JPS5991697A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPS5991697A JPS5991697A JP57201627A JP20162782A JPS5991697A JP S5991697 A JPS5991697 A JP S5991697A JP 57201627 A JP57201627 A JP 57201627A JP 20162782 A JP20162782 A JP 20162782A JP S5991697 A JPS5991697 A JP S5991697A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- emitting layer
- film
- light emitting
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｌａｌ 発明の技術分野
本発明は薄膜ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子に係
り、特に希土類弗化物を発光中心として用いた硫化亜鉛
（Ｚ ｎ Ｓ）薄膜を発光層とする薄１１１ＥＬ素子の
改良に関する。
り、特に希土類弗化物を発光中心として用いた硫化亜鉛
（Ｚ ｎ Ｓ）薄膜を発光層とする薄１１１ＥＬ素子の
改良に関する。
（ｂｌ 従来技術と問題点
近年に至り多色表示を達成する観点から、種々の発光色
の得られる希土類弗化物を添加したＺｎＳ薄膜を発光層
とするＥＬ素子が既に提唱されている。
の得られる希土類弗化物を添加したＺｎＳ薄膜を発光層
とするＥＬ素子が既に提唱されている。
第１図はその一例としての発光層を絶縁層で挾み込んだ
所謂二重絶縁膜構造のＥＬ薄膜素子の要部を示す断面図
であって、１はガラス基板、２はインジウム・錫酸化物
（ＩＴＯ）よりなる透明電極、３は弗化テルビウム（Ｔ
ｂＦａ）を添加したＺｎ５ｉｉ膜よりなる発光層、４は
イツトリア（Ｙ２Ｏ２）よりなる絶縁膜、５はアルミニ
ウム（ＡＱ）よりなる電極を示す。
所謂二重絶縁膜構造のＥＬ薄膜素子の要部を示す断面図
であって、１はガラス基板、２はインジウム・錫酸化物
（ＩＴＯ）よりなる透明電極、３は弗化テルビウム（Ｔ
ｂＦａ）を添加したＺｎ５ｉｉ膜よりなる発光層、４は
イツトリア（Ｙ２Ｏ２）よりなる絶縁膜、５はアルミニ
ウム（ＡＱ）よりなる電極を示す。
かかるＥＬ発光素子を用いたＥＬパネルに文字や図形を
表示する場合、輝度−電圧特性の立ち上がりが緩やかで
あると、駆動回路での消費電力が大きくなるという問題
があるので、ＥＬ素子の輝度−電圧特性の立ち上がりは
急峻であることが必要である。
表示する場合、輝度−電圧特性の立ち上がりが緩やかで
あると、駆動回路での消費電力が大きくなるという問題
があるので、ＥＬ素子の輝度−電圧特性の立ち上がりは
急峻であることが必要である。
ところが従来のＥＬ発光素子においては、希土類弗化物
系ＥＬｉＩ！膜の発光効率及び輝度の向上を目的として
、発光層３としてスパンタリング法によって形成したＺ
ｎＳ薄膜を用いているが、かかる方法により形成した発
光層３中には望ましくない準位が多数発生し、発光層と
絶縁膜との界面に捕獲されていた電子は低電界でこの準
位にトンネリングし、その後ＺｎＳの伝導帯に放出され
る。
系ＥＬｉＩ！膜の発光効率及び輝度の向上を目的として
、発光層３としてスパンタリング法によって形成したＺ
ｎＳ薄膜を用いているが、かかる方法により形成した発
光層３中には望ましくない準位が多数発生し、発光層と
絶縁膜との界面に捕獲されていた電子は低電界でこの準
位にトンネリングし、その後ＺｎＳの伝導帯に放出され
る。
このため輝度−電圧特性の立ち上がりが緩やかとなり、
駆動回路での消費電力が増大するという問題があった。
駆動回路での消費電力が増大するという問題があった。
（Ｃ１発明の目的
本発明の目的は、上記問題点を解消して、立ち上がりの
急峻な輝度−電圧特性を有する薄膜ＥＬ素子を提供する
ことにある。
急峻な輝度−電圧特性を有する薄膜ＥＬ素子を提供する
ことにある。
＋（Ｉ 発明の構成
本発明の特徴は、希土類弗化物を発光中心として用いた
硫化亜鉛薄膜からなる発光層を有し、該発光層の２つの
主面のうち少なくとも一方の表面に、無添加の硫化亜鉛
よりなる真空蒸着膜が形成されてなることにある。
硫化亜鉛薄膜からなる発光層を有し、該発光層の２つの
主面のうち少なくとも一方の表面に、無添加の硫化亜鉛
よりなる真空蒸着膜が形成されてなることにある。
＋６＋ 発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する。
第２図は本発明にかかる二重絶縁構造の薄膜ＥＬ素子の
一実施例を示す要部断面図であって、６は無添加のＺｎ
Ｓよりなる真空蒸着膜であり、その他前記第１図と同一
部分は同一符号を附して示しである。
一実施例を示す要部断面図であって、６は無添加のＺｎ
Ｓよりなる真空蒸着膜であり、その他前記第１図と同一
部分は同一符号を附して示しである。
上記構造の薄膜ＥＬ素子は、次のようにして作成する。
まず、ガラス基板１表面にインジウム酸化物と錫酸化物
との混合蒸着膜（ＩＴＯ膜）よりなる透明電極２を形成
する。その上にＹ２Ｏ３よりなる絶縁膜４を形成する。
との混合蒸着膜（ＩＴＯ膜）よりなる透明電極２を形成
する。その上にＹ２Ｏ３よりなる絶縁膜４を形成する。
ここまでは従来の薄膜ＥＬ素子の製造方法と何ら変わる
所はない。
所はない。
次いで上記絶縁膜２上に、真空蒸着法により無添加のＺ
ｎ ’Ｓを凡そ５００ 〔人〕以上の厚さに被着せし
めて、ＺｎＳよりなる真空蒸着膜６を形成する。
ｎ ’Ｓを凡そ５００ 〔人〕以上の厚さに被着せし
めて、ＺｎＳよりなる真空蒸着膜６を形成する。
次いで発光母材としてのＺｎＳ粉末に発光中心となるＴ
ｂＦ３粉末を２％前後の割合で添加した混合粉末からな
るターゲットを用いて高周波スパッタリング法を施すこ
とにより、前記真空蒸着膜６上にＺｎＳ：ＴｂＦ３より
なる発光層３を形成する。
ｂＦ３粉末を２％前後の割合で添加した混合粉末からな
るターゲットを用いて高周波スパッタリング法を施すこ
とにより、前記真空蒸着膜６上にＺｎＳ：ＴｂＦ３より
なる発光層３を形成する。
本実施例の薄ＩＩｌ！ＥＬ素子は、ＺｎＳ：ＴｂＦ３よ
りなる発光Ｊ！ｉｆ３とその上下に形成されたＹ２Ｏ３
よりなる絶縁１１１ｉ４との間に、それぞれ無添加のＺ
ｎｓよりなる真空蒸着膜６が設けられた点が前記第１図
に示す従、来の薄Ｉｌｌ！ＥＬ素子と異なる。
りなる発光Ｊ！ｉｆ３とその上下に形成されたＹ２Ｏ３
よりなる絶縁１１１ｉ４との間に、それぞれ無添加のＺ
ｎｓよりなる真空蒸着膜６が設けられた点が前記第１図
に示す従、来の薄Ｉｌｌ！ＥＬ素子と異なる。
上記２つの無添加のＺｎＳよりなる真空蒸着膜６は、両
者の間に挟まれた発光層３がスパッタリング法によって
形成されるのと異なり、真空蒸着法を用いて形成する。
者の間に挟まれた発光層３がスパッタリング法によって
形成されるのと異なり、真空蒸着法を用いて形成する。
このようにして形成した無添加のＺｎＳ膜６は、上記ス
パッタリング法によって形成された発光層３が多数の望
ましくない準位を有するのに対し、望ましくない準位を
有しない。従来の薄膜ＥＬ素子は前述したように、上記
望ましくない準位を介して発光層３とその両側の絶縁膜
４との界面の電子が放出されることから、輝度−電圧特
性の立ち上がりが緩やかとなるのに対し、本実施例の薄
膜ＥＬ素子においては、無添加のＺｎＳよりなる真空蒸
着膜６には望ましくない準位が存在しないので、発光層
３と真空蒸着膜６との界面の電子が低電界で放出される
ことがない。従って第３図の曲線Ａに示すように、その
輝度−電圧特性の立ち上がりは急峻となる。同図Ｂの曲
線は従来の薄膜ＥＬ素子の特性であって、これと比較す
れば本実施例の効果が容易に理解し得よう。
パッタリング法によって形成された発光層３が多数の望
ましくない準位を有するのに対し、望ましくない準位を
有しない。従来の薄膜ＥＬ素子は前述したように、上記
望ましくない準位を介して発光層３とその両側の絶縁膜
４との界面の電子が放出されることから、輝度−電圧特
性の立ち上がりが緩やかとなるのに対し、本実施例の薄
膜ＥＬ素子においては、無添加のＺｎＳよりなる真空蒸
着膜６には望ましくない準位が存在しないので、発光層
３と真空蒸着膜６との界面の電子が低電界で放出される
ことがない。従って第３図の曲線Ａに示すように、その
輝度−電圧特性の立ち上がりは急峻となる。同図Ｂの曲
線は従来の薄膜ＥＬ素子の特性であって、これと比較す
れば本実施例の効果が容易に理解し得よう。
なお上記一実施例では、発光層３の両側に真空蒸着１＊
６を配設したＡＣ駆動素子の例を掲げて説明したが、本
発明はこれに限定されるものではない。
６を配設したＡＣ駆動素子の例を掲げて説明したが、本
発明はこれに限定されるものではない。
例えば、ＤＣ駆動素子においては透明電極２上に発光層
３が形成され、発光層３の上面に直接Ｎ電極５が形成さ
れる。かかるＤＣ駆動素子を本発明を用いて作成するに
は、発光層３と陰極（負極性側）にバイアスされる電極
（透明電極２またはＮ電極５）との間にのみ真空蒸着膜
６を介装すれば良く、かくすることにより上記一実施例
と同様の効果を得ることが出来る。
３が形成され、発光層３の上面に直接Ｎ電極５が形成さ
れる。かかるＤＣ駆動素子を本発明を用いて作成するに
は、発光層３と陰極（負極性側）にバイアスされる電極
（透明電極２またはＮ電極５）との間にのみ真空蒸着膜
６を介装すれば良く、かくすることにより上記一実施例
と同様の効果を得ることが出来る。
本発明を実施するに当り、上記真空蒸着膜６は、その厚
さを凡そ１００〔人〕以上とすることが必要である。
さを凡そ１００〔人〕以上とすることが必要である。
（ｆｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明により、薄膜ＥＬ素子の輝度−電
圧特性の立ち上がりを急峻なものとすることが出来、従
って駆動回路で消費される電力を小さくすることが可能
となる。そのため薄膜ＥＬ素子の集積化も容易となる。
圧特性の立ち上がりを急峻なものとすることが出来、従
って駆動回路で消費される電力を小さくすることが可能
となる。そのため薄膜ＥＬ素子の集積化も容易となる。
第１図は従来の薄膜ＥＬ素子の説明に供するための要部
断面図、第２図は本発明の一実施例を示す要部断面図、
第３図は本発明の効果を従来の薄膜ＥＬ素子と比較して
示す曲線図である。 図において、１はガラス基板、２は透明電極、３は発光
層、４は絶縁膜、５はＡＱ電極、６は無添加のＺｎＳよ
りなる真空蒸着膜を示す。 二＝〒］ 第３図 、２ １
断面図、第２図は本発明の一実施例を示す要部断面図、
第３図は本発明の効果を従来の薄膜ＥＬ素子と比較して
示す曲線図である。 図において、１はガラス基板、２は透明電極、３は発光
層、４は絶縁膜、５はＡＱ電極、６は無添加のＺｎＳよ
りなる真空蒸着膜を示す。 二＝〒］ 第３図 、２ １
Claims (1)
- 希土類弗化物牽発光中心として用いた硫化亜鉛薄膜から
なる発光層を有し、該発光層の２つの主面のうち少なく
とも一方の表面に、無添加の硫化亜鉛よりなる真空蒸着
膜が形成されてなることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201627A JPS5991697A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201627A JPS5991697A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5991697A true JPS5991697A (ja) | 1984-05-26 |
Family
ID=16444197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57201627A Pending JPS5991697A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5991697A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271780A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| CN106118634A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-16 | 高大元 | 一种硫化锌薄膜的制备方法 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP57201627A patent/JPS5991697A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271780A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| CN106118634A (zh) * | 2016-06-29 | 2016-11-16 | 高大元 | 一种硫化锌薄膜的制备方法 |
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