JPH05331647A - Ｃｖｄ方法及び装置 - Google Patents
Ｃｖｄ方法及び装置Info
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- JPH05331647A JPH05331647A JP16007292A JP16007292A JPH05331647A JP H05331647 A JPH05331647 A JP H05331647A JP 16007292 A JP16007292 A JP 16007292A JP 16007292 A JP16007292 A JP 16007292A JP H05331647 A JPH05331647 A JP H05331647A
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- Japan
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- space
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板ホルダーからの熱放射による熱損失をで
きるだけ少なくして、加熱効率を向上させると共に、複
数の基板を同時に処理可能にする。 【構成】 一対の基板ホルダー１８、２０を対向させ
て、これら基板ホルダーの外周部を取り囲むように熱反
射板２８を配置する。基板ホルダー１８、２０と熱反射
板２８とによって空間３０を形成し、その内部の基板３
２にＴｉＮ膜を形成する。基板ホルダー１８、２０の内
部には基板加熱ヒータ２２があり、基板３２を５００℃
に加熱する。基板ホルダー１８、２０が互いに対向して
いて、かつ、熱反射板２８も配置されているので、基板
表面からの熱放射損失は非常に少なくなり、加熱効率が
向上する。
きるだけ少なくして、加熱効率を向上させると共に、複
数の基板を同時に処理可能にする。 【構成】 一対の基板ホルダー１８、２０を対向させ
て、これら基板ホルダーの外周部を取り囲むように熱反
射板２８を配置する。基板ホルダー１８、２０と熱反射
板２８とによって空間３０を形成し、その内部の基板３
２にＴｉＮ膜を形成する。基板ホルダー１８、２０の内
部には基板加熱ヒータ２２があり、基板３２を５００℃
に加熱する。基板ホルダー１８、２０が互いに対向して
いて、かつ、熱反射板２８も配置されているので、基板
表面からの熱放射損失は非常に少なくなり、加熱効率が
向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板ホルダー及びその
周辺部の配置構成に特徴のあるＣＶＤ方法及び装置に関
する。
周辺部の配置構成に特徴のあるＣＶＤ方法及び装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】高集積化されたＩＣでは、コンタクト電
極部の信頼性を高める上で拡散バリア−としてのＴｉＮ
の層形成が必須条件となってきている。そして、配線の
微細化に伴いＣＶＤ法によるＴｉＮ成膜が有力な方法と
して考えられてきている。一般的な熱ＣＶＤ法によるＴ
ｉＮ膜の形成においては、チタン源としてＴｉＣｌ
4を、窒素源としてＮＨ3を使用する。あるいは、膜中へ
Ｃｌが不純物として混入するのを嫌って、有機チタン化
合物を用いることもある。いずれの反応においても基板
温度として５００℃以上の高温が必要となる。
極部の信頼性を高める上で拡散バリア−としてのＴｉＮ
の層形成が必須条件となってきている。そして、配線の
微細化に伴いＣＶＤ法によるＴｉＮ成膜が有力な方法と
して考えられてきている。一般的な熱ＣＶＤ法によるＴ
ｉＮ膜の形成においては、チタン源としてＴｉＣｌ
4を、窒素源としてＮＨ3を使用する。あるいは、膜中へ
Ｃｌが不純物として混入するのを嫌って、有機チタン化
合物を用いることもある。いずれの反応においても基板
温度として５００℃以上の高温が必要となる。
【０００３】従来、この種の技術として知られている熱
ＣＶＤ法は、原料ガスであるＴｉＣｌ4とＮＨ3を、ガス
の流れが基板上に向かうように導入して、基板上で原料
ガスを熱分解させて化学反応を進行させている。この種
の技術は、例えば、1989年 3月発行、Journal of the E
lectrochemical Society、第136 巻、第１号、第882〜8
83 頁、 N.Yokoyama 、K.Hinode、Y.Homma 著“LPCVD T
iN as Barrier Layerin VLSI”に記載されている。
ＣＶＤ法は、原料ガスであるＴｉＣｌ4とＮＨ3を、ガス
の流れが基板上に向かうように導入して、基板上で原料
ガスを熱分解させて化学反応を進行させている。この種
の技術は、例えば、1989年 3月発行、Journal of the E
lectrochemical Society、第136 巻、第１号、第882〜8
83 頁、 N.Yokoyama 、K.Hinode、Y.Homma 著“LPCVD T
iN as Barrier Layerin VLSI”に記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来のＴ
ｉＮ膜形成方法において、基板加熱を基板ホルダ−から
の熱伝導によるものとすると、基板上面が開放されてい
るので基板からの熱放射が大きくなる。したがって、基
板ホルダ−からの伝導伝熱で基板表面を５００℃にする
には基板の底部及び基板ホルダ−をそれ以上の温度にし
なければならなくなる。そのため、大きな加熱源が必要
になる。また、基板表面で所定の温度を得るためにはそ
の下部はより高温にしなければならず、その熱のために
基板がダメ−ジを受けるといった問題がある。
ｉＮ膜形成方法において、基板加熱を基板ホルダ−から
の熱伝導によるものとすると、基板上面が開放されてい
るので基板からの熱放射が大きくなる。したがって、基
板ホルダ−からの伝導伝熱で基板表面を５００℃にする
には基板の底部及び基板ホルダ−をそれ以上の温度にし
なければならなくなる。そのため、大きな加熱源が必要
になる。また、基板表面で所定の温度を得るためにはそ
の下部はより高温にしなければならず、その熱のために
基板がダメ−ジを受けるといった問題がある。
【０００５】本発明の目的は、基板ホルダーからの熱放
射による熱損失をできるだけ少なくして、加熱効率を向
上させると共に、複数の基板を同時に処理可能にしたＣ
ＶＤ方法及び装置を提供することにある。
射による熱損失をできるだけ少なくして、加熱効率を向
上させると共に、複数の基板を同時に処理可能にしたＣ
ＶＤ方法及び装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明のＣＶＤ方法
は、ＣＶＤ反応室において、基板加熱可能な基板ホルダ
−と熱反射板とを互いに接近して配置することによって
基板ホルダーと熱反射板とで囲まれた空間を形成し、そ
の空間内に原料ガスを導入して、この空間内で基板上に
成膜するものである。基板ホルダーと熱反射板の配置形
態は種々のものが考えられる。例えば、一対の円形基板
ホルダーを対向させて、基板ホルダーの外周部に接近し
て、概略円筒状の熱反射板を配置することができる。あ
るいは、一つの基板ホルダーの基板配置側の空間を熱反
射板で取り囲むようにすることもできる。また、３個以
上の基板ホルダーを基板配置側が互いに内側に向くよう
に垂直に配置して空間を形成し、この空間の上下に熱反
射板を配置することもできる。いずれにしても、基板ホ
ルダーの基板配置側の表面と熱反射板とで、ほぼ閉じた
空間を形成できればよい。この場合、放射熱がこの空間
から空間外部にできるだけ逃げないようにすることが大
事である。ただし、この空間はガス導入すると同時に排
気もする必要があるので、完全な密閉空間としてはなら
ない。
は、ＣＶＤ反応室において、基板加熱可能な基板ホルダ
−と熱反射板とを互いに接近して配置することによって
基板ホルダーと熱反射板とで囲まれた空間を形成し、そ
の空間内に原料ガスを導入して、この空間内で基板上に
成膜するものである。基板ホルダーと熱反射板の配置形
態は種々のものが考えられる。例えば、一対の円形基板
ホルダーを対向させて、基板ホルダーの外周部に接近し
て、概略円筒状の熱反射板を配置することができる。あ
るいは、一つの基板ホルダーの基板配置側の空間を熱反
射板で取り囲むようにすることもできる。また、３個以
上の基板ホルダーを基板配置側が互いに内側に向くよう
に垂直に配置して空間を形成し、この空間の上下に熱反
射板を配置することもできる。いずれにしても、基板ホ
ルダーの基板配置側の表面と熱反射板とで、ほぼ閉じた
空間を形成できればよい。この場合、放射熱がこの空間
から空間外部にできるだけ逃げないようにすることが大
事である。ただし、この空間はガス導入すると同時に排
気もする必要があるので、完全な密閉空間としてはなら
ない。
【０００７】第２の発明は、第１の発明において、原料
ガスとしてチタン化合物と窒素化合物とを用い、基板上
にＴｉＮ膜を形成するものである。チタン化合物として
はＴｉＣｌ4や有機チタン化合物を、窒素化合物として
はＮＨ3やＮ2、ＮＨ4を用いることができる。
ガスとしてチタン化合物と窒素化合物とを用い、基板上
にＴｉＮ膜を形成するものである。チタン化合物として
はＴｉＣｌ4や有機チタン化合物を、窒素化合物として
はＮＨ3やＮ2、ＮＨ4を用いることができる。
【０００８】第３の発明のＣＶＤ装置は、ＣＶＤ反応室
内において互いに対向して配置された一対の加熱可能な
基板ホルダ−と、前記一対の基板ホルダーの間の空間を
取り囲むように配置された熱反射板と、前記空間内に原
料ガスを導入するガス導入装置とを備えるものである。
内において互いに対向して配置された一対の加熱可能な
基板ホルダ−と、前記一対の基板ホルダーの間の空間を
取り囲むように配置された熱反射板と、前記空間内に原
料ガスを導入するガス導入装置とを備えるものである。
【０００９】第４の発明は、第３の発明において、前記
一対の基板ホルダーを移動可能にして基板ホルダー間の
距離を変更可能にしたものである。
一対の基板ホルダーを移動可能にして基板ホルダー間の
距離を変更可能にしたものである。
【００１０】第５の発明は、第３の発明において、前記
一対の基板ホルダーの外周部から中心部に向かって原料
ガスを導入するものである。
一対の基板ホルダーの外周部から中心部に向かって原料
ガスを導入するものである。
【００１１】第６の発明は、第５の発明において、前記
ガス導入装置が同軸二重円管を備えるものである。
ガス導入装置が同軸二重円管を備えるものである。
【００１２】第７の発明は、第３の発明において、前記
熱反射板が複数層になっているものである。
熱反射板が複数層になっているものである。
【００１３】
【作用】従来の熱ＣＶＤ法であれば、基板表面から放射
された熱は単なる熱損失となり、基板を一定温度に維持
するにはその損失分だけ多くの加熱量が必要となる。こ
れに対して、本発明のように、基板ホルダーと熱反射板
とで空間を形成して、この空間内で基板上に成膜するこ
とにより、基板表面から放射された熱は、この空間の境
界を形成する他の基板を加熱したり、熱反射板によって
反射されたりして、熱損失とはならない。したがって、
従来に比べて、基板を所定の温度に加熱維持するのに必
要な加熱量が少なくてすむ。また、基板の熱ダメージも
少なくなる。
された熱は単なる熱損失となり、基板を一定温度に維持
するにはその損失分だけ多くの加熱量が必要となる。こ
れに対して、本発明のように、基板ホルダーと熱反射板
とで空間を形成して、この空間内で基板上に成膜するこ
とにより、基板表面から放射された熱は、この空間の境
界を形成する他の基板を加熱したり、熱反射板によって
反射されたりして、熱損失とはならない。したがって、
従来に比べて、基板を所定の温度に加熱維持するのに必
要な加熱量が少なくてすむ。また、基板の熱ダメージも
少なくなる。
【００１４】また、複数の基板ホルダーと熱反射板とを
利用して空間を形成するようにした場合は、複数の基板
に対して同時に成膜できるのでＣＶＤ装置のスループッ
ト（基板処理能力）が向上する。
利用して空間を形成するようにした場合は、複数の基板
に対して同時に成膜できるのでＣＶＤ装置のスループッ
ト（基板処理能力）が向上する。
【００１５】
【実施例】図１は本発明のＣＶＤ装置の一実施例の正面
断面図である。ＣＶＤ反応室１０は、排気バルブ１２を
通してタ−ボ分子ポンプ１４とロ−タリ−ポンプ１６に
よって排気される。ＣＶＤ反応室１０内には、一対の円
形の基板ホルダー１８、２０が対向して配置されてい
る。基板ホルダ−１８は基板加熱ヒ−タ−２２を内蔵し
ている。基板ホルダー１８は複数の支持棒２４に固定さ
れ、この支持棒２４は支持棒スリーブ２６を通して水平
方向に移動可能である。したがって、支持棒２４を移動
させることにより基板ホルダー１８は水平方向に移動で
きる。もう一方の基板ホルダー２０も基板ホルダー１８
と同じ構成である。一方の基板ホルダー１８を図の右方
向に移動させると共に、他方の基板ホルダー２０を左方
向に移動させると、二つの基板ホルダー１８、２０の間
の距離が広がり、その逆方向に移動させると基板ホルダ
ー間の距離が狭くなる。
断面図である。ＣＶＤ反応室１０は、排気バルブ１２を
通してタ−ボ分子ポンプ１４とロ−タリ−ポンプ１６に
よって排気される。ＣＶＤ反応室１０内には、一対の円
形の基板ホルダー１８、２０が対向して配置されてい
る。基板ホルダ−１８は基板加熱ヒ−タ−２２を内蔵し
ている。基板ホルダー１８は複数の支持棒２４に固定さ
れ、この支持棒２４は支持棒スリーブ２６を通して水平
方向に移動可能である。したがって、支持棒２４を移動
させることにより基板ホルダー１８は水平方向に移動で
きる。もう一方の基板ホルダー２０も基板ホルダー１８
と同じ構成である。一方の基板ホルダー１８を図の右方
向に移動させると共に、他方の基板ホルダー２０を左方
向に移動させると、二つの基板ホルダー１８、２０の間
の距離が広がり、その逆方向に移動させると基板ホルダ
ー間の距離が狭くなる。
【００１６】二つの基板ホルダー１８、２０の外周部に
接近するように熱反射板２８が配置されている。この熱
反射板２８は、円形の基板ホルダーの外周部を取り囲む
ことができるように、概略円筒状に形成されている。こ
の実施例では、熱反射板２８は３層構造になっている。
層の数を増加させればさせるほど、熱反射板２８から外
部へと失われる熱量を少なくできる。熱反射板２８は、
放出ガスを少なくするためと、熱反射効率を良くするた
めに、タンタルで作られている。
接近するように熱反射板２８が配置されている。この熱
反射板２８は、円形の基板ホルダーの外周部を取り囲む
ことができるように、概略円筒状に形成されている。こ
の実施例では、熱反射板２８は３層構造になっている。
層の数を増加させればさせるほど、熱反射板２８から外
部へと失われる熱量を少なくできる。熱反射板２８は、
放出ガスを少なくするためと、熱反射効率を良くするた
めに、タンタルで作られている。
【００１７】上述のような構成により、一対の基板ホル
ダー１８、２０と熱反射板２８とにより、これらに囲ま
れた空間３０が形成される。基板ホルダー１８、２０に
取り付けられた基板３２は、この空間３０内に配置され
ることになり、この基板３２上に成膜される。
ダー１８、２０と熱反射板２８とにより、これらに囲ま
れた空間３０が形成される。基板ホルダー１８、２０に
取り付けられた基板３２は、この空間３０内に配置され
ることになり、この基板３２上に成膜される。
【００１８】空間３０の内部には環状のガス吹き出し管
３４が配置され、このガス吹き出し管３４に二つのガス
導入管３６、３８が接続されている。一方のガス導入管
３６には原料ガスのＴｉＣｌ4を導入し、他方のガス導
入管３８には他方の原料ガスのＮＨ3を導入する。ガス
吹き出し管３４と二つのガス導入管３６、３８とによっ
てガス導入装置が構成されている。
３４が配置され、このガス吹き出し管３４に二つのガス
導入管３６、３８が接続されている。一方のガス導入管
３６には原料ガスのＴｉＣｌ4を導入し、他方のガス導
入管３８には他方の原料ガスのＮＨ3を導入する。ガス
吹き出し管３４と二つのガス導入管３６、３８とによっ
てガス導入装置が構成されている。
【００１９】図２の（Ａ）は、ガス吹き出し管３４の外
管を断面にした側面図であり、（Ｂ）はガス吹き出し管
３４の一部を破断した拡大斜視図である。ガス吹き出し
管３４は２重円管構造になっており、外管４０の内部に
内管４２が配置されている。一方のガス導入管３６は内
管４２に接続されていて、このガス導入管３６を流れて
きたＴｉＣｌ4は、内管４２の内部に入る。他方のガス
導入管３８は外管４０に接続されていて、このガス導入
管３８を流れてきたＮＨ3は外管４０と内管４２の間に
入る。図２の（Ｂ）に良く示されているように、外管４
０と内管４２の内周側には環状のスリット４４、４６が
形成されている。内管４２のスリット４６から出たＴｉ
Ｃｌ4は、外管４０と内管４２の間のＮＨ3と混合して、
外管４０のスリット４４から半径方向内方に吹き出す。
管を断面にした側面図であり、（Ｂ）はガス吹き出し管
３４の一部を破断した拡大斜視図である。ガス吹き出し
管３４は２重円管構造になっており、外管４０の内部に
内管４２が配置されている。一方のガス導入管３６は内
管４２に接続されていて、このガス導入管３６を流れて
きたＴｉＣｌ4は、内管４２の内部に入る。他方のガス
導入管３８は外管４０に接続されていて、このガス導入
管３８を流れてきたＮＨ3は外管４０と内管４２の間に
入る。図２の（Ｂ）に良く示されているように、外管４
０と内管４２の内周側には環状のスリット４４、４６が
形成されている。内管４２のスリット４６から出たＴｉ
Ｃｌ4は、外管４０と内管４２の間のＮＨ3と混合して、
外管４０のスリット４４から半径方向内方に吹き出す。
【００２０】次に、図１に示すＣＶＤ装置を用いてＴｉ
Ｎ薄膜を作製する方法を説明する。まず、二つの基板ホ
ルダー１８、２０の間隔を広げて、それぞれの基板ホル
ダーに基板３２を取り付ける。その後、二つの基板ホル
ダー１８、２０の間隔を狭くしていき、基板間距離を数
ｃｍに設定する。この基板間距離は任意に調節すること
ができて、これにより、空間３０の閉じ込め加減を調節
できるようになっている。ＣＶＤ反応室１０を排気し
て、二つのガス導入管３６、３８からＴｉＣｌ4とＮＨ3
を導入し、ＣＶＤ反応室１０の内部を約１〜１０ｍＴｏ
ｒｒに保つ。ＴｉＣｌ4の流量は約１〜５０ｓｃｃｍで
あり、ＮＨ3の流量は約１００〜５００ｓｃｃｍであ
る。このとき、基板ホルダー１８、２０と熱反射板２８
とによって囲まれた空間３０は、ＣＶＤ反応室１０内の
他の領域に比べて圧力が高くなり、約１００〜５００ｍ
Ｔｏｒｒになる。それぞれの基板ホルダー１８、２０の
基板加熱ヒーター２２に約５００Ｗの電力を投入して、
それぞれの基板温度を５００℃にする。このような条件
で基板３２上にＴｉＮ膜を形成する。
Ｎ薄膜を作製する方法を説明する。まず、二つの基板ホ
ルダー１８、２０の間隔を広げて、それぞれの基板ホル
ダーに基板３２を取り付ける。その後、二つの基板ホル
ダー１８、２０の間隔を狭くしていき、基板間距離を数
ｃｍに設定する。この基板間距離は任意に調節すること
ができて、これにより、空間３０の閉じ込め加減を調節
できるようになっている。ＣＶＤ反応室１０を排気し
て、二つのガス導入管３６、３８からＴｉＣｌ4とＮＨ3
を導入し、ＣＶＤ反応室１０の内部を約１〜１０ｍＴｏ
ｒｒに保つ。ＴｉＣｌ4の流量は約１〜５０ｓｃｃｍで
あり、ＮＨ3の流量は約１００〜５００ｓｃｃｍであ
る。このとき、基板ホルダー１８、２０と熱反射板２８
とによって囲まれた空間３０は、ＣＶＤ反応室１０内の
他の領域に比べて圧力が高くなり、約１００〜５００ｍ
Ｔｏｒｒになる。それぞれの基板ホルダー１８、２０の
基板加熱ヒーター２２に約５００Ｗの電力を投入して、
それぞれの基板温度を５００℃にする。このような条件
で基板３２上にＴｉＮ膜を形成する。
【００２１】以上説明したように、本実施例では、基板
ホルダー１８、２０と熱反射板２８とによって囲まれた
空間３０内においては、ここから外部に漏れる放射熱量
は非常に少なくなり、加熱効率が高くなる。したがっ
て、本実施例では基板温度５００℃を得るために基板１
枚当たり約５００Ｗの電力投入で済み、従来法（１枚当
り約１０００Ｗ）に比べて加熱効率が２倍になる。これ
を詳しく説明すると、従来の熱ＣＶＤ法では所定の温度
を維持するためには基板表面から放射する熱量Ｑ１と基
板ホルダ−裏面から放射する熱量Ｑ２とを加えた熱量Ｑ
１＋Ｑ２を基板ホルダーに投入しなくてはならなかっ
た。これに対して、本実施例では、一対の基板ホルダー
を対向して配置すると共に熱反射板を設置することによ
り、基板表面からの熱放射損失Ｑ１が無視できるため、
２枚の基板を所定温度に維持するための加熱量は２×Ｑ
２となる。もし、Ｑ１＝Ｑ２と仮定すれば、従来法では
基板１枚当りの加熱量は２Ｑ１となり、本実施例では基
板１枚当たりの加熱量はＱ１となる。さらに、本実施例
では同時に２枚の基板が処理できるので基板の１枚当り
の処理時間は従来法の約１／２となる。
ホルダー１８、２０と熱反射板２８とによって囲まれた
空間３０内においては、ここから外部に漏れる放射熱量
は非常に少なくなり、加熱効率が高くなる。したがっ
て、本実施例では基板温度５００℃を得るために基板１
枚当たり約５００Ｗの電力投入で済み、従来法（１枚当
り約１０００Ｗ）に比べて加熱効率が２倍になる。これ
を詳しく説明すると、従来の熱ＣＶＤ法では所定の温度
を維持するためには基板表面から放射する熱量Ｑ１と基
板ホルダ−裏面から放射する熱量Ｑ２とを加えた熱量Ｑ
１＋Ｑ２を基板ホルダーに投入しなくてはならなかっ
た。これに対して、本実施例では、一対の基板ホルダー
を対向して配置すると共に熱反射板を設置することによ
り、基板表面からの熱放射損失Ｑ１が無視できるため、
２枚の基板を所定温度に維持するための加熱量は２×Ｑ
２となる。もし、Ｑ１＝Ｑ２と仮定すれば、従来法では
基板１枚当りの加熱量は２Ｑ１となり、本実施例では基
板１枚当たりの加熱量はＱ１となる。さらに、本実施例
では同時に２枚の基板が処理できるので基板の１枚当り
の処理時間は従来法の約１／２となる。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、基板ホルダーと熱反射板とで
空間を形成して、この空間内で基板上に成膜することに
より、基板表面から放射された熱が熱損失とはならず、
従来に比べて、基板を所定の温度に加熱維持するのに必
要な加熱量が少なくてすむ。また、基板の熱ダメージも
少なくなる。さらに、複数の基板ホルダーと熱反射板と
を利用して空間を形成するようにした場合は、複数の基
板に対して同時に成膜できるのでＣＶＤ装置のスループ
ット（基板処理能力）が向上する。
空間を形成して、この空間内で基板上に成膜することに
より、基板表面から放射された熱が熱損失とはならず、
従来に比べて、基板を所定の温度に加熱維持するのに必
要な加熱量が少なくてすむ。また、基板の熱ダメージも
少なくなる。さらに、複数の基板ホルダーと熱反射板と
を利用して空間を形成するようにした場合は、複数の基
板に対して同時に成膜できるのでＣＶＤ装置のスループ
ット（基板処理能力）が向上する。
【図１】本発明のＣＶＤ装置の一実施例の正面断面図で
ある。
ある。
【図２】（Ａ）はガス吹き出し管の外管を断面にした側
面図であり、（Ｂ）はガス吹き出し管の一部を破断した
拡大斜視図である。
面図であり、（Ｂ）はガス吹き出し管の一部を破断した
拡大斜視図である。
１０…ＣＶＤ反応室 １８、２０…基板ホルダー ２２…基板加熱ヒーター ２４…支持棒 ２８…熱反射板 ３０…空間 ３２…基板 ３４…ガス吹き出し管 ３６、３８…ガス導入管
Claims (7)
- 【請求項１】 ＣＶＤ反応室において、基板加熱可能な
基板ホルダ−と熱反射板とを互いに接近して配置するこ
とによって基板ホルダーと熱反射板とで囲まれた空間を
形成し、その空間内に原料ガスを導入して、この空間内
で基板上に成膜することを特徴とするＣＶＤ方法。 - 【請求項２】 原料ガスとしてチタン化合物と窒素化合
物とを用い、基板上にＴｉＮ膜を形成することを特徴と
する請求項１記載のＣＶＤ方法。 - 【請求項３】 ＣＶＤ反応室内において互いに対向して
配置された一対の加熱可能な基板ホルダ−と、前記一対
の基板ホルダーの間の空間を取り囲むように配置された
熱反射板と、前記空間内に原料ガスを導入するガス導入
装置とを備えることを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記一対の基板ホルダーを移動可能にし
て基板ホルダー間の距離を変更可能にしたことを特徴と
する請求項３記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 前記一対の基板ホルダーの外周部から中
心部に向かって原料ガスが導入されることを特徴とする
請求項３記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 前記ガス導入装置が同軸二重円管を備え
ることを特徴とする請求項５記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項７】 前記熱反射板が複数層になっていること
を特徴とする請求項３記載のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16007292A JPH05331647A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | Ｃｖｄ方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16007292A JPH05331647A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | Ｃｖｄ方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05331647A true JPH05331647A (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=15707283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16007292A Pending JPH05331647A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | Ｃｖｄ方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05331647A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR100707791B1 (ko) * | 2005-04-25 | 2007-04-13 | 주식회사 테라세미콘 | 반도체 제조방법 및 반도체 제조장치 |
| WO2009025408A1 (en) * | 2007-08-22 | 2009-02-26 | Terasemicon Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus |
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-
1992
- 1992-05-28 JP JP16007292A patent/JPH05331647A/ja active Pending
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