JPH05334616A - マルチ磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、正規の磁気ギャップで記録された
情報を乱すことなく且つ、機械的強度に優れたマルチ磁
気ヘッド及びその製造方法を提供する。 【構成】 複数個のＭＩＧヘッドが１つのヘッドベース
７上に搭載されたマルチ磁気ヘッドにおいて、磁気記録
媒体が磁気ギャップ５の後からＣ型形状コア半体が接続
する側のヘッドコア１のギャップ深さの規制がＩ型形状
コア半体アペックス３とヘッド摺動面６との距離で規定
できる構造にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＶＴＲ，ＤＡＴ，ＦＤ
Ｄ等に用いられる、高保磁力磁気記録媒体に高密記録再
生を行うのに適したマルチ磁気ヘッド及びその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＶＴＲ等の高周波信号を記録再生
する装置においては、そのヘッド材料として一般に高周
波損失の少ないフェライト材料が主流であるが、近年で
は、ＶＴＲの高画質化にともない解像度を向上するため
に、使用周波数を高くし、且つ短波長記録のため記録媒
体はその保磁力を大きくなる傾向にある。このようなＶ
ＴＲ機器の進展に伴い磁気ヘッドとしては、高周波特性
に優れ、且つ十分な記録特性を持つものが望まれる。こ
のようなヘッドとして従来は図９及び図１０に示すよう
に主コアが酸化物磁性材料からなり磁気ギャップ２１の
近傍のみ、高飽和磁束密度を持つ軟磁性膜２４を配した
構造のヘッド（以下、ＭＩＧヘッドと記す）開発されて
きた。また最近では、特殊再生やテープスピード切り替
え機能等を有するＶＴＲが一般的になり、ビデオヘッド
の搭載数も４〜９個に増えている。この場合、シリンダ
上の一つのヘッドベースには通常２個のヘッドが配置さ
れる。その際、図９に示すように２個のヘッド磁気ギャ
ップ間の距離Ｌは、主に水平同期信号の関係からある間
隔に定められる。現在のＶＨＳ方式の一例では水平同期
信号２倍に相当する距離すなわち、約０．７４mmが用い
られる。したがってビデオヘッドとしては、一方のコア
半体の記録媒体走行方向の長さが他方のコア半体にくら
べて短い構成となりコイル巻線のスペースを考慮すると
図９に示すようにコア半体の長さＬ２は、約０．２mm程
度になる。さらに次世代のＶＴＲでは、機器の小型化の
ため一つのヘッドベースに搭載されるヘッド数は増加
し、且つ各々のヘッド磁気ギャップ間距離Ｌも更に小さ
くなることが予想される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来、ＭＩＧヘッドを
マルチ磁気ヘッドに用いた場合、図９及び図１０に示す
ヘッドコア１７、つまり磁気記録媒体が正規の磁気ギャ
ップ２１より後から接触する側のコア半体１７−ａがＣ
型形状コア半体（以下、Ｃコアと記す）のヘッドの場
合、記録時にヘッドに加える起磁力を増していくと、Ｃ
コアの高飽和磁束密度軟磁性膜２４（以下、軟磁性膜と
記す）と接するフェライトコア１７−ａの断面積が、絞
りこまれた構造のため磁気飽和を起こし、軟磁性膜２４
との境界部分で発生する漏れ磁束の量が多くなりその結
果、信号の記録時にＣコアのフェライトと軟磁性膜２４
との境界部分で生じる漏れ磁束が正規の磁気ギャップ２
１で記録された情報を乱したり、消したりするという課
題があった。

【０００４】また図９のヘッドコア１８のように磁気記
録媒体が磁気ギャップ２１より後から接触する方がＩ型
形状コア半体１８−ａ（以下、Ｉコアと記す）のヘッド
の場合は、Ｃコア半体１８−ｂの軟磁性膜２４とフェラ
イトコア１８−ｂの境界部分で発生する漏れ磁束による
記録媒体への影響は、正規の磁気ギャップ２１の方が後
で記録媒体と接触し、情報を記録するので無視すること
ができる。Ｉコア半体１８−ａの軟磁性膜２４と接する
フェライトコア１８−ａは、その断面積が絞りこまれた
構造になっていないために、軟磁性膜２４とフェライト
コア１８−ａとの境界部分で発生する漏れ磁束の量は少
なく、正規の磁気ギャップ２１で記録された情報を乱し
たり、消すことはない。

【０００５】しかし図９に示すようなマルチ磁気ヘッド
を考えた場合、２個のヘッドを磁気ギャップ２１より後
から接触する側がのＩコアの形状となるようにヘッドを
一つのヘッドベース２２上に配置することは、前記の磁
気ギャップ間の距離Ｌの制約がありＣコアの記録媒体方
向の長さＬ３を非常に小さくしなければならず、Ｃコア
半体の機械的強度の面及びヘッド巻き線スペースの点で
実現できず、ヘッドのマルチ化が不可能であるという課
題もあった。

【０００６】本発明は上記の課題を解決するためのもの
で、磁気ギャップで記録した情報をＣ型形状コア側から
の影響のない構造を有するマルチ磁気ヘッドの提供を目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は図１に示すよう
なマルチ磁気ヘッドを構成するＭＩＧヘッドのうち、磁
気記録媒体と磁気ギャップ５より先にＩコア半体１−ｂ
が接触する構造のヘッドコアＩにおいて、Ｉコア側１−
ｂにギャップ深さ規定溝１１を設けて図中に示すＤ１の
長さのギャップ深さをＩコア側１−ｂのアペックス３と
ヘッド摺動面６との距離で規定するとともに、図３に示
すように前記ギャップ深さ規制溝１１に補強用ガラス１
２を充填した構造とする。

【０００８】

【作用】この技術的手段の作用は次のようになる。

【０００９】正規の磁気ギャップで記録した情報に悪影
響を与えないようにするためには、図１に示すように磁
気ギャップ５の後で磁気記録媒体と接触するコア半体１
−ａにおいて、軟磁性膜１６と接する部分のフェライト
コアの磁気飽和を小さくすることが必要となる。Ｃコア
１−ａ側のフェライトコアの磁気飽和は、アペックス４
とヘッド摺動面１０との距離が小さい程起こりやすく、
反対に大きくなると起こりにくくなる。

【００１０】従って図１でのヘッドコア１、つまり磁気
記録媒体が磁気ギャップ５の後から接触する側がＣコア
半体１−ａである場合においても、本発明のようにＩコ
ア１−ｂ側にギャップ深さ規制溝１１を形成することに
より、ギャップ深さＤ１がＩコア１−ｂ側のアペックス
３とヘッド摺動面６との距離で規定することができる。
これによりＣコア１−ａ側のアペックス４とヘッド摺動
面６との距離は自由に設定することが可能となり、Ｃコ
ア１−ａ側のアペックス４とヘッド摺動面６との距離を
大きく設定することができる。このためＣコア１−ａ側
では従来に比べ磁気飽和が起こりにくい構造となり、前
記の軟磁性膜１６とフェライトコア１−ａの境界部分で
の漏れ磁束の影響を従来に比べ非常に小さくすることが
可能となる。

【００１１】また本発明では、記録媒体走行方向の長さ
Ｌ１がもう一方のＣコア半体１−ａにくらべ非常に短い
Ｉコア半体１−ｂに、更に前記のギャップ深さ規制溝１
１を形成した構造とするため単純な構造では、Ｉコア半
体１−ｂの機械的強度が低下する。従ってギャップ深さ
規制溝１１には補強用ガラス１２を充填したものとし、
Ｉコア半体１−ｂの機械的強度を低下させない構造とす
るものである。

【００１２】

【実施例】以下本発明の一実施例のマルチ磁気ヘッドに
ついて図面を参照しながら説明する。

【００１３】図１に本発明のマルチ磁気ヘッドの一実施
例である。一つのヘッドベース７上にヘッドコア１及び
ヘッドコア２が搭載されている。図中の矢印でに示すよ
うな方向に磁気記録媒体が走行しているものとすれば、
磁気記録媒体に先に接触するのがヘッドコア２であり、
後で接触するのがヘッドコア１である。このような配置
にした場合、ヘッドコア１に関しては磁気記録媒体は磁
気ギャップ５を通過した後にＣコア半体１−ａと接触す
る。このヘッドコア１に関して、ギャップ深さＤ１がＩ
コア１−ｂ側のアペックス３とヘッド摺動面６との距離
で規定されるようにＩコア１−ｂ側にギャップ深さ規定
溝１１が形成されている。このようにヘッドコア１のギ
ャップ深さＤ１がアペックス３とヘッド摺動面６との距
離で規定できるので、Ｃコア１−ａ側のアペックス４と
ヘッド摺動面６との距離は大きくすることができ、Ｃコ
ア１−ａ側でのフェライトコアの磁気飽和が起こりにく
いような構造にすることが可能となる。

【００１４】ここでＣコア１−ａ側のアペックス４とヘ
ッド摺動面６との距離はギャップ深さＤ１に対して２０
μｍ程度大きく設定し、また図３に示すように本発明の
磁気ヘッドの側断面において、ギャップ深さ規定溝１１
の磁気ギャップ５からの切り込み深さＤ３は、５０μｍ
程度以上にあることが望ましい。

【００１５】図１及び図３に示すヘッドコア１のように
Ｉコア１−ｂ側にギャップ深さ規定溝１１を設けた本発
明のＭＩＧヘッドと、図９及び図１０に示すヘッドコア
１７のようにＩコア１７−ｂ側にギャップ深さ規定溝を
設けない形の従来のＭＩＧヘッドとのヘッド特性を比較
した。図３及び図１０中の矢印に示すような磁気記録媒
体の走行方向の条件で測定を行った。

【００１６】それぞれのＭＩＧヘッドは主コアがＭｎＺ
ｎ単結晶フェライトで磁気ギャップ近傍に４μｍの厚み
としたＣｏ系超構造窒化膜の軟磁性膜を用いたヘッドで
ある。両方のＭＩＧヘッドの磁気ギャップ長は０．３μ
ｍ、ギャップ深さは２０μｍである。本発明品に関して
はＣコア側のアペックス部とヘッド摺動面との距離は４
０μｍとなっており、Ｉコア側のギャップ深さ規制溝の
磁気ギャップ面からの深さは７０μｍとなっている。

【００１７】測定には、市販のＳ−ＶＨＳのテープを用
い相対速度５．９ｍ／ｓｅｃで行った。それぞれの形状
のＭＩＧヘッドを各１０個ずつ測定しその平均値を求め
た。

【００１８】図８に前記方法でヘッド特性を測定した結
果を示す。図中のグラフでは従来のＭＩＧヘッドの特性
の平均値を基準（０ｄＢ）とした時の、本発明のＭＩＧ
ヘッドの特性の平均値を示している。この結果から本発
明のＭＩＧヘッドは自己録再レベルにおいては０．５Ｍ
Ｈzで約２ｄＢ特性が向上している。この要因を調べる
ために記録レベル特性と再生レベル特性を分離して測定
を結果、自己録再レベルでの約２ｄＢの特性向上は記録
レベルの差によるものであることがわかった。

【００１９】このような特性差を生む原因として前述し
たように、ヘッドコアに起磁力を加えていった場合、磁
気ギャップ近傍において、Ｉコア半体よりもＣコア半体
のフェライトが磁気飽和しやすい。そのためフェライト
と軟磁性膜の境界部分で発生する漏れ磁束の大きさは、
Ｉコア半体よりもＣコア半体での方が大きくなることが
シミュレーションからもわかっており、この漏れ磁束が
正規の磁気ギャップで記録した情報に影響を与えている
ものと考えられる。

【００２０】なお、今回はヘッドコアの数が２個のマル
チ磁気ヘッドについてのみ示したがヘッドの個数が２個
以上のマルチ磁気ヘッドの場合も、本発明の磁気ヘッド
の効果は同じであることが容易に類推される。

【００２１】本発明のマルチ磁気ヘッドの製造方法の第
２の実施例を示す。図２ａ〜ｃは本発明のマルチ磁気ヘ
ッドの製造工程の概略図である。ここでは、図１におい
て磁気記録媒体が磁気ギャップ５より先にＩコア半体と
接触する構造のヘッドコア１の磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。

【００２２】ａ酸化物磁性体基板８−ａの巻線用溝９を
加工した後、ギャップ対向面に研磨加工を施し、所望の
トラック幅となるようにトラック幅規制溝１０を形成し
たのち、ギャップ対向面に軟磁性膜１６をスパッタ法に
より形成し、Ｃ型形状コアブロック半体とする。

【００２３】軟磁性膜１６としては、アモルファス膜，
センダスト膜，Ｃｏ系超構造窒化合金膜，Ｆｅ系超構造
窒化膜，Ｆｅ系窒化膜等，高飽和磁束密度を示す材料が
挙げられる。

【００２４】ｂ酸化物磁性材料基板８−ｂにギャップ対
向面より、図中に示すＤ３なる切り込み深さで、ヘッド
摺動面６とアペックス３との距離でギャップ深さが規定
できる位置にギャップ深さ規制溝１１を加工し、所定の
温度条件で補強用ガラス１２を充填する。補強用ガラス
１２の充填後ギャップ対向面に研磨加工を施す。次に所
望のトラック幅となるようにトラック幅規制溝１０を形
成したのちスパッタ法にて軟磁性膜１６を形成する、軟
磁性膜１６としては、前記したようにアモルファス膜，
センダスト膜，Ｃｏ系超構造窒化合金膜，Ｆｅ系超構造
窒化膜，Ｆｅ系窒化膜等，高飽和磁束密度を示す材料が
挙げられる。ギャップ深さ規制溝１１の上面に形成され
ている部分だけ、軟磁性膜１６をエッチング法で除去す
る工程を施し、本発明のＩ型形状のコアブロック半体を
形成する。

【００２５】ｃ前記のようにして得た両コアブロック半
体のギャップ面上に、それぞれＳｉＯ₂及びガラスから
なるギャップ部材を所定量、スパッタ法で形成した。
（図中省略）次に両コアブロック半体を突き合わせ所定
の温度条件でガラス融着させる。またトラック規制溝１
０へのガラス１４の充填も同時に行いヘッドコアブロッ
ク１３を得る。その後所定のコア厚みとなるようにコア
ブロック１３を切断し、ヘッドチップを得る。

【００２６】図３には、本発明のヘッドコア１のＸ−Ｘ
断面図を示す。Ｉコア半体８−ｂの軟磁性膜１６が補強
用ガラス１２上で途切れた構造となっている。

【００２７】なお、図１に示すマルチ磁気ヘッドを構成
するもう一つのヘッドコア２の製造方法は、Ｃ型形状コ
ア半体２−ｂは図２ａの工程と同じで、Ｉ型形状コア半
体２−ａにおいては、図２ａの工程中の巻線溝加工を施
さない形で得られる。その後の工程は図２ｃと同じでヘ
ッドチップを得ることができる。

【００２８】このようにして得た本発明のヘッドコア１
とヘッドコア２を所定の磁気ギャップ間距離で図１に示
すように一つのベース７上に搭載することにより、本発
明のマルチ磁気ヘッドを得ることができる。

【００２９】本発明のマルチ磁気ヘッドの製造方法の第
３の実施例を示す。図４ａ〜ｃは本発明のマルチ磁気ヘ
ッドの製造工程の概略図である。ここでは、図１におい
て磁気記録媒体が磁気ギャップ５より先にＩコア半体と
接触する構造のヘッドコア１の磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。

【００３０】ａ酸化物磁性体基板８−ａの巻線用溝９を
加工した後、ギャップ対向面に研磨加工を施し、所望の
トラック幅となるようにトラック幅規制溝１０を形成し
たのち、ギャップ対向面に軟磁性膜１６をスパッタ法に
より形成し、Ｃ型形状コアブロック半体とする。

【００３１】軟磁性膜１６としては、アモルファス膜，
センダスト膜，Ｃｏ系超構造窒化合金膜，Ｆｅ系超構造
窒化膜，Ｆｅ系窒化膜等，高飽和磁束密度を示す材料が
挙げられる。

【００３２】ｂ酸化物磁性材料基板８−ｂにギャップ対
向面より、図中に示すＤ３なる切り込み深さで、ヘッド
摺動面６とアペックス３との距離でギャップ深さが規定
できる位置にギャップ深さ規制溝１１を加工し、また所
望のトラック幅となるようにトラック幅規制溝１０を形
成したのちスパッタ法にて軟磁性膜１６を形成する、軟
磁性膜１６としては、前記したアモルファス膜，センダ
スト膜，Ｃｏ系超構造窒化合金膜，Ｆｅ系超構造窒化
膜，Ｆｅ系窒化膜等，高飽和磁束密度を示す材料が挙げ
られる。

【００３３】前記のギャップ深さ規制溝１１に所定の温
度条件で補強用ガラス１２を充填する。補強用ガラス１
２の充填後ギャップ対向面に研磨加工を施す。軟磁性膜
１６の厚みが所定量となるように研磨量を調整する。こ
のようにしてＩ型形状コアブロック半体を形成する。

【００３４】ｃ前記のようにして得た両コアブロック半
体のギャップ面上に、それぞれＳｉＯ₂及びガラスから
なるギャップ部材を所定量、スパッタ法で形成した（図
中省略）次に両コアブロック半体を突き合わせ所定の温
度条件でガラス融着させる。またトラック規制溝１０へ
のガラス１４の充填も同時に行いヘッドコアブロック１
３を得る。その後所定のコア厚みとなるようにコアブロ
ック１３を切断し、ヘッドチップを得る。

【００３５】図５には、本発明のヘッドコア１のＸ−Ｘ
断面図を示す。Ｉコア半体８−ｂの軟磁性膜１６が補強
用ガラス１２上でもつながった構造である。

【００３６】なお、図１に示すマルチ磁気ヘッドを構成
するもう一つのヘッドコア２の製造方法は、Ｃ型形状コ
ア半体２−ｂは図４ａの工程と同じで、Ｉ型形状コア半
体２−ａにおいては、図４ａの工程中の巻線溝加工を施
さない形で得られる。その後の工程は図４ｃと同じでヘ
ッドチップを得ることができる。

【００３７】このように得た本発明のヘッドコア１とヘ
ッドコア２を所定の磁気ギャップ間距離で図１に示すよ
うに一つのベース７上に搭載することにより、本発明の
マルチ磁気ヘッドを得ることができる。

【００３８】本発明のマルチ磁気ヘッドの製造方法の第
４の実施例を示す。図６ａ〜ｃは本発明のマルチ磁気ヘ
ッドの製造工程の概略図である。ここでは、図１におい
て磁気記録媒体が磁気ギャップ５より先にＩコア半体と
接触する構造のヘッドコア１の磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。

【００３９】ａ酸化物磁性体基板８−ａの巻線用溝９を
加工した後、ギャップ対向面に研磨加工を施し、所望の
トラック幅となるようにトラック幅規制溝１０を形成し
たのち、ギャップ対向面に軟磁性膜１６をスパッタ法に
より形成し、Ｃ型形状コアブロック半体とする。

【００４０】軟磁性膜１６としては、アモルファス膜，
センダスト膜，Ｃｏ系超構造窒化合金膜，Ｆｅ系超構造
窒化膜，Ｆｅ系窒化膜等，高飽和磁束密度を示す材料が
挙げられる。

【００４１】ｂ酸化物磁性材料基板８−ｂにギャップ面
に、所定の量の段１５を加工を施した後、また所望のト
ラック幅となるようにトラック幅規制溝１０を形成した
のちスパッタ法にて軟磁性膜１６を形成する、軟磁性膜
１６としては、前記したアモルファス膜，センダスト
膜，Ｃｏ系超構造窒化合金膜，Ｆｅ系超構造窒化膜，Ｆ
ｅ系窒化膜等，高飽和磁束密度を示す材料が挙げられ
る。

【００４２】図中に示すＤ３の切り込み深さで、ヘッド
摺動面６とアペックス３との距離でギャップ深さが規定
できる位置にギャップ深さ規制溝１１を加工し、前記の
ギャップ深さ規制溝１１に所定の温度条件で補強用ガラ
ス１２を充填する。補強用ガラス１２の充填後ギャップ
対向面に研磨加工を施す。このとき軟磁性膜１６の厚み
が所定量となるように研磨量を調整する。このようにし
てＩ型形状コアブロック半体を形成する。

【００４３】ｃ前記のようにして得た両コアブロック半
体のギャップ面上に、それぞれＳｉＯ₂及びガラスから
なるギャップ部材を所定量、スパッタ法で形成した。
（図中省略）次に両コアブロック半体を突き合わせ所定
の温度条件でガラス融着させる。またトラック規制溝１
０へのガラス１４の充填も同時に行いヘッドコアブロッ
ク１３を得る。その後所定のコア厚みとなるようにコア
ブロック１３を切断し、ヘッドチップを得る。

【００４４】図７には、本発明のヘッドコアのＸ−Ｘ断
面図を示す。Ｉコア半体８−ｂの軟磁性膜１６はヘッド
摺動面の近傍にのみに形成された構造である。

【００４５】なお、図１に示すマルチ磁気ヘッドを構成
するもう一つのヘッドコア２の製造方法は、Ｃ型形状コ
ア半体２−ｂは図６ａの工程と同じで、Ｉ型形状コア半
体２−ａにおいては、図６ａの工程中の巻線溝加工を施
さない形で得られる。その後の工程は図６ｃと同じでヘ
ッドチップを得ることができる。

【００４６】このように得た本発明のヘッドコア１とヘ
ッドコア２を所定の磁気ギャップ間距離で図１に示すよ
うに一つのベース７上に搭載することにより、本発明の
マルチ磁気ヘッドを得ることができる。

【００４７】

【発明の効果】本発明によるマルチ磁気ヘッド及びその
製造方法により、 （１）ＶＴＲ，ＤＡＴ等のシステムにヘッド特性の優れ
たＭＩＧヘッドを用いたマルチ磁気ヘッドの実現が可能
となる。

【００４８】（２）機械的強度に優れ、信頼性に優れた
マルチ磁気ヘッドの実現が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のマルチ磁気ヘッドの実施例１の側面図

【図２】本発明のマルチ磁気ヘッドの実施例２の製造工
程の概略図

【図３】本発明のマルチ磁気ヘッドの実施例２で搭載さ
れるヘッドコアの側断面図

【図４】本発明のマルチ磁気ヘッドの実施例３の製造工
程の概略図

【図５】本発明のマルチ磁気ヘッドに実施例３で搭載さ
れるヘッドコアの側断面図

【図６】本発明のマルチ磁気ヘッドの実施例４の製造工
程の概略図

【図７】本発明のマルチ磁気ヘッドの実施例４で搭載さ
れるヘッドコアの側断面図

【図８】本発明の磁気ヘッドと従来の磁気ヘッドのヘッ
ド特性を比較した図

【図９】従来のマルチ磁気ヘッドの側面図

【図１０】従来のマルチ磁気ヘッドに搭載されるヘッド
コアの側断面図

【符号の説明】

１ ヘッドコア１ １−ａ Ｃ型コア半体 １−ｂ Ｉ型コア半体 ２ ヘッドコア２ ２−ａ Ｉ型コア半体 ２−ｂ Ｃ型コア半体 ３ Ｉ型コア側アペックス ４ Ｃ型コア側アペックス ５ 磁気ギャップ ６ ヘッド摺動面 ７ ヘッドベース ８−ａ 酸化物磁性材料基板 ８−ｂ 酸化物磁性材料基板 ９ 巻線用溝 １０ トラック幅規制溝 １１ ギャップ深さ規制溝 １２ 補強用ガラス １３ ヘッドコアブロック １４ ガラス １５ 段 １６ 軟磁性膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 巻き線用溝を設けないＩ型形状コア半体
   と、巻き線用溝を設けたＣ型形状コア半体が酸化物磁性
   材料からなり、且つ磁気ギャップ近傍に高飽和磁束密度
   軟磁性材料を配した構造のＭＩＧヘッドが、１つのベー
   ス上に複数個搭載された構成のマルチ磁気ヘッドにおい
   て、前記ＭＩＧヘッドのギャップ深さ規制手段がヘッド
   の磁気ギャップより先に、磁気記録媒体に接触する側の
   コア半体のアペックス部とヘッド摺動面の距離とで規定
   されていることを特徴とするマルチ磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 巻き線用溝を設けないＩ型形状コア半体
   と、巻き線用溝を設けたＣ型形状コア半体が酸化物磁性
   材料からなり、且つ磁気ギャップ近傍に高飽和磁束密度
   軟磁性材料を配した構造のＭＩＧヘッドが、１つのベー
   ス上に複数個搭載された構成のマルチ磁気ヘッドのう
   ち、磁気ギャップより先に磁気記録媒体と接触する、前
   記Ｉ型形状コア半体にギャップ深さを規制する溝が形成
   され且つ、前記のギャップ深さ規制溝に補強用ガラスが
   充填されていることを特徴とする請求項１記載のマルチ
   磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 マルチ磁気ヘッドを構成する前記ＭＩＧ
   ヘッドのうち、Ｉ型形状コア半体が磁気ギャップより先
   に磁気記録媒体と接触する構造のヘッドの製造方法に関
   して、酸化物磁性材料からなるコア半体に巻線溝を加工
   を施しＣ型形状コア半体とする工程と、前記Ｃ型形状コ
   ア半体に所望のトラック幅になるようにトラック規制溝
   加工を施し、ギャップ面を研磨加工する工程と、Ｃ型形
   状コア半体のギャップ面上に高飽和磁束密度軟磁性材料
   を形成する工程と、もう一方の酸化物磁性材料からなる
   Ｉ型形状コア半体には、ヘッドのギャップ深さがコア半
   体のアペックス部とヘッド摺動面との距離で規定できる
   位置にギャップ深さ規制溝を形成した後、前記の溝に補
   強用ガラスを充填する工程と前記Ｉ型形状コア半体に、
   所望のトラック幅となるようにトラック規制溝加工を施
   した後ギャップ面を研磨加工する工程と、前記Ｉ型形状
   コア半体に高飽和磁束密度軟磁性材料を形成する工程
   と、Ｉ型形状コア半体において、補強用ガラスが充填さ
   れているギャップ深さ規制溝の上面に形成されている高
   飽和磁束密度軟磁性材料をエッチングで除去する工程
   と、前記Ｃ型形状コア半体及びＩ型形状コア半体のギャ
   ップ面上にギャップ部材を形成した後、所望の温度にお
   いてギャップ部材を介して両コア半体をガラス融着する
   ともにトラック規制溝にガラスの充填を行う工程と、ガ
   ラス融着された一対のコアを所定の幅に切断してヘッド
   チップを得る工程と、前記ヘッドチップをＩ型形状コア
   半体が磁気ギャップより先に磁気記録媒体と接触する構
   成にしてヘッドベース上に搭載する工程を特徴とするマ
   ルチ磁気ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】 マルチ磁気ヘッドを構成する前記ＭＩＧ
   ヘッドのうち、Ｉ型形状コア半体が磁気ギャップより先
   に磁気記録媒体と接触する構造のヘッドの製造方法に関
   して、酸化物磁性材料からなるコア半体に巻線溝加工を
   施しＣ型形状コア半体とする工程と、前記Ｃ型形状コア
   半体に所望のトラック幅になるようにトラック規制溝加
   工を施し、ギャップ面を研磨加工する工程と、Ｃ型形状
   コア半体のギャップ面上に高飽和磁束密度軟磁性材料を
   形成する工程と、もう一方の酸化物磁性材料からなるＩ
   型形状コア半体に、ヘッドのギャップ深さがＩ型形状コ
   ア半体のアペックス部とヘッド摺動面との距離で規定で
   きる位置にギャップ深さ規制溝を形成する工程と、前記
   のＩ型形状コア半体のギャップ面に研磨加工を行うとと
   もに、所望のトラック幅が得られるようにコア半体にト
   ラック規制溝加工を行う工程と、前記のＩ型形状コア半
   体のギャップ面上に高飽和磁束密度軟磁性材料を形成す
   る工程と、前記Ｉ型形状コア半体のギャップ深さ規制溝
   に補強用ガラスを充填するとともにギャップ面に研磨加
   工を施す工程と、前記Ｃ型形状コア半体及びＩ型形状コ
   ア半体のギャップ面上にギャップ部材を形成する工程
   と、所望の温度においてギャップ部材を介して前記の両
   コア半体をガラス融着するともにトラック規制溝にガラ
   スの充填も行う工程と、ガラス融着された一対のコアを
   所定の幅に切断してヘッドチップを得る工程と、前記ヘ
   ッドチップをＩ型形状コア半体が磁気ギャップより先に
   磁気記録媒体と接触する構成にしてヘッドベース上に搭
   載する工程を特徴とするマルチ磁気ヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】 マルチ磁気ヘッドを構成する前記ＭＩＧ
   ヘッドのうち、Ｉ型形状コア半体が磁気ギャップより先
   に磁気記録媒体と接触する構造のヘッドの製造方法に関
   して、酸化物磁性材料からなるコア半体に巻線溝を加工
   を施しＣ型形状コア半体とする工程と、前記Ｃ型形状コ
   ア半体に所望のトラック幅になるようにトラック規制溝
   加工を施し、ギャップ面を研磨加工する工程と、Ｃ型形
   状コア半体のギャップ面上に高飽和磁束密度軟磁性材料
   を形成する工程と、もう一方の酸化物磁性材料からなる
   Ｉ型形状コア半体のギャップ面上に形成する高飽和磁束
   密度軟磁性材料の膜厚以上の深さとなる段加工を施す工
   程と、Ｉ型形状コア半体に所望のトラック幅になるよう
   にトラック規制溝加工を施した後、Ｉ型形状コア半体の
   ギャップ面上に高飽和磁束密度軟磁性材料を形成する工
   程と、Ｉ型形状コア半体のアペックス部とヘッド摺動面
   との距離で規定できる位置にギャップ面深さ、規制溝を
   形成し、その溝に補強用ガラスを充填するとともにギャ
   ップを研磨加工する工程と、前記Ｃ型形状コア半体及び
   Ｉ型形状コア半体の両コアのギャップ面上にギャップ部
   材を形成した後、所望の温度においてギャップ部材を介
   して両コア半体をガラス融着するとともにトラック規制
   溝にガラスの充填を行う工程と、ガラス融着された一対
   のコアを所定の幅に切断してヘッドチップを得る工程
   と、前記ヘッドチップをＩ型形状コア半体が磁気ギャッ
   プより先に磁気記録媒体と接触する構成にしてヘッドベ
   ース上に搭載する工程を特徴とするマルチ磁気ヘッドの
   製造方法。