JPH053310A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH053310A JPH053310A JP3178900A JP17890091A JPH053310A JP H053310 A JPH053310 A JP H053310A JP 3178900 A JP3178900 A JP 3178900A JP 17890091 A JP17890091 A JP 17890091A JP H053310 A JPH053310 A JP H053310A
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- Japan
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- phototransistor
- solid
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- image pickup
- photometric
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 同じ半導体基板上に撮像用フォトトランジス
タに隣接して測光用フォトトランジスタを設けることに
より、ＡＥ用素子を削減できるようにする。 【構成】 光電変換素子としてフォトトランジスタを用
いた固体撮像素子の半導体基板上に、撮像用フォトトラ
ンジスタと同一プロセスで測光用フォトトランジスタを
形成する。
タに隣接して測光用フォトトランジスタを設けることに
より、ＡＥ用素子を削減できるようにする。 【構成】 光電変換素子としてフォトトランジスタを用
いた固体撮像素子の半導体基板上に、撮像用フォトトラ
ンジスタと同一プロセスで測光用フォトトランジスタを
形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像素子に関し、特
に光電変換素子としてフォトトランジスタを用いた固体
撮像素子に関するものである。
に光電変換素子としてフォトトランジスタを用いた固体
撮像素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ビデオカメラなどの撮像装置にお
いては、被写体像を撮像するための撮像素子以外に、入
射光量を調整するための露光量調節用素子（以下、ＡＥ
用素子という）が使用されている。このようなＡＥ用素
子は、通常撮像用レンズの隣に併設されている。
いては、被写体像を撮像するための撮像素子以外に、入
射光量を調整するための露光量調節用素子（以下、ＡＥ
用素子という）が使用されている。このようなＡＥ用素
子は、通常撮像用レンズの隣に併設されている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、従
来の撮像装置、特にビデオカメラなどでは極力小型化が
要求されるため、ＡＥ用素子なども例えば集積化によっ
て削減することが望まれていた。
来の撮像装置、特にビデオカメラなどでは極力小型化が
要求されるため、ＡＥ用素子なども例えば集積化によっ
て削減することが望まれていた。
【０００４】本発明は、このような実情に鑑みなされた
もので、その目的は同じ半導体基板上に撮像用フォトト
ランジスタに隣接して測光用フォトトランジスタを設け
ることにより、ＡＥ用素子を削減できるようにした固体
撮像素子を提供することにある。
もので、その目的は同じ半導体基板上に撮像用フォトト
ランジスタに隣接して測光用フォトトランジスタを設け
ることにより、ＡＥ用素子を削減できるようにした固体
撮像素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のこのような目的
は、光電変換素子としてフォトトランジスタを用いた固
体撮像素子の半導体基板上に、撮像用フォトトランジス
タと同一プロセスで測光用フォトトランジスタを形成し
たことを特徴とする固体撮像素子によって達成される。
は、光電変換素子としてフォトトランジスタを用いた固
体撮像素子の半導体基板上に、撮像用フォトトランジス
タと同一プロセスで測光用フォトトランジスタを形成し
たことを特徴とする固体撮像素子によって達成される。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の固体撮像素子の一
実施例を示した平面図である。図１において、１００は
固体撮像素子の半導体基板であり、その表面には被写体
像を光電変換するための光電変換素子を配列した撮像面
１０１が形成されている。なお、本実施例では光電変換
素子として、フォトトランジスタが使用されている。ま
た、撮像面１０１に隣接して入射光量を測光し、露光量
を調節するためのＡＥ用フォトトランジスタ１０２が形
成されている。このフォトトランジスタ１０２と上記光
電変換素子は同じ半導体基板上に同一プロセスで作製さ
れている。以上の固体撮像素子を撮像装置に使用した場
合、フォトトランジスタ１０２は従来のＡＥ用素子とし
て使用することができる。この場合、フォトトランジス
タ１０２の出力信号は不図示のシステムコントローラへ
送られ、このシステムコントローラでは前記出力信号に
基づいて不図示の光学系の絞りを駆動し、入射光量の調
整を行う。
して詳細に説明する。図１は本発明の固体撮像素子の一
実施例を示した平面図である。図１において、１００は
固体撮像素子の半導体基板であり、その表面には被写体
像を光電変換するための光電変換素子を配列した撮像面
１０１が形成されている。なお、本実施例では光電変換
素子として、フォトトランジスタが使用されている。ま
た、撮像面１０１に隣接して入射光量を測光し、露光量
を調節するためのＡＥ用フォトトランジスタ１０２が形
成されている。このフォトトランジスタ１０２と上記光
電変換素子は同じ半導体基板上に同一プロセスで作製さ
れている。以上の固体撮像素子を撮像装置に使用した場
合、フォトトランジスタ１０２は従来のＡＥ用素子とし
て使用することができる。この場合、フォトトランジス
タ１０２の出力信号は不図示のシステムコントローラへ
送られ、このシステムコントローラでは前記出力信号に
基づいて不図示の光学系の絞りを駆動し、入射光量の調
整を行う。
【０００７】図２は本実施例の固体撮像素子を撮像装置
に組込んだ場合、被写体光の光路を概略的に示した図で
ある。レンズ１０３に入射した被写体光は、まずハーフ
ミラー１０４によって２つに分けられ、一方の光が上記
半導体基板１００上に形成された撮像面１０１に入射す
る。また、他方の光はミラー１０５に反射され、ＡＥ用
のフォトトランジスタ１０２へ導かれる。
に組込んだ場合、被写体光の光路を概略的に示した図で
ある。レンズ１０３に入射した被写体光は、まずハーフ
ミラー１０４によって２つに分けられ、一方の光が上記
半導体基板１００上に形成された撮像面１０１に入射す
る。また、他方の光はミラー１０５に反射され、ＡＥ用
のフォトトランジスタ１０２へ導かれる。
【０００８】図３は本発明の他の実施例を示した平面図
である。この実施例は、撮像面１０１の両側にＡＥ用の
フォトトランジスタ１０２とフォトトランジスタ１０６
を設けた例である。この２つのフォトトランジスタの出
力信号は、不図示の加算回路で加算された後、システム
コントローラへ送られ、前記と同様に入射光量の調節が
行われる。本実施例では、２つのフォトトランジスタに
よって測光するため、前記実施例に比べて測光精度を向
上することができる。
である。この実施例は、撮像面１０１の両側にＡＥ用の
フォトトランジスタ１０２とフォトトランジスタ１０６
を設けた例である。この２つのフォトトランジスタの出
力信号は、不図示の加算回路で加算された後、システム
コントローラへ送られ、前記と同様に入射光量の調節が
行われる。本実施例では、２つのフォトトランジスタに
よって測光するため、前記実施例に比べて測光精度を向
上することができる。
【０００９】図４は本発明の更に他の実施例を示した平
面図で、フォトトランジスタ１０２及び１０６上にそれ
ぞれ光学レンズ１０７，１０８を形成した例である。本
実施例では、半導体基板１００は図５に示すようにプラ
スチック封止剤１０９によってモールディングされてお
り、光学レンズ１０７及び１０８はそのモールディング
されたプラスチック封止剤１０９の表面上に設けられて
いる。また、光学レンズ１０７，１０８の光軸は、図５
に示す如く不図示の光学系の光学中心に向かうように設
定され、入射した被写体光の中心部の光をフォトトラン
ジスタ１０２，１０６にそれぞれ結像させるものであ
る。なお、光学レンズ１０７，１０８としては、プラス
チック封止剤による半導体基板１００のモールディング
後に、接着剤などによって接着してもよいが、モールデ
ィングの際にプラスチック封止剤自身をレンズ状に形成
することによっても、光学レンズをフォトトランジスタ
上に作製することは可能である。２つのフォトトランジ
スタの出力信号は、前記実施例と同様に加算された後、
システムコントローラへ送られる。本実施例では、ＡＥ
用フォトトランジスタ１０２，１０６上に光学レンズ１
０７，１０８を設けたので、フォトトランジスタの感度
が低い場合であっても被写体光をフォトトランジスタに
集光でき、感度上有利に使用することができる。
面図で、フォトトランジスタ１０２及び１０６上にそれ
ぞれ光学レンズ１０７，１０８を形成した例である。本
実施例では、半導体基板１００は図５に示すようにプラ
スチック封止剤１０９によってモールディングされてお
り、光学レンズ１０７及び１０８はそのモールディング
されたプラスチック封止剤１０９の表面上に設けられて
いる。また、光学レンズ１０７，１０８の光軸は、図５
に示す如く不図示の光学系の光学中心に向かうように設
定され、入射した被写体光の中心部の光をフォトトラン
ジスタ１０２，１０６にそれぞれ結像させるものであ
る。なお、光学レンズ１０７，１０８としては、プラス
チック封止剤による半導体基板１００のモールディング
後に、接着剤などによって接着してもよいが、モールデ
ィングの際にプラスチック封止剤自身をレンズ状に形成
することによっても、光学レンズをフォトトランジスタ
上に作製することは可能である。２つのフォトトランジ
スタの出力信号は、前記実施例と同様に加算された後、
システムコントローラへ送られる。本実施例では、ＡＥ
用フォトトランジスタ１０２，１０６上に光学レンズ１
０７，１０８を設けたので、フォトトランジスタの感度
が低い場合であっても被写体光をフォトトランジスタに
集光でき、感度上有利に使用することができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、同
じ半導体基板上に撮像用フォトトランジスタに隣接して
測光用フォトトランジスタを形成したので、従来用いら
れたＡＥ用素子を削減でき、撮像装置を小型化、低コス
ト化できるという効果がある。また、測光用フォトトラ
ンジスタを作製する場合、撮像用フォトトランジスタと
同一プロセスで作製できるため、ＡＥ用素子として特殊
なプロセスを用いることなく、簡単に作製することがで
きる。
じ半導体基板上に撮像用フォトトランジスタに隣接して
測光用フォトトランジスタを形成したので、従来用いら
れたＡＥ用素子を削減でき、撮像装置を小型化、低コス
ト化できるという効果がある。また、測光用フォトトラ
ンジスタを作製する場合、撮像用フォトトランジスタと
同一プロセスで作製できるため、ＡＥ用素子として特殊
なプロセスを用いることなく、簡単に作製することがで
きる。
【図１】本発明の固体撮像素子の一実施例を示した平面
図である。
図である。
【図２】図１の実施例の固体撮像素子に入射する被写体
光の光路を概略的に示した説明図である。
光の光路を概略的に示した説明図である。
【図３】本発明の固体撮像素子の他の実施例を示した平
面図である。
面図である。
【図４】本発明の固体撮像素子の更に他の実施例を示し
た平面図である。
た平面図である。
【図５】図４の実施例のＡ−Ａ線における断面図であ
る。
る。
１００ 半導体基板
１０１ 撮像面
１０２，１０６ ＡＥ用フォトトランジスタ
１０７，１０８ 光学レンズ
１０９ プラスチック封止剤
Claims (3)
- 【請求項１】 光電変換素子としてフォトトランジスタ
を用いた固体撮像素子の半導体基板上に、撮像用フォト
トランジスタと同一プロセスで測光用フォトトランジス
タを形成したことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 測光用フォトトランジスタは、半導体基
板上に、複数設けられ、各フォトトランジスタの出力信
号の加算値が測光出力として使用されることを特徴とす
る請求項１の固体撮像素子。 - 【請求項３】 測光用フォトトランジスタ上に、集光用
の光学レンズが設けられていることを特徴とする請求項
１の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3178900A JPH053310A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3178900A JPH053310A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053310A true JPH053310A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16056652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3178900A Pending JPH053310A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053310A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110088880A (ko) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | 삼성전자주식회사 | 디지털 촬영장치, 및 그 제어 방법 |
-
1991
- 1991-06-25 JP JP3178900A patent/JPH053310A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110088880A (ko) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | 삼성전자주식회사 | 디지털 촬영장치, 및 그 제어 방법 |
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