JPH05333524A - 位相シフトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクおよびその製造方法Info
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- JPH05333524A JPH05333524A JP14388292A JP14388292A JPH05333524A JP H05333524 A JPH05333524 A JP H05333524A JP 14388292 A JP14388292 A JP 14388292A JP 14388292 A JP14388292 A JP 14388292A JP H05333524 A JPH05333524 A JP H05333524A
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- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】補助パターン方式の位相シフトマスクにおい
て、補助パターンの形成を容易にする。 【構成】透明基板１上の遮光膜２に第１の開口５を形成
し、その上に透明膜３を形成する。その後、透明膜３お
よび遮光膜２をエッチングし、第１の開口５の周辺部分
に第２の開口６Ａ，６Ｂを形成する。第２の開口６Ａ，
６Ｂの寸法は第１の開口５と同程度にできるため、第２
の開口６Ａ，６Ｂの形成が安定して行なえる。
て、補助パターンの形成を容易にする。 【構成】透明基板１上の遮光膜２に第１の開口５を形成
し、その上に透明膜３を形成する。その後、透明膜３お
よび遮光膜２をエッチングし、第１の開口５の周辺部分
に第２の開口６Ａ，６Ｂを形成する。第２の開口６Ａ，
６Ｂの寸法は第１の開口５と同程度にできるため、第２
の開口６Ａ，６Ｂの形成が安定して行なえる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子製造のリソク
ラフィ工程に用いられる、縮小投影露光用の位相シフト
マスクおよびその製造方法に関する。
ラフィ工程に用いられる、縮小投影露光用の位相シフト
マスクおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子製造のリソグラフィ技術とし
ては、一般にフォトリソグラフィが用いられてきた。半
導体素子の高密度・高集積化の為フォトリソグラフィの
分野においては、これまで主に露光装置の高ＮＡ化，短
波長化が進められ、より微細パターンの形成が可能とな
ってきた。そして現在、最小寸法が０．５μｍ程度の半
導体素子の製造もフォトリソグラフィにより可能となっ
ている。
ては、一般にフォトリソグラフィが用いられてきた。半
導体素子の高密度・高集積化の為フォトリソグラフィの
分野においては、これまで主に露光装置の高ＮＡ化，短
波長化が進められ、より微細パターンの形成が可能とな
ってきた。そして現在、最小寸法が０．５μｍ程度の半
導体素子の製造もフォトリソグラフィにより可能となっ
ている。
【０００３】しかし、露光装置の高ＮＡ化，短波長化に
より解像力は向上するものの、反対に焦点深度は減少し
てしまう。そのため、焦点深度の確保がより重要な問題
となってきた。焦点深度の点から、これまでのような単
純な高ＮＡ化，短波長化による解像力の向上は困難とな
ってきた。
より解像力は向上するものの、反対に焦点深度は減少し
てしまう。そのため、焦点深度の確保がより重要な問題
となってきた。焦点深度の点から、これまでのような単
純な高ＮＡ化，短波長化による解像力の向上は困難とな
ってきた。
【０００４】そこで近年、解像力及び焦点深度を向上さ
せフォトリソグラフィの限界を延ばす方法として位相シ
フト法が注目されている。位相シフト法はニコンによる
特願昭５５−１３６４８３号公報及びＩＢＭによるアイ
・イー・イー・イー・トランズクションズ・オン・エレ
クトロン・デバイセス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉ
ｏｎｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ）ｖｏｌ．
ＥＤ−２９，ｐ１８２８−ｐ１８３６，１９８２によ
り、ほぼ同時期に提案された。
せフォトリソグラフィの限界を延ばす方法として位相シ
フト法が注目されている。位相シフト法はニコンによる
特願昭５５−１３６４８３号公報及びＩＢＭによるアイ
・イー・イー・イー・トランズクションズ・オン・エレ
クトロン・デバイセス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉ
ｏｎｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ）ｖｏｌ．
ＥＤ−２９，ｐ１８２８−ｐ１８３６，１９８２によ
り、ほぼ同時期に提案された。
【０００５】この方法はフォトマスク上の隣接する開口
の一方の上に透明膜を形成し、透過する光の位相を互い
に１８０度異ならせるものである。位相シフトマスクを
用いない場合、隣接する開口の間隔が狭くなると、回折
により開口間の本来遮光部となる領域に光が漏れ、隣接
する開口が分離されなくなる。一方、位相シフトマスク
では、隣接する開口を透過する光の位相が互いに１８０
度異なっているため、隣接する開口間で漏れた光が打ち
消し合い遮光領域を形成する。そのためより微細な寸法
まで分離して解像出来る。
の一方の上に透明膜を形成し、透過する光の位相を互い
に１８０度異ならせるものである。位相シフトマスクを
用いない場合、隣接する開口の間隔が狭くなると、回折
により開口間の本来遮光部となる領域に光が漏れ、隣接
する開口が分離されなくなる。一方、位相シフトマスク
では、隣接する開口を透過する光の位相が互いに１８０
度異なっているため、隣接する開口間で漏れた光が打ち
消し合い遮光領域を形成する。そのためより微細な寸法
まで分離して解像出来る。
【０００６】この最初の位相シフトマスク（以後レベン
ソン型と呼ぶ）は、繰り返しパターンのような密集した
パターンにしか適用できなかったが、その後孤立したパ
ターンに適用する方法が、例えばプロシーデイングスオ
ブ エス ピー アイ イー：オプティカル レーザー
マイクロリソグラフィ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ
ＳＰＩＥ：Ｏｐｔｉｃｆｌ／Ｌａｓｅｒ Ｍｉｃｒｏ
ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）２ｖｏｌ．１０８８，ｐ２５
〜３３（１９８９）が提案されている。以下この一般に
補助パターン方式と呼ばれる位相シフトマスクについて
説明する。
ソン型と呼ぶ）は、繰り返しパターンのような密集した
パターンにしか適用できなかったが、その後孤立したパ
ターンに適用する方法が、例えばプロシーデイングスオ
ブ エス ピー アイ イー：オプティカル レーザー
マイクロリソグラフィ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ
ＳＰＩＥ：Ｏｐｔｉｃｆｌ／Ｌａｓｅｒ Ｍｉｃｒｏ
ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）２ｖｏｌ．１０８８，ｐ２５
〜３３（１９８９）が提案されている。以下この一般に
補助パターン方式と呼ばれる位相シフトマスクについて
説明する。
【０００７】図４（ａ），（ｂ）は従来の位相シフトマ
ススの平面図及びＣ−Ｃ線断面図である。石英等の透明
基板１上にはＩＴＯ等の導電膜４が形成されている。導
電膜４は電子ビーム露光の際のチャージアップ防止と後
工程の透明膜４のエッチングの際のエッチングストッパ
ーとしての為のものである。導電膜４は本質的に必要な
ものではない。導電膜４の上にはクロム及び酸化クロム
からなる遮光膜２が形成されており、遮光膜２には第１
の開口５および第１の開口５の周辺部に補助パターンと
して第２の開口６ａ，６ｂが形成されている。そして第
２の開口６ａ，６ｂの上には透明膜３ａ，３ｂが形成さ
れており、その膜厚ｔはｔ＝λ／２（ｎ−１）となるよ
うに設定されている。ここに、λは露光光の波長、ｎは
透明膜３ａ，３ｂの屈折率である。また、第２の開口６
ａ，６ｂの寸法はその位相シフトマスクを使用する露光
装置により最適値が異なる。
ススの平面図及びＣ−Ｃ線断面図である。石英等の透明
基板１上にはＩＴＯ等の導電膜４が形成されている。導
電膜４は電子ビーム露光の際のチャージアップ防止と後
工程の透明膜４のエッチングの際のエッチングストッパ
ーとしての為のものである。導電膜４は本質的に必要な
ものではない。導電膜４の上にはクロム及び酸化クロム
からなる遮光膜２が形成されており、遮光膜２には第１
の開口５および第１の開口５の周辺部に補助パターンと
して第２の開口６ａ，６ｂが形成されている。そして第
２の開口６ａ，６ｂの上には透明膜３ａ，３ｂが形成さ
れており、その膜厚ｔはｔ＝λ／２（ｎ−１）となるよ
うに設定されている。ここに、λは露光光の波長、ｎは
透明膜３ａ，３ｂの屈折率である。また、第２の開口６
ａ，６ｂの寸法はその位相シフトマスクを使用する露光
装置により最適値が異なる。
【０００８】すなわち、第２の開口６ａ，６ｂの寸法が
大きすぎると第２の開口６ａ，６ｂ自体が解像され、ま
た逆に小さすきると第１の開口５の解像を助ける効果が
無くなる。ＮＡ＝０．５前後のｉ−線ステッパーを用い
る場合、５倍マスク上で第２の開口６ａ，６ｂの幅Ｓは
０．５μｍ程度である。
大きすぎると第２の開口６ａ，６ｂ自体が解像され、ま
た逆に小さすきると第１の開口５の解像を助ける効果が
無くなる。ＮＡ＝０．５前後のｉ−線ステッパーを用い
る場合、５倍マスク上で第２の開口６ａ，６ｂの幅Ｓは
０．５μｍ程度である。
【０００９】またこのように、それ自体は解像しない補
助パターンである第２の開口は、第１の開口のような孤
立パターンの周辺だけでなく、密集したパターンの外周
にも設けられる。たとえば、レベンソン型位相シフトマ
スクのラインアンドスペースパターンでは、露光時のフ
ォーカスを変化させていくと、まずマスクの最外周の２
本の開口が解像しなくなる。そのためこの２本の開口の
解像を助けるため、補助パターンがその外側に設けられ
る。
助パターンである第２の開口は、第１の開口のような孤
立パターンの周辺だけでなく、密集したパターンの外周
にも設けられる。たとえば、レベンソン型位相シフトマ
スクのラインアンドスペースパターンでは、露光時のフ
ォーカスを変化させていくと、まずマスクの最外周の２
本の開口が解像しなくなる。そのためこの２本の開口の
解像を助けるため、補助パターンがその外側に設けられ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】この従来の補助パター
ンを用いる位相シフトマスクにおいては、補助パターン
の幅が他のパターンに比較して極端に小さいため、補助
パターンの形成が困難であった。通常の５倍マスク上
で、デバイスパターンは１．５μｍ以上の線幅であるの
に対し、補助パターンの開口の幅は０．５μｍ程度とす
る必要がある。
ンを用いる位相シフトマスクにおいては、補助パターン
の幅が他のパターンに比較して極端に小さいため、補助
パターンの形成が困難であった。通常の５倍マスク上
で、デバイスパターンは１．５μｍ以上の線幅であるの
に対し、補助パターンの開口の幅は０．５μｍ程度とす
る必要がある。
【００１１】そのため、電子ビーム露光およびクロムな
どの遮光膜のエッチングにおいて、１．５μｍ以上のパ
ターンに合せた条件での、０．５μｍ幅の補助パターン
の形成は寸法制御が困難であった。補助パターンの寸法
が小さくなると隣接パターンの解像を助ける効果が低下
し、逆にその寸法が大きくなると補助パターン自体が解
像されてしまうという問題があった。
どの遮光膜のエッチングにおいて、１．５μｍ以上のパ
ターンに合せた条件での、０．５μｍ幅の補助パターン
の形成は寸法制御が困難であった。補助パターンの寸法
が小さくなると隣接パターンの解像を助ける効果が低下
し、逆にその寸法が大きくなると補助パターン自体が解
像されてしまうという問題があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】第１の発明の位相シフト
マスクは、透明基板上の遮光膜に形成された第１の開口
と、この第１の開口を含む全面に形成された透明膜と、
前記第１の開口の周辺部の前記透明膜と前記遮光膜とに
形成された補助パターンとしての第２の開口とを含むも
のである。
マスクは、透明基板上の遮光膜に形成された第１の開口
と、この第１の開口を含む全面に形成された透明膜と、
前記第１の開口の周辺部の前記透明膜と前記遮光膜とに
形成された補助パターンとしての第２の開口とを含むも
のである。
【００１３】第２の発明の位相シフトマスクの製造方法
は、透明基板上に遮光膜を形成したのちパターニングし
第１の開口を形成する工程と、この第１の開口を含む全
面に透明膜を形成したのち前記第１の開口の周辺部の前
記透明膜及び前記遮光膜をパターニングし補助パターン
としての第２の開口を形成する工程とを含むものであ
る。
は、透明基板上に遮光膜を形成したのちパターニングし
第１の開口を形成する工程と、この第１の開口を含む全
面に透明膜を形成したのち前記第１の開口の周辺部の前
記透明膜及び前記遮光膜をパターニングし補助パターン
としての第２の開口を形成する工程とを含むものであ
る。
【００１４】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例の位相
シフトマスクの製造方法を説明するための断面図であ
る。
る。図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例の位相
シフトマスクの製造方法を説明するための断面図であ
る。
【００１５】まず図１（ａ）に示すように、石英などの
透明基板１上にＩＴＯなどからなる導電膜４を形成し、
さらにその上にクロムおよび酸化クロムによる遮光膜２
を形成する。
透明基板１上にＩＴＯなどからなる導電膜４を形成し、
さらにその上にクロムおよび酸化クロムによる遮光膜２
を形成する。
【００１６】次に図１（ｂ）に示すように、遮光膜２上
に電子線レジスト７を塗布し、リソグラフィ技術を用い
パターンニングを行なった後、ウェットまたはＣｌ2 ガ
スを用いるドライエッチングを行ない、第１の開口５を
形成する。
に電子線レジスト７を塗布し、リソグラフィ技術を用い
パターンニングを行なった後、ウェットまたはＣｌ2 ガ
スを用いるドライエッチングを行ない、第１の開口５を
形成する。
【００１７】次に、図１（ｃ）に示すように、ＳＯＧを
塗布し、４００℃，１時間のベーキングを行ない透明膜
３を形成する。透明膜３の膜厚ｔは、第１の開口５上
で、ｔ＝λ／２（ｎ−１）となるように設定する。ここ
に、λは露光光の波長であり、ｎは透明膜３の屈折率で
ある。次に図１（ｄ）に示すように、再び電子線レジス
ト７Ａを塗布した後、重ね合せ描画を行ない現像し、第
１の開口５に隣接して第２の開口のレジストパターンを
形成する。
塗布し、４００℃，１時間のベーキングを行ない透明膜
３を形成する。透明膜３の膜厚ｔは、第１の開口５上
で、ｔ＝λ／２（ｎ−１）となるように設定する。ここ
に、λは露光光の波長であり、ｎは透明膜３の屈折率で
ある。次に図１（ｄ）に示すように、再び電子線レジス
ト７Ａを塗布した後、重ね合せ描画を行ない現像し、第
１の開口５に隣接して第２の開口のレジストパターンを
形成する。
【００１８】次に図１（ｅ）に示すように、ＣＦ4 を用
いたドライエッチングにより透明膜３をパターニング
し、続いてＣｌ2 を用いたドランイエッチングあるいは
ウエットエッチングにより、遮光膜２をパターニング
し、第２の開口６Ａ，６Ｂを形成する。最後に、電子線
レジスト７Ａを剥離することにより、図２（ａ），
（ｂ）の平面図及びＡ−Ａ線断面図に示す位相シフトマ
スクが完成する。
いたドライエッチングにより透明膜３をパターニング
し、続いてＣｌ2 を用いたドランイエッチングあるいは
ウエットエッチングにより、遮光膜２をパターニング
し、第２の開口６Ａ，６Ｂを形成する。最後に、電子線
レジスト７Ａを剥離することにより、図２（ａ），
（ｂ）の平面図及びＡ−Ａ線断面図に示す位相シフトマ
スクが完成する。
【００１９】このように本実施例により形成された位相
シフトマスクの第２の開口６Ａ，６Ｂは、遮光膜２と透
明膜３に同一寸法で形成されており、そのエッジは一致
している。本位相シフトマスクを部分的コヒーレント光
により透過照明し、レンズ系を通して結像させると、第
１の開口５と第２の開口６Ａ，６Ｂを通る光の０次光は
打ち消し合い、そのため第１の開口５の像はコントラス
トが向上する。また、第２の開口６Ａ，６Ｂでは回折さ
れる光の一部が透明膜３での側壁で遮光され、また透明
膜を透過する光も部分的に位相差が与えられるため、第
２の開口６Ａ，６Ｂは解像されない。
シフトマスクの第２の開口６Ａ，６Ｂは、遮光膜２と透
明膜３に同一寸法で形成されており、そのエッジは一致
している。本位相シフトマスクを部分的コヒーレント光
により透過照明し、レンズ系を通して結像させると、第
１の開口５と第２の開口６Ａ，６Ｂを通る光の０次光は
打ち消し合い、そのため第１の開口５の像はコントラス
トが向上する。また、第２の開口６Ａ，６Ｂでは回折さ
れる光の一部が透明膜３での側壁で遮光され、また透明
膜を透過する光も部分的に位相差が与えられるため、第
２の開口６Ａ，６Ｂは解像されない。
【００２０】一例として、開口数ＮＡ＝０．４５，コヒ
ーレンスファクターσ＝０．３，縮小率１／５のｉ−線
（λ＝０．３６５ｎｍ）ステッパーを用いる場合、０．
３μｍの孤立スペースを形成するためのマスク上のパタ
ーンを図２（ａ），（ｂ）を用いて説明する。ここでマ
スク上の第１の開口５の寸法Ｓ1 を１．５μｍ，第２の
開口６Ａ，６Ｂの寸法Ｓ2 を１．５μｍ，そして第１の
開口５と第２の開口６Ａ，６Ｂの間隔ｌを１．５μｍと
する。本マスクを用い、ポジ型レジストの塗布された半
導体基板上に縮少投影露光を行なうことにより、半導体
基板上に第１の開口５による幅０．３μｍの孤立スペー
スを精度良く形成することができる。
ーレンスファクターσ＝０．３，縮小率１／５のｉ−線
（λ＝０．３６５ｎｍ）ステッパーを用いる場合、０．
３μｍの孤立スペースを形成するためのマスク上のパタ
ーンを図２（ａ），（ｂ）を用いて説明する。ここでマ
スク上の第１の開口５の寸法Ｓ1 を１．５μｍ，第２の
開口６Ａ，６Ｂの寸法Ｓ2 を１．５μｍ，そして第１の
開口５と第２の開口６Ａ，６Ｂの間隔ｌを１．５μｍと
する。本マスクを用い、ポジ型レジストの塗布された半
導体基板上に縮少投影露光を行なうことにより、半導体
基板上に第１の開口５による幅０．３μｍの孤立スペー
スを精度良く形成することができる。
【００２１】また、図１（ｅ）で説明したように、遮光
膜２をウエットエッチングによりパターニングした場
合、サイドエッチングが生じ、第２の開口６Ａ，６Ｂの
エッジと透明膜３のエッジは正確に一致しなくなるが、
このズレは、０．１μｍ程度までは許容される。また、
第１の開口５と第２の開口６Ａ，６Ｂを同時に形成し、
その後透明膜３を成膜し、重ね合せ露光を行ない透明膜
をパターニングしても良い。
膜２をウエットエッチングによりパターニングした場
合、サイドエッチングが生じ、第２の開口６Ａ，６Ｂの
エッジと透明膜３のエッジは正確に一致しなくなるが、
このズレは、０．１μｍ程度までは許容される。また、
第１の開口５と第２の開口６Ａ，６Ｂを同時に形成し、
その後透明膜３を成膜し、重ね合せ露光を行ない透明膜
をパターニングしても良い。
【００２２】次に本発明の第２の実施例について図３を
用いて説明する。図３（ａ），（ｂ）は第２の実施例を
説明するための平面図及びＢ−Ｂ線断面図であり、本発
明をホールパターンを形成するためのフォトマスクに適
用した場合を示す。
用いて説明する。図３（ａ），（ｂ）は第２の実施例を
説明するための平面図及びＢ−Ｂ線断面図であり、本発
明をホールパターンを形成するためのフォトマスクに適
用した場合を示す。
【００２３】図３（ａ），（ｂ）に示すように、孤立パ
ターンである第１の開口５Ａの解像を助けるために、そ
の周辺部分にそれ自体は解像しないパターンである第２
の開口６を設ける方式の位相露光用フォトマスクにおい
ては、ホールパターンに適用した際電子ビーム露光のデ
ータ数が極端に増加するという問題があった。しかし本
実施例においては、透明膜３と遮光膜２への４個の第２
の開口６の形成を同時に行なうため、とくにホールパタ
ーンでは従来よりデータ数を少なくできるという利点が
ある。
ターンである第１の開口５Ａの解像を助けるために、そ
の周辺部分にそれ自体は解像しないパターンである第２
の開口６を設ける方式の位相露光用フォトマスクにおい
ては、ホールパターンに適用した際電子ビーム露光のデ
ータ数が極端に増加するという問題があった。しかし本
実施例においては、透明膜３と遮光膜２への４個の第２
の開口６の形成を同時に行なうため、とくにホールパタ
ーンでは従来よりデータ数を少なくできるという利点が
ある。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、補
助パターンである第２の開口の寸法を隣接する第１の開
口の寸法と同程度にできるので、電子線露光およびエッ
チングによる第２の開口の形成が容易になり、微細なデ
バイスパターンを精度良く形成できるという効果を有す
る。
助パターンである第２の開口の寸法を隣接する第１の開
口の寸法と同程度にできるので、電子線露光およびエッ
チングによる第２の開口の形成が容易になり、微細なデ
バイスパターンを精度良く形成できるという効果を有す
る。
【００２５】また、透明膜と遮光膜とを同時にパターニ
ングして第２の開口を形成することにより、透明膜のパ
ターニング用のデータ作成が不要となるという効果もあ
る。
ングして第２の開口を形成することにより、透明膜のパ
ターニング用のデータ作成が不要となるという効果もあ
る。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するためのマスク
断面図。
断面図。
【図２】本発明の第１の実施例を説明するためのマスク
の平面図及び断面図。
の平面図及び断面図。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するためのマスク
の平面図及び断面図。
の平面図及び断面図。
【図４】従来の位相シフトマスクを説明するための平面
図及び断面図。
図及び断面図。
１ 透明基板 ２ 遮光膜 ３，３ａ，３ｂ 透明膜 ４ 導電膜 ５，５Ａ 第１の開口 ６，６Ａ，６ａ，６Ｂ，６ｂ 第２の開口 ７，７Ａ 電子線レジスト
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上の遮光膜に形成された第１の
開口と、この第１の開口を含む全面に形成された透明膜
と、前記第１の開口の周辺部の前記透明膜と前記遮光膜
とに形成された補助パターンとしての第２の開口とを含
むことを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】 透明基板上に遮光膜を形成したのちパタ
ーニングし第１の開口を形成する工程と、この第１の開
口を含む全面に透明膜を形成したのち前記第１の開口の
周辺部の前記透明膜及び前記遮光膜をパターニングし補
助パターンとしての第２の開口を形成する工程とを含む
ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14388292A JPH05333524A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14388292A JPH05333524A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05333524A true JPH05333524A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15349219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14388292A Withdrawn JPH05333524A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05333524A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6004699A (en) * | 1997-02-28 | 1999-12-21 | Nec Corporation | Photomask used for projection exposure with phase shifted auxiliary pattern |
| US7001711B2 (en) | 1999-11-08 | 2006-02-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Patterning method using a photomask |
| JP2008076940A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | 硬化パターンおよびその製造方法、フォトマスク、ならびに露光装置 |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP14388292A patent/JPH05333524A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6004699A (en) * | 1997-02-28 | 1999-12-21 | Nec Corporation | Photomask used for projection exposure with phase shifted auxiliary pattern |
| US7001711B2 (en) | 1999-11-08 | 2006-02-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Patterning method using a photomask |
| US7205077B2 (en) | 1999-11-08 | 2007-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing photomask and method for producing photomask pattern layout |
| US7468240B2 (en) | 1999-11-08 | 2008-12-23 | Panasonic Corporation | Patterning method using photomask |
| JP2008076940A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | 硬化パターンおよびその製造方法、フォトマスク、ならびに露光装置 |
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