JPH05327263A - 磁気シールドルーム - Google Patents
磁気シールドルームInfo
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- JPH05327263A JPH05327263A JP11565491A JP11565491A JPH05327263A JP H05327263 A JPH05327263 A JP H05327263A JP 11565491 A JP11565491 A JP 11565491A JP 11565491 A JP11565491 A JP 11565491A JP H05327263 A JPH05327263 A JP H05327263A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 14
- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 abstract description 8
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安価な構造で、しかも磁気飽和によるシール
ド効果の低下を起きにくくする。 【構成】 磁気シールドルームの周囲の面は、外側磁気
遮蔽材１とこの外側磁気遮蔽材１の内側に配設された内
側磁気遮蔽材２とから成る二層構造となっている。本実
施例にあっては、外側磁気遮蔽材１として、飽和磁束密
度が数千ガウスと低いが、高透磁率の磁気遮蔽材である
パーマロイド等を採用し、かつ内側磁気遮蔽材２として
飽和磁束密度が１万ガウス以上であるＦｅ系電磁鋼板を
採用した構造としている。
ド効果の低下を起きにくくする。 【構成】 磁気シールドルームの周囲の面は、外側磁気
遮蔽材１とこの外側磁気遮蔽材１の内側に配設された内
側磁気遮蔽材２とから成る二層構造となっている。本実
施例にあっては、外側磁気遮蔽材１として、飽和磁束密
度が数千ガウスと低いが、高透磁率の磁気遮蔽材である
パーマロイド等を採用し、かつ内側磁気遮蔽材２として
飽和磁束密度が１万ガウス以上であるＦｅ系電磁鋼板を
採用した構造としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は外部から磁束の侵入を防
止するための磁気シールドルームに係わり、特にその磁
気遮蔽材を多層構造にした磁気シールドルームに関す
る。
止するための磁気シールドルームに係わり、特にその磁
気遮蔽材を多層構造にした磁気シールドルームに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体の製造や検査に使用され
る装置のなかで、電子ビームを用いる装置は、該装置の
周囲に磁束があると、それにより電子ビームが曲げられ
加工に歪が生じたり、あるいは検査画像が変形したりす
る。
る装置のなかで、電子ビームを用いる装置は、該装置の
周囲に磁束があると、それにより電子ビームが曲げられ
加工に歪が生じたり、あるいは検査画像が変形したりす
る。
【０００３】これを防止するため、装置を許容磁束密度
以上の環境で使用しなければならない場合、透磁率の高
い磁気遮蔽材で周囲を囲った磁気シールドルームの中に
設置する必要がある。
以上の環境で使用しなければならない場合、透磁率の高
い磁気遮蔽材で周囲を囲った磁気シールドルームの中に
設置する必要がある。
【０００４】この磁気シールドルームの遮蔽効果は、磁
気遮蔽材の透磁率が高い程良くなると考えられるが、一
方その中を通過する磁束の数も増加するので、磁気飽和
を起こし易くなる。磁気遮蔽材が磁気飽和を起こすと急
速に透磁率が減少するので、磁気遮蔽効果もそれに応じ
て低下する現象が起きる。
気遮蔽材の透磁率が高い程良くなると考えられるが、一
方その中を通過する磁束の数も増加するので、磁気飽和
を起こし易くなる。磁気遮蔽材が磁気飽和を起こすと急
速に透磁率が減少するので、磁気遮蔽効果もそれに応じ
て低下する現象が起きる。
【０００５】これは磁束遮蔽材のＢ−Ｈ特性の非線型性
によるものであるが、一般にパーマロイ等高透磁率の材
料程、飽和磁束密度のレベルが低く、磁気飽和によるシ
ールド効果低下を生じ易かった。
によるものであるが、一般にパーマロイ等高透磁率の材
料程、飽和磁束密度のレベルが低く、磁気飽和によるシ
ールド効果低下を生じ易かった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これを防止するため、
従来にあっては、使用される磁場環境に応じて、磁気遮
蔽材の厚さを一体的に大きくすることで磁束の通過する
断面積を拡げ、磁束密度を下げて対処しているが、これ
では材料費の高騰を招くという問題があった。しかも、
シールドルームの角の部分では磁束の分布が均一になら
ず、内側に密集するので、シールド効果の低下し易いと
ころが生じていた。
従来にあっては、使用される磁場環境に応じて、磁気遮
蔽材の厚さを一体的に大きくすることで磁束の通過する
断面積を拡げ、磁束密度を下げて対処しているが、これ
では材料費の高騰を招くという問題があった。しかも、
シールドルームの角の部分では磁束の分布が均一になら
ず、内側に密集するので、シールド効果の低下し易いと
ころが生じていた。
【０００７】本発明の目的は上述した問題に鑑みなされ
たもので、安価な構造で、しかも磁気飽和によるシール
ド効果の低下が起きにくい磁気シールドルームを提供す
るにある。
たもので、安価な構造で、しかも磁気飽和によるシール
ド効果の低下が起きにくい磁気シールドルームを提供す
るにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、透磁率の大きい磁気遮蔽材から成る面で囲
まれた磁気シールドルームにおいて、少なくとも面の一
部の磁気遮蔽材を多層構造とすると共に、外側の層に最
も透磁率の高い磁気遮蔽材を用い、内側の層に向かって
段階的に透磁率が低くなるよう構成したものである。
に本発明は、透磁率の大きい磁気遮蔽材から成る面で囲
まれた磁気シールドルームにおいて、少なくとも面の一
部の磁気遮蔽材を多層構造とすると共に、外側の層に最
も透磁率の高い磁気遮蔽材を用い、内側の層に向かって
段階的に透磁率が低くなるよう構成したものである。
【０００９】
【作用】このように本発明によれば、シールド効果の多
くは外側の層の高透磁率の磁気遮蔽材にて実現される
が、内側に集中してくる磁束は内側の磁気遮蔽材にても
分担されるので、外側磁気遮蔽材における磁束密度の値
を数分の１に低減でき、磁気飽和を起こしにくくでき
る。したがって、シールド効果の低下に極力防止でき
る。また、磁気遮蔽材を外側の層から内側の層に向かっ
て段階的に透磁率を低くした多層構造としたことによ
り、従来の磁気遮蔽材の厚さを一体的に大きくした場合
に比べて、安価な構造にできる。
くは外側の層の高透磁率の磁気遮蔽材にて実現される
が、内側に集中してくる磁束は内側の磁気遮蔽材にても
分担されるので、外側磁気遮蔽材における磁束密度の値
を数分の１に低減でき、磁気飽和を起こしにくくでき
る。したがって、シールド効果の低下に極力防止でき
る。また、磁気遮蔽材を外側の層から内側の層に向かっ
て段階的に透磁率を低くした多層構造としたことによ
り、従来の磁気遮蔽材の厚さを一体的に大きくした場合
に比べて、安価な構造にできる。
【００１０】
【実施例】以下、図に示す実施例を用いて本発明の詳細
を説明する。
を説明する。
【００１１】図１は本発明に係わる磁気シールドルーム
の一実施例を示す断面図である。本磁気シールドルーム
の周囲の面は、外側磁気遮蔽材１とこの外側磁気遮蔽材
１の内側に配設された内側磁気遮蔽材２とから成る二層
構造となっている。本実施例にあっては、外側磁気遮蔽
材１として、飽和磁束密度が数千ガウスと低いが、高透
磁率の磁気遮蔽材であるパーマロイ等を採用し、かつ内
側磁気遮蔽材２として飽和磁束密度が１万ガウス以上で
あるＦｅ系電磁鋼板を採用した構造としている。
の一実施例を示す断面図である。本磁気シールドルーム
の周囲の面は、外側磁気遮蔽材１とこの外側磁気遮蔽材
１の内側に配設された内側磁気遮蔽材２とから成る二層
構造となっている。本実施例にあっては、外側磁気遮蔽
材１として、飽和磁束密度が数千ガウスと低いが、高透
磁率の磁気遮蔽材であるパーマロイ等を採用し、かつ内
側磁気遮蔽材２として飽和磁束密度が１万ガウス以上で
あるＦｅ系電磁鋼板を採用した構造としている。
【００１２】以上のような構成において、シールド効果
の多くは高透磁率の外側磁気遮蔽材１によって分担され
ているが、角の部分において内側に集中してくる磁束は
内側磁気遮蔽材２にも分担される。したがって外側磁気
遮蔽材１における磁束密度の値を数分の１に低減でき、
磁気飽和を起こしにくくできる。また、本実施例の二層
構造によれば、磁気遮蔽材を同質のもので一体的に厚く
形成した構造に比べて、材料費を安価にできる。
の多くは高透磁率の外側磁気遮蔽材１によって分担され
ているが、角の部分において内側に集中してくる磁束は
内側磁気遮蔽材２にも分担される。したがって外側磁気
遮蔽材１における磁束密度の値を数分の１に低減でき、
磁気飽和を起こしにくくできる。また、本実施例の二層
構造によれば、磁気遮蔽材を同質のもので一体的に厚く
形成した構造に比べて、材料費を安価にできる。
【００１３】なお、上述した実施例では磁気遮蔽材を二
層（外側磁気遮蔽材１、内側磁気遮蔽材２）から成る構
造としたが、別にこれに限定されるものではなく、それ
以上の多層構造としてもよい。図２が磁気遮蔽材を三層
にした実施例であり、外側、中間、内側の各磁気遮蔽材
３〜５の透磁率をそれぞれμ1 、μ2 、μ3 とするとμ
1 ＞μ2 ＞μ3 と選んである。これにより、磁気シール
ドルームの角部における磁束を３つの磁気遮蔽材３〜５
に適宜分担させることにより、磁気飽和を緩和でき、さ
らに高い磁場環境の中でもシールド効果を維持すること
が可能となる。
層（外側磁気遮蔽材１、内側磁気遮蔽材２）から成る構
造としたが、別にこれに限定されるものではなく、それ
以上の多層構造としてもよい。図２が磁気遮蔽材を三層
にした実施例であり、外側、中間、内側の各磁気遮蔽材
３〜５の透磁率をそれぞれμ1 、μ2 、μ3 とするとμ
1 ＞μ2 ＞μ3 と選んである。これにより、磁気シール
ドルームの角部における磁束を３つの磁気遮蔽材３〜５
に適宜分担させることにより、磁気飽和を緩和でき、さ
らに高い磁場環境の中でもシールド効果を維持すること
が可能となる。
【００１４】図３は本発明に係わる磁気シールドルーム
のさらに他の実施例を示すもので、磁気シールドルーム
の磁束の集中が著しい角の部分だけを二層の構造とした
ものである。図３において、符号６が外側磁気遮蔽材、
７が該外側磁気遮蔽材６の角部に配設された内側角磁気
遮蔽材で、角部以外の磁気遮蔽材は簡略化されている。
しかるに、シールド効果の低下は磁気シールドルームの
角部で生じ易いので、この実施例によっても上述した第
１実施例と略同様の効果が得られる。
のさらに他の実施例を示すもので、磁気シールドルーム
の磁束の集中が著しい角の部分だけを二層の構造とした
ものである。図３において、符号６が外側磁気遮蔽材、
７が該外側磁気遮蔽材６の角部に配設された内側角磁気
遮蔽材で、角部以外の磁気遮蔽材は簡略化されている。
しかるに、シールド効果の低下は磁気シールドルームの
角部で生じ易いので、この実施例によっても上述した第
１実施例と略同様の効果が得られる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、透磁率の
大きい磁気遮蔽材から成る面で囲まれた磁気シールドル
ームにおいて、少なくとも面の一部の磁気遮蔽材を多層
構造とすると共に、外側の層に最も透磁率の高い磁気遮
蔽材を用い、内側の層に向かって段階的に透磁率が低く
なるように構成したことにより、従来に比べて安価な構
造で、しかも磁気遮蔽材を磁気飽和させにくく、したが
ってシールド効果の低下がない磁気シールドルームを提
供できるという優れた効果を有する。
大きい磁気遮蔽材から成る面で囲まれた磁気シールドル
ームにおいて、少なくとも面の一部の磁気遮蔽材を多層
構造とすると共に、外側の層に最も透磁率の高い磁気遮
蔽材を用い、内側の層に向かって段階的に透磁率が低く
なるように構成したことにより、従来に比べて安価な構
造で、しかも磁気遮蔽材を磁気飽和させにくく、したが
ってシールド効果の低下がない磁気シールドルームを提
供できるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる磁気シールドルームの一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明に係わる磁気シールドルームの他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図３】本発明に係わる磁気シールドルームのさらに他
の実施例を示す断面図である。
の実施例を示す断面図である。
１ 外側磁気遮蔽材 ２ 内側磁気遮蔽材 ３ 外側磁気遮蔽材 ４ 中間磁気遮蔽材 ５ 内側磁気遮蔽材 ６ 外側磁気遮蔽材 ７ 内側角磁気遮蔽材
Claims (1)
- 【請求項１】 透磁率の大きい磁気遮蔽材から成る面で
囲まれた磁気シールドルームにおいて、少なくとも面の
一部の磁気遮蔽材を多層構造とすると共に、外側の層に
最も透磁率の高い磁気遮蔽材を用い、内側の層に向かっ
て段階的に透磁率が低くなるように構成したことを特徴
とする磁気シールドルーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115654A JP2940219B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 磁気シールドルーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115654A JP2940219B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 磁気シールドルーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327263A true JPH05327263A (ja) | 1993-12-10 |
| JP2940219B2 JP2940219B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=14667998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3115654A Expired - Fee Related JP2940219B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 磁気シールドルーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940219B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008288328A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Yokogawa Electric Corp | 磁気シールド装置 |
| JP2012227515A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-15 | Seiko Epson Corp | 磁気シールド、プログラムおよび選定方法 |
| CN101911858B (zh) | 2007-11-19 | 2013-02-06 | 株式会社竹中工务店 | 磁屏蔽体及磁屏蔽室 |
| WO2017217267A1 (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
| JP2017227617A (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-28 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
| JP2018096793A (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
| CN109313223A (zh) * | 2016-06-15 | 2019-02-05 | 株式会社电装 | 电流传感器 |
| JP2025526135A (ja) * | 2022-08-12 | 2025-08-07 | 北京字跳▲網▼絡技▲術▼有限公司 | ヘッドマウント装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62203399A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | 富士電機株式会社 | 均一磁場マグネット設置室の磁気シ−ルド装置 |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP3115654A patent/JP2940219B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62203399A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | 富士電機株式会社 | 均一磁場マグネット設置室の磁気シ−ルド装置 |
Cited By (12)
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| US9063183B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-06-23 | Seiko Epson Corporation | Magnetic shield, program, and selection method |
| US9612295B2 (en) | 2011-04-04 | 2017-04-04 | Seiko Epson Corporation | Magnetic shield, program, and selection method |
| WO2017217267A1 (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
| JP2017227617A (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-28 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
| CN109313223A (zh) * | 2016-06-15 | 2019-02-05 | 株式会社电装 | 电流传感器 |
| US10746821B2 (en) | 2016-06-15 | 2020-08-18 | Denso Corporation | Current sensor |
| CN109313223B (zh) * | 2016-06-15 | 2021-02-26 | 株式会社电装 | 电流传感器 |
| JP2018096793A (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | 株式会社デンソー | 電流センサ |
| JP2025526135A (ja) * | 2022-08-12 | 2025-08-07 | 北京字跳▲網▼絡技▲術▼有限公司 | ヘッドマウント装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2940219B2 (ja) | 1999-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |