JPH0533019Y2 - - Google Patents

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JPH0533019Y2
JPH0533019Y2 JP1986160362U JP16036286U JPH0533019Y2 JP H0533019 Y2 JPH0533019 Y2 JP H0533019Y2 JP 1986160362 U JP1986160362 U JP 1986160362U JP 16036286 U JP16036286 U JP 16036286U JP H0533019 Y2 JPH0533019 Y2 JP H0533019Y2
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light
receiving surface
surface electrode
photoelectric conversion
semiconductor film
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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  • Electromechanical Clocks (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は光エネルギーを電気エネルギーに変換
する光起電力装置に関する。
(ロ) 従来の技術 光起電力装置、所謂太陽電池の応用が進展する
に伴ない、単に性能、機能の向上のみならず、デ
ザイン面でも目的に応じた機器にマツチしたもの
が要求されるようになつてきた。特に腕時計のよ
うにデザインが重要な要素となつている機器では
斬新なデザインの太陽電池が要求される。特公昭
58−21827号公報に開示された太陽電池は透光性
支持基板の一方の主面に、薄膜形成プロセスを利
用して受光面電極、半導体膜及び背面電極の積層
体からなる光電変換素子を複数個形成し、それら
複数個の光電変換素子を電気的に直列接続するこ
とによつて単位光電変換素子により得られる複数
倍の電圧を得、一枚の支持基板単独で機器を動作
せしめることができると共に、薄膜状をなすが故
に任意の形状に設計することができ、デザイン的
に有利である。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点 本考案は、上記薄膜状光電変換素子の持つ利点
を有効に活用し、デザイン的に、かつ光電変換特
性の優れた光起電力装置を提供するものである。
(ニ) 問題点を解決するための手段 本考案光起電力装置は上記問題点を解決するた
めに、透光性支持基板、該支持基板の複数の光電
変換領域毎に少なくとも分割配置された透光性の
受光面電極、該受光面電極上のほぼ受光面全域に
拡がつた半導体膜、該半導体膜を挟んで受光面電
極と対向する背面電極、を備え、上記受光面電極
は1つの光電変換領域内で複数に分離され、各分
離された受光面電極部分は、各電極部分の隣接間
隔部を埋めてそれらの外周縁を縁取る導電体可視
膜により電気的に接続されていることを特徴とす
る。
(ホ) 作用 上述の如く透光性の受光面電極同士の隣接間隔
部に於ける受光面電極外周縁を可視膜で縁取りす
ることによつて、上記隣接間隔部に於ける受光面
電極外周縁の輪郭が鮮明となる。
(ヘ) 実施例 第1図乃至第5図は本考案光起電力装置の一実
施例を示し、第1図は光照射方向から望んだ正面
図、第2図は背面図、第3図は第1図に於ける
−′線断面図、第4図は第1図に於ける−
′線断面図、第5図は第1図に於ける−′線
断面図である。第1図乃至第5図に於いて、1は
ガラス等の透光性且つ絶縁性の支持基板、2X,
2Yは該支持基板1の中心を交点とするX軸及び
Y軸に設けられ当該支持基板1を4つの光電変換
領域A,B,C,Dに区画する着色ガラスペース
ト等の絶縁体ペーストの焼結体からなる絶縁体可
視膜、3a,3b,3c,3dは該絶縁体可視膜
2X,2Yにより区画された光電変換領域A,
B,C,D毎に分割配置された受光面電極で、該
受光面電極3a,3b,3c,3dは、各光電変
換領域A,B,C,D内に於いて任意の形状に分
離されたITOやSnO2に代表される透光性導電酸
化物TCOの受光面電極部分4,4,4…を主体
とし、該受光面電極4,4,4…の隣接間隔部を
埋めてそれらの外周縁を縁取る銀ペーストやアル
ミニウムペースト等の金属ペーストの焼結体から
なる導電体可視膜5a,5b,5c,5dを備え
ている。斯る導電体可視膜5a,5b,5c,5
dは、各光電変換領域A,B,C,D内で受光面
電極部分4,4,4…が複数に分離されているに
も拘らず、それらを電気的に接続せしめて各領域
A,B,C,D毎に一つの受光面電極3a,3
b,3c,3dを分割配置すると共に、該受光面
電極3a,3b,3c,3dを分割配置すると共
に、該受光面電極3a,3b,3c,3dのグリ
ツド電極として作用しTCOの使用による高抵抗
化を緩和している。
この様に、受光面電極3a,3b,3c,3d
は、当該受光面電極3a,3b,3c,3dの隣
接間隔部に於ける受光面電極外周縁が絶縁体可視
膜2X,2Yにより可視的に縁取られ、また各受
光面電極3a,3b,3c,3dの受光面電極部
分4,4,4…の外周縁は導電体可視膜5a,5
b,5c,5dによつて可視的に縁取られてい
る。斯る可視的な縁取りの結果、受光面電極3
a,3b,3c,3dは透光性の導電酸化物を主
体とすると雖も、その輪郭は鮮明となる。
6は上記絶縁体可視膜2X,2Y及び受光面電
極3a,3b,3c,3d上のほぼ受光面全域に
拡つた半導体膜で、該半導体膜6は例えばアモル
フアスシリコン、アモルフアスシリコンカーバイ
ト、アルモフアスシリコンゲルマニウム、アモル
フアスシリコンナイトライド等のアモルフアス半
導体からなり、膜面に平行なpin接合を持つ。7
a,7b,7c,7dは上記半導体膜6を挟んで
各光電変換領域A,B,C,Dと対向するアルミ
ニウム、アルミニウム合金、銀、アルミニウム/
チタン積層体、アルミニウム/チタン銀積層体等
の金属からなる背面電極で、各受光面電極3a,
3b,3c,3d、半導体膜7及び背面電極7
a,7b,7c,7dの積層体から単位光電変換
素子SCa,SCb,SCc,SCdが構成され、第2図
に示す如く、領域A,B,C,Dの半導体膜6か
ら露出した受光面電極3b,3c,3dを構成す
る導電体可視膜5b,5c,5dに、隣接領域
A,B,Cの一方から背面電極7a,7b,7c
の延長部分7ab,7bc,7cdが延在することに
よつて、単位光電変換素子SCa,SCb,SCc,
SCdの直列接続がなされている。
第6図乃至第9図は斯る光起電力装置の製造工
程をその工程順に示している。
先ず第6図の工程では、支持基板1の背面側に
TCOの受光面電極部分4,4,4…がマスクを
利用した選択形成手法や全面に形成した後のリソ
グラフイ手法によつて各領域A,B,C,D内に
於いて更に細分割される。そして、第7図の工程
で、上記複数の受光面電極部分4,4,4…を第
6図のX軸、Y軸で区画された各領域A,B,
C,D毎の受光面電極3a,3b,3c,3dと
すべて導電体可視膜5a,5b,5c,5dとし
ての金属ペーストがスクリーン印刷法により塗布
され、自然乾燥或いは強制乾燥を経て第8図の工
程に移る。第8図の工程では、絶縁体可視膜2
X,2Yとしての絶縁体ペーストがスクリーン印
刷法により塗布されて、各受光面電極3a,3
b,3c,3dの絶縁と、これら受光面電極3
a,3b,3c,3d同士の隣接間隔部に於ける
外周縁を縁取つている。斯るX軸,Y軸の縁取り
は本実施例構造をアナログ式腕時計の文字板のと
ころに組込めば、0時(12時)、3時(15時)、6
時(18時)、9時(21時)等の3時間毎の指標や
15分毎の指標となる。上記絶縁体ペーストのスク
リーン印刷終了後、乾燥工程を経て焼成工程に移
行し、当該絶縁体ペースト及び先に塗布されてい
た金属ペーストの焼成を同時に行なう。
第9図の工程では、半導体膜6が受光面電極3
a,3b,3c,3dの受光領域全域と、第2図
に示す如く直列接続のための背面電極延長部分7
ab,7bc,7cdの当該領域A,B,C,Dに於
ける導電体可視膜5a,5b,5cとの短絡を防
止すべく支持基板1の周縁にまで拡つて形成され
る。斯る半導体膜6の形成は、微細加工を必要と
しないためにマスクを利用した選択形成手法が用
いられる。
最終の工程が第2図に示されている。斯る最終
工程では、Al等がマスクを利用した選択形成手
法により形成され単位光電変換素子SCa,SCb,
SCc,SCdが背面電極7a,7b,7c,7d及
びその延長部分7ab,7bc,7cdにより電気的
に直列接続される。
而して、斯る製造工程を経て得られた光起電力
装置を光照射方向から臨んだ状態は第1図に示し
た如く、十字状の絶縁体可視膜2X,2Yにより
光電変換領域A,B,C,Dが鮮明に区画され、
また各光電変換領域A,B,C,Dでは複数に分
離された透光性の受光面電極部分4,4,4…を
介して半導体膜6が直視でき斯る半導体膜6の外
周縁は導電体可視膜5a,5b,5c,5dによ
り縁取られている。即ち、光起電力装置を光照射
方向から臨んだ場合、目視できるのは、絶縁体可
視膜2X,2Y、受光面電極部分4,4,4…を
介した半導体膜6及び一導電体可視膜5a,5
b,5c,5dであり、斯る目視パターンは透光
性の受光面電極部分4,4,4…及び導電体可視
膜5a,5b,5c,5dにより支配される。そ
して、それらによつてブラインドとなる半導体膜
6や背面電極7a,7b,7c,7dに対して微
細加工が要求されずに済む。
(ト) 考案の効果 本考案光起電力装置は以上の説明から明らかな
如く、透光性の受光面電極同士の隣接間隔部に於
ける受光面電極外周縁を可視膜で縁取りしたの
で、上記隣接間隔部に於ける受光面電極外周縁の
輪郭が鮮明となり、デザインの向上が図れる。
更に、本考案によれば、受光面電極を、複数の
分離された受光面電極部分と、各電極部分の隣接
間隔部を埋めてこれらの外周縁を縁取る導電体可
視膜とにより構成したので、受光面電極の実質的
な抵抗を低減することができる。その場合、導電
体可視膜は受光面電極部分の隣接間隔部を埋める
構成であるので、受光面電極の表面が凹凸となら
ず、この上に形成される半導体膜及び背面電極に
悪影響を及ぼすことがない。よつて、光電変換特
性の優れた光起電力装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
図は本考案光起電力装置の一実施例を示し、第
1図は正面図、第2図は背面図、第3図は第1図
に於ける−′線断面図、第4図は第1図に於
ける−′線断面図、第5図は第1図に於ける
−′線断面図、第6図乃至第9図は製造工程
をその工程順に示している背面図である。 1……支持基板、2X,2Y……絶縁体可視
膜、3a,3b,3c,3d……受光面電極、4
……受光面電極部分、5a,5b,5c,5d…
…導電体可視膜、6……半導体膜、7a,7b,
7c,7d……背面電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 透光性支持基板、該支持基板の複数の光電変換
    領域毎に少なくとも分割配置された透光性の受光
    面電極、該受光面電極上のほぼ受光面全域に拡が
    つた半導体膜、該半導体膜を挟んで受光面電極と
    対向する背面電極、を備え、上記受光面電極は1
    つの光電変換領域内で複数に分離され、各分離さ
    れた受光面電極部分は、各電極部分の隣接間隔部
    を埋めてそれらの外周縁を縁取る導電体可視膜に
    より電気的に接続されていることを特徴とする光
    起電力装置。
JP1986160362U 1986-10-20 1986-10-20 Expired - Lifetime JPH0533019Y2 (ja)

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JPS6365255U JPS6365255U (ja) 1988-04-30
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56167372A (en) * 1980-05-28 1981-12-23 Sanyo Electric Co Ltd Solar cell
JPS5935491A (ja) * 1982-08-24 1984-02-27 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置
JPS6035554A (ja) * 1984-06-26 1985-02-23 Sharp Corp 薄膜太陽電池
JPS61125792U (ja) * 1985-08-28 1986-08-07

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