JPH0533432B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0533432B2 JPH0533432B2 JP16860486A JP16860486A JPH0533432B2 JP H0533432 B2 JPH0533432 B2 JP H0533432B2 JP 16860486 A JP16860486 A JP 16860486A JP 16860486 A JP16860486 A JP 16860486A JP H0533432 B2 JPH0533432 B2 JP H0533432B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos transistor
- drain
- output line
- circuit
- differential pair
- Prior art date
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- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplitude Modulation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は二乗回路に関し、特にMOSトランジ
スタで溝成された二乗回路に関する。
スタで溝成された二乗回路に関する。
従来整流器回路等に用いられる二乗回路はアナ
ログ乗算器を用いたものが知られている。
ログ乗算器を用いたものが知られている。
上述した従来の二乗回路はバイポーラ集積回路
で実現されるものであり、MOS型集積回路で二
乗回路を実現するためには回路が非常に大規模に
なるという欠点がある。
で実現されるものであり、MOS型集積回路で二
乗回路を実現するためには回路が非常に大規模に
なるという欠点がある。
本発明の目的は回路規模が小さくMOS型集積
回路に好適な二乗回路を提供することにある。
回路に好適な二乗回路を提供することにある。
本発明の二乗回路は、ゲート幅対ゲート長比が
互いに異なる第1のMOSトランジスタおよび第
2のMOSトランジスタからなる第1の差動対、
前記第1のMOSトランジスタと実質上同一のゲ
ート幅対ゲート長比を有する第3のMOSトラン
ジスタおよび前記第2のMOSトランジスタと実
質上同一のゲート幅対ゲート長比を有する第4の
MOSトランジスタからなる第2の差動対、前記
第1のMOSトランジスタのドレインおよび前記
第3のMOSトランジスタのドレインの共通接続
点に接続される第1の出力線および前記第2の
MOSトランジスタのドレインおよび前記第4の
MOSトランジスタのドレインの共通接続点に接
続される第2の出力線を有し、前記第1出力線お
よび前記第2の出力線にそれぞれ流れる電流を取
り出して差をとる引算回路を含むというものであ
る。
互いに異なる第1のMOSトランジスタおよび第
2のMOSトランジスタからなる第1の差動対、
前記第1のMOSトランジスタと実質上同一のゲ
ート幅対ゲート長比を有する第3のMOSトラン
ジスタおよび前記第2のMOSトランジスタと実
質上同一のゲート幅対ゲート長比を有する第4の
MOSトランジスタからなる第2の差動対、前記
第1のMOSトランジスタのドレインおよび前記
第3のMOSトランジスタのドレインの共通接続
点に接続される第1の出力線および前記第2の
MOSトランジスタのドレインおよび前記第4の
MOSトランジスタのドレインの共通接続点に接
続される第2の出力線を有し、前記第1出力線お
よび前記第2の出力線にそれぞれ流れる電流を取
り出して差をとる引算回路を含むというものであ
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
この実施例は、ゲート幅対ゲート長比が互いに
異る第1のMOSトランジスタM11および第2の
MOSトランジスタM1kからなる第1の差動対1、
第1のMOSトランジスタM11と実質上同一のゲ
ート幅対ゲート長比を有する第3のMOSトラン
ジスタM21および第2のMOSトランジスタM1kと
実質上同一のゲート幅対ゲート長比を有する第4
のMOSトランジスタM2kからなる第2の差動対
2、第1のMOSトランジスタM11のドレインお
よび第3のMOSトランジスタM1kのドレインの
共通接続点に接続される第1の出力線3および第
2のMOSトランジスタM1kのドレインおよび第
4のMOSトランジスタM2kのドレインの共通接
続点に接続される第2の出力線4を有し、第1の
出力線3および第2の出力線4にそれぞれ流れる
電を取り出して差をとる引算回路6を含むという
ものである。
異る第1のMOSトランジスタM11および第2の
MOSトランジスタM1kからなる第1の差動対1、
第1のMOSトランジスタM11と実質上同一のゲ
ート幅対ゲート長比を有する第3のMOSトラン
ジスタM21および第2のMOSトランジスタM1kと
実質上同一のゲート幅対ゲート長比を有する第4
のMOSトランジスタM2kからなる第2の差動対
2、第1のMOSトランジスタM11のドレインお
よび第3のMOSトランジスタM1kのドレインの
共通接続点に接続される第1の出力線3および第
2のMOSトランジスタM1kのドレインおよび第
4のMOSトランジスタM2kのドレインの共通接
続点に接続される第2の出力線4を有し、第1の
出力線3および第2の出力線4にそれぞれ流れる
電を取り出して差をとる引算回路6を含むという
ものである。
次に、この実施例の特性について解析を行な
う。トランジスタM11,M1k,M2 1,M2kのドレ
イン電流をそれぞれId1,Id2,Id3,Id4とする。
う。トランジスタM11,M1k,M2 1,M2kのドレ
イン電流をそれぞれId1,Id2,Id3,Id4とする。
Id1=μnCox/2(W1/L1)(Vgs1−Vt)2 ……(1)
Id2=μnCox/2(W2/L2)(Vgs2−Vt)2 ……(2)
Id3=μnCox/2(W1/L1)(Vgs3−Vt)2 ……(3)
Id4=μnCox/2(W2/L2)(Vgs4−Vt)2 ……(4)
但し、μnは電子の移動度、Coxはゲート容量、
Wはゲート幅、Lはゲート長、Vgsはゲート−ソ
ース間電圧、Vtはしきい電圧である。
Wはゲート幅、Lはゲート長、Vgsはゲート−ソ
ース間電圧、Vtはしきい電圧である。
ここで
α=μnCox/2(W1/L1) ……(5)
k=(W2/L2)/(W1/L1) ……(6)
とおく。
Id1+Id2=Iss ……(7)
Id3+Id4=Iss ……(8)
また
Vgs1−Vgs2=ΔVi ……(9)
Vgs4−Vgs3=ΔVi ……(10)
とおける。
ΔIdI=Id1−Id2
とおくと、
また、
∴ΔId=ΔId〓−ΔId〓=−2(1+1/k)(1−1
/k)Iss+4α(1−1/k)(ΔVi)2/(1+1/
k)……(13) 又、 ΔId=(Id1+Id3)−(Id2+Id4) であるので引算回路6の出力端子7から入力電圧
ΔViの二乗項を含む(13)式の出力が得られることが
判る。
/k)Iss+4α(1−1/k)(ΔVi)2/(1+1/
k)……(13) 又、 ΔId=(Id1+Id3)−(Id2+Id4) であるので引算回路6の出力端子7から入力電圧
ΔViの二乗項を含む(13)式の出力が得られることが
判る。
Mm1,Mm2は電流ミラー回路の一次側のトラ
ンジスタである。
ンジスタである。
(13)式においてΔVi=0とおくと、
(ΔId)ΔVi=0=−2(1−1/k)/1+1/kIs
s……(14) 第2図は定数項とkの関係を示す特性図であ
る。
s……(14) 第2図は定数項とkの関係を示す特性図であ
る。
定数項(ΔId)ΔVi=0と(ΔVi)2の係数は正
負が逆になるから、第2図を参照すると k≪1またはk≫1のときに二乗回路のダイナ
ミツクレンジを確保出来ることが判る。
負が逆になるから、第2図を参照すると k≪1またはk≫1のときに二乗回路のダイナ
ミツクレンジを確保出来ることが判る。
今、k>1なる値例えばk=3とおけば
ΔId=−Iss+3/2α(ΔVi)2 ……(15)
と与えられる。
(15)式にIssを加えることによつて結局オフセツ
トを0にできるわけである。これは差動対の停電
流源を用いて容易に実現できる。
トを0にできるわけである。これは差動対の停電
流源を用いて容易に実現できる。
また第2図で、k>1例えばk=3ではkの値
の変化に対して曲線の傾がゆるやかになつてい
る。すなわち差動対のオフセツトによる特性変化
は少ない。
の変化に対して曲線の傾がゆるやかになつてい
る。すなわち差動対のオフセツトによる特性変化
は少ない。
参考までにいうと、式(11)又は(12)は従来からある
ペアトランジスタから構成される差動増幅器対の
特性を示すと考えられる。式(11)において、ΔVi=
0とおいたものはペアトランジスタの特性の不揃
いによるオフセツト電流であるが、これは式(14)と
同様に、k=1の前後で急峻な変化を示すので、
ペアトランジスタの特性の不揃いにオフセツト電
流が敏感であることが判る。
ペアトランジスタから構成される差動増幅器対の
特性を示すと考えられる。式(11)において、ΔVi=
0とおいたものはペアトランジスタの特性の不揃
いによるオフセツト電流であるが、これは式(14)と
同様に、k=1の前後で急峻な変化を示すので、
ペアトランジスタの特性の不揃いにオフセツト電
流が敏感であることが判る。
以上説明したように本発明は、W/Lが異なる
2つのトランジスタから成る差動対2個を同一の
W/Lのトランジスタのドレインを共通に接続
し、出力が互いに逆相となるように接続する簡単
な構成のMOSトランジスタからなる二乗回路を
実現出来る効果がある。
2つのトランジスタから成る差動対2個を同一の
W/Lのトランジスタのドレインを共通に接続
し、出力が互いに逆相となるように接続する簡単
な構成のMOSトランジスタからなる二乗回路を
実現出来る効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2
図は実施例の二乗回路の特性を説明するための特
性図である。 1……第1の差動対、2……第2の差動対、3
……第1の出力線、4……第2の出力線、5−
1,5−2……入力端子、6……引算回路、
M11,M21,M1k,M2k……nMOSトランジスタ、
Mm1,Mm2……ミラートランジスタ。
図は実施例の二乗回路の特性を説明するための特
性図である。 1……第1の差動対、2……第2の差動対、3
……第1の出力線、4……第2の出力線、5−
1,5−2……入力端子、6……引算回路、
M11,M21,M1k,M2k……nMOSトランジスタ、
Mm1,Mm2……ミラートランジスタ。
Claims (1)
- 1 ゲート幅対ゲート長比が互いに異なる第1の
MOSトランジスタおよび第2のMOSトランジス
タからなる第1の差動対、前記第1のMOSトラ
ンジスタと実質上同一のゲート幅対ゲート長比を
有する第3のMOSトランジスタおよび前記第2
のMOSトランジスタと実質上同一のゲート幅対
ゲート長比を有する第4のMOSトランジスタか
らなる第2の差動対、前記第1のMOSトランジ
スタのドレインおよび前記第3のMOSトランジ
スタのドレインの共通接続点に接続される第1の
出力線および前記第2のMOSトランジスタのド
レインおよび前記第4のMOSトランジスタのド
レインの共通接続点に接続される第2の出力線を
有し、前記第1の出力線および前記第2の出力線
にそれぞれ流れる電流を取り出して差をとる引算
回路を含むことを特徴とする二乗回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16860486A JPS6324377A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 二乗回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16860486A JPS6324377A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 二乗回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324377A JPS6324377A (ja) | 1988-02-01 |
| JPH0533432B2 true JPH0533432B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=15871139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16860486A Granted JPS6324377A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 二乗回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6324377A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2661394B2 (ja) * | 1991-04-08 | 1997-10-08 | 日本電気株式会社 | 掛算回路 |
| ES2136066T3 (es) * | 1991-05-23 | 1999-11-16 | Nec Corp | Amplificador logaritmico de frecuencia intermedia. |
| DE4316027A1 (de) * | 1993-05-13 | 1994-11-17 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung zum Gleichrichten von Wechselspannungssignalen |
| KR101774245B1 (ko) | 2013-02-18 | 2017-09-19 | 엘에스산전 주식회사 | Rms 검출기 및 이를 적용한 차단기 |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP16860486A patent/JPS6324377A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6324377A (ja) | 1988-02-01 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |