JPH0533250U - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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- Storage Device Security (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】記憶部のデータに対し秘匿性を持たせ、かつ記
憶部の検査が容易にできるようにする。
【構成】セレクト信号CSが能動レベルとなる回数によ
り、外部と接続する第1のデータバス3bと記憶部1と
接続する第2のデータバス3bとの間の接続を制御する
選択回路制御回路4及びバス接続制御回路5を設ける。
選択回路制御回路4の出力信号(NJ)により記憶部1
への書込み制御信号(内部書込み信号IW)及び読出し
制御信号(内部読見出し信号IR)を制御する信号制御
回路9を設ける。第1及び第2のデータバス3a,3b
のテータを比較しその結果を出力する。ラッチ回路7及
び出力回路8を設ける。
(57) [Summary] [Purpose] To give confidentiality to the data in the storage unit and to facilitate inspection of the storage unit. A selection circuit control circuit 4 for controlling the connection between a first data bus 3b connected to the outside and a second data bus 3b connected to the storage unit 1 according to the number of times the select signal CS becomes an active level. And a bus connection control circuit 5.
The storage unit 1 according to the output signal (NJ) of the selection circuit control circuit 4
A signal control circuit 9 for controlling a write control signal (internal write signal IW) and a read control signal (internal read header signal IR) is provided. First and second data buses 3a, 3b
The data of is compared and the result is output. A latch circuit 7 and an output circuit 8 are provided.
Description
【0001】[0001]
本考案は半導体集積回路に関し、特に書換え可能なメモリを有し、外部からデ ータの書込み,読出しが制御できる半導体集積回路に関する。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a semiconductor integrated circuit having a rewritable memory and capable of externally controlling writing and reading of data.
【0002】[0002]
従来、この種の半導体集積回路は、図3に示すように、セレクト信号CSが能 動レベルになると活性化し、書込み制御信号WRが能動レベルのときアドレス信 号A0〜A15で指定されたアドレスにデータを書込み、読出し制御信号RDが 能動レベルのときアドレス信号A0〜A15で指定されたアドレスからデータを 読出す記憶部1と、アドレス信号A0〜A15を記憶部1へ伝達するアドレスバ ス2と、外部からのデータを記憶部1へ、記憶部1からのデータを外部へ伝達す るデータバス3とを有する構成となっていた。 Conventionally, this kind of semiconductor integrated circuit is activated when the select signal CS becomes the active level and becomes the address specified by the address signals A0 to A15 when the write control signal WR is the active level, as shown in FIG. A memory unit 1 for writing data and reading data from an address specified by the address signals A0 to A15 when the read control signal RD is at an active level, and an address bus 2 for transmitting the address signals A0 to A15 to the memory unit 1. The data bus 3 transmits external data to the storage unit 1 and transmits data from the storage unit 1 to the outside.
【0003】 次にこの半導体集積回路の動作について説明する。図4はこの半導体集積回路 の動作を説明するための各部信号のタイミング図である。Next, the operation of this semiconductor integrated circuit will be described. FIG. 4 is a timing chart of signals of respective parts for explaining the operation of the semiconductor integrated circuit.
【0004】 最初に外部から記憶部1にデータを書込む場合について説明する。書込むアド レスのアドレス信号A0〜A15をアドレスバス2を介して記憶部1に伝達し、 書込むデータD0〜D7をデータバス3を介して記憶部1に伝達すると共に、外 部から能動レベル(低レベル)の書込み制御信号WRを入力することにより記憶 部1にデータが書込まれる(図4のライトサイクル)。First, a case where data is externally written in the storage unit 1 will be described. Address signals A0 to A15 to be written are transmitted to the storage unit 1 via the address bus 2, data D0 to D7 to be written are transmitted to the storage unit 1 via the data bus 3, and at the same time an external active level signal is generated. By inputting the (low level) write control signal WR, data is written in the storage unit 1 (write cycle in FIG. 4).
【0005】 次に外部から、記憶部1のデータを読出す場合について説明する。読出すアド レスのアドレス信号A0〜A15をアドレスバス2を介して記憶部1に伝達し、 記憶部1に外部から読出し制御信号RDを入力することにより、データD0〜D 7をデータバス3を介して外部へ読出すことができる(図4のリードサイクル) 。Next, a case where data in the storage unit 1 is read from the outside will be described. The address signals A0 to A15 to be read are transmitted to the storage unit 1 via the address bus 2 and the read control signal RD is externally input to the storage unit 1 to transfer the data D0 to D7 to the data bus 3. It is possible to read out to the outside through (the read cycle of FIG. 4).
【0006】[0006]
上述した従来の半導体集積回路は、外部から記憶部1へのデータの書込み、記 憶部1からのデータの読出しが常に可能であるために、記憶部1のデータの秘匿 性が保てないという欠点がある。 In the conventional semiconductor integrated circuit described above, it is possible to always write data to the storage unit 1 from the outside and read data from the storage unit 1, so that the confidentiality of the data in the storage unit 1 cannot be maintained. There are drawbacks.
【0007】 また、ただ単に読出せないようにしてしまうと、記憶部1の検査ができなくな るという欠点がある。Further, if the reading is simply disabled, the storage unit 1 cannot be inspected.
【0008】 本考案の目的は、記憶部のデータに対して秘匿性を有し、かつ記憶部の検査が 容易にできる半導体集積回路を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit that has confidentiality with respect to data in a storage unit and can easily inspect the storage unit.
【0009】[0009]
本考案の半導体集積回路は、セレクト信号が能動レベルになると活性化し内部 書込み信号が能動レベルのときアドレス信号で指定されたアドレスにデータを書 込み内部読出し信号が能動レベルのとき前記アドレス信号で指定されたアドレス からデータを読出す記憶部と、この記憶部と接続しこの記憶部へのデータ及びこ の記憶部からのデータを伝達する第1のデータバスと、データ入出力端子と接続 し前記記憶部への外部からのデータ及び前記記憶部からのデータを伝達する第2 のデータバスと、前記セレクト信号が能動レベルとなる回数を判定しこの回数が 予め設定された第1の回数のときは第1のレベル、第2の回数のときは第2のレ ベルとなる回数判定信号を出力する選択回数判定回路と、前記回数判定信号が第 1のレベルのときは前記第1のデータバスと第2のデータバスとを接続し第2の レベルのときは切離すバス接続制御回路と、前記第1のデータバスのデータと前 記第2のデータバスのデータとを比較し一致したか否かを判定して比較判定信号 を出力する比較回路と、前記比較判定信号を所定のタイミングでラッチし外部へ 出力する比較判定信号出力回路と、前記回数判定信号が第1のレベルのとき書込 み制御信号が能動レベルであれば前記内部書込み信号を能動レベルとし前記回数 判定信号が第2のレベルのとき前記書込み制御信号が非能動レベルであれば前記 内部読出し信号を能動レベルとする信号制御回路とを有している。 The semiconductor integrated circuit of the present invention is activated when the select signal becomes the active level and writes data to the address specified by the address signal when the internal write signal is at the active level and specifies the address signal when the internal read signal is at the active level. Connected to a memory unit for reading data from the stored address, a first data bus connected to this memory unit for transmitting data to and from this memory unit, and a data input / output terminal. A second data bus for transmitting data from the outside to the storage unit and data from the storage unit and the number of times the select signal becomes the active level are determined, and when this number is the first preset number Is a first level, and a number-of-times determination circuit that outputs a number-of-times determination signal that is a second level when the number of times is the second number; Is a bus connection control circuit that connects the first data bus and the second data bus and disconnects the second data bus at the second level; the data of the first data bus and the data of the second data bus. And a comparison judgment signal output circuit for latching the comparison judgment signal at a predetermined timing and outputting the result to the outside, and the number of times judgment signal When the write control signal is the active level when the first level, the internal write signal is the active level, and when the number determination signal is the second level, the internal read signal is the inactive level when the write control signal is the inactive level. A signal control circuit for setting a signal to an active level.
【0010】[0010]
次に本考案の実施例について図面を参照して説明する。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0011】 図1は本考案の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
【0012】 この実施例は、セレクト信号CSが能動レベル(低レベル)になると活性化し 内部書込み信号IWが能動レベル(低レベル)のときアドレスバス2を介して入 力されるアドレス信号A0〜A15で指定されたアドレスにデータを書込み、内 部読出し信号IRが能動レベル(低レベル)のときアドレス信号A0〜A15で 指定されたアドレスからデータを読出す記憶部1と、この記憶部1と接続し記憶 部1へのデータ及びこの記憶部1からのデータを伝達する第1のデータバス3a と、データ入出力端子と接続し記憶部1への外部からのデータ及び記憶部1から のデータを伝達する第2のデータバス3bとセレクト信号CSが能動レベルとな る回数を判定しこの回数が予め設定された第1の回数(1回目)のときは高レベ ル、第2の回数(2回目)のときは低レベルとなる回数判定信号NJを出力する 選択回数判定回路4と、回数判定信号NJが高レベルのときは第1のデータバス 3aと第2のデータバス3bとを接続し低レベルのときは切離すバス接続制御回 路5と、第1のデータバス3aのデータと第2のデータバス3bのデータとを比 較し一致した否かを判定して比較判定信号CJを出力する比較回路6と、比較判 定信号CJを所定のタイミングでラッチし外部へ出力(CJO)する比較判定信 号出力回路のラッチ回路7及び出力回路8と、回数判定信号NJが高レベルのと き書込み制御信号WRが能動レベル(低レベル)であれば内部書込み信号IWを 能動レベル(低レベル)とし回数判定信号NJが高レベルのとき書込み制御信号 が非能動レベル(低レベル)であれば内部読出し信号IRを能動レベル(低レベ ル)とする信号制御回路9とを有する構成となっている。なお、選択回数判定回 路4はT型フリップフロップで、ラッチ回路7は3ステートバッファB1とD型 フリップフロップDFF1とで、出力回路8はDフリップフロップDFF2で、 信号制御回路9は3ステートバッファB2,B3でそれぞれ構成されている。In this embodiment, the address signals A0 to A15 which are activated when the select signal CS becomes the active level (low level) and which are input via the address bus 2 when the internal write signal IW is the active level (low level). A storage unit 1 for writing data to the address specified by and reading the data from the address specified by the address signals A0 to A15 when the internal read signal IR is at an active level (low level); The first data bus 3a for transmitting data to and from the storage unit 1 and the data input / output terminal are connected to the external data to the storage unit 1 and the data from the storage unit 1. The number of times that the second data bus 3b to be transmitted and the select signal CS become the active level is determined, and when this number is the preset first number (first time), the high level is set. , The selection number determination circuit 4 which outputs the number determination signal NJ which becomes the low level at the second number (second time), and the first data bus 3a and the second number when the number determination signal NJ is at the high level. The bus connection control circuit 5 that connects the data bus 3b and disconnects it when the level is low is compared with the data of the first data bus 3a and the data of the second data bus 3b to determine whether or not they match. And the comparison circuit 6 which outputs the comparison determination signal CJ, and the latch circuit 7 and the output circuit 8 of the comparison determination signal output circuit which latch the comparison determination signal CJ at a predetermined timing and output it to the outside (CJO). If the write control signal WR is at an active level (low level) when the determination signal NJ is at a high level, the internal write signal IW is set at an active level (low level) and the write control signal is inactive when the number determination signal NJ is at a high level. level If low level) the internal read signal IR active level (has a configuration and a signal control circuit 9, a low level). The selection number determination circuit 4 is a T-type flip-flop, the latch circuit 7 is a 3-state buffer B1 and a D-type flip-flop DFF1, the output circuit 8 is a D flip-flop DFF2, and the signal control circuit 9 is a 3-state buffer. B2 and B3 respectively.
【0013】 次に、この実施例の動作について説明する。図2はこの実施例の動作を説明す るための各部信号のタイミング図である。Next, the operation of this embodiment will be described. FIG. 2 is a timing chart of signals of respective parts for explaining the operation of this embodiment.
【0014】 初期状態において、選択回路判定回路4及び出力回路8はリセット信号RST によりリセットされていて回数判定信号NJ及び出力比較判定信号CJOは低レ ベルであるとする。In the initial state, the selection circuit determination circuit 4 and the output circuit 8 are reset by the reset signal RST, and the frequency determination signal NJ and the output comparison determination signal CJO are low level.
【0015】 1回目のセレクト信号CS能動レベルにより回数判定信号NJは高レベルにな るので、3ステートバッファB2は活性化し、バス接続制御回路5はデータバス 3a,3b間を接続する。また3ステートバッファB1,B3は非活性状態とな る。この状態は記憶部1にデータを書込む状態であるので、アドレス信号A0〜 A15の指定するアドレスに、外部からのデータED0〜ED7が、データバス 3b及びデータバス3aを伝達して書込まれる。The number determination signal NJ goes high due to the first active level of the select signal CS, so that the 3-state buffer B2 is activated and the bus connection control circuit 5 connects the data buses 3a and 3b. Further, the 3-state buffers B1 and B3 are inactivated. In this state, since data is written in the storage unit 1, data ED0 to ED7 from the outside are written to the addresses designated by the address signals A0 to A15 through the data buses 3b and 3a. ..
【0016】 次に2回目のセレクト信号CS能動レベルにより回数判定信号NJは低レベル になるので、3ステートバッファB2は非活性状態となり、バス接続制御回路は データバス3a,3b間を切離す。また、3ステートバッファB1,B3は活性 化する。この状態は記憶部1からデータを読出しこのデータと外部入力のデータ とを比較する状態であるので、アドレス信号A0〜A15で指定するアドレスの データID0〜ID7がデータバス3aを介して比較回路6に入力され、外部入 力のデータED0〜ED7がデータバス3bを介して比較回路6に入力され比較 される。Next, since the number determination signal NJ becomes low level by the second active level of the select signal CS, the 3-state buffer B2 becomes inactive, and the bus connection control circuit disconnects the data buses 3a and 3b. Also, the 3-state buffers B1 and B3 are activated. In this state, data is read from the storage unit 1 and this data is compared with externally input data. Externally input data ED0 to ED7 are input to the comparison circuit 6 via the data bus 3b and compared.
【0017】 その結果、比較判定信号CJが、外部入力のデータED0〜ED7と読出され たデータID0〜ID7とが一致したと判断されると低レベル、不一致と判断さ れる高レベルとなる。As a result, the comparison determination signal CJ becomes low level when it is determined that the externally input data ED0 to ED7 and the read data ID0 to ID7 match, and becomes high level when it is determined that they do not match.
【0018】 この比較判定信号CJが書込み制御信号WRと立上りエッジでラッチされ出力 回路8を介して外部へ出力(CJO)される。The comparison determination signal CJ is latched with the write control signal WR at the rising edge and is output (CJO) to the outside through the output circuit 8.
【0019】 こうして記憶部1が正常に動作するか否かの検査ができる。In this way, it is possible to inspect whether the storage unit 1 operates normally.
【0020】 この実施例においては、セレクト信号CSが能動レベルとなる回数が、1回目 のときは外部から記憶部1へのデータ書込み状態となり、2回目のときは記憶部 1からのデータ読出し状態となる。しかし、記憶部1からのデータ読出し状態で あっても、読出されたデータは外部へ出力されることなく、内部で使用されたり 比較検査されたりする。またセレクト信号CS能動レベルを1回目の状態にして データバス3a,3b間を接続し、書込み制御信号WRのレベルを制御して読出 し状態としようとしても、データバス3a,3b間が接続状態のときは3ステー トバッファB3が非活性状態であるので内部読出し信号IRは能動レベルになら ず、記憶部1を読出し状態にすることができない。従って記憶部1のデータを秘 匿することができる。In this embodiment, when the number of times that the select signal CS becomes the active level is the first time, it is the state of writing data from the outside to the storage unit 1 and when it is the second time, the state of reading the data from the storage unit 1. Becomes However, even when data is being read from the storage unit 1, the read data is not output to the outside but used internally or subjected to comparison inspection. Even if the active state of the select signal CS is set to the first state and the data buses 3a and 3b are connected to each other and the level of the write control signal WR is controlled to make the read state, the data buses 3a and 3b are connected to each other. At this time, since the 3-state buffer B3 is inactive, the internal read signal IR does not go to the active level, and the memory 1 cannot be put into the read state. Therefore, the data in the storage unit 1 can be kept secret.
【0021】 また、記憶部1が破壊されない限り、データの書直し、再検査は容易にできる 。Further, as long as the storage unit 1 is not destroyed, data rewriting and reinspection can be easily performed.
【0022】[0022]
以上説明したように本考案は、セレクト信号が能動レベルとなる回数により、 外部と接続する第1データバスと記憶部と接続する第2のデータバスとの間の接 続を制御すると共に、記憶部への書込み制御信号(内部書込み信号)及び読出し 制御信号(内部読出し)を制御し、第1及び第2のデータバスのデータを比較し その結果を出力する構成とすることにより、第1及び第2のデータバス間が接続 されている状態では記憶部のデータを読出すことができないので記憶部のデータ の秘匿性を保つことができ、また、記憶部から読出されたデータと外部からのデ ータを比較しその比較結果を知ることができるので、容易に記憶部の検査を行う ことができる効果がある。 As described above, according to the present invention, the connection between the first data bus connected to the outside and the second data bus connected to the storage unit is controlled by the number of times the select signal becomes the active level, and the storage is performed. By controlling the write control signal (internal write signal) and the read control signal (internal read) to the part, comparing the data of the first and second data buses, and outputting the result, Since the data in the storage unit cannot be read while the second data buses are connected, the confidentiality of the data in the storage unit can be maintained, and the data read from the storage unit and external Since the data can be compared and the comparison result can be known, there is an effect that the storage unit can be easily inspected.
【図1】本考案の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示された実施例の動作を説明するための
各部信号のタイミング図である。FIG. 2 is a timing chart of signals of respective parts for explaining the operation of the embodiment shown in FIG.
【図3】従来の半導体集積回路を一例を示す回路図であ
る。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional semiconductor integrated circuit.
【図4】図3に示された半導体集積回路の動作を説明す
るための各部信号のタイミング図である。FIG. 4 is a timing chart of signals of respective parts for explaining the operation of the semiconductor integrated circuit shown in FIG.
1 記憶部 2 アドレスバス 3,3a,3b データバス 4 選択回路判定回路 5 バス接続制御回路 6 比較回路 7 ラッチ回路 8 出力回路 9 信号制御回路 1 storage unit 2 address bus 3, 3a, 3b data bus 4 selection circuit determination circuit 5 bus connection control circuit 6 comparison circuit 7 latch circuit 8 output circuit 9 signal control circuit
Claims (1)
化し内部書込み信号が能動レベルのときアドレス信号で
指定されたアドレスにデータを書込み内部読出し信号が
能動レベルのとき前記アドレス信号で指定されたアドレ
スからデータを読出す記憶部と、この記憶部と接続しこ
の記憶部へのデータ及びこの記憶部からのデータを伝達
する第1のデータバスと、データ入出力端子と接続し前
記記憶部への外部からのデータ及び前記記憶部からのデ
ータを伝達する第2のデータバスと、前記セレクト信号
が能動レベルとなる回数を判定しこの回数が予め設定さ
れた第1の回数のときは第1のレベル、第2の回数のと
きは第2のレベルとなる回数判定信号を出力する選択回
数判定回路と、前記回数判定信号が第1のレベルのとき
は前記第1のデータバスと第2のデータバスとを接続し
第2のレベルのときは切離すバス接続制御回路と、前記
第1のデータバスのデータと前記第2のデータバスのデ
ータとを比較し一致したか否かを判定して比較判定信号
を出力する比較回路と、前記比較判定信号を所定のタイ
ミングでラッチし外部へ出力する比較判定信号出力回路
と、前記回数判定信号が第1のレベルのとき書込み制御
信号が能動レベルであれば前記内部書込み信号を能動レ
ベルとし前記回数判定信号が第2のレベルのとき前記書
込み制御信号が非能動レベルであれば前記内部読出し信
号を能動レベルとする信号制御回路とを有することを特
徴とする半導体集積回路。1. When the select signal becomes active level, it is activated, and when the internal write signal is active level, data is written to the address specified by the address signal. When the internal read signal is active level, the address specified by the address signal is written. A storage unit for reading out data, a first data bus connected to the storage unit for transmitting data to and from the storage unit, and a data input / output terminal for external connection to the storage unit And a second data bus for transmitting data from the storage unit and the data from the storage unit, and the number of times the select signal becomes the active level is determined, and when this number is the preset first number, the first level , A selection number determination circuit that outputs a number determination signal that becomes a second level when the number of times is the second number, and the first data when the number determination signal is at the first level. The bus connection control circuit that connects the bus and the second data bus and disconnects the bus at the second level and the data of the first data bus and the data of the second data bus are compared to determine whether they match. A comparison circuit that determines whether or not the comparison judgment signal is output, a comparison judgment signal output circuit that latches the comparison judgment signal at a predetermined timing and outputs the signal to the outside, and a write operation when the number judgment signal is at the first level A signal control circuit that sets the internal write signal to the active level when the control signal is at the active level and sets the internal read signal to the active level when the write control signal is at the inactive level when the number-of-times determination signal is at the second level And a semiconductor integrated circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP078888U JPH0533250U (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP078888U JPH0533250U (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0533250U true JPH0533250U (en) | 1993-04-30 |
Family
ID=13674352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP078888U Pending JPH0533250U (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0533250U (en) |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP078888U patent/JPH0533250U/en active Pending
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