JPH05330910A - 半導体磁器組成物 - Google Patents
半導体磁器組成物Info
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- JPH05330910A JPH05330910A JP4166832A JP16683292A JPH05330910A JP H05330910 A JPH05330910 A JP H05330910A JP 4166832 A JP4166832 A JP 4166832A JP 16683292 A JP16683292 A JP 16683292A JP H05330910 A JPH05330910 A JP H05330910A
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- semiconductor porcelain
- balls
- semiconductor
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- composition
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた耐破壊電圧特性および突入電流特性を
有する半導体磁器を得ることができる、半導体磁器組成
物を提供する。 【構成】 半導体磁器組成物は、チタン酸バリウム系の
半導体磁器組成物であって、（Ｂａ1-x Ａx ）
1.000 （Ｔｉ1-y Ｚｒy ）z Ｏ3 （ただし、ＡはＳｒ，
Ｐｂ，Ｃａのうち少なくとも１種以上、ｘ＜１、ｙ≦
１、０．９７００≦ｚ≦０．９９９９）と、半導体化剤
と、微量の添加物とを含む。
有する半導体磁器を得ることができる、半導体磁器組成
物を提供する。 【構成】 半導体磁器組成物は、チタン酸バリウム系の
半導体磁器組成物であって、（Ｂａ1-x Ａx ）
1.000 （Ｔｉ1-y Ｚｒy ）z Ｏ3 （ただし、ＡはＳｒ，
Ｐｂ，Ｃａのうち少なくとも１種以上、ｘ＜１、ｙ≦
１、０．９７００≦ｚ≦０．９９９９）と、半導体化剤
と、微量の添加物とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体磁器組成物に関
し、特にチタン酸バリウム系の半導体磁器組成物に関す
る。
し、特にチタン酸バリウム系の半導体磁器組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体磁器組成物にに
は、Ｂａもしくは、Ｓｒ，Ｐｂ，Ｃａのうち少なくとも
１種以上およびＢａと、この合計原子モル数に対して等
モル以上のＴｉ、あるいはＺｒ、またはＴｉおよびＺｒ
と、半導体化剤と、微量の添加物とを含むものがあっ
た。
は、Ｂａもしくは、Ｓｒ，Ｐｂ，Ｃａのうち少なくとも
１種以上およびＢａと、この合計原子モル数に対して等
モル以上のＴｉ、あるいはＺｒ、またはＴｉおよびＺｒ
と、半導体化剤と、微量の添加物とを含むものがあっ
た。
【０００３】このような従来の半導体磁器組成物からな
る半導体磁器は、正の抵抗−温度（ＰＴＣ）特性を有
し、その特性を利用して電流制御，電圧制御など広く利
用されている。
る半導体磁器は、正の抵抗−温度（ＰＴＣ）特性を有
し、その特性を利用して電流制御，電圧制御など広く利
用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の半導体磁器では、抵抗の電圧依存性が大きいの
で、ＰＴＣ特性の勾配が減少し、それを用いた素子の温
度が急激に高くなって、耐破壊電圧が低くなり耐破壊電
圧特性が悪くかつ突入電流を生じさせる電圧も低くなり
突入電流特性も悪くなり、実際に使用するにあたって、
その機能を果たさないことがある。これは、このような
従来の半導体磁器の結晶粒径が大きく、不均一であるた
めである。
従来の半導体磁器では、抵抗の電圧依存性が大きいの
で、ＰＴＣ特性の勾配が減少し、それを用いた素子の温
度が急激に高くなって、耐破壊電圧が低くなり耐破壊電
圧特性が悪くかつ突入電流を生じさせる電圧も低くなり
突入電流特性も悪くなり、実際に使用するにあたって、
その機能を果たさないことがある。これは、このような
従来の半導体磁器の結晶粒径が大きく、不均一であるた
めである。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、優
れた耐破壊電圧特性および突入電流特性を有する半導体
磁器を得ることができる、半導体磁器組成物を提供する
ことである。
れた耐破壊電圧特性および突入電流特性を有する半導体
磁器を得ることができる、半導体磁器組成物を提供する
ことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、チタン酸バ
リウム系の半導体磁器組成物であって、（Ｂａ
1-x Ａx ）1.000 （Ｔｉ1-y Ｚｒy ）z Ｏ3 （ただし、
ＡはＳｒ，Ｐｂ，Ｃａのうち少なくとも１種以上、ｘ＜
１、ｙ≦１、０．９７００≦ｚ≦０．９９９９）と、半
導体化剤と、微量の添加物とを含む、半導体磁器組成物
である。
リウム系の半導体磁器組成物であって、（Ｂａ
1-x Ａx ）1.000 （Ｔｉ1-y Ｚｒy ）z Ｏ3 （ただし、
ＡはＳｒ，Ｐｂ，Ｃａのうち少なくとも１種以上、ｘ＜
１、ｙ≦１、０．９７００≦ｚ≦０．９９９９）と、半
導体化剤と、微量の添加物とを含む、半導体磁器組成物
である。
【０００７】
【作用】この発明にかかる半導体磁器組成物から得られ
る半導体磁器は、従来の半導体磁器に比べて、結晶粒径
が小さく結晶粒径のばらつきが少ない。そのため、この
発明にかかる半導体磁器組成物から得られる半導体磁器
は、優れた耐破壊電圧特性および突入電流特性を有す
る。
る半導体磁器は、従来の半導体磁器に比べて、結晶粒径
が小さく結晶粒径のばらつきが少ない。そのため、この
発明にかかる半導体磁器組成物から得られる半導体磁器
は、優れた耐破壊電圧特性および突入電流特性を有す
る。
【０００８】なお、このように、結晶粒径が小さく結晶
粒径のばらつきが少ない半導体磁器を得るためには、こ
の発明にかかる半導体磁器組成物の粉砕媒体として、た
とえばＺｒＯ2 ボール，ＴｉＯ2 ボール，Ａｌ2 Ｏ3 ボ
ール，ＳｉＣボール，Ｓｉ3Ｎ4 ボール，ＺｒＳｉＯ4
およびＳｉＯ2 ボールのうち少なくとも１種以上を用い
ればよい。
粒径のばらつきが少ない半導体磁器を得るためには、こ
の発明にかかる半導体磁器組成物の粉砕媒体として、た
とえばＺｒＯ2 ボール，ＴｉＯ2 ボール，Ａｌ2 Ｏ3 ボ
ール，ＳｉＣボール，Ｓｉ3Ｎ4 ボール，ＺｒＳｉＯ4
およびＳｉＯ2 ボールのうち少なくとも１種以上を用い
ればよい。
【０００９】
【発明の効果】この発明によれば、優れた耐破壊電圧特
性および突入電流特性を有する半導体磁器を得ることが
できる、半導体磁器組成物が得られる。
性および突入電流特性を有する半導体磁器を得ることが
できる、半導体磁器組成物が得られる。
【００１０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【００１１】
【実施例】まず、原料として、主成分であるＢａＣ
Ｏ3 ，Ｐｂ3 Ｏ4 ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 およびＴｉ
Ｏ2 と、半導体化剤であるＹ2 Ｏ3 あるいはＬａ2 Ｏ3
と、微量の添加物として特性改善剤であるＭｎＯ2 およ
びＳｉＯ2 とを、表１に示す比率の半導体磁器組成物が
得られるように配合し、さらに、粉砕媒体としてのＺｒ
Ｏ2 ボール，ＴｉＯ2 ボールあるいはフリントボールで
１０時間粉砕して、スラリーを得た。
Ｏ3 ，Ｐｂ3 Ｏ4 ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 およびＴｉ
Ｏ2 と、半導体化剤であるＹ2 Ｏ3 あるいはＬａ2 Ｏ3
と、微量の添加物として特性改善剤であるＭｎＯ2 およ
びＳｉＯ2 とを、表１に示す比率の半導体磁器組成物が
得られるように配合し、さらに、粉砕媒体としてのＺｒ
Ｏ2 ボール，ＴｉＯ2 ボールあるいはフリントボールで
１０時間粉砕して、スラリーを得た。
【００１２】
【表１】
【００１３】このスラリーを、脱水乾燥し、５０メッシ
ュの篩で造粒した後、１１３０℃で仮焼し、バインダを
加え、１０００ｋｇ／ｃｍ2 で直径１７．５ｍｍ，厚み
３０ｍｍの円板状に成形して、成形体を得た。それか
ら、この成形体を、１３００〜１４００℃で焼成して、
磁器を得た。
ュの篩で造粒した後、１１３０℃で仮焼し、バインダを
加え、１０００ｋｇ／ｃｍ2 で直径１７．５ｍｍ，厚み
３０ｍｍの円板状に成形して、成形体を得た。それか
ら、この成形体を、１３００〜１４００℃で焼成して、
磁器を得た。
【００１４】そして、その磁器の結晶粒径を求めるた
め、磁器をＳＥＭで写真撮影した後、画像解析し求め
た。さらに、その磁器の電気特性を測定するために、磁
器の両主面にＩｎ−Ｇａ電極を施し、２５℃の比抵抗，
キュリー点，耐破壊電圧特性および突入電流特性を調べ
た。なお、耐破壊電圧特性および突入電流特性について
は、耐破壊電圧と突入電流が生じる電圧とをそれぞれ測
定した。これらの結果を表２に表す。
め、磁器をＳＥＭで写真撮影した後、画像解析し求め
た。さらに、その磁器の電気特性を測定するために、磁
器の両主面にＩｎ−Ｇａ電極を施し、２５℃の比抵抗，
キュリー点，耐破壊電圧特性および突入電流特性を調べ
た。なお、耐破壊電圧特性および突入電流特性について
は、耐破壊電圧と突入電流が生じる電圧とをそれぞれ測
定した。これらの結果を表２に表す。
【００１５】
【表２】
【００１６】なお、表１および表２中、試料番号に＊印
をつけたものはこの発明の範囲外のものであり、それ以
外のものはこの発明の範囲内のものである。
をつけたものはこの発明の範囲外のものであり、それ以
外のものはこの発明の範囲内のものである。
【００１７】これらの結果から明らかなように、粉砕媒
体としてＺｒＯ2 ボール，ＴｉＯ2ボールを用い、半導
体磁器組成物の組成をこの発明の範囲内にすることによ
って、結晶粒径が小さく結晶粒径のばらつきの少ない半
導体磁器が得られ、半導体磁器の耐電圧特性，突入電流
特性が向上することを確認した。
体としてＺｒＯ2 ボール，ＴｉＯ2ボールを用い、半導
体磁器組成物の組成をこの発明の範囲内にすることによ
って、結晶粒径が小さく結晶粒径のばらつきの少ない半
導体磁器が得られ、半導体磁器の耐電圧特性，突入電流
特性が向上することを確認した。
【００１８】それに対して、Ｂａ，Ｐｂ，ＳｒおよびＣ
ａの合計原子モル数に対して、ＴｉＯ2 の原子モル数が
０．９９９を超えると特性が劣化し、逆にＴｉＯ2 の原
子モル数が０．９７０未満では磁器が半導体化しないこ
とがわかった。
ａの合計原子モル数に対して、ＴｉＯ2 の原子モル数が
０．９９９を超えると特性が劣化し、逆にＴｉＯ2 の原
子モル数が０．９７０未満では磁器が半導体化しないこ
とがわかった。
【００１９】また、粉砕媒体としてフリントボールを用
いた場合には、半導体磁器の結晶粒径のばらつきが大き
くなることがわかった。
いた場合には、半導体磁器の結晶粒径のばらつきが大き
くなることがわかった。
【００２０】なお、半導体磁器組成物の主成分中のＴｉ
に代えて、Ｚｒ、またはＴｉおよびＺｒを用いても、同
様の結果が得られた。
に代えて、Ｚｒ、またはＴｉおよびＺｒを用いても、同
様の結果が得られた。
【００２１】また、半導体磁器組成物の主成分中にＰ
ｂ，ＳｒおよびＣａを同時に用いなくても、同様の結果
が得られた。
ｂ，ＳｒおよびＣａを同時に用いなくても、同様の結果
が得られた。
【００２２】さらに、粉砕媒体としてＡｌ2 Ｏ3 ボー
ル，ＳｉＣボール，Ｓｉ3 Ｎ4 ボール，ＺｒＳｉＯ4 ボ
ール，ＳｉＯ2 ボールを用いても、この発明の範囲内の
半導体磁器組成物から結晶粒径が小さく結晶粒径のばら
つきが少ない半導体磁器が得られ、半導体磁器の耐破壊
電圧特性および突入電流特性が向上することも確認し
た。
ル，ＳｉＣボール，Ｓｉ3 Ｎ4 ボール，ＺｒＳｉＯ4 ボ
ール，ＳｉＯ2 ボールを用いても、この発明の範囲内の
半導体磁器組成物から結晶粒径が小さく結晶粒径のばら
つきが少ない半導体磁器が得られ、半導体磁器の耐破壊
電圧特性および突入電流特性が向上することも確認し
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿 部 吉 晶 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】 チタン酸バリウム系の半導体磁器組成物
であって、 （Ｂａ1-x Ａx ）1.000 （Ｔｉ1-y Ｚｒy ）z Ｏ3 （た
だし、ＡはＳｒ，Ｐｂ，Ｃａのうち少なくとも１種以
上、ｘ＜１、ｙ≦１、０．９７００≦ｚ≦０．９９９
９）、 半導体化剤、および微量の添加物を含む、半導体磁器組
成物。 - 【請求項２】 前記組成の各成分を混合粉砕する際に、
その粉砕媒体として、ＺｒＯ2 ボール，ＴｉＯ2 ボー
ル，Ａｌ2 Ｏ3 ボール，ＳｉＣボール，Ｓｉ3Ｎ4 ボー
ル，ＺｒＳｉＯ4 およびＳｉＯ2 ボールのうち少なくと
も１種以上を用いた、請求項１の半導体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4166832A JP2976702B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 半導体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4166832A JP2976702B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 半導体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05330910A true JPH05330910A (ja) | 1993-12-14 |
| JP2976702B2 JP2976702B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=15838488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4166832A Expired - Lifetime JP2976702B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 半導体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2976702B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994029235A1 (en) * | 1993-06-09 | 1994-12-22 | The United States Of America, Represented By The | NOVEL CERAMIC FERROELECTIC COMPOSITE MATERIAL - BSTO-ZrO¿2? |
| WO1994029234A1 (en) * | 1993-06-09 | 1994-12-22 | The United States Of America, Represented By Th | Novel ceramic ferroelectric material |
| CN102471164A (zh) * | 2009-07-01 | 2012-05-23 | 株式会社村田制作所 | 半导体陶瓷以及正特性热敏电阻 |
| JP2015131737A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-23 | 株式会社村田製作所 | 機能性金属酸化物材料の製造方法、セラミック電子部品および積層セラミックコンデンサ |
-
1992
- 1992-06-01 JP JP4166832A patent/JP2976702B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994029235A1 (en) * | 1993-06-09 | 1994-12-22 | The United States Of America, Represented By The | NOVEL CERAMIC FERROELECTIC COMPOSITE MATERIAL - BSTO-ZrO¿2? |
| WO1994029234A1 (en) * | 1993-06-09 | 1994-12-22 | The United States Of America, Represented By Th | Novel ceramic ferroelectric material |
| US5486491A (en) * | 1993-06-09 | 1996-01-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ceramic ferroelectric composite material - BSTO-ZrO2 |
| CN102471164A (zh) * | 2009-07-01 | 2012-05-23 | 株式会社村田制作所 | 半导体陶瓷以及正特性热敏电阻 |
| JP2015131737A (ja) * | 2014-01-09 | 2015-07-23 | 株式会社村田製作所 | 機能性金属酸化物材料の製造方法、セラミック電子部品および積層セラミックコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2976702B2 (ja) | 1999-11-10 |
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