2 Ｏ3 およびＴｉＯ2
等が好ましく、原料としては塩化第二錫、硝酸インジウ
ム、メタバナジン酸アンモニウム、五塩化アンチモン、
四塩化チタンが好ましい。また、アルコキシドの形で用
いる場合には、例えば、Ｓｎ（ＯＣＨ3 ）4 ，Ｉｎ（Ｏ
ＣＨ3 ）3 ，Ｓｂ（ＯＣＨ3 ）3 ，ＶＯ（ＯＣＨ3 ）3
などが容易に入手しやすいが必ずしもこれらのみに限定
されるものではない。分散媒としては用いる化合物によ
って異なるが水および／またはメタノ−ル、エタノ−ル
等の低級アルコ−ルあるいはエチレングリコ−ルなどが
用いられ、特に限定するものではないが、通常０．１〜
５ｍｏｌ％の溶液が好ましく用いられる。
【００２８】酸化物半導体を微粒子として多孔質ガラス
中に析出させて用いる場合には、その平均半径は１０−
１００ｎｍが好ましい。これは生成した膜の熱処理温度
と熱処理時間を調整することによって制御することがで
きる。また、酸化物半導体微粒子は多孔質ガラスに対し
て、０．１〜５０ｗｔ％程度用いることが透明性、帯電
防止性の点からも好ましい。
中に析出させて用いる場合には、その平均半径は１０−
１００ｎｍが好ましい。これは生成した膜の熱処理温度
と熱処理時間を調整することによって制御することがで
きる。また、酸化物半導体微粒子は多孔質ガラスに対し
て、０．１〜５０ｗｔ％程度用いることが透明性、帯電
防止性の点からも好ましい。
【００２９】次に、本発明の多孔質ガラス中に金属微粒
子が分散されてなる被膜は、前述した多孔質ガラスの原
料である金属アルコキシドと金属微粒子となる金属の塩
を混合し、加水分解、熱処理することにより作製され
る。加水分解触媒を添加後、加熱することにより、ゲル
化を促進させることができる。
子が分散されてなる被膜は、前述した多孔質ガラスの原
料である金属アルコキシドと金属微粒子となる金属の塩
を混合し、加水分解、熱処理することにより作製され
る。加水分解触媒を添加後、加熱することにより、ゲル
化を促進させることができる。
【００３０】また、前述した多孔質ガラスと多孔質な酸
化物半導体との混合物からなる一体化物から構成される
被膜は、前述したそれぞれの原料となる金属アルコキシ
ド混合溶液を加水分解、熱処理することにより作製する
ことができる。この場合、生成する多孔質ガラスに対
し、生成する多孔質な酸化物半導体の量が０．１〜５０
ｗｔ％程度となるように原料の配合割合を調整すること
が好ましい さらに、多孔質ガラス中に酸化物半導体微粒子が分散さ
れてなる反射−帯電防止膜は、前述した多孔質ガラスの
原料である金属アルコキシドと酸化物半導体微粒子の原
料となる金属の塩を混合し、加水分解、熱処理すること
により作製される。加水分解触媒を添加後、加熱するこ
とにより、ゲル化を促進させることができる。生成する
酸化物半導体微粒子の平均半径は１０−１００ｎｍが好
ましく、これは生成した膜の熱処理温度と熱処理時間を
調整することによって制御することができる。
化物半導体との混合物からなる一体化物から構成される
被膜は、前述したそれぞれの原料となる金属アルコキシ
ド混合溶液を加水分解、熱処理することにより作製する
ことができる。この場合、生成する多孔質ガラスに対
し、生成する多孔質な酸化物半導体の量が０．１〜５０
ｗｔ％程度となるように原料の配合割合を調整すること
が好ましい さらに、多孔質ガラス中に酸化物半導体微粒子が分散さ
れてなる反射−帯電防止膜は、前述した多孔質ガラスの
原料である金属アルコキシドと酸化物半導体微粒子の原
料となる金属の塩を混合し、加水分解、熱処理すること
により作製される。加水分解触媒を添加後、加熱するこ
とにより、ゲル化を促進させることができる。生成する
酸化物半導体微粒子の平均半径は１０−１００ｎｍが好
ましく、これは生成した膜の熱処理温度と熱処理時間を
調整することによって制御することができる。
【００３１】尚、本発明の反射−帯電防止膜の膜厚は、
反射防止効果が高くまた、基材との接着力のを強固にさ
せる点から、０．１〜０．３μｍ程度にすることが好ま
しい。 以下本発明の具体的実施例について説明する。 実施例１ 表１に示した組成のゾルに以下の方法により調製した金
コロイドを０．２容量％となるように添加し、ブラウン
管表面をこの溶液に浸漬し室温で乾燥することによりブ
ラウン管の表面に被膜を形成し、さらに６０℃の温度で
５時間乾燥後ゲル化した。金コロイドの調製は、蒸留水
に塩化金酸水溶液（１ｇ−Ａｕ／ｌ）を加え沸騰後、ク
エン酸ナトリウム水溶液（１ｗｔ％）添加し沸騰させ、
さらにポリビニルアルコ−ルを加えた。金属イオンの金
属への還元にはクエン酸ナトリウム以外に水素、ヒドラ
ジン、水素化ホウ素ナトリウム等を用いることができ
た。また、ポリビニルアルコ−ル以外にポリビニルピロ
リドンを用いて金コロイドを保護することによりにコロ
イドを安定化させることができた。金コロイドの平均半
径は３０ｎｍであった。このようにして作製した金微粒
子分散ＳｉＯ2 ガラスの電気抵抗値は、１０4 〜１０5
Ω／□であった。また、形成した膜の厚みは２００ｎｍ
であり、透光性は８８％であった。
反射防止効果が高くまた、基材との接着力のを強固にさ
せる点から、０．１〜０．３μｍ程度にすることが好ま
しい。 以下本発明の具体的実施例について説明する。 実施例１ 表１に示した組成のゾルに以下の方法により調製した金
コロイドを０．２容量％となるように添加し、ブラウン
管表面をこの溶液に浸漬し室温で乾燥することによりブ
ラウン管の表面に被膜を形成し、さらに６０℃の温度で
５時間乾燥後ゲル化した。金コロイドの調製は、蒸留水
に塩化金酸水溶液（１ｇ−Ａｕ／ｌ）を加え沸騰後、ク
エン酸ナトリウム水溶液（１ｗｔ％）添加し沸騰させ、
さらにポリビニルアルコ−ルを加えた。金属イオンの金
属への還元にはクエン酸ナトリウム以外に水素、ヒドラ
ジン、水素化ホウ素ナトリウム等を用いることができ
た。また、ポリビニルアルコ−ル以外にポリビニルピロ
リドンを用いて金コロイドを保護することによりにコロ
イドを安定化させることができた。金コロイドの平均半
径は３０ｎｍであった。このようにして作製した金微粒
子分散ＳｉＯ2 ガラスの電気抵抗値は、１０4 〜１０5
Ω／□であった。また、形成した膜の厚みは２００ｎｍ
であり、透光性は８８％であった。
【００３２】本実施例によるブラウン管は被膜を形成し
ていない従来のブラウン管に比較して反射率が８０％以
上小さくなり、またほこりの付着も極めて少なかった。
上記工程において金の替わりに白金、パラジウム、また
は銅を用いてもそれぞれの金属微粒子を分散した多孔質
ＳｉＯ2 ガラスを作製でき、金の場合と同様な効果を得
ることができた。さらに、多孔質ＳｉＯ2 ガラスの替わ
りに、多孔質Ａｌ2 Ｏ3 を用いてもＳｉＯ2 とほぼ同様
な効果が得られた。
ていない従来のブラウン管に比較して反射率が８０％以
上小さくなり、またほこりの付着も極めて少なかった。
上記工程において金の替わりに白金、パラジウム、また
は銅を用いてもそれぞれの金属微粒子を分散した多孔質
ＳｉＯ2 ガラスを作製でき、金の場合と同様な効果を得
ることができた。さらに、多孔質ＳｉＯ2 ガラスの替わ
りに、多孔質Ａｌ2 Ｏ3 を用いてもＳｉＯ2 とほぼ同様
な効果が得られた。
【００３３】
【表１】
【００３４】実施例２ 表２に示した組成のゾルを調製し、ブラウン管表面をこ
の溶液に浸漬し室温で乾燥することによりブラウン管の
表面に被膜を形成し、さらに６０℃の温度で５時間乾燥
後ゲル化した。このようにして作製したＳｎＯ2 −Ｓｉ
Ｏ2 −ＴｉＯ2多孔質被膜の電気抵抗値は、１０5 〜１
０6 Ω／□であった。また、形成した膜の厚みは２００
ｎｍであり、透光性は９０％であった。
の溶液に浸漬し室温で乾燥することによりブラウン管の
表面に被膜を形成し、さらに６０℃の温度で５時間乾燥
後ゲル化した。このようにして作製したＳｎＯ2 −Ｓｉ
Ｏ2 −ＴｉＯ2多孔質被膜の電気抵抗値は、１０5 〜１
０6 Ω／□であった。また、形成した膜の厚みは２００
ｎｍであり、透光性は９０％であった。
【００３５】本実施例によるブラウン管は被膜を形成し
ていない従来のブラウン管に比較して反射率が８２％以
上小さくなり、またほこりの付着も極めて少なかった。
ていない従来のブラウン管に比較して反射率が８２％以
上小さくなり、またほこりの付着も極めて少なかった。
【００３６】
【表２】
【００３７】実施例３ 表３に示した組成のゾルを調製し、ブラウン管表面をこ
の溶液に浸漬し室温で乾燥することによりブラウン管の
表面に被膜を形成し、さらに６０℃の温度で５時間乾燥
後ゲル化した。このようにして作製したＳｎド−プＩｎ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ 2 −ＴｉＯ2 多孔質被膜の電気抵抗値
は、１０5 〜１０6 Ω／□であった。また、形成した膜
の厚みは３００ｎｍであり、透光性は９０％であった。
の溶液に浸漬し室温で乾燥することによりブラウン管の
表面に被膜を形成し、さらに６０℃の温度で５時間乾燥
後ゲル化した。このようにして作製したＳｎド−プＩｎ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ 2 −ＴｉＯ2 多孔質被膜の電気抵抗値
は、１０5 〜１０6 Ω／□であった。また、形成した膜
の厚みは３００ｎｍであり、透光性は９０％であった。
【００３８】本実施例によるブラウン管は被膜を形成し
ていない従来のブラウン管に比較して反射率が７８％以
上小さくまたほこりの付着も極めて少なかった。
ていない従来のブラウン管に比較して反射率が７８％以
上小さくまたほこりの付着も極めて少なかった。
【００３９】
【表３】
【００４０】実施例４ 表４に示した組成のゾルを調製し、ブラウン管表面をこ
の溶液に浸漬し室温で乾燥することによりブラウン管の
表面に被膜を形成し、さらに６０℃の温度で５時間乾燥
後ゲル化した。このようにして作製したＳｎＯ2 −Ｓｉ
Ｏ2 −ＴｉＯ2多孔質被膜の電気抵抗値は、１０4 〜１
０5 Ω／□であった。また、形成した膜の厚みは２００
ｎｍであり、透光性は９０％であった。ＳｎＯ2 微粒子
の平均粒径は６０ｎｍであった。
の溶液に浸漬し室温で乾燥することによりブラウン管の
表面に被膜を形成し、さらに６０℃の温度で５時間乾燥
後ゲル化した。このようにして作製したＳｎＯ2 −Ｓｉ
Ｏ2 −ＴｉＯ2多孔質被膜の電気抵抗値は、１０4 〜１
０5 Ω／□であった。また、形成した膜の厚みは２００
ｎｍであり、透光性は９０％であった。ＳｎＯ2 微粒子
の平均粒径は６０ｎｍであった。
【００４１】本実施例によるブラウン管は被膜を形成し
ていない従来のブラウン管に比較して反射率が６９％以
上小さくなり、またほこりの付着も極めて少なかった。
ていない従来のブラウン管に比較して反射率が６９％以
上小さくなり、またほこりの付着も極めて少なかった。
【００４２】
【表４】
【００４３】実施例５ 表５に示した組成のゾルを調製し、ブラウン管表面をこ
の溶液に浸漬し室温で乾燥することによりブラウン管の
表面に被膜を形成し、さらに６０℃の温度で５時間乾燥
後ゲル化した。このようにして作製したＶ2 Ｏ5 微粒子
が分散したＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 多孔質被膜の電気抵抗値
は、１０5 〜１０6 Ω／□であった。また、形成した膜
の厚みは２００ｎｍであり、透光性は９０％であった。
Ｖ2 Ｏ5微粒子の平均粒径は５０ｎｍであった。
の溶液に浸漬し室温で乾燥することによりブラウン管の
表面に被膜を形成し、さらに６０℃の温度で５時間乾燥
後ゲル化した。このようにして作製したＶ2 Ｏ5 微粒子
が分散したＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 多孔質被膜の電気抵抗値
は、１０5 〜１０6 Ω／□であった。また、形成した膜
の厚みは２００ｎｍであり、透光性は９０％であった。
Ｖ2 Ｏ5微粒子の平均粒径は５０ｎｍであった。
【００４４】本実施例によるブラウン管は被膜を形成し
ていない従来のブラウン管に比較して反射率が８１％以
上小さくなり、またほこりの付着も極めて少なかった。
ていない従来のブラウン管に比較して反射率が８１％以
上小さくなり、またほこりの付着も極めて少なかった。
【００４５】
【表５】
【００４６】実施例６ 実施例１と３と同様なゾル溶液を用いて同様な方法によ
り太陽光発電用太陽電池モジュ−ルの表面に被膜を形成
したところ、この被膜を形成していない太陽電池モジュ
−ルに比べ、反射光が小さくまたほこりの付着が極めて
少ないため太陽電池の変換効率を０．８％向上させるこ
とができた。
り太陽光発電用太陽電池モジュ−ルの表面に被膜を形成
したところ、この被膜を形成していない太陽電池モジュ
−ルに比べ、反射光が小さくまたほこりの付着が極めて
少ないため太陽電池の変換効率を０．８％向上させるこ
とができた。
【００４７】
【発明の効果】本発明の多孔質ガラス中に金属微粒子お
よび／または酸化物半導体微粒子が分散されている反射
−帯電防止膜は、長期安定性に優れた反射−帯電防止膜
とすることができ、かつ容易に複雑な形状を有する物質
の表面にも被覆を形成することができ、また、容易に大
面積の表面も被覆可能な反射−帯電防止膜を提供でき
る。
よび／または酸化物半導体微粒子が分散されている反射
−帯電防止膜は、長期安定性に優れた反射−帯電防止膜
とすることができ、かつ容易に複雑な形状を有する物質
の表面にも被覆を形成することができ、また、容易に大
面積の表面も被覆可能な反射−帯電防止膜を提供でき
る。
【００４８】また、本発明の多孔質ガラスと多孔質な酸
化物半導体との混合物からなる一体化物からなる反射−
帯電防止膜は、透明性に優れ、長期安定性に優れた反射
−帯電防止膜とすることができ、かつ容易に複雑な形状
を有する物質の表面にも被覆を形成することができ、ま
た、容易に大面積の表面も被覆可能な反射−帯電防止膜
を提供できる。
化物半導体との混合物からなる一体化物からなる反射−
帯電防止膜は、透明性に優れ、長期安定性に優れた反射
−帯電防止膜とすることができ、かつ容易に複雑な形状
を有する物質の表面にも被覆を形成することができ、ま
た、容易に大面積の表面も被覆可能な反射−帯電防止膜
を提供できる。
【００４９】また、多孔質ガラスがＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 またはＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 か
ら選ばれた多孔質ガラスである好ましい態様とすること
により、透明が良好で、より反射率の小さな反射−帯電
防止膜を提供できる。
3 、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 またはＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 か
ら選ばれた多孔質ガラスである好ましい態様とすること
により、透明が良好で、より反射率の小さな反射−帯電
防止膜を提供できる。
【００５０】また、分散する金属微粒子をＡｕ、Ｐｄ，
ＰｔおよびＣｕから選ばれた少なくとも１種の金属微粒
子とする好ましい態様とすることにより、透明性をあま
り低下させずに反射防止性と帯電防止性を達成すること
ができ好ましい。
ＰｔおよびＣｕから選ばれた少なくとも１種の金属微粒
子とする好ましい態様とすることにより、透明性をあま
り低下させずに反射防止性と帯電防止性を達成すること
ができ好ましい。
【００５１】また、前記の酸化物半導体をＳｎＯ2 、Ｉ
ｎ2 Ｏ3 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｓｂド−プＳｎＯ2 、Ｓｎド−プ
Ｉｎ2 Ｏ3 およびＴｉＯ2 から選ばれた少なくとも１種
の酸化物半導体とする好ましい態様とすることにより、
透明性を低下させずに反射防止性と帯電防止性を達成す
ることができ好ましい。
ｎ2 Ｏ3 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｓｂド−プＳｎＯ2 、Ｓｎド−プ
Ｉｎ2 Ｏ3 およびＴｉＯ2 から選ばれた少なくとも１種
の酸化物半導体とする好ましい態様とすることにより、
透明性を低下させずに反射防止性と帯電防止性を達成す
ることができ好ましい。
【００５２】次に、本発明の第１の反射−帯電防止膜の
製造方法によれば、多孔質ガラス中に金属微粒子を均一
に分散させることができ、原料調製段階でも金属微粒子
の凝集がなく、また、低温で均一に金属微粒子を分散さ
せることが可能で、透明性に優れ、長期安定性に優れた
反射−帯電防止膜とすることができ、かつ容易に複雑な
形状を有する物質の表面にも被覆を形成することがで
き、また、容易に大面積の表面も被覆することができ
る。
製造方法によれば、多孔質ガラス中に金属微粒子を均一
に分散させることができ、原料調製段階でも金属微粒子
の凝集がなく、また、低温で均一に金属微粒子を分散さ
せることが可能で、透明性に優れ、長期安定性に優れた
反射−帯電防止膜とすることができ、かつ容易に複雑な
形状を有する物質の表面にも被覆を形成することがで
き、また、容易に大面積の表面も被覆することができ
る。
【００５３】また、本発明の第２の反射−帯電防止膜の
製造方法によれば、多孔質ガラスの原料ならびに多孔質
な酸化物半導体の原料として、いずれの原料も金属アル
コキシドであるので均一に原料を混合させることが可能
で、透明性に優れ、長期安定性に優れた反射−帯電防止
膜とすることができ、かつ容易に複雑な形状を有する物
質の表面にも被覆を形成することができ、また、容易に
大面積の表面も被覆することができ反射率が低く導電性
を有した帯電防止膜を容易に得ることができる。
製造方法によれば、多孔質ガラスの原料ならびに多孔質
な酸化物半導体の原料として、いずれの原料も金属アル
コキシドであるので均一に原料を混合させることが可能
で、透明性に優れ、長期安定性に優れた反射−帯電防止
膜とすることができ、かつ容易に複雑な形状を有する物
質の表面にも被覆を形成することができ、また、容易に
大面積の表面も被覆することができ反射率が低く導電性
を有した帯電防止膜を容易に得ることができる。
【００５４】さらに、多孔質ガラスとなる金属アルコキ
シドと、加熱ならびに酸化されて酸化物半導体微粒子と
なる金属塩溶液との混合溶液を加水分解、熱処理する本
発明の第３の反射−帯電防止膜の製造方法は、原料調製
段階で金属塩の凝集がなく、また、低温で均一に酸化物
半導体を分散させることが可能で、透明性に優れ、長期
安定性に優れた反射−帯電防止膜とすることができ、か
つ容易に複雑な形状を有する物質の表面にも被覆を形成
することができ、また、容易に大面積の表面も被覆する
ことができ反射率が低く導電性を有した帯電防止膜を容
易に得ることができる。
シドと、加熱ならびに酸化されて酸化物半導体微粒子と
なる金属塩溶液との混合溶液を加水分解、熱処理する本
発明の第３の反射−帯電防止膜の製造方法は、原料調製
段階で金属塩の凝集がなく、また、低温で均一に酸化物
半導体を分散させることが可能で、透明性に優れ、長期
安定性に優れた反射−帯電防止膜とすることができ、か
つ容易に複雑な形状を有する物質の表面にも被覆を形成
することができ、また、容易に大面積の表面も被覆する
ことができ反射率が低く導電性を有した帯電防止膜を容
易に得ることができる。
Claims (8)
- 【請求項１】 多孔質ガラス中に金属微粒子および／ま
たは酸化物半導体微粒子が分散されてなる反射−帯電防
止膜。 - 【請求項２】 多孔質ガラスと多孔質な酸化物半導体と
の混合物からなる一体化物からなる反射−帯電防止膜。 - 【請求項３】 多孔質ガラスがＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、
ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ 3 またはＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 から選
ばれた多孔質ガラスである請求項１または２のいずれか
に記載の反射−帯電防止膜。 - 【請求項４】 金属微粒子がＡｕ、Ｐｄ，ＰｔおよびＣ
ｕから選ばれた少なくとも１種の金属微粒子である請求
項１に記載の反射−帯電防止膜 - 【請求項５】 酸化物半導体がＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、
Ｖ2 Ｏ5 、Ｓｂド−プＳｎＯ2 、Ｓｎド−プＩｎ2 Ｏ3
およびＴｉＯ2 から選ばれた少なくとも１種の酸化物半
導体である請求項１または２のいずれかに記載の反射−
帯電防止膜。 - 【請求項６】 多孔質ガラスの原料となる金属アルコキ
シドと還元されると金属微粒子を析出する金属塩との混
合溶液を、加水分解、熱処理することからなる多孔質ガ
ラス中に金属微粒子が分散されてなる反射−帯電防止膜
の製造方法。 - 【請求項７】 多孔質ガラスの原料となる金属アルコキ
シドと多孔質な酸化物半導体の原料となる金属アルコキ
シドとからなる混合溶液を、加水分解、熱処理すること
からなる、多孔質ガラスと多孔質な酸化物半導体との混
合物の一体化物からなる請求項２に記載の反射−帯電防
止膜の製造方法。 - 【請求項８】 多孔質ガラスの原料となる金属アルコキ
シドと、加熱ならびに酸化されて酸化物半導体となる金
属塩溶液との混合溶液を、加水分解、熱処理することか
らなる、多孔質ガラス中に酸化物半導体微粒子が分散さ
れてなる反射−帯電防止膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128509A JPH05323102A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 反射−帯電防止膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128509A JPH05323102A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 反射−帯電防止膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05323102A true JPH05323102A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=14986508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4128509A Pending JPH05323102A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 反射−帯電防止膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05323102A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999025660A1 (en) * | 1997-11-13 | 1999-05-27 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Ultraviolet/infrared absorbing glass, ultraviolet/infrared absorbing glass sheet, ultraviolet/infrared absorbing glass sheet coated with colored film, and window glass for vehicles |
| EP1557863A3 (en) * | 2004-01-22 | 2007-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Antistatic film, spacer using it and picture display unit |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP4128509A patent/JPH05323102A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999025660A1 (en) * | 1997-11-13 | 1999-05-27 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Ultraviolet/infrared absorbing glass, ultraviolet/infrared absorbing glass sheet, ultraviolet/infrared absorbing glass sheet coated with colored film, and window glass for vehicles |
| US6468934B2 (en) | 1997-11-13 | 2002-10-22 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Ultraviolet/infrared absorbent glass |
| EP1557863A3 (en) * | 2004-01-22 | 2007-09-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Antistatic film, spacer using it and picture display unit |
| US8004173B2 (en) | 2004-01-22 | 2011-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Antistatic film, spacer using it and picture display unit |
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