JPH05326358A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
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- JPH05326358A JPH05326358A JP4151530A JP15153092A JPH05326358A JP H05326358 A JPH05326358 A JP H05326358A JP 4151530 A JP4151530 A JP 4151530A JP 15153092 A JP15153092 A JP 15153092A JP H05326358 A JPH05326358 A JP H05326358A
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- fine pattern
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細コンタクトホールの形成方法において、
矩形のホール１３を角部が丸くならないように正確に形
成し、且つ製造工程を減らす。 【構成】 被エッチング物２上のネガ型フォトレジスト
３層を、線状遮光膜５・５が互いに交差するマスク４、
８を用いての２回の露光工程により露光し、その後、現
像し、しかる後、上記ネガ型フォトレジスト層３をマス
クとして上記被エッチング物２をエッチングする。
矩形のホール１３を角部が丸くならないように正確に形
成し、且つ製造工程を減らす。 【構成】 被エッチング物２上のネガ型フォトレジスト
３層を、線状遮光膜５・５が互いに交差するマスク４、
８を用いての２回の露光工程により露光し、その後、現
像し、しかる後、上記ネガ型フォトレジスト層３をマス
クとして上記被エッチング物２をエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細パターン形成方
法、特に簡単な工程で微細コンタクトホールを正確に形
成することのできる新規な微細パターン形成方法に関す
る。
法、特に簡単な工程で微細コンタクトホールを正確に形
成することのできる新規な微細パターン形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩは高集積化の一途を辿っており、
それに伴って微細コンタクトホールを正確に形成する技
術の重要性が高まっている。ところで、現在コンタクト
ホールの形成は、一般に、フォトレジストとしてポジ型
フォトレジストを用い、露光光線としてｇ線（波長４３
６ｎｍ）あるいはｉ線（波長３６５ｎｍ）を用いてのフ
ォトリソグラフィ技術によって行われている。
それに伴って微細コンタクトホールを正確に形成する技
術の重要性が高まっている。ところで、現在コンタクト
ホールの形成は、一般に、フォトレジストとしてポジ型
フォトレジストを用い、露光光線としてｇ線（波長４３
６ｎｍ）あるいはｉ線（波長３６５ｎｍ）を用いてのフ
ォトリソグラフィ技術によって行われている。
【０００３】尚、ｉ線、ｇ線を露光光線とする微細パタ
ーン形成方法においてフォトレジストとして今日ポジ型
フォトレジストが多く用いられる理由は、従来のネガ型
フォトレジストが環化ゴム（ポリイソプレン）に架橋材
を加えたものであり、基板との密着性が高くウェットエ
ッチングに適しているが、芳香環の含有量が少ないため
ドライエッチング耐性が低く、また、現像で膨潤するた
め解像度が制約されることに対して、ポジ型フォトレジ
ストにはそのような欠点がないからである。即ち、ポジ
型フォトレジストは、溶解抑止効果を持ち光照射により
アルカリ現像液に可溶化する性質を持つナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステル化合物と、もともとアルカリ
現像液に溶解するクレーゾールノボラック樹脂の混合物
であり、現像による膨潤がないため高い解像力が得られ
るうえに高いドライエッチング耐性を有する。従って、
今日微細パターンの形成には非常に多く用いられるので
ある。尤も、ポジ型フォトレジストは、基板との密着性
が低いので、ウェットエッチングの時代においては基板
との密着性の高いネガ型フォトレジストに主流の座を譲
ったが、ドライエッチング時代になると密着性が低いこ
とが致命的ではなくなったので主流の座を占めるに至っ
たのである。
ーン形成方法においてフォトレジストとして今日ポジ型
フォトレジストが多く用いられる理由は、従来のネガ型
フォトレジストが環化ゴム（ポリイソプレン）に架橋材
を加えたものであり、基板との密着性が高くウェットエ
ッチングに適しているが、芳香環の含有量が少ないため
ドライエッチング耐性が低く、また、現像で膨潤するた
め解像度が制約されることに対して、ポジ型フォトレジ
ストにはそのような欠点がないからである。即ち、ポジ
型フォトレジストは、溶解抑止効果を持ち光照射により
アルカリ現像液に可溶化する性質を持つナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステル化合物と、もともとアルカリ
現像液に溶解するクレーゾールノボラック樹脂の混合物
であり、現像による膨潤がないため高い解像力が得られ
るうえに高いドライエッチング耐性を有する。従って、
今日微細パターンの形成には非常に多く用いられるので
ある。尤も、ポジ型フォトレジストは、基板との密着性
が低いので、ウェットエッチングの時代においては基板
との密着性の高いネガ型フォトレジストに主流の座を譲
ったが、ドライエッチング時代になると密着性が低いこ
とが致命的ではなくなったので主流の座を占めるに至っ
たのである。
【０００４】ところで、微細コンタクトホール、特に矩
形の微細コンタクトホールをより正確に形成する方法と
して、特開昭６２−１１５７２２号公報、特開昭６２−
１０２５３１号公報、特開昭６３−２０５９１７公報に
示すように、フォトレジスト層をパターニングすること
によりパターンの異なるレジストマスク層を二層形成
し、該二層のレジストマスク層をマスクとして被エッチ
ング物をエッチングする方法がある。この方法は、二層
のレジストマスク層をそのマスクパターンが直交するよ
うに形成しこれをマスクとしてエッチングすることによ
り矩形状の開口を角部が丸味を帯びないように形成する
ことができるという利点を有する。
形の微細コンタクトホールをより正確に形成する方法と
して、特開昭６２−１１５７２２号公報、特開昭６２−
１０２５３１号公報、特開昭６３−２０５９１７公報に
示すように、フォトレジスト層をパターニングすること
によりパターンの異なるレジストマスク層を二層形成
し、該二層のレジストマスク層をマスクとして被エッチ
ング物をエッチングする方法がある。この方法は、二層
のレジストマスク層をそのマスクパターンが直交するよ
うに形成しこれをマスクとしてエッチングすることによ
り矩形状の開口を角部が丸味を帯びないように形成する
ことができるという利点を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
二層のレジストマスク層をそのマスクパターンが直交す
るように形成しこれをマスクとしてエッチングすること
により矩形状の開口を角部が丸味を帯びないように形成
するという微細パターン形成方法には、二層のレジスト
マスク層を形成しなければならないので、工程数が多く
なり製造コストが高くなるという問題があった。即ち、
レジストマスク層の形成には、フォトレジスト膜のコー
ティング、露光、現像、プリベーク、ポストベース等多
くの工程が必要であり、１回のパターン形成のためにそ
のようなレジストマスク層の形成を２回も必要とするの
で非常に工程数が多くなるのである。
二層のレジストマスク層をそのマスクパターンが直交す
るように形成しこれをマスクとしてエッチングすること
により矩形状の開口を角部が丸味を帯びないように形成
するという微細パターン形成方法には、二層のレジスト
マスク層を形成しなければならないので、工程数が多く
なり製造コストが高くなるという問題があった。即ち、
レジストマスク層の形成には、フォトレジスト膜のコー
ティング、露光、現像、プリベーク、ポストベース等多
くの工程が必要であり、１回のパターン形成のためにそ
のようなレジストマスク層の形成を２回も必要とするの
で非常に工程数が多くなるのである。
【０００６】そこで、本願発明者は、微細コンタクトホ
ールの形成工程の工程数の低減を図るべく模索したとこ
ろ、フォトレジストとしてネガ型フォトレジストを用い
れば、遮光膜が互いに直交するマスクを用いて２回露光
することによりそのネガ型フォトレジストの２つのマス
クの遮光膜が交差した部分のみが非感光となり、現像に
よりその交差部分のみに抜けが生じるようにできるとい
う着想を得た。これは、１回の現像で前述の特開昭６２
−１０２５３１号公報で紹介されたところの二層のレジ
ストマスク層をそのマスクパターンが直交するように形
成しこれをマスクとしてエッチングすることにより矩形
状の開口を角部が丸味を帯びないように形成するという
技術と同じような微細加工効果を得ることができるので
優れた着想といえる。
ールの形成工程の工程数の低減を図るべく模索したとこ
ろ、フォトレジストとしてネガ型フォトレジストを用い
れば、遮光膜が互いに直交するマスクを用いて２回露光
することによりそのネガ型フォトレジストの２つのマス
クの遮光膜が交差した部分のみが非感光となり、現像に
よりその交差部分のみに抜けが生じるようにできるとい
う着想を得た。これは、１回の現像で前述の特開昭６２
−１０２５３１号公報で紹介されたところの二層のレジ
ストマスク層をそのマスクパターンが直交するように形
成しこれをマスクとしてエッチングすることにより矩形
状の開口を角部が丸味を帯びないように形成するという
技術と同じような微細加工効果を得ることができるので
優れた着想といえる。
【０００７】ところが、その着想の実現には従来ドライ
エッチングに不向きとされたネガ型フォトレジストを用
いることが不可欠であり、それが隘路となって立ちはだ
かった。しかし、本願発明者が研究を重ねたところ、最
近現われた化学増幅系レジストはネガ型であってもドラ
イエッチングにレジストマスク層として充分に用いるこ
とができ、しかもエキシマレーザ光による露光に適し、
微細パターン形成に適することが判明し、その着想の実
現が可能になった。本発明はその結果として生まれたも
のである。
エッチングに不向きとされたネガ型フォトレジストを用
いることが不可欠であり、それが隘路となって立ちはだ
かった。しかし、本願発明者が研究を重ねたところ、最
近現われた化学増幅系レジストはネガ型であってもドラ
イエッチングにレジストマスク層として充分に用いるこ
とができ、しかもエキシマレーザ光による露光に適し、
微細パターン形成に適することが判明し、その着想の実
現が可能になった。本発明はその結果として生まれたも
のである。
【０００８】即ち、本発明は簡単な工程で微細コンタク
トホールを正確に形成することのできる新規な微細パタ
ーン形成方法を提供しようとするものである。
トホールを正確に形成することのできる新規な微細パタ
ーン形成方法を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明微細パターン形成
方法は、被エッチング物上のネガ型フォトレジスト層
を、線状遮光膜が互いに交差するマスクを用いての２回
の露光工程により露光し、その後、現像し、しかる後、
上記ネガ型フォトレジスト層をマスクとして上記被エッ
チング物をエッチングすることを特徴とする。
方法は、被エッチング物上のネガ型フォトレジスト層
を、線状遮光膜が互いに交差するマスクを用いての２回
の露光工程により露光し、その後、現像し、しかる後、
上記ネガ型フォトレジスト層をマスクとして上記被エッ
チング物をエッチングすることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明微細パターン形成方法によれば、１つの
ネガ型フォトレジスト層に対して線状遮光膜が互いに交
差するマスクを用いて２回露光するので、その２つのマ
スクの遮光膜の交差する部分と対応した部分のみが非感
光となり、現像によりレジストの抜け部分となる。従っ
て、１つのレジスト膜により従来における二層のレジス
ト膜と同じエッチングマスク効果を有するレジストマス
クを形成できる。依って、現像は１回で済み、製造工程
が従来よりも少なくて済む。
ネガ型フォトレジスト層に対して線状遮光膜が互いに交
差するマスクを用いて２回露光するので、その２つのマ
スクの遮光膜の交差する部分と対応した部分のみが非感
光となり、現像によりレジストの抜け部分となる。従っ
て、１つのレジスト膜により従来における二層のレジス
ト膜と同じエッチングマスク効果を有するレジストマス
クを形成できる。依って、現像は１回で済み、製造工程
が従来よりも少なくて済む。
【００１１】
【実施例】以下、本発明微細パターン形成方法を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｅ）は
本発明微細パターン形成方法の一つの実施例を工程順に
示す斜視図である。 （Ａ）半導体基板１表面の被エッチング物たる絶縁膜２
上にネガ型フォトレジスト３を塗布し、該ネガ型フォト
レジスト３に対して第１のマスク４を介して第１回目の
露光処理を施す。５、５、５は該第１のマスク４の線状
の遮光膜である。図１（Ａ）は第１回目の露光工程終了
後の状態を示す。
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｅ）は
本発明微細パターン形成方法の一つの実施例を工程順に
示す斜視図である。 （Ａ）半導体基板１表面の被エッチング物たる絶縁膜２
上にネガ型フォトレジスト３を塗布し、該ネガ型フォト
レジスト３に対して第１のマスク４を介して第１回目の
露光処理を施す。５、５、５は該第１のマスク４の線状
の遮光膜である。図１（Ａ）は第１回目の露光工程終了
後の状態を示す。
【００１２】尚、ネガ型フォトレジスト３としては化学
増幅系レジストが好適である。というのは、ネガ型であ
るにも拘らずドライエッチング用のマスクとして用いる
ことが可能であると共に、ＫｒＦ等のエキシマレーザビ
ームによって露光を行うことができ、０．３５μｍ口の
微細コンタクトホールも形成できるからである。即ち、
従来のｇ線、ｉ線により露光するポジ型フォトレジスト
を用いるフォトリソグラフィによれば、０．５μｍ口の
微細コンタクトホールも精度良く形成することができ
ず、角部が丸味を帯びた形状の微細コンタクトホールに
なってしまう。しかるに、化学増幅系レジストネガ型フ
ォトレジストを用いれば、波長がｇ線（４３６ｎｍ）、
ｉ線（３６５ｎｍ）よりも相当に短かいＫｒＦエキシマ
レーザビーム（波長２４８ｎｍ）により露光することが
でき、より一層の微細加工が可能になるのである。従っ
て、露光光線としてはＫｒＦエキシマレーザビームを用
いることが微細コンタクトホールの微細化という面で好
ましいのである。
増幅系レジストが好適である。というのは、ネガ型であ
るにも拘らずドライエッチング用のマスクとして用いる
ことが可能であると共に、ＫｒＦ等のエキシマレーザビ
ームによって露光を行うことができ、０．３５μｍ口の
微細コンタクトホールも形成できるからである。即ち、
従来のｇ線、ｉ線により露光するポジ型フォトレジスト
を用いるフォトリソグラフィによれば、０．５μｍ口の
微細コンタクトホールも精度良く形成することができ
ず、角部が丸味を帯びた形状の微細コンタクトホールに
なってしまう。しかるに、化学増幅系レジストネガ型フ
ォトレジストを用いれば、波長がｇ線（４３６ｎｍ）、
ｉ線（３６５ｎｍ）よりも相当に短かいＫｒＦエキシマ
レーザビーム（波長２４８ｎｍ）により露光することが
でき、より一層の微細加工が可能になるのである。従っ
て、露光光線としてはＫｒＦエキシマレーザビームを用
いることが微細コンタクトホールの微細化という面で好
ましいのである。
【００１３】この第１回目の露光工程で用いる第１のマ
スク４は線状の遮光膜（例えばクロムからなる）５、
５、５を有し、６、６、６はネガ型フォトレジスト層３
の遮光膜５、５、５の蔭になった非感光部分、７は感光
部分である。尚、第１のマスク４及び次に述べる第２の
マスク８は半導体基板１の表面上に遮光膜５、５、５
（９、９、９）が縮小投影されるので、遮光膜５、５、
５（９、９、９）とその影６、６、６（１０、１０、１
０）とは当然に大きさが異なり、遮光膜５、５、５
（９、９、９）の方が影６、６、６（１０、１０、１
０）よりも何倍か大きいが、図面においてはマスクとそ
の影との対応関係を解り易くするため等しい大きさであ
るかのように示した。
スク４は線状の遮光膜（例えばクロムからなる）５、
５、５を有し、６、６、６はネガ型フォトレジスト層３
の遮光膜５、５、５の蔭になった非感光部分、７は感光
部分である。尚、第１のマスク４及び次に述べる第２の
マスク８は半導体基板１の表面上に遮光膜５、５、５
（９、９、９）が縮小投影されるので、遮光膜５、５、
５（９、９、９）とその影６、６、６（１０、１０、１
０）とは当然に大きさが異なり、遮光膜５、５、５
（９、９、９）の方が影６、６、６（１０、１０、１
０）よりも何倍か大きいが、図面においてはマスクとそ
の影との対応関係を解り易くするため等しい大きさであ
るかのように示した。
【００１４】（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように第２
のマスク８を用いて第２回目の露光工程を行う。露光条
件は第１回目の露光工程のそれと略同じで良く、従っ
て、同じ露光装置を用いマスクを変えて露光を２回連続
的に行えば良い。但し、この第２回目の露光工程におい
て用いる第２のマスク８は、その遮光膜９、９、９が第
１回目の露光工程において用いた第１のマスク４の遮光
膜５、５、５と交差、特に直交する向きに形成されてい
るのである。より正確にいえば、第１のマスク４と第２
のマスク８の遮光膜５、５、５と９、９、９とは、ネガ
型フォトレジスト３上につくる影６、６、６と１０、１
０、１０とが交差、特に直交するような向きに形成され
ている。
のマスク８を用いて第２回目の露光工程を行う。露光条
件は第１回目の露光工程のそれと略同じで良く、従っ
て、同じ露光装置を用いマスクを変えて露光を２回連続
的に行えば良い。但し、この第２回目の露光工程におい
て用いる第２のマスク８は、その遮光膜９、９、９が第
１回目の露光工程において用いた第１のマスク４の遮光
膜５、５、５と交差、特に直交する向きに形成されてい
るのである。より正確にいえば、第１のマスク４と第２
のマスク８の遮光膜５、５、５と９、９、９とは、ネガ
型フォトレジスト３上につくる影６、６、６と１０、１
０、１０とが交差、特に直交するような向きに形成され
ている。
【００１５】従って、第２回目の露光工程の終了段階
で、第１回目の露光工程によって生じた第１のマスク４
の遮光膜５、５、５による影６、６、６と、第２回目の
露光工程によって生じた第２のマスク８の遮光膜９、
９、９による影１０、１０１、１０との交差（直交）す
る矩形部分１１、１１、１１においてのみネガ型フォト
レジスト３が非感光となり、それ以外の部分７が感光部
分となる。
で、第１回目の露光工程によって生じた第１のマスク４
の遮光膜５、５、５による影６、６、６と、第２回目の
露光工程によって生じた第２のマスク８の遮光膜９、
９、９による影１０、１０１、１０との交差（直交）す
る矩形部分１１、１１、１１においてのみネガ型フォト
レジスト３が非感光となり、それ以外の部分７が感光部
分となる。
【００１６】（Ｃ）次に、図１（Ｃ）に示すように現像
処理する。すると、ネガ型フォトレジスト３の上記非感
光部分１１、１１、１１のみが除去され、矩形の窓開部
１２、１２、１２が形成される。 （Ｄ）その後、図１（Ｄ）に示すように、ネガ型フォト
レジスト３をマスクとして被エッチング物たる絶縁膜２
をドライエッチングする。すると、絶縁膜２は、窓開部
１２、１２、１２下にあたる部分がエッチングされ、矩
形の微細コンタクトホール１３、１３、１３が形成され
る。 （Ｅ）しかる後、ネガ型フォトレジスト３を除去すると
図１（Ｅ）に示す状態に、即ち、矩形の微細コンタクト
ホール１３、１３、１３が形成された絶縁膜２が露出し
た状態になる。
処理する。すると、ネガ型フォトレジスト３の上記非感
光部分１１、１１、１１のみが除去され、矩形の窓開部
１２、１２、１２が形成される。 （Ｄ）その後、図１（Ｄ）に示すように、ネガ型フォト
レジスト３をマスクとして被エッチング物たる絶縁膜２
をドライエッチングする。すると、絶縁膜２は、窓開部
１２、１２、１２下にあたる部分がエッチングされ、矩
形の微細コンタクトホール１３、１３、１３が形成され
る。 （Ｅ）しかる後、ネガ型フォトレジスト３を除去すると
図１（Ｅ）に示す状態に、即ち、矩形の微細コンタクト
ホール１３、１３、１３が形成された絶縁膜２が露出し
た状態になる。
【００１７】本微細パターン形成方法によれば、１つの
ネガ型フォトレジスト層３に対する遮光膜５、５、５と
９、９、９が交差するマスク４、８を用いての２回の露
光により交差部分１１、１１、１１のみを非感光部分と
して矩形の窓開部１２、１２、１２を形成し、その後、
該ネガ型フォトレジスト層３をマスクとして被エッチン
グ物たる絶縁膜２をドライエッチングするので、矩形の
微細コンタクトホール１３、１３、１３を形成すること
ができる。そして、このような微細パターン形成方法に
よれば、第１のマスク４と第２のマスク８の遮光膜を実
質的にクロスさせた２回の露光を行うという手法を採る
ので、露光エネルギーの寸法に対する変動は、２ｍＪ／
ｃｍ2 の露光エネルギー変動で、０．４μｍＬ／Ｓ（ラ
インスペース比）の場合、線幅変動が０．０４μｍ程度
に小さくできる。
ネガ型フォトレジスト層３に対する遮光膜５、５、５と
９、９、９が交差するマスク４、８を用いての２回の露
光により交差部分１１、１１、１１のみを非感光部分と
して矩形の窓開部１２、１２、１２を形成し、その後、
該ネガ型フォトレジスト層３をマスクとして被エッチン
グ物たる絶縁膜２をドライエッチングするので、矩形の
微細コンタクトホール１３、１３、１３を形成すること
ができる。そして、このような微細パターン形成方法に
よれば、第１のマスク４と第２のマスク８の遮光膜を実
質的にクロスさせた２回の露光を行うという手法を採る
ので、露光エネルギーの寸法に対する変動は、２ｍＪ／
ｃｍ2 の露光エネルギー変動で、０．４μｍＬ／Ｓ（ラ
インスペース比）の場合、線幅変動が０．０４μｍ程度
に小さくできる。
【００１８】従って、通常の微細パターン形成方法、即
ちレジスト層に直接１回の露光、現像により微細コンタ
クトホールを形成する場合に比較してエネルギー変動に
対する寸法変動の比が小さい。また、使用するレジスト
の解像度等の違い、露光光線の波長等の違いを拾象すれ
ば、特開昭６２−１１５７２２号公報、特開昭６２−１
０２５３１号公報、特開昭６３−２０５９１７公報に紹
介された二層のレジストマスク層をそのマスクパターン
が直交するように形成しこれをマスクとしてエッチング
することにより矩形状の開口を角部が丸味を帯びないよ
うに形成する技術と同程度の矩形微細コンタクトホール
再現性を得ることができる。しかし、かかる技術はすべ
てパターンの異なるレジストマスク層を２回形成する必
要があるため、露光工程だけでなく現像工程も２回必要
であるが、本微細パターン形成方法によれば露光工程の
み２回必要であるに過ぎず、現像工程は１回で済む。従
って、工程数の低減を図りつつ微細コンタクトホールを
角部が丸味を帯びないように形成するようにできる。
ちレジスト層に直接１回の露光、現像により微細コンタ
クトホールを形成する場合に比較してエネルギー変動に
対する寸法変動の比が小さい。また、使用するレジスト
の解像度等の違い、露光光線の波長等の違いを拾象すれ
ば、特開昭６２−１１５７２２号公報、特開昭６２−１
０２５３１号公報、特開昭６３−２０５９１７公報に紹
介された二層のレジストマスク層をそのマスクパターン
が直交するように形成しこれをマスクとしてエッチング
することにより矩形状の開口を角部が丸味を帯びないよ
うに形成する技術と同程度の矩形微細コンタクトホール
再現性を得ることができる。しかし、かかる技術はすべ
てパターンの異なるレジストマスク層を２回形成する必
要があるため、露光工程だけでなく現像工程も２回必要
であるが、本微細パターン形成方法によれば露光工程の
み２回必要であるに過ぎず、現像工程は１回で済む。従
って、工程数の低減を図りつつ微細コンタクトホールを
角部が丸味を帯びないように形成するようにできる。
【００１９】
【発明の効果】請求項１の微細パターン形成方法は、被
エッチング物上のネガ型フォトレジスト層を、線状遮光
膜が互いに交差するマスクを用いての２回の露光工程に
より露光し、その後、現像し、しかる後、上記ネガ型フ
ォトレジスト層をマスクとして上記被エッチング物を形
成することを特徴とするものである。従って、請求項１
の微細パターン形成方法によれば、１つのネガ型フォト
レジスト層に対して線状遮光膜が互いに交差するマスク
を用いて２回露光するので、その２つのマスクの遮光膜
の交差する部分と対応した部分のみが非感光となり、現
像によりレジストの抜け部分となる。従って、１つのレ
ジスト膜により従来における二層のレジスト膜と同じエ
ッチングマスク効果を有するレジストマスクを形成でき
る。依って、現像は１回で済み、製造工程が従来よりも
少なくて済む。
エッチング物上のネガ型フォトレジスト層を、線状遮光
膜が互いに交差するマスクを用いての２回の露光工程に
より露光し、その後、現像し、しかる後、上記ネガ型フ
ォトレジスト層をマスクとして上記被エッチング物を形
成することを特徴とするものである。従って、請求項１
の微細パターン形成方法によれば、１つのネガ型フォト
レジスト層に対して線状遮光膜が互いに交差するマスク
を用いて２回露光するので、その２つのマスクの遮光膜
の交差する部分と対応した部分のみが非感光となり、現
像によりレジストの抜け部分となる。従って、１つのレ
ジスト膜により従来における二層のレジスト膜と同じエ
ッチングマスク効果を有するレジストマスクを形成でき
る。依って、現像は１回で済み、製造工程が従来よりも
少なくて済む。
【００２０】請求項２の微細パターン形成方法は、請求
項１の微細パターン形成方法において、ネガ型フォトレ
ジスト層として化学増幅系レジストを用いることを特徴
とするものである。従って、請求項２の微細パターン形
成方法によれば、化学増幅系レジストがドライエッチン
グ耐性を有するので、ネガ型フォトレジストであっても
支障なくドライエッチング用レジストマスクとして用い
ることができ、延いては請求項１の微細パターン形成方
法を支障なく実施できる。
項１の微細パターン形成方法において、ネガ型フォトレ
ジスト層として化学増幅系レジストを用いることを特徴
とするものである。従って、請求項２の微細パターン形
成方法によれば、化学増幅系レジストがドライエッチン
グ耐性を有するので、ネガ型フォトレジストであっても
支障なくドライエッチング用レジストマスクとして用い
ることができ、延いては請求項１の微細パターン形成方
法を支障なく実施できる。
【００２１】請求項３の微細パターン形成方法は、請求
項１又は２の微細パターン形成方法において、露光光線
としてエキシマレーザ光線を用いることを特徴とするも
のである。従って、請求項３の微細パターン形成方法に
よれば、エキシマレーザ光線がｇ線やｉ線よりも波長が
短かく、しかも化学増幅系レジストの露光にも適合する
のでより微細な矩形コンタクトホールの形成が可能にな
る。
項１又は２の微細パターン形成方法において、露光光線
としてエキシマレーザ光線を用いることを特徴とするも
のである。従って、請求項３の微細パターン形成方法に
よれば、エキシマレーザ光線がｇ線やｉ線よりも波長が
短かく、しかも化学増幅系レジストの露光にも適合する
のでより微細な矩形コンタクトホールの形成が可能にな
る。
【図１】（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明微細パターン形成方
法の一つの実施例を工程順に示す斜視図である。
法の一つの実施例を工程順に示す斜視図である。
１ 基板 ２ 被エッチング物（絶縁膜） ３ ネガ型フォトレジスト層 ４ 第１のマスク ５ 遮光膜 ６ 遮光膜の影 ８ 第２のマスク ９ 遮光膜 １０ 遮光膜の影 １１ 非感光部分 １２ 窓開部 １３ 微細コンタクトホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/28 Ｌ 9055−4Ｍ 21/302 Ｊ 8518−4Ｍ 21/3205 7735−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｆ
Claims (3)
- 【請求項１】 線状遮光膜を有するマスクを介して被エ
ッチング物上のネガ型フォトレジスト層を露光する第１
回目の露光工程と、 上記マスクの遮光膜と交差する線状遮光膜を有する別の
マスクを介して上記ネガ型フォトレジスト層を露光する
第２回目の露光工程と、 上記ネガ型フォトレジスト層を現像する工程と、 現像された上記ネガ型フォトレジスト層をマスクとして
上記被エッチング物をエッチングする工程と、 を有することを特徴とする微細パターン形成方法 - 【請求項２】 ネガ型フォトレジスト層として化学増幅
系レジストを用いることを特徴とする請求項１記載の微
細パターン形成方法 - 【請求項３】 第１回目の露光工程及び第２回目の露光
工程において露光光線としてエキシマレーザ光線を用い
ることを特徴とする請求項１又は２記載の微細パターン
形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4151530A JPH05326358A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4151530A JPH05326358A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 微細パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326358A true JPH05326358A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15520531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4151530A Pending JPH05326358A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326358A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009125529A1 (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | パナソニック株式会社 | マスクパターンの生成方法及びパターン形成方法 |
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| JP2010040849A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
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| JP2012215672A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Dainippon Printing Co Ltd | マスクパターン描画方法 |
| JP2013232006A (ja) * | 2013-07-22 | 2013-11-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
| JP2014049738A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| CN104977803A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-10-14 | 上海华力微电子有限公司 | 一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法 |
| US9640396B2 (en) | 2009-01-07 | 2017-05-02 | Brewer Science Inc. | Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP4151530A patent/JPH05326358A/ja active Pending
Cited By (13)
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