JPH0532926B2 - - Google Patents
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- JPH0532926B2 JPH0532926B2 JP17967683A JP17967683A JPH0532926B2 JP H0532926 B2 JPH0532926 B2 JP H0532926B2 JP 17967683 A JP17967683 A JP 17967683A JP 17967683 A JP17967683 A JP 17967683A JP H0532926 B2 JPH0532926 B2 JP H0532926B2
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- electrodes
- piezoelectric ceramic
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 50
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/562—Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
この発明は、共振子、フイルタ、デイスクリミ
ネータ、遅延素子などを含む圧電素子に関するも
ので、特に、厚み方向に重なり合う電極が3以上
の層をなして形成され当該電極の層の間にそれぞ
れ圧電セラミツク層が介在する状態で焼成されて
得られた、焼結体をもつて構成した圧電素子に関
するものである。
ネータ、遅延素子などを含む圧電素子に関するも
ので、特に、厚み方向に重なり合う電極が3以上
の層をなして形成され当該電極の層の間にそれぞ
れ圧電セラミツク層が介在する状態で焼成されて
得られた、焼結体をもつて構成した圧電素子に関
するものである。
先行技術の説明
第1図は、この発明の興味ある先行技術となる
圧電素子の一例としての共振子の概略的断面図で
ある。ここに示す共振子には、厚み方向に重なり
合う電極1〜6が層をなして形成されており、各
電極1〜6の層の間には、それぞれ圧電セラミツ
ク層7〜11が介在されている。各圧電セラミツ
ク層7〜11は、それぞれ、第1図に矢印で示す
ように、同じ厚み方向に分極処理されている。各
電極1〜6は、1層おきに、外部端子12,13
のいずれかに接続される。すなわち、電極1,
3,5は外部端子12に接続され、電極2,4,
6は外部端子13に接続される。
圧電素子の一例としての共振子の概略的断面図で
ある。ここに示す共振子には、厚み方向に重なり
合う電極1〜6が層をなして形成されており、各
電極1〜6の層の間には、それぞれ圧電セラミツ
ク層7〜11が介在されている。各圧電セラミツ
ク層7〜11は、それぞれ、第1図に矢印で示す
ように、同じ厚み方向に分極処理されている。各
電極1〜6は、1層おきに、外部端子12,13
のいずれかに接続される。すなわち、電極1,
3,5は外部端子12に接続され、電極2,4,
6は外部端子13に接続される。
上述の外部端子12,13間に電界がかけら
れ、たとえば、外部端子12にプラス電位が、外
部端子13にマイナス電位が与えられたとすれ
ば、電極を介して隣り合う各圧電セラミツク層に
は、厚み方向に一方が縮むとき他方が伸びるとい
つた互いに逆向きの振動電位が生じる。このこと
は、丸で囲んだ双方向の矢印で表わされており、
この双方向の矢印が互いに内方に向くときは縮む
ことを示し、互いに外方に向くときは伸びること
を示している。
れ、たとえば、外部端子12にプラス電位が、外
部端子13にマイナス電位が与えられたとすれ
ば、電極を介して隣り合う各圧電セラミツク層に
は、厚み方向に一方が縮むとき他方が伸びるとい
つた互いに逆向きの振動電位が生じる。このこと
は、丸で囲んだ双方向の矢印で表わされており、
この双方向の矢印が互いに内方に向くときは縮む
ことを示し、互いに外方に向くときは伸びること
を示している。
上述のような厚み方向の振動の共振周波数は、
圧電セラミツク層7〜11の厚み(各電極1〜6
間の距離)に反比例するため、高い周波数で使用
する場合、各圧電セラミツク層7〜11の厚みが
薄くされ、しかも、複数個の電極が厚み方向に重
なり合つて形成された積層型では、静電容量が大
幅に上昇し、そのため、インピーダンスが極めて
小さくなる。
圧電セラミツク層7〜11の厚み(各電極1〜6
間の距離)に反比例するため、高い周波数で使用
する場合、各圧電セラミツク層7〜11の厚みが
薄くされ、しかも、複数個の電極が厚み方向に重
なり合つて形成された積層型では、静電容量が大
幅に上昇し、そのため、インピーダンスが極めて
小さくなる。
それゆえに、このような共振子と外部回路との
インピーダンス整合が困難となる場合があり、高
い周波数で使用する場合であつても、容量を小さ
くでき、したがつてインピーダンスを比較的高く
することができることが望まれる。
インピーダンス整合が困難となる場合があり、高
い周波数で使用する場合であつても、容量を小さ
くでき、したがつてインピーダンスを比較的高く
することができることが望まれる。
発明の目的
この発明は、容量を低下させ、それによつてイ
ンピーダンスを高くすることができる圧電素子の
特に電極構造を提供することである。
ンピーダンスを高くすることができる圧電素子の
特に電極構造を提供することである。
発明の概要
この発明の圧電素子は、厚み方向に重なり合う
電極が3以上の層をなして形成され、当該電極の
層の間にそれぞれ圧電セラミツク層が介在する状
態で焼成されて得られた焼結体と、前記電極のい
ずれかと電気的に接続されて電極間に形成される
静電容量成分を導出する外部端子とを備えるもの
である。ここにおいて、外部端子に接続される電
極が延びる層に位置する電極は、複数部分に分割
された分割電極とされ、当該分割電居のうち互い
に隣り合う第1および第2の電極は、これらと圧
電セラミツク層を介して隣り合う第3の電極と、
少なくとも各一部において対向し、それによつ
て、第1の電極、圧電セラミツク層、第3の電
極、圧電セラミツク層、および第2の電極の順次
接続によつて直列接続された静電容量形成部分が
構成される。そして、圧電セラミツク層は、厚み
方向に分極処理されており、しかも、第1の電極
と第3の電極との間に位置する部分と、第2の電
極と第3の電極との間に位置する部分とは、互い
に逆方向に分極処理されている。
電極が3以上の層をなして形成され、当該電極の
層の間にそれぞれ圧電セラミツク層が介在する状
態で焼成されて得られた焼結体と、前記電極のい
ずれかと電気的に接続されて電極間に形成される
静電容量成分を導出する外部端子とを備えるもの
である。ここにおいて、外部端子に接続される電
極が延びる層に位置する電極は、複数部分に分割
された分割電極とされ、当該分割電居のうち互い
に隣り合う第1および第2の電極は、これらと圧
電セラミツク層を介して隣り合う第3の電極と、
少なくとも各一部において対向し、それによつ
て、第1の電極、圧電セラミツク層、第3の電
極、圧電セラミツク層、および第2の電極の順次
接続によつて直列接続された静電容量形成部分が
構成される。そして、圧電セラミツク層は、厚み
方向に分極処理されており、しかも、第1の電極
と第3の電極との間に位置する部分と、第2の電
極と第3の電極との間に位置する部分とは、互い
に逆方向に分極処理されている。
発明の効果
この発明によれば、外部端子に接続される電極
が延びる層に位置する電極は分割電極とされ、外
部端子間には直列接続された静電容量形成部分が
構成されることになるので、直列に複数個のコン
デンサを接続したのと同様、容量が小さくなり、
したがつてインピーダンスを高くすることができ
る。そして、このようなインピーダンスのコント
ロール、すなわち容量のコントロールは、直列接
続される静電容量形成部分の数、すなわち電極を
分割する数等によつて容易に行なうことができ、
したがつて、外部回路とのインピーダンス整合が
容易になる。
が延びる層に位置する電極は分割電極とされ、外
部端子間には直列接続された静電容量形成部分が
構成されることになるので、直列に複数個のコン
デンサを接続したのと同様、容量が小さくなり、
したがつてインピーダンスを高くすることができ
る。そして、このようなインピーダンスのコント
ロール、すなわち容量のコントロールは、直列接
続される静電容量形成部分の数、すなわち電極を
分割する数等によつて容易に行なうことができ、
したがつて、外部回路とのインピーダンス整合が
容易になる。
また、電極と圧電セラミツク層とが積層された
ものを焼成して得られた焼結体をもつて圧電素子
が構成されるので、小型でしかもチツプ化が可能
になる。
ものを焼成して得られた焼結体をもつて圧電素子
が構成されるので、小型でしかもチツプ化が可能
になる。
実施例の説明
第2図は、この発明の一実施例となる共振子の
概略を示す断面図である。第2図において、厚み
方向に重なり合う電極14a〜19a、14b〜
19bが、3以上の層たとえば6つの層をなして
形成されている。これら電極の層の間には、それ
ぞれ、圧電セラミツク層20〜24が介在してい
る。各圧電セラミツク層20〜24は、特に電極
15a〜18a、15b〜18bを挾んだ状態で
焼成されて得られた焼結体をもつて構成される。
圧電セラミツク層を構成する材料としては、たと
えば、チタン酸ジルコン酸鉛系、チタン酸鉛系、
チタン酸バリウム系などの単成分系や多成分系、
あるいはこれらの添加物系がある。また、電極
は、焼成前における圧電セラミツク層を構成する
セラミツクグリーンシート上に適当な金属ペース
トを印刷塗布して形成されるもので、そのような
電極用金属ペースト材料としては、たとえば、パ
ラジウム、銀−パラジウム合金あるいはその他の
高融点金属や合金が用いられる。なお、最も外側
に位置する電極14a,14b,19a,19b
に、上述したパラジウム、銀−パラジウム合金を
用いたとすれば、空気中で高温にさらされた場
合、酸化されやすく、抵抗が上昇する現象が見ら
れる。したがつて、図示しないが、電極14a,
14bおよび19a,19bをさらに覆うように
セラミツク層を形成してから焼成を行なうか、焼
成後に、たとえば銀ペーストを用いて電極14
a,14bおよび19a,19bを焼付けによつ
て形成するのが好ましい。
概略を示す断面図である。第2図において、厚み
方向に重なり合う電極14a〜19a、14b〜
19bが、3以上の層たとえば6つの層をなして
形成されている。これら電極の層の間には、それ
ぞれ、圧電セラミツク層20〜24が介在してい
る。各圧電セラミツク層20〜24は、特に電極
15a〜18a、15b〜18bを挾んだ状態で
焼成されて得られた焼結体をもつて構成される。
圧電セラミツク層を構成する材料としては、たと
えば、チタン酸ジルコン酸鉛系、チタン酸鉛系、
チタン酸バリウム系などの単成分系や多成分系、
あるいはこれらの添加物系がある。また、電極
は、焼成前における圧電セラミツク層を構成する
セラミツクグリーンシート上に適当な金属ペース
トを印刷塗布して形成されるもので、そのような
電極用金属ペースト材料としては、たとえば、パ
ラジウム、銀−パラジウム合金あるいはその他の
高融点金属や合金が用いられる。なお、最も外側
に位置する電極14a,14b,19a,19b
に、上述したパラジウム、銀−パラジウム合金を
用いたとすれば、空気中で高温にさらされた場
合、酸化されやすく、抵抗が上昇する現象が見ら
れる。したがつて、図示しないが、電極14a,
14bおよび19a,19bをさらに覆うように
セラミツク層を形成してから焼成を行なうか、焼
成後に、たとえば銀ペーストを用いて電極14
a,14bおよび19a,19bを焼付けによつ
て形成するのが好ましい。
このように電極には、外部端子25,26がそ
れぞれ、1層ごとに接続される。すなわち、電極
14a,16a,18aには外部端子25が接続
され、電極15a,17a,19aには外部端子
26が接続される。
れぞれ、1層ごとに接続される。すなわち、電極
14a,16a,18aには外部端子25が接続
され、電極15a,17a,19aには外部端子
26が接続される。
この発明では、外部端子に接続される電極が延
びる層に位置する電極は、複数部分に分割された
分割電極とされるという特徴を含んでいる。この
実施例では、外部端子に接続される電極は、電極
14a〜19aであり、これらの電極が延びる層
に位置する電極といえば、すべての電極が含まれ
ることにより、したがつて、すべての電極が複数
部分に分割された分割電極であるということにな
る。たとえば、電極14aと電極14bとが、複
数部分に分割された分割電極である。
びる層に位置する電極は、複数部分に分割された
分割電極とされるという特徴を含んでいる。この
実施例では、外部端子に接続される電極は、電極
14a〜19aであり、これらの電極が延びる層
に位置する電極といえば、すべての電極が含まれ
ることにより、したがつて、すべての電極が複数
部分に分割された分割電極であるということにな
る。たとえば、電極14aと電極14bとが、複
数部分に分割された分割電極である。
また、この発明では、上述した分割電極のうち
互いに隣り合う第1および第2の電極は、これら
と圧電セラミツク層を介して隣り合う第3の電極
と、少なくとも各一部において対向しているとい
う特徴を含んでいる。このことを、実施例に関連
して説明すれば、互いに隣り合う第1および第2
の電極は、たとえば電極14aおよび電極14b
であり、これらと圧電セラミツク層20を介して
隣り合う第3の電極は、電極15bということに
なる。これら第1、第2および第3の電極は、相
対的に決まるものであり、電極15aおよび15
bがそれぞれ第1および第2の電極とすれば、第
3の電極は上述した電極14bとなり、同時に電
極16bも圧電セラミツク層21を介して電極1
5a,15bと、少なくとも各一部において対向
しているので、第3の電極であるといえる。
互いに隣り合う第1および第2の電極は、これら
と圧電セラミツク層を介して隣り合う第3の電極
と、少なくとも各一部において対向しているとい
う特徴を含んでいる。このことを、実施例に関連
して説明すれば、互いに隣り合う第1および第2
の電極は、たとえば電極14aおよび電極14b
であり、これらと圧電セラミツク層20を介して
隣り合う第3の電極は、電極15bということに
なる。これら第1、第2および第3の電極は、相
対的に決まるものであり、電極15aおよび15
bがそれぞれ第1および第2の電極とすれば、第
3の電極は上述した電極14bとなり、同時に電
極16bも圧電セラミツク層21を介して電極1
5a,15bと、少なくとも各一部において対向
しているので、第3の電極であるといえる。
上述した構成によつて、この発明では、第1の
電極、圧電セラミツク層、第3の電極、圧電セラ
ミツク層、および第2の電極の順次接続によつて
直列接続された静電容量形成部分が構成される。
実施例における特定の個所を例にとつて、上述し
た構成との対応関係を述べると、電極14a(第
1の電極)、圧電セラミツク層20、電極15b
(第3の電極)、圧電セラミツク層20、および電
極14b(第2の電極)が順次接続されて、直列
接続された静電容量形成部分が構成されているこ
とになる。なお、この実施例では、さらに、第3
の電極となつた電極14bに続けて、圧電セラミ
ツク層20および電極15aが接続された状態と
なつている。
電極、圧電セラミツク層、第3の電極、圧電セラ
ミツク層、および第2の電極の順次接続によつて
直列接続された静電容量形成部分が構成される。
実施例における特定の個所を例にとつて、上述し
た構成との対応関係を述べると、電極14a(第
1の電極)、圧電セラミツク層20、電極15b
(第3の電極)、圧電セラミツク層20、および電
極14b(第2の電極)が順次接続されて、直列
接続された静電容量形成部分が構成されているこ
とになる。なお、この実施例では、さらに、第3
の電極となつた電極14bに続けて、圧電セラミ
ツク層20および電極15aが接続された状態と
なつている。
さらに、この発明では、圧電セラミツク層は、
厚み方向に分極処理されており、しかも、第1の
電極と第3の電極との間に位置する部分と、第2
の電極と第3の電極との間に位置する部分とは、
互いに逆方向に分極処理されていることを特徴と
して含んでいる。このことを、実施例に関連して
説明すると、各圧電セラミツク層20〜24は、
矢印で示すように、まず厚み方向に分極処理され
ている。そして、たとえば圧電セラミツク層20
に注目すれば、電極14a(第1の電極)と電極
15b(第3の電極)との間に位置する部分と、
電極14b(第2の電極)と電極15b(第3の電
極)との間に位置する部分とは、矢印の方向が逆
になつており、互いに逆方向に分極処理されてい
る。
厚み方向に分極処理されており、しかも、第1の
電極と第3の電極との間に位置する部分と、第2
の電極と第3の電極との間に位置する部分とは、
互いに逆方向に分極処理されていることを特徴と
して含んでいる。このことを、実施例に関連して
説明すると、各圧電セラミツク層20〜24は、
矢印で示すように、まず厚み方向に分極処理され
ている。そして、たとえば圧電セラミツク層20
に注目すれば、電極14a(第1の電極)と電極
15b(第3の電極)との間に位置する部分と、
電極14b(第2の電極)と電極15b(第3の電
極)との間に位置する部分とは、矢印の方向が逆
になつており、互いに逆方向に分極処理されてい
る。
外部端子25,26に、電界が加えられ、たと
えば第2図に示すように、外部端子25にプラス
電位が与えられ、外部端子26にマイナス電位が
与えられるとすれば、圧電セラミツク層20,2
2,24では、すべての部分において、縮みを示
し、圧電セラミツク層21,23においては、す
べての部分において、延びを示す。すなわち、或
る電極の層を介して隣り合う圧電セラミツク層に
は、互いに逆向きの振動変位が現われる。したが
つて、第1図に示した従来の共振子と同様の振動
モードが得られる。そして、外部端子25,26
間には、それぞれたとえば3個の直列容量が形成
されるので、容量が低下し、インピーダンスは上
昇する。
えば第2図に示すように、外部端子25にプラス
電位が与えられ、外部端子26にマイナス電位が
与えられるとすれば、圧電セラミツク層20,2
2,24では、すべての部分において、縮みを示
し、圧電セラミツク層21,23においては、す
べての部分において、延びを示す。すなわち、或
る電極の層を介して隣り合う圧電セラミツク層に
は、互いに逆向きの振動変位が現われる。したが
つて、第1図に示した従来の共振子と同様の振動
モードが得られる。そして、外部端子25,26
間には、それぞれたとえば3個の直列容量が形成
されるので、容量が低下し、インピーダンスは上
昇する。
第3図では、共振子の周波数−インピーダンス
特性が示されている。第3図において、曲線A
は、この発明の実施例による特性を示し、従来の
ものを示す曲線Bより、インピーダンスが上昇し
ていることがわかる。
特性が示されている。第3図において、曲線A
は、この発明の実施例による特性を示し、従来の
ものを示す曲線Bより、インピーダンスが上昇し
ていることがわかる。
第4図および第5図は、それぞれ、この発明の
他の実施例を示し、前述した実施例と比べて、直
列接続される容量の数が異なつている。なお、第
4図および第5図においては、2層の電極とその
間に介在する1個の圧電セラミツク層とが代表と
して示されている。
他の実施例を示し、前述した実施例と比べて、直
列接続される容量の数が異なつている。なお、第
4図および第5図においては、2層の電極とその
間に介在する1個の圧電セラミツク層とが代表と
して示されている。
第4図では、1つの層を構成する2個の電極2
7a,27bと他の層を構成する1個の電極28
と、これらの間に介在する圧電セラミツク層29
とが図示されている。外部端子30,31は、そ
れぞれ、電極27a,27bに接続されている。
圧電セラミツク層29内に示した矢印は分極の方
向を示している。この実施例では、外部端子3
0,31に接続される電極は、電極27a,27
bということになり、これらが分割電極であり、
したがつて、電極27aが第1の電極にあたり、
電極27bが第2の電極にあたり、電極28が第
3の電極にあたる。なお、外部端子が接続されな
い電極28は、分割電極ではない。
7a,27bと他の層を構成する1個の電極28
と、これらの間に介在する圧電セラミツク層29
とが図示されている。外部端子30,31は、そ
れぞれ、電極27a,27bに接続されている。
圧電セラミツク層29内に示した矢印は分極の方
向を示している。この実施例では、外部端子3
0,31に接続される電極は、電極27a,27
bということになり、これらが分割電極であり、
したがつて、電極27aが第1の電極にあたり、
電極27bが第2の電極にあたり、電極28が第
3の電極にあたる。なお、外部端子が接続されな
い電極28は、分割電極ではない。
第5図では、4個の直列接続された容量が構成
されている。この実施例においては、3個の電極
32a,32b,32cによつて一方の層が構成
され、2個の電極33a,33bによつて他方の
層が形成され、これら層の間には圧電セラミツク
層34が介在している。圧電セラミツク層34内
に示した矢印は、圧電方向を示している。電極3
2aには外部端子35が接続され、電極32cに
は外部端子36が接続される。このように外部端
子35,36が接続された電極が延びる層に位置
する電極は、電極32a,32b,32cという
ように、分割電極とされている。この実施例で
は、外部端子に接続されない電極33a,33b
についても、分割電極とされている。しかしなが
ら、これは、特許請求の範囲の記載と矛盾するも
のではない。なぜならば、外部端子に接続されな
い電極は、分割電極ではないという条件は、特許
請求の範囲には含んでいないからである。
されている。この実施例においては、3個の電極
32a,32b,32cによつて一方の層が構成
され、2個の電極33a,33bによつて他方の
層が形成され、これら層の間には圧電セラミツク
層34が介在している。圧電セラミツク層34内
に示した矢印は、圧電方向を示している。電極3
2aには外部端子35が接続され、電極32cに
は外部端子36が接続される。このように外部端
子35,36が接続された電極が延びる層に位置
する電極は、電極32a,32b,32cという
ように、分割電極とされている。この実施例で
は、外部端子に接続されない電極33a,33b
についても、分割電極とされている。しかしなが
ら、これは、特許請求の範囲の記載と矛盾するも
のではない。なぜならば、外部端子に接続されな
い電極は、分割電極ではないという条件は、特許
請求の範囲には含んでいないからである。
第4図および第5図に示した実施例から類推で
きるように、この発明では、直列接続される容量
の数は任意であり、それは所望するインピーダン
ス値との関連で選べばよい。
きるように、この発明では、直列接続される容量
の数は任意であり、それは所望するインピーダン
ス値との関連で選べばよい。
次に、たとえば第2図に示したような共振子の
実際の製造における分極方法ならびに外部端子形
成方法について説明する。
実際の製造における分極方法ならびに外部端子形
成方法について説明する。
第2図に示したように、各圧電セラミツク層2
0〜24は、部分的に分極方向が異ならされてい
る。したがつて、焼結された後、単純に厚み方向
に直流高電界をかけるだけでは、そのような分極
状態を得ることはできない。そのため、次に述べ
るような方法が考えられる。
0〜24は、部分的に分極方向が異ならされてい
る。したがつて、焼結された後、単純に厚み方向
に直流高電界をかけるだけでは、そのような分極
状態を得ることはできない。そのため、次に述べ
るような方法が考えられる。
第1に、第6図に示すように、各圧電セラミツ
ク層ごとに分極処理を行なう方法である。たとえ
ば、圧電セラミツク層21を分極処理する場合、
電極16aにプラス電位を与え、電極15aにマ
イナス電位を与えれば、電界は、電極16a,1
5b,16b,15aと順番に加わり、互いに逆
向きとされた分極方向を得ることができる。
ク層ごとに分極処理を行なう方法である。たとえ
ば、圧電セラミツク層21を分極処理する場合、
電極16aにプラス電位を与え、電極15aにマ
イナス電位を与えれば、電界は、電極16a,1
5b,16b,15aと順番に加わり、互いに逆
向きとされた分極方向を得ることができる。
次に考えられる方法としては、第7図に示すよ
うに、1個の圧電セラミツク層を介して2個の電
極に共通的に対向する電極にリミツトを形成して
おき、まず分離された状態としておくことであ
る。第7図に示された範囲内では、電極14bお
よび15bに、それぞれスリツト37が形成され
ている。そして、スリツト37の両側近傍には、
圧電セラミツク層20,21の端縁にまで延びる
引出し部38a,38bが形成される。なお、後
で説明する外部端子との接続を可能にするため、
電極14a,15aは、それぞれ、圧電セラミツ
ク層20,21の短い方の端縁にまで延びて形成
されている。このような構成は、その他の電極に
ついても採用されている。
うに、1個の圧電セラミツク層を介して2個の電
極に共通的に対向する電極にリミツトを形成して
おき、まず分離された状態としておくことであ
る。第7図に示された範囲内では、電極14bお
よび15bに、それぞれスリツト37が形成され
ている。そして、スリツト37の両側近傍には、
圧電セラミツク層20,21の端縁にまで延びる
引出し部38a,38bが形成される。なお、後
で説明する外部端子との接続を可能にするため、
電極14a,15aは、それぞれ、圧電セラミツ
ク層20,21の短い方の端縁にまで延びて形成
されている。このような構成は、その他の電極に
ついても採用されている。
第8図では、第7図に示したような電極が積層
された場合の配置関係が示されている。第8図か
ら明らかなように、互いに分離された3組の電極
群が厚み方向に積層されていることがわかる。し
たがつて、各電極群について、第8図に示したよ
うな電位を加えれば、それぞれ矢印で示す方向
に、各圧電セラミツク層20〜24が分極処理さ
れることになる。
された場合の配置関係が示されている。第8図か
ら明らかなように、互いに分離された3組の電極
群が厚み方向に積層されていることがわかる。し
たがつて、各電極群について、第8図に示したよ
うな電位を加えれば、それぞれ矢印で示す方向
に、各圧電セラミツク層20〜24が分極処理さ
れることになる。
第9図には、第8図に示す電極群をもつて分極
した後の焼結体39の外観が斜視図で示されてい
る。そして、第10図には、同じ焼結体39が同
じ角度から斜視図で概略的に示されている。
した後の焼結体39の外観が斜視図で示されてい
る。そして、第10図には、同じ焼結体39が同
じ角度から斜視図で概略的に示されている。
焼結体39の表面には、第10図に示すよう
に、2個の接続電極40a,40bおよび前述し
た外部端子25,26が形成される。第9図と第
10図とを同時に参照すれば明らかなように、接
続電極40aは引出し部38baを接続し、接続
電極40bは引出し部38bを接続する。このよ
うにして、スリツト37によつて分離された電極
14b〜19bは、分極後において電気的接続さ
れた状態に戻される。そして、外部端子25,2
6が形成されたとき、第2図に示すような電気的
接続状態が達成される。
に、2個の接続電極40a,40bおよび前述し
た外部端子25,26が形成される。第9図と第
10図とを同時に参照すれば明らかなように、接
続電極40aは引出し部38baを接続し、接続
電極40bは引出し部38bを接続する。このよ
うにして、スリツト37によつて分離された電極
14b〜19bは、分極後において電気的接続さ
れた状態に戻される。そして、外部端子25,2
6が形成されたとき、第2図に示すような電気的
接続状態が達成される。
この発明は、以上述べた共振子のほか、フイル
タやデイスクリミネータや遅延素子などにも適用
することができる。
タやデイスクリミネータや遅延素子などにも適用
することができる。
第11図および第12図は、それぞれ、この発
明がフイルタに適用された例を示している。
明がフイルタに適用された例を示している。
第11図において、第2図に示したような電極
をもつて構成した2個の電極群41,42が示さ
れており、それらは、横に並んで配置されてい
る。外部端子43,44が入力側となるとき、外
部端子45,46は出力側となる。このような構
成において、入力側の外部端子43,44に電界
が与えられると、電極群41において摺動が現わ
れ、これが電極群42に伝達され、外部端子4
5,46に出力として取出される。
をもつて構成した2個の電極群41,42が示さ
れており、それらは、横に並んで配置されてい
る。外部端子43,44が入力側となるとき、外
部端子45,46は出力側となる。このような構
成において、入力側の外部端子43,44に電界
が与えられると、電極群41において摺動が現わ
れ、これが電極群42に伝達され、外部端子4
5,46に出力として取出される。
第12図では、2個の電極群47,48が厚み
方向に重ね合わされて配置されたフイルタが示さ
れている。この実施例では、たとえば電極群47
を入力側として、振動させたとき、そこで生じる
厚み振動が直接もう一方の電極群48に伝達され
るので、効率の良いフイルタが得られる。
方向に重ね合わされて配置されたフイルタが示さ
れている。この実施例では、たとえば電極群47
を入力側として、振動させたとき、そこで生じる
厚み振動が直接もう一方の電極群48に伝達され
るので、効率の良いフイルタが得られる。
なお、上述したフイルタと同様の構成をとりな
がら、各電極群間の距離を調整することによつ
て、遅延素子としても利用することができる。
がら、各電極群間の距離を調整することによつ
て、遅延素子としても利用することができる。
第1図はこの発明の先行技術として共振子の電
極構造を概略的に示す断面図である。第2図はこ
の発明の一実施例としての共振子の電極構造を概
略的に示す断面図である。第3図はこの発明によ
る共振子Aと先行技術の共振子Bとの周波数−イ
ンピーダンス特性を比較するグラフである。第4
図および第5図は、この発明の他の実施例として
の共振子における直列接続される容量の数を異な
らせた例を示している。第6図は、この発明によ
る圧電素子の分極方法の第1の例を示す。第7図
ないし第10図は、この発明による圧電素子の分
極方法の第2の例を示すとともに、実際に共振子
を得るための工程を順次示す。第11図および第
12図は、この発明のさらに他の実施例としての
フイルタの構成を示す。 図において、14a〜19a,14b〜19
b,27a,27b,28,32a,32b,3
2c,33a,33bは電極、20〜24,2
9,34は圧電セラミツク層、25,26,3
0,31,35,36,43〜46は外部端子、
41,42,47,48は電極群である。
極構造を概略的に示す断面図である。第2図はこ
の発明の一実施例としての共振子の電極構造を概
略的に示す断面図である。第3図はこの発明によ
る共振子Aと先行技術の共振子Bとの周波数−イ
ンピーダンス特性を比較するグラフである。第4
図および第5図は、この発明の他の実施例として
の共振子における直列接続される容量の数を異な
らせた例を示している。第6図は、この発明によ
る圧電素子の分極方法の第1の例を示す。第7図
ないし第10図は、この発明による圧電素子の分
極方法の第2の例を示すとともに、実際に共振子
を得るための工程を順次示す。第11図および第
12図は、この発明のさらに他の実施例としての
フイルタの構成を示す。 図において、14a〜19a,14b〜19
b,27a,27b,28,32a,32b,3
2c,33a,33bは電極、20〜24,2
9,34は圧電セラミツク層、25,26,3
0,31,35,36,43〜46は外部端子、
41,42,47,48は電極群である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 厚み方向に重なり合う電極が3以上の層をな
して形成され、当該電極の層の間にそれぞれ圧電
セラミツク層が介在する状態で焼成されて得られ
た焼結体と、前記電極のいずれかと電気的に接続
されて電極間に形成される静電容量成分を導出す
る外部端子とを備える、圧電素子であつて、 前記外部端子に接続される電極が延びる層に位
置する電極は、複数部分に分割された分割電極と
され、当該分割電極のうち互いに隣り合う第1お
よび第2の電極は、これらと前記圧電セラミツク
層を介して隣り合う第3の電極と、少なくとも各
一部において対向し、それによつて、第1の電
極、圧電セラミツク層、第3の電極、圧電セラミ
ツク層、および第2の電極の順次接続によつて直
列接続された静電容量形成部分が構成され、か
つ、 前記圧電セラミツク層は、厚み方向に分極処理
されており、しかも、前記第1の電極と前記第3
の電極との間に位置する部分と、前記第2の電極
と前記第3の電極との間に位置する部分とは、互
いに逆方向に分極処理されている、圧電素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17967683A JPS6070814A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 圧電素子 |
| US06/645,301 US4564782A (en) | 1983-09-02 | 1984-08-29 | Ceramic filter using multiple thin piezoelectric layers |
| DE3432133A DE3432133A1 (de) | 1983-09-02 | 1984-08-31 | Keramisches filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17967683A JPS6070814A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 圧電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070814A JPS6070814A (ja) | 1985-04-22 |
| JPH0532926B2 true JPH0532926B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=16069921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17967683A Granted JPS6070814A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-27 | 圧電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070814A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119133U (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-12 | 東光株式会社 | 圧電振動素子 |
| EP1528677B1 (en) * | 2003-10-30 | 2006-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Film acoustically-coupled transformer with two reverse c-axis piezoelectric elements |
| EP2237416A1 (en) | 2009-03-30 | 2010-10-06 | Nxp B.V. | Device comprising an electroacoustic balun |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP17967683A patent/JPS6070814A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6070814A (ja) | 1985-04-22 |
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