JPH05326147A - 両面から光が取り出せるエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
両面から光が取り出せるエレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH05326147A JPH05326147A JP4122257A JP12225792A JPH05326147A JP H05326147 A JPH05326147 A JP H05326147A JP 4122257 A JP4122257 A JP 4122257A JP 12225792 A JP12225792 A JP 12225792A JP H05326147 A JPH05326147 A JP H05326147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent
- limiting layer
- current limiting
- fine powder
- conductive fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 10
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- -1 Mn and Cu Chemical class 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- VYGUBTIWNBFFMQ-UHFFFAOYSA-N [N+](#[C-])N1C(=O)NC=2NC(=O)NC2C1=O Chemical group [N+](#[C-])N1C(=O)NC=2NC(=O)NC2C1=O VYGUBTIWNBFFMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEJHYFOJNUCIBD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2].[In+3] IEJHYFOJNUCIBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】両面から光が取り出せる直流駆動が可能な混成
型ＥＬ素子を提供する。 【構成】透明な絶縁性基板上に、透明電極、発光層、導
電性微粉末が透明なバインダーで分散固定されてなる電
流制限層および透明背面電極が順次積層されたエレクト
ロルミネセンス素子で、導電性微粉末は、１００ｎｍ以
下の粒径を有し、可視光線に対して透明であり、かつ、
その体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以下としたＥＬ素子。
型ＥＬ素子を提供する。 【構成】透明な絶縁性基板上に、透明電極、発光層、導
電性微粉末が透明なバインダーで分散固定されてなる電
流制限層および透明背面電極が順次積層されたエレクト
ロルミネセンス素子で、導電性微粉末は、１００ｎｍ以
下の粒径を有し、可視光線に対して透明であり、かつ、
その体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以下としたＥＬ素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エレクトロルミネッセ
ンス素子（ＥＬ素子）に関し、とりわけ両面から光が取
り出せる直流駆動が可能な混成型ＥＬ素子に関する。
ンス素子（ＥＬ素子）に関し、とりわけ両面から光が取
り出せる直流駆動が可能な混成型ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ素子を応用したＥＬディスプレイ
は、近年ポータブルタイプのコンピュータの端末などに
急速に普及しつつある有望なフラットパネルディスプレ
イの１つである。ＥＬ素子には、薄膜型ＥＬ素子と粉末
型ＥＬ素子の２つのタイプが知られているが、最近では
薄膜型と粉末型とを組み合わせた混成型ＥＬ素子（ハイ
ブリッドＥＬ素子あるいはコンポジットＥＬ素子とも呼
ばれる）が、有力なデイスプレイ用の素子として注目さ
れるようになってきた（例えば英国公開特許公報２１７
６３４０Ａ、同２１７６３４１Ａ）。
は、近年ポータブルタイプのコンピュータの端末などに
急速に普及しつつある有望なフラットパネルディスプレ
イの１つである。ＥＬ素子には、薄膜型ＥＬ素子と粉末
型ＥＬ素子の２つのタイプが知られているが、最近では
薄膜型と粉末型とを組み合わせた混成型ＥＬ素子（ハイ
ブリッドＥＬ素子あるいはコンポジットＥＬ素子とも呼
ばれる）が、有力なデイスプレイ用の素子として注目さ
れるようになってきた（例えば英国公開特許公報２１７
６３４０Ａ、同２１７６３４１Ａ）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の混成型ＥＬ素子においては、導電性粉末として、Ｍ
ｎＯ2、ＴｉＯ2、Ｆｅ3Ｏ4、カーボンブラックなどの黒
色微粉末が用いられていたので、ＥＬ素子の１方向から
しか光を外部へ取り出すことができなかった。
来の混成型ＥＬ素子においては、導電性粉末として、Ｍ
ｎＯ2、ＴｉＯ2、Ｆｅ3Ｏ4、カーボンブラックなどの黒
色微粉末が用いられていたので、ＥＬ素子の１方向から
しか光を外部へ取り出すことができなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明な絶縁性
基板上に、透明電極、発光層、導電性微粉末が透明なバ
インダーで分散固定されてなる電流制限層および透明背
面電極が順次積層されたエレクトロルミネッセンス素子
であって、前記導電性微粉末は、１００ｎｍ以下の粒径
を有し、可視光線に対して透明であり、かつ、その体積
抵抗率が１０5Ωｃｍ以下である、両面から光が取り出
せるエレクトロルミネッセンス素子である。
基板上に、透明電極、発光層、導電性微粉末が透明なバ
インダーで分散固定されてなる電流制限層および透明背
面電極が順次積層されたエレクトロルミネッセンス素子
であって、前記導電性微粉末は、１００ｎｍ以下の粒径
を有し、可視光線に対して透明であり、かつ、その体積
抵抗率が１０5Ωｃｍ以下である、両面から光が取り出
せるエレクトロルミネッセンス素子である。
【０００５】本発明の電流制限層の膜厚は、５μｍから
３０μｍとするのが好ましい。前記電流制限層は、発光
の際、発光層の抵抗率が低下し、ＥＬ素子に過剰な電流
が流れて素子を破壊するのを防ぐ役割を果たす。電流制
限層の抵抗は、大きければ大きいほど破壊に対しては安
定になるが、あまり大きくすると電流制限層での電圧降
下が大きくなり、それがＥＬ素子の駆動電圧の上昇につ
ながるので、上記５μｍから３０μｍの膜厚の範囲にお
いて、膜厚方向に対し、単位面積（１ｃｍ2）当り５０
Ωから２００Ωの抵抗値、つまり、１×１０4Ωｃｍか
ら５×１０5Ωｃｍの抵抗率となるようにするのが好ま
しい。
３０μｍとするのが好ましい。前記電流制限層は、発光
の際、発光層の抵抗率が低下し、ＥＬ素子に過剰な電流
が流れて素子を破壊するのを防ぐ役割を果たす。電流制
限層の抵抗は、大きければ大きいほど破壊に対しては安
定になるが、あまり大きくすると電流制限層での電圧降
下が大きくなり、それがＥＬ素子の駆動電圧の上昇につ
ながるので、上記５μｍから３０μｍの膜厚の範囲にお
いて、膜厚方向に対し、単位面積（１ｃｍ2）当り５０
Ωから２００Ωの抵抗値、つまり、１×１０4Ωｃｍか
ら５×１０5Ωｃｍの抵抗率となるようにするのが好ま
しい。
【０００６】本発明の電流制限層を構成する導電性微粒
子は、粒子の体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以下であり、粒
径が１００ｎｍ以下であり、かつ、可視光線に対して透
明であることが必要である。そして、導電性微粒子を有
機バインダー中に分散させた電流制限層の厚みを５００
ｎｍとしたとき、電流制限層の可視光線透過率を５０％
以上となるようにするのが好ましい。そのような微粒子
としては、インジウム錫酸化物，インジウム酸化物，ア
ンチモンまたはフッ素をドープした錫酸化物，インジウ
ム、アルミニウム、珪素をドープした酸化亜鉛，酸化カ
ドミウムインジウム、酸化カドミウム錫，およびこれら
の混合酸化物が例示できる。
子は、粒子の体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以下であり、粒
径が１００ｎｍ以下であり、かつ、可視光線に対して透
明であることが必要である。そして、導電性微粒子を有
機バインダー中に分散させた電流制限層の厚みを５００
ｎｍとしたとき、電流制限層の可視光線透過率を５０％
以上となるようにするのが好ましい。そのような微粒子
としては、インジウム錫酸化物，インジウム酸化物，ア
ンチモンまたはフッ素をドープした錫酸化物，インジウ
ム、アルミニウム、珪素をドープした酸化亜鉛，酸化カ
ドミウムインジウム、酸化カドミウム錫，およびこれら
の混合酸化物が例示できる。
【０００７】また、導電性微粒子と透明バインダー樹脂
の比率は、重量比で２０／８０〜９０／１０程度がよ
く、さらに、好ましくは５０／５０〜６０／６０の範囲
が好ましい。微粒子のバインダー中への分散方法として
は、適当な粘度になるように溶媒で希釈したバインダー
樹脂中に直接微粒子を分散させる方法と、あらかじめ微
粒子のゾルを作っておいて、バインダー樹脂中に分散さ
せる方法を用いることができる。
の比率は、重量比で２０／８０〜９０／１０程度がよ
く、さらに、好ましくは５０／５０〜６０／６０の範囲
が好ましい。微粒子のバインダー中への分散方法として
は、適当な粘度になるように溶媒で希釈したバインダー
樹脂中に直接微粒子を分散させる方法と、あらかじめ微
粒子のゾルを作っておいて、バインダー樹脂中に分散さ
せる方法を用いることができる。
【０００８】本発明において使用可能なバインダー樹脂
の例としては、ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポ
リアミド系樹脂、セルロース系樹脂、ポリウレタン系樹
脂、尿素系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、シ
リコーン系樹脂等が挙げられるが、特に、水酸基、カル
ボキシル基、スルホニル基、ニトロ基等の極性基や、エ
ポキシ基、イソシアヌル基、シラノール基等の反応性基
を有した高分子樹脂が好適に用いられている。
の例としては、ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポ
リアミド系樹脂、セルロース系樹脂、ポリウレタン系樹
脂、尿素系樹脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、シ
リコーン系樹脂等が挙げられるが、特に、水酸基、カル
ボキシル基、スルホニル基、ニトロ基等の極性基や、エ
ポキシ基、イソシアヌル基、シラノール基等の反応性基
を有した高分子樹脂が好適に用いられている。
【０００９】
【作用】本発明のＥＬ素子を構成する基板、透明電極、
電流制限層および透明背面電極は、いずれも可視光線に
対して透明であるため、発光層で生じた発光はＥＬ素子
の両方向に取り出すことができる。
電流制限層および透明背面電極は、いずれも可視光線に
対して透明であるため、発光層で生じた発光はＥＬ素子
の両方向に取り出すことができる。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明を実施例により説明する。図
１は、本発明の混成型ＥＬ素子の層構成を示した図であ
る。図２は、本発明のＥＬ素子のガラス基板側と電流制
限層側で観察された発光の輝度の電流密度依存性を示す
図である。
１は、本発明の混成型ＥＬ素子の層構成を示した図であ
る。図２は、本発明のＥＬ素子のガラス基板側と電流制
限層側で観察された発光の輝度の電流密度依存性を示す
図である。
【００１１】ガラス基板１上に、透明電極２としてイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明電極膜をスパッ
タ、真空蒸着法などにより成膜した後に、フォトリソグ
ラフィーなどの方法を用いて所定の形状にパターニング
する。その上に発光層３を真空蒸着法、スパッタ法、Ｍ
ＯＣＶＤ法などの方法を用いて形成する。発光層の材質
としては、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳなどの２−６属化
合物に、Ｍｎ、Ｃｕなどの遷移金属やＴｂ、Ｓｍ、Ｄｙ
などの希土類あるいはそれらのフッ化物、塩化物などを
発光中心としてドープしたものがよく用いられる。その
上に、電流制限層４として可視光線に対して透明で、１
００ｎｍ以下の粒径を有する導電性の微粉末を透明な有
機バインダーで固めた十数μｍ程度の微粉末層をスプレ
ー法などの方法によって成膜する。最後に、透明背面電
極５を真空蒸着あるいはスパッタ法で成膜することによ
り本発明の混成型ＥＬ素子が完成する。
ジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの透明電極膜をスパッ
タ、真空蒸着法などにより成膜した後に、フォトリソグ
ラフィーなどの方法を用いて所定の形状にパターニング
する。その上に発光層３を真空蒸着法、スパッタ法、Ｍ
ＯＣＶＤ法などの方法を用いて形成する。発光層の材質
としては、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳなどの２−６属化
合物に、Ｍｎ、Ｃｕなどの遷移金属やＴｂ、Ｓｍ、Ｄｙ
などの希土類あるいはそれらのフッ化物、塩化物などを
発光中心としてドープしたものがよく用いられる。その
上に、電流制限層４として可視光線に対して透明で、１
００ｎｍ以下の粒径を有する導電性の微粉末を透明な有
機バインダーで固めた十数μｍ程度の微粉末層をスプレ
ー法などの方法によって成膜する。最後に、透明背面電
極５を真空蒸着あるいはスパッタ法で成膜することによ
り本発明の混成型ＥＬ素子が完成する。
【００１２】ドットマトリックス型のディスプレイパネ
ルを製造する場合は、その後、ダイアモンド針等を用い
て透明背面電極と電流制限層を同時に引き掻いて、所定
形状の電極パターニングをする。ＥＬ素子の駆動は透明
電極２と透明背面電極５の間に直流電圧を印加して発光
させる。 実施例 透明なガラス基板上に、透明電極としてＩＴＯを反応性
スパッタ法を用いて約５００ｎｍの厚さに成膜した。続
いて、発光層としてＭｎを０．３重量％ドープしたＺｎ
Ｓを約１μｍ電子ビーム蒸着法を用いて成膜した。次
に、アンチモンを１０ｗｔ％含むアンチモン錫酸化物を
バインダー樹脂とシンナーとの混合液に分散させた塗料
をアプリケータ塗装法で塗装、乾燥させ、抵抗率が６．
２×１０4Ωｃｍで、膜厚が８．５μｍの電流制限層を
形成した。次に、透明背面電極として、ＩＴＯを反応性
スパッタ法を用いて約５００ｎｍの厚さに成膜した。こ
のように作製したＥＬ素子を直流駆動回路に接続して発
光させたところ、両面から発光が得られた。基板側と電
流制限層側で観察された発光の輝度の電流密度依存性を
図２に示す。電流制限層側からはガラス側の約６５％の
光が得られた。 従来例 電解法にて作製したＭｎＯ2粉末をボールミルで粉砕し
て平均粒径０．３μｍとし、これをＭｎＯ2粉末の体積
とバインダー樹脂の体積の比率が３対７になるようにバ
インダー樹脂とシンナーとの混合液を加えて分散させて
塗料を作製した。この塗料を、実施例と同様に作製した
発光層と透明電極を形成したガラス基板の発光層の上に
スプレー法で塗装し、乾燥させて、抵抗率が１．３×１
０5Ωｃｍで、膜厚が１３μｍの電流制限層を形成し
た。次に、背面電極として、アルミニウムを蒸着法を用
いて約６００ｎｍの厚さに成膜した。このようにして作
製した素子は、ガラス基板の一方向からしか光を得るこ
とができなかった。
ルを製造する場合は、その後、ダイアモンド針等を用い
て透明背面電極と電流制限層を同時に引き掻いて、所定
形状の電極パターニングをする。ＥＬ素子の駆動は透明
電極２と透明背面電極５の間に直流電圧を印加して発光
させる。 実施例 透明なガラス基板上に、透明電極としてＩＴＯを反応性
スパッタ法を用いて約５００ｎｍの厚さに成膜した。続
いて、発光層としてＭｎを０．３重量％ドープしたＺｎ
Ｓを約１μｍ電子ビーム蒸着法を用いて成膜した。次
に、アンチモンを１０ｗｔ％含むアンチモン錫酸化物を
バインダー樹脂とシンナーとの混合液に分散させた塗料
をアプリケータ塗装法で塗装、乾燥させ、抵抗率が６．
２×１０4Ωｃｍで、膜厚が８．５μｍの電流制限層を
形成した。次に、透明背面電極として、ＩＴＯを反応性
スパッタ法を用いて約５００ｎｍの厚さに成膜した。こ
のように作製したＥＬ素子を直流駆動回路に接続して発
光させたところ、両面から発光が得られた。基板側と電
流制限層側で観察された発光の輝度の電流密度依存性を
図２に示す。電流制限層側からはガラス側の約６５％の
光が得られた。 従来例 電解法にて作製したＭｎＯ2粉末をボールミルで粉砕し
て平均粒径０．３μｍとし、これをＭｎＯ2粉末の体積
とバインダー樹脂の体積の比率が３対７になるようにバ
インダー樹脂とシンナーとの混合液を加えて分散させて
塗料を作製した。この塗料を、実施例と同様に作製した
発光層と透明電極を形成したガラス基板の発光層の上に
スプレー法で塗装し、乾燥させて、抵抗率が１．３×１
０5Ωｃｍで、膜厚が１３μｍの電流制限層を形成し
た。次に、背面電極として、アルミニウムを蒸着法を用
いて約６００ｎｍの厚さに成膜した。このようにして作
製した素子は、ガラス基板の一方向からしか光を得るこ
とができなかった。
【００１３】
【発明の効果】本発明のＥＬ素子によれば、三原色のモ
ノクロ発光層を有したパネルを順次重ねることにより、
マルチカラーパネルの作製が可能となる。また、カラー
フィルターを透明背面電極の上に印刷することにより容
易にカラーフィルターの形成ができる。さらに、透明背
面電極形成工程以降は高温焼成の操作がないので、有機
フィルターを使用することができ、ガラス基板上に絵や
文字を表示できる表示体の作製が可能となる。
ノクロ発光層を有したパネルを順次重ねることにより、
マルチカラーパネルの作製が可能となる。また、カラー
フィルターを透明背面電極の上に印刷することにより容
易にカラーフィルターの形成ができる。さらに、透明背
面電極形成工程以降は高温焼成の操作がないので、有機
フィルターを使用することができ、ガラス基板上に絵や
文字を表示できる表示体の作製が可能となる。
【図１】本発明の混成型ＥＬ素子の層構成を示した図で
ある。
ある。
【図２】本発明の混成型ＥＬ素子の基板側と電流制限層
側で観察された発光の輝度の電流密度依存性を示す図で
ある。
側で観察された発光の輝度の電流密度依存性を示す図で
ある。
１・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・発光
層、４・・・電流制限層、５・・・透明背面電極
層、４・・・電流制限層、５・・・透明背面電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和田 俊司 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 円城寺 勝久 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】透明な絶縁性基板上に、透明電極、発光
層、導電性微粉末が透明なバインダーで分散固定されて
なる電流制限層および透明背面電極が順次積層されたエ
レクトロルミネッセンス素子であって、前記導電性微粉
末は、１００ｎｍ以下の粒径を有し、可視光線に対して
透明であり、かつ、その体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以下
である、両面から光が取り出せるエレクトロルミネッセ
ンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4122257A JPH05326147A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 両面から光が取り出せるエレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4122257A JPH05326147A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 両面から光が取り出せるエレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326147A true JPH05326147A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14831476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4122257A Pending JPH05326147A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 両面から光が取り出せるエレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326147A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1071313A1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-01-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electroluminescence element and lighting unit having the same |
| WO2006104020A1 (en) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device and electric appliance using the same |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP4122257A patent/JPH05326147A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1071313A1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-01-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electroluminescence element and lighting unit having the same |
| US6611097B1 (en) | 1999-07-21 | 2003-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electroluminescent element comprising reduced number of parts and lighting unit having the same |
| WO2006104020A1 (en) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device and electric appliance using the same |
| US8058794B2 (en) | 2005-03-25 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device and electric appliance using the same |
| US8476827B2 (en) | 2005-03-25 | 2013-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device and electric appliance using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4410135B2 (ja) | 電子的にアドレス指定可能なマイクロカプセル化されたインクおよびそのディスプレイ | |
| CN1369116A (zh) | 有机电致发光装置 | |
| US6613455B1 (en) | Electroluminescent device and method for producing same | |
| KR20010012691A (ko) | 전자 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| JPH0375686A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| EP0998836A1 (en) | Electroluminescent device and apparatus | |
| JPH05326147A (ja) | 両面から光が取り出せるエレクトロルミネッセンス素子 | |
| WO2005099315A1 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| EP1135973B1 (en) | Electroluminescent device and method for the production of the same | |
| EP1147688B1 (en) | Electroluminescent device and method for producing same | |
| JP4631316B2 (ja) | エレクトロルミネセンス素子 | |
| US20070278943A1 (en) | Multicolor Electroluminescent Element | |
| JPH06251875A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH05211093A (ja) | 直流エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH0737687A (ja) | 抵抗型交流薄膜ｅｌ素子 | |
| KR100207587B1 (ko) | 전계발광소자및그제조방법 | |
| JPH0393191A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH0256898A (ja) | エレクトロルミネセンス素子 | |
| JP2503714B2 (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2004259546A (ja) | 無機ｅｌ素子 | |
| JPH06140157A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH0778683A (ja) | 電界発光素子及び蛍光体の製造方法 | |
| JPH0240892A (ja) | エレクトロルミネセント素子の製造方法 | |
| JPS5991697A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JP2004342366A (ja) | Ｅｌ素子 |