JPH05323582A - 露光装置およびこの露光装置を用いた露光方法 - Google Patents
露光装置およびこの露光装置を用いた露光方法Info
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- JPH05323582A JPH05323582A JP12374692A JP12374692A JPH05323582A JP H05323582 A JPH05323582 A JP H05323582A JP 12374692 A JP12374692 A JP 12374692A JP 12374692 A JP12374692 A JP 12374692A JP H05323582 A JPH05323582 A JP H05323582A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光光源の劣化を考慮し、ペリクル膜を効率
よく使用することを可能とした露光装置およびこの露光
装置を用いた露光方法を提供する。 【構成】 フォトマスクのペリクル膜２３，２４が備え
られていない基板２１の所定の箇所に第１の窓部２７が
設けられ、フォトマスクのペリクル膜２３，２４が備え
られた基板２１の所定の箇所に第２の窓部２８が設けら
れている。この第１の窓部２７および第２の窓部２８を
透過する露光光束の露光量を比較することにより、ペリ
クル膜２３，２４の寿命および露光光源の寿命を判断す
ることができる。
よく使用することを可能とした露光装置およびこの露光
装置を用いた露光方法を提供する。 【構成】 フォトマスクのペリクル膜２３，２４が備え
られていない基板２１の所定の箇所に第１の窓部２７が
設けられ、フォトマスクのペリクル膜２３，２４が備え
られた基板２１の所定の箇所に第２の窓部２８が設けら
れている。この第１の窓部２７および第２の窓部２８を
透過する露光光束の露光量を比較することにより、ペリ
クル膜２３，２４の寿命および露光光源の寿命を判断す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、露光装置に関し、特
に、半導体装置の製造に用いられる露光装置およびこの
露光装置を用いた露光方法に関するものである。
に、半導体装置の製造に用いられる露光装置およびこの
露光装置を用いた露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造において、写真
製版技術は必要不可欠な技術となっている。
製版技術は必要不可欠な技術となっている。
【０００３】また、半導体装置の微細化に伴い、より高
精度の露光装置が要求されてきている。以下、従来の露
光装置の一例について、特開昭６３−２７４１３１号公
報に開示された技術について説明する。
精度の露光装置が要求されてきている。以下、従来の露
光装置の一例について、特開昭６３−２７４１３１号公
報に開示された技術について説明する。
【０００４】まず図５および図６を参照して、従来技術
に基づいた防塵膜であるペリクルが設けられた、ペリク
ル付フォトマスク１０１の構造について説明する。図５
はペリクル付フォトマスク１０１の平面図である。図６
は図５中Ｘ−Ｘ線矢視断面図である。ペリクル付フォト
マスク１０１は、ガラスなどよりなる基板１１１の露光
光を受ける反対側の面に、所定形状のパターン１１５が
形成されている。ペリクル膜１１３，１１４は、通常主
成分がニトロセルロースからなる膜で形成されている。
また、ペリクル膜１１３は上側膜枠１１６と下側膜枠１
１７とにより基板１１１に取付けられている。通常、上
側のペリクル膜１１３の基板表面からの距離ｈ1 は４．
０ｍｍ程度に設定され、下側のペリクル膜１１４の基板
表面からの距離ｈ2 は６．３ｍｍ程度に設定されてい
る。
に基づいた防塵膜であるペリクルが設けられた、ペリク
ル付フォトマスク１０１の構造について説明する。図５
はペリクル付フォトマスク１０１の平面図である。図６
は図５中Ｘ−Ｘ線矢視断面図である。ペリクル付フォト
マスク１０１は、ガラスなどよりなる基板１１１の露光
光を受ける反対側の面に、所定形状のパターン１１５が
形成されている。ペリクル膜１１３，１１４は、通常主
成分がニトロセルロースからなる膜で形成されている。
また、ペリクル膜１１３は上側膜枠１１６と下側膜枠１
１７とにより基板１１１に取付けられている。通常、上
側のペリクル膜１１３の基板表面からの距離ｈ1 は４．
０ｍｍ程度に設定され、下側のペリクル膜１１４の基板
表面からの距離ｈ2 は６．３ｍｍ程度に設定されてい
る。
【０００５】これにより、ペリクル膜１１４上に直径５
０μｍ程度の異物Ｚが付着した場合においても、露光時
におけるこの異物の陰は、半導体基板上においては、デ
フォーカスされるために、転写に影響を与えずに露光す
ることが可能となる。
０μｍ程度の異物Ｚが付着した場合においても、露光時
におけるこの異物の陰は、半導体基板上においては、デ
フォーカスされるために、転写に影響を与えずに露光す
ることが可能となる。
【０００６】また、ペリクル付フォトマスク１０１のペ
リクル膜に囲まれた領域の基板１１１の所定箇所に、露
光量測定用の窓部１１８が設けられている。
リクル膜に囲まれた領域の基板１１１の所定箇所に、露
光量測定用の窓部１１８が設けられている。
【０００７】次に、上記ペリクル付フォトマスク１０１
を用いた露光装置１００について説明する。
を用いた露光装置１００について説明する。
【０００８】図７を参照して、この露光装置１００は、
マスクステージ１０２、マスクローダ１０３、露光光源
１０６、投影光学系１０７、ウェハステージ１０５およ
び走査用キャリッジ１０９から構成されている。ペリク
ル付フォトマスク１０１は露光光源１０６と投影光学系
１０７の間に配置され、半導体ウェハ１０４はウェハス
テージ５上に配置されている。
マスクステージ１０２、マスクローダ１０３、露光光源
１０６、投影光学系１０７、ウェハステージ１０５およ
び走査用キャリッジ１０９から構成されている。ペリク
ル付フォトマスク１０１は露光光源１０６と投影光学系
１０７の間に配置され、半導体ウェハ１０４はウェハス
テージ５上に配置されている。
【０００９】次に、図８を参照して、露光装置１００の
動作について説明する。ペリクル付フォトマスク１０１
を装填する命令を出すと、ペリクル付フォトマスク１０
１をマスクステージ２上にセットする前に、走査用キャ
リッジ１０９が図に示す場所に移動し、露光光源１０６
から露光光束１０８を照射する。この露光光束１０８
は、半導体ウェハ１０４面と同じ高さにセットした露光
量測定用受光素子１１０に焦点を結ぶ。このときの露光
量を露光量測定用受光素子１１０によって測定し、ペリ
クル付マスク１０１が設けられていないときの露光量を
Ａとして記憶する。次に、図９を参照して、ペリクル付
マスク１０１をマスクステージ１０２にセットする。そ
の後、再び露光光束１０８を照射する。この露光光束１
０８は、まずペリクル付マスク１０１上において焦点を
結ぶが、ペリクル付マスク１０１に設けられた露光量測
定用窓１１８が露光量測定用受光素子１１０に対応した
場所に設けてあるため、露光光束１０８はこの露光量測
定用窓１１８を通過し、露光量測定用受光素子１１０上
に焦点を結ぶ。このときの露光量を、ペリクル付フォト
マスク１０１を通過したときの露光量Ｂとして記憶す
る。
動作について説明する。ペリクル付フォトマスク１０１
を装填する命令を出すと、ペリクル付フォトマスク１０
１をマスクステージ２上にセットする前に、走査用キャ
リッジ１０９が図に示す場所に移動し、露光光源１０６
から露光光束１０８を照射する。この露光光束１０８
は、半導体ウェハ１０４面と同じ高さにセットした露光
量測定用受光素子１１０に焦点を結ぶ。このときの露光
量を露光量測定用受光素子１１０によって測定し、ペリ
クル付マスク１０１が設けられていないときの露光量を
Ａとして記憶する。次に、図９を参照して、ペリクル付
マスク１０１をマスクステージ１０２にセットする。そ
の後、再び露光光束１０８を照射する。この露光光束１
０８は、まずペリクル付マスク１０１上において焦点を
結ぶが、ペリクル付マスク１０１に設けられた露光量測
定用窓１１８が露光量測定用受光素子１１０に対応した
場所に設けてあるため、露光光束１０８はこの露光量測
定用窓１１８を通過し、露光量測定用受光素子１１０上
に焦点を結ぶ。このときの露光量を、ペリクル付フォト
マスク１０１を通過したときの露光量Ｂとして記憶す
る。
【００１０】以上によって得られたペリクル付フォトマ
スク１０１を透過していないときの露光量Ａと、ペリク
ル付フォトマスク１０１を透過した場合の露光量Ｂとの
比Ｂ／Ａの値を、ペリクルの透過率をＴとして表示す
る。
スク１０１を透過していないときの露光量Ａと、ペリク
ル付フォトマスク１０１を透過した場合の露光量Ｂとの
比Ｂ／Ａの値を、ペリクルの透過率をＴとして表示す
る。
【００１１】このとき、この透過率Ｔが予め設定された
Ｔｃを下回ると、使用者にペリクル膜の寿命を知らせる
ことが可能となる。
Ｔｃを下回ると、使用者にペリクル膜の寿命を知らせる
ことが可能となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
技術においては、まず透過率Ｔを求めるためのＴの値
は、フォトマスクがない状態での測定値Ａを用いるため
に、ガラス基板による露光光の減少が無視されている。
技術においては、まず透過率Ｔを求めるためのＴの値
は、フォトマスクがない状態での測定値Ａを用いるため
に、ガラス基板による露光光の減少が無視されている。
【００１３】次に、露光光源の劣化による露光量の減少
が考慮されずに透過率Ｔが設定されているために、本来
はまだ使用できるペリクル膜であっても交換しなければ
ならないなどの問題点を有している。
が考慮されずに透過率Ｔが設定されているために、本来
はまだ使用できるペリクル膜であっても交換しなければ
ならないなどの問題点を有している。
【００１４】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたもので、露光光源の劣化を考慮し、ペリクル膜
を効率よく使用することを可能とした露光装置およびこ
の露光装置を用いた露光方法を提供することを目的とす
る。
なされたもので、露光光源の劣化を考慮し、ペリクル膜
を効率よく使用することを可能とした露光装置およびこ
の露光装置を用いた露光方法を提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明に基づいた露光
装置においては、まず、露光光束を発する露光光源を有
する露光手段と、所定の透過パターンが基板上に設けら
れ、この基板の所定箇所に防塵膜を有するフォトマスク
と、上記フォトマスクの上記防塵膜が備えられていない
上記基板の所定の箇所に設けられた第１の窓部と、上記
フォトマスクの上記防塵マスクが備えられた上記基板の
所定の箇所に設けられた第２の窓部と、上記第１の窓部
を透過した露光光束および上記第２の窓部を透過した露
光光束の露光量を各々独立に測定する露光量測定手段と
を備えている。
装置においては、まず、露光光束を発する露光光源を有
する露光手段と、所定の透過パターンが基板上に設けら
れ、この基板の所定箇所に防塵膜を有するフォトマスク
と、上記フォトマスクの上記防塵膜が備えられていない
上記基板の所定の箇所に設けられた第１の窓部と、上記
フォトマスクの上記防塵マスクが備えられた上記基板の
所定の箇所に設けられた第２の窓部と、上記第１の窓部
を透過した露光光束および上記第２の窓部を透過した露
光光束の露光量を各々独立に測定する露光量測定手段と
を備えている。
【００１６】次に、この発明に基づいた露光装置を用い
た露光方法においては、露光光源により露光光束を発す
る工程と、所定の透過パターンが基板上に設けられ、こ
の基板の所定箇所に防塵膜を有するフォトマスクに上記
露光光束を透過させる工程と、上記フォトマスクの上記
防塵膜が備えられていない上記基板の所定箇所に設けら
れた第１の窓部を透過した上記露光光束の第１の露光量
を測定する工程と、上記フォトマスクの上記防塵膜が備
えられた上記基板の所定箇所に設けられた第２の窓部を
透過した上記露光光束の第２の露光量を測定する工程
と、上記第１の露光量と上記第２の露光量とを比較し、
上記露光光源の劣化および上記フォトマスクの劣化を測
定する工程とを備えている。
た露光方法においては、露光光源により露光光束を発す
る工程と、所定の透過パターンが基板上に設けられ、こ
の基板の所定箇所に防塵膜を有するフォトマスクに上記
露光光束を透過させる工程と、上記フォトマスクの上記
防塵膜が備えられていない上記基板の所定箇所に設けら
れた第１の窓部を透過した上記露光光束の第１の露光量
を測定する工程と、上記フォトマスクの上記防塵膜が備
えられた上記基板の所定箇所に設けられた第２の窓部を
透過した上記露光光束の第２の露光量を測定する工程
と、上記第１の露光量と上記第２の露光量とを比較し、
上記露光光源の劣化および上記フォトマスクの劣化を測
定する工程とを備えている。
【００１７】
【作用】この発明に基づいた露光装置およびこの露光装
置を用いた露光方法によれば、防塵膜が用いられていな
い場合のフォトマスクを透過した露光量と防塵膜を設け
ている場合のフォトマスクを透過した露光量を比較し
て、露光光源の劣化および防塵膜の劣化を測定してい
る。これにより、防塵膜および露光光源の劣化に伴なっ
た露光時間の最適化を図り、また、露光光源および防塵
膜の効率の良い使用が可能となる。
置を用いた露光方法によれば、防塵膜が用いられていな
い場合のフォトマスクを透過した露光量と防塵膜を設け
ている場合のフォトマスクを透過した露光量を比較し
て、露光光源の劣化および防塵膜の劣化を測定してい
る。これにより、防塵膜および露光光源の劣化に伴なっ
た露光時間の最適化を図り、また、露光光源および防塵
膜の効率の良い使用が可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、この発明に基づいた露光装置の一実施
例について説明する。
例について説明する。
【００１９】まず、図１および図２を参照して、図１は
この露光装置５０に用いられるペリクル付フォトマスク
１の平面図である。図２は、図１中Ｘ−Ｘ線矢視断面図
である。
この露光装置５０に用いられるペリクル付フォトマスク
１の平面図である。図２は、図１中Ｘ−Ｘ線矢視断面図
である。
【００２０】このペリクル付フォトマスク１には、ガラ
スなどよりなる基板２１の露光光を受ける反対側の面
に、所定形状のパターン２２が形成されている。ペリク
ル膜２３，２４は、通常主成分がニトロセルロースから
なる膜から形成されている。またペリクル膜２３，２４
は上側膜枠２５と下側膜枠２６により基板２１に取付け
られている。通常上側のペリクル膜２３の基板２１から
の距離ｈ1 は４．０ｍｍ程度に設定され、下側のペリク
ル膜２４の基板２２からの距離ｈ2 は６．３程度ｍｍに
設定されている。
スなどよりなる基板２１の露光光を受ける反対側の面
に、所定形状のパターン２２が形成されている。ペリク
ル膜２３，２４は、通常主成分がニトロセルロースから
なる膜から形成されている。またペリクル膜２３，２４
は上側膜枠２５と下側膜枠２６により基板２１に取付け
られている。通常上側のペリクル膜２３の基板２１から
の距離ｈ1 は４．０ｍｍ程度に設定され、下側のペリク
ル膜２４の基板２２からの距離ｈ2 は６．３程度ｍｍに
設定されている。
【００２１】これにより、パターン面側のペリクル膜２
４に異物が付着した場合においても、この異物の影は、
半導体基板上においてデフォーカスされるため、転写に
影響を与えずにすむ。また、ペリクル膜２３，２４に覆
われてていない領域の基板２１には、基板２１を露光光
束が透過した場合の露光量を測定するための第１の窓部
２７が設けられている。さらに、ペリクル膜２３，２４
に囲まれた領域の基板２１には、ペリクル膜２３，２４
および基板２２を透過する露光光束の露光量を測定する
ための第２の窓部２８が設けられている。
４に異物が付着した場合においても、この異物の影は、
半導体基板上においてデフォーカスされるため、転写に
影響を与えずにすむ。また、ペリクル膜２３，２４に覆
われてていない領域の基板２１には、基板２１を露光光
束が透過した場合の露光量を測定するための第１の窓部
２７が設けられている。さらに、ペリクル膜２３，２４
に囲まれた領域の基板２１には、ペリクル膜２３，２４
および基板２２を透過する露光光束の露光量を測定する
ための第２の窓部２８が設けられている。
【００２２】次に、上記ペリクル付フォトマスク１を用
いた露光装置５０の構造について説明する。図３を参照
して、この露光装置５０は、ペリクル付フォトマスク
１、マスクステージ２、マスクローダ３、露光光源６、
投影光学系７、ウェハステージ５および走査用キャリッ
ジ９から構成されている。ペリクル付フォトマスク１
は、露光光源６と投影光学系７の間に配置されている。
半導体ウェハ４は、ウェハステージ５上に配置される。
いた露光装置５０の構造について説明する。図３を参照
して、この露光装置５０は、ペリクル付フォトマスク
１、マスクステージ２、マスクローダ３、露光光源６、
投影光学系７、ウェハステージ５および走査用キャリッ
ジ９から構成されている。ペリクル付フォトマスク１
は、露光光源６と投影光学系７の間に配置されている。
半導体ウェハ４は、ウェハステージ５上に配置される。
【００２３】次に、上記露光装置２０の動作について説
明する。ペリクル付フォトマスク１を装填する命令を出
すと、まず最初に露光光源６から発せられる露光光束８
が、ペリクル付フォトマスク１に設けられた第１の窓部
２７を通過する。このとき、この露光光束８は、半導体
ウェハ４と同じ高さにセットされた露光量測定用受光素
子１０に焦点を結ぶ。このときの露光量を露光量測定用
受光素子１０によって測定し、ペリクル膜が設けられて
いないときの露光量としてＤとして記憶する。さらに、
走査用キャリッジ９を所定距離移動させ、露光光源６か
らの露光光束８が、ペリクル付フォトマスク２７に設け
られた第２の窓部２８を通過するようにペリクル付フォ
トマスク１を移動させる。このとき、上記と同様にして
露光量測定用受光素子１０によって露光量を測定し、ペ
リクル膜が設けられた場合の露光量としてＥを記憶す
る。次に、図４を参照して、ウェハステージ５上に半導
体ウェハ４を設定し、露光光源６を用いて所定のパター
ニングを行なう。次に、所定時間が経過した後に、再び
走査用キャリッジ９により、第１の窓部２７を透過する
露光光束８の露光量を測定しこのときの値をＤ′として
記憶する。さらに第２の窓部２８を透過する露光光束８
の露光量を測定し、このときの値をＥ′として記憶す
る。
明する。ペリクル付フォトマスク１を装填する命令を出
すと、まず最初に露光光源６から発せられる露光光束８
が、ペリクル付フォトマスク１に設けられた第１の窓部
２７を通過する。このとき、この露光光束８は、半導体
ウェハ４と同じ高さにセットされた露光量測定用受光素
子１０に焦点を結ぶ。このときの露光量を露光量測定用
受光素子１０によって測定し、ペリクル膜が設けられて
いないときの露光量としてＤとして記憶する。さらに、
走査用キャリッジ９を所定距離移動させ、露光光源６か
らの露光光束８が、ペリクル付フォトマスク２７に設け
られた第２の窓部２８を通過するようにペリクル付フォ
トマスク１を移動させる。このとき、上記と同様にして
露光量測定用受光素子１０によって露光量を測定し、ペ
リクル膜が設けられた場合の露光量としてＥを記憶す
る。次に、図４を参照して、ウェハステージ５上に半導
体ウェハ４を設定し、露光光源６を用いて所定のパター
ニングを行なう。次に、所定時間が経過した後に、再び
走査用キャリッジ９により、第１の窓部２７を透過する
露光光束８の露光量を測定しこのときの値をＤ′として
記憶する。さらに第２の窓部２８を透過する露光光束８
の露光量を測定し、このときの値をＥ′として記憶す
る。
【００２４】ここで、上記Ｄ−Ｄ′＝Ｄ1 、Ｅ−Ｅ′＝
Ｅ1 とすれば、Ｄ1 は露光光源６の劣化を示し、Ｅ
1 は、露光光源６の劣化とペリクル膜２３，２４の劣化
を示している。
Ｅ1 とすれば、Ｄ1 は露光光源６の劣化を示し、Ｅ
1 は、露光光源６の劣化とペリクル膜２３，２４の劣化
を示している。
【００２５】さらに、Ｅ1 −Ｄ1 ＝Ｐとすれば、このＰ
はペリクル膜２３，２４のみの劣化を示している。
はペリクル膜２３，２４のみの劣化を示している。
【００２６】これにより、所定時間経過ごとに第１の窓
部２７および第２の窓部２８を通過する露光量を測定す
ることにより、露光光源６の劣化Ｄ1 とペリクル膜２
３，２４の劣化Ｐを知ることができる。よって、露光光
源の劣化の限度をＤE 、ペリクル膜の劣化をＰE とした
場合、露光光源の劣化Ｄ1 がＤE に近づいてきたとき
は、露光量が最適となるように、露光時間を調整すれば
よく、また、Ｄ1 ≧ＤE となれば、露光光源を交換する
ことで、ペリクル膜を交換することなく使用することが
できる。
部２７および第２の窓部２８を通過する露光量を測定す
ることにより、露光光源６の劣化Ｄ1 とペリクル膜２
３，２４の劣化Ｐを知ることができる。よって、露光光
源の劣化の限度をＤE 、ペリクル膜の劣化をＰE とした
場合、露光光源の劣化Ｄ1 がＤE に近づいてきたとき
は、露光量が最適となるように、露光時間を調整すれば
よく、また、Ｄ1 ≧ＤE となれば、露光光源を交換する
ことで、ペリクル膜を交換することなく使用することが
できる。
【００２７】また一方、ペリクル膜の劣化Ｐ1 の値がＰ
E に近づいてくれば、露光量が最適となるように露光時
間を調整すればよく、さらに、Ｐ1 ≧ＰE となれば、ペ
リクル膜を交換すればよい。
E に近づいてくれば、露光量が最適となるように露光時
間を調整すればよく、さらに、Ｐ1 ≧ＰE となれば、ペ
リクル膜を交換すればよい。
【００２８】以上のように、この発明の実施例におい
て、露光光源の劣化とペリクル膜の劣化の度合いを判断
することが可能となるために、ペリクル膜の張替えのコ
ストを大幅に減少させることが可能となりまた、半導体
ウェハに形成されるパターンの精度を向上させることが
可能となる。
て、露光光源の劣化とペリクル膜の劣化の度合いを判断
することが可能となるために、ペリクル膜の張替えのコ
ストを大幅に減少させることが可能となりまた、半導体
ウェハに形成されるパターンの精度を向上させることが
可能となる。
【００２９】
【発明の効果】この発明に基づいた露光装置およびこの
露光装置を用いた露光方法によれば、防塵膜が設けられ
ていない場合のフォトマスクを透過した露光量と、防塵
膜を設けられている場合のフォトマスクを透過した露光
量を比較して、露光光源の劣化および防塵膜の劣化を測
定している。これにより防塵膜および露光光源の劣化に
伴なった露光時間の最適化を図り、また、露光光源およ
び防塵膜の効率の良い使用が可能となる。以上により、
防塵膜の張替えコストを大幅に低減させることが可能と
なり、また、半導体基板への露光を常に最適値とするこ
とで、高品質の半導体装置の製造をも可能としている。
露光装置を用いた露光方法によれば、防塵膜が設けられ
ていない場合のフォトマスクを透過した露光量と、防塵
膜を設けられている場合のフォトマスクを透過した露光
量を比較して、露光光源の劣化および防塵膜の劣化を測
定している。これにより防塵膜および露光光源の劣化に
伴なった露光時間の最適化を図り、また、露光光源およ
び防塵膜の効率の良い使用が可能となる。以上により、
防塵膜の張替えコストを大幅に低減させることが可能と
なり、また、半導体基板への露光を常に最適値とするこ
とで、高品質の半導体装置の製造をも可能としている。
【図１】この発明に基づいた露光装置に用いられるペリ
クル付フォトマスクの平面図である。
クル付フォトマスクの平面図である。
【図２】図１中Ｘ−Ｘ線矢視断面図である。
【図３】この発明に基づいた露光装置の構造を示す模式
図である。
図である。
【図４】この発明に基づいた露光装置の露光状態を示す
模式図である。
模式図である。
【図５】従来技術における露光装置に用いられるペリク
ル付フォトマスクの平面図である。
ル付フォトマスクの平面図である。
【図６】図５中Ｘ−Ｘ線矢視断面図である。
【図７】従来技術における露光装置の構造を示す模式図
である。
である。
【図８】従来技術における露光装置の第１の状態を示す
模式図である。
模式図である。
【図９】従来技術における露光装置の第２の状態を示す
模式図である。
模式図である。
１ ペリクル付フォトマスク ２ マスクステージ ３ マスクローダ ４ 半導体ウェハ ５ ウェハステージ ６ 露光光源 ７ 投影光学系 ８ 露光光束 ９ 操作用キャリッジ １０ 露光量測定用受光素子 ２１ 基板 ２２ パターン ２３，２４ ペリクル膜 ２５ 上側膜枠 ２６ 下側膜枠 ２７ 第１の窓部 ２８ 第２の窓部 なお、図中同一符号は、同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】 露光光束を発する露光光源を有する露光
手段と、 所定のパターンが基板上に設けられ、この基板の所定箇
所に防塵膜を有するフォトマスクと、 前記フォトマスクの前記防塵膜が備えられていない前記
基板の所定の箇所に設けられた第１の窓部と、 前記フォトマスクの前記防塵膜が備えられた前記基板の
所定の箇所に設けられた第２の窓部と、 前記第１の窓部を透過した露光光束および前記第２の窓
部を透過した露光光束の露光量を各々独立に測定する露
光量測定手段と、を備えた露光装置。 - 【請求項２】 露光光源より露光光束を発する工程と、 所定の透過パターンが基板上に設けられ、この基板の所
定箇所に防塵膜を有するフォトマスクに前記露光光束を
透過させる工程と、 前記フォトマスクの前記防塵膜が備えられていない前記
基板の所定箇所に設けられた第１の窓部を透過した前記
露光光束の第１の露光量を測定する工程と、 前記フォトマスクの前記防塵膜が備えられた前記基板の
所定箇所に設けられた第２の窓部を透過した前記露光光
束の第２の露光量を測定する工程と、 前記第１の露光量と前記第２の露光量とを比較し、前記
露光光源の劣化および前記フォトマスクの劣化を測定す
る工程と、を備えた露光装置を用いた露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12374692A JPH05323582A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 露光装置およびこの露光装置を用いた露光方法 |
| US08/055,002 US5394219A (en) | 1992-05-15 | 1993-04-30 | Exposure apparatus and method of exposure using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12374692A JPH05323582A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 露光装置およびこの露光装置を用いた露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05323582A true JPH05323582A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=14868302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12374692A Withdrawn JPH05323582A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 露光装置およびこの露光装置を用いた露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5394219A (ja) |
| JP (1) | JPH05323582A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970003593B1 (en) * | 1992-09-03 | 1997-03-20 | Samsung Electronics Co Ltd | Projection exposure method and device using mask |
| KR100253381B1 (ko) * | 1997-12-17 | 2000-06-01 | 김영환 | 재활용 마스크 및 그 제조방법과 재활용방법 |
| JP2000012428A (ja) * | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Canon Inc | Ｘ線マスク構造体、該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法、前記ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光装置、前記ｘ線マスク構造体を用いた半導体デバイスの製造方法、および該製造方法によって製造された半導体デバイス |
| US7068347B2 (en) * | 2002-12-20 | 2006-06-27 | Intel Corporation | Apparatus for reducing pellicle darkening |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4637714A (en) * | 1985-10-31 | 1987-01-20 | International Business Machines Corporation | Inspection system for pellicalized reticles |
| JPS63274131A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP12374692A patent/JPH05323582A/ja not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-04-30 US US08/055,002 patent/US5394219A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5394219A (en) | 1995-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |