JPH05334751A - 光磁気記録再生装置 - Google Patents
光磁気記録再生装置Info
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- JPH05334751A JPH05334751A JP16553392A JP16553392A JPH05334751A JP H05334751 A JPH05334751 A JP H05334751A JP 16553392 A JP16553392 A JP 16553392A JP 16553392 A JP16553392 A JP 16553392A JP H05334751 A JPH05334751 A JP H05334751A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光スポットよりも小さく記録された磁区を高
い品位で再生できるようにし、また記録と同時のダイレ
クトベリファイをも可能とする。 【構成】 少なくとも交換結合した記録層と再生層の2
層の磁性層及びこの交換結合力を制御するための磁性層
を備えた光磁気記録媒体に、記録用光ビームを照射する
ための手段と、前記光ビームの照射部に記録すべき情報
信号に応じて変調された外部磁界を印加するための手段
と、前記再生層から反射した記録用光ビームを2つに分
離するための検光子としての偏光ビームスプリッタと、
この分離された光ビームをそれぞれ検出するための多分
割光検出器と、この2つの多分割光検出器の各検出面の
信号を用いて所定の演算を行い、ベリファイ用再生信号
を生成するための手段と、得られたベリファイ用再生信
号を用いて記録情報のベリファイを行うための手段とを
設ける。
い品位で再生できるようにし、また記録と同時のダイレ
クトベリファイをも可能とする。 【構成】 少なくとも交換結合した記録層と再生層の2
層の磁性層及びこの交換結合力を制御するための磁性層
を備えた光磁気記録媒体に、記録用光ビームを照射する
ための手段と、前記光ビームの照射部に記録すべき情報
信号に応じて変調された外部磁界を印加するための手段
と、前記再生層から反射した記録用光ビームを2つに分
離するための検光子としての偏光ビームスプリッタと、
この分離された光ビームをそれぞれ検出するための多分
割光検出器と、この2つの多分割光検出器の各検出面の
信号を用いて所定の演算を行い、ベリファイ用再生信号
を生成するための手段と、得られたベリファイ用再生信
号を用いて記録情報のベリファイを行うための手段とを
設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光と磁気の相互作用に
よって情報を記録、あるいは再生する光磁気記録再生装
置に関するものである。
よって情報を記録、あるいは再生する光磁気記録再生装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、光磁気ディスクを記録媒体として
用いた光磁気情報記録再生装置は、可搬性があること、
記憶容量が大きいこと、消去書き換えが可能なことなど
より大きな期待が寄せられている。そして、更に性能を
上げるべく、データ転送速度を高めるためのダイレクト
ベリファイの研究、あるいは記憶容量を上げるための研
究が盛んである。図11はその一般的な光磁気記録再生
装置の光学系を示した構成図である。図11において、
71は光源として設けられた半導体レーザで、ここから
の発散光はコリメータレンズ72で平行化され、またビ
ーム整形プリズム73、偏光ビームスプリッタ74を介
して対物レンズ75に入射される。そしてここで集光し
て光磁気記録媒体76の磁性層に光スポットが形成され
る。一方、磁気ヘッド77により光スポット照射部位に
外部磁界が与えられる。光磁気記録媒体76からの反射
光は、再び対物レンズ75を介して偏光ビームスプリッ
タ74に戻り、ここで反射光の一部が分離されて制御光
学系へもたらされる。制御光学系では、分離光束が別に
用意した偏光ビームスプリッタ78で更に分離されると
共に、一方が再生光学系79に導かれて情報信号が生成
される。また、他方は集光レンズ85、ハーフプリズム
86を介して光検出器87に、更にハーフプリズム8
6、ナイフエッジ88を介して光検出器89へ与えら
れ、光ヘッドのオートフォーカスやオートトラッキング
のためのサーボエラー信号が生成される。再生光学系7
9は、光束の偏光方向を45度回転させるための1/2
波長板80、光束を集光する集光レンズ81、光束を分
離する偏光ビームスプリッタ82、偏光ビームスプリッ
タ82により分離された光束のそれぞれを検出する光検
出器83及び84から構成されている。再生データは光
検出器83と84からの信号を差動検出した信号を用い
て生成される。
用いた光磁気情報記録再生装置は、可搬性があること、
記憶容量が大きいこと、消去書き換えが可能なことなど
より大きな期待が寄せられている。そして、更に性能を
上げるべく、データ転送速度を高めるためのダイレクト
ベリファイの研究、あるいは記憶容量を上げるための研
究が盛んである。図11はその一般的な光磁気記録再生
装置の光学系を示した構成図である。図11において、
71は光源として設けられた半導体レーザで、ここから
の発散光はコリメータレンズ72で平行化され、またビ
ーム整形プリズム73、偏光ビームスプリッタ74を介
して対物レンズ75に入射される。そしてここで集光し
て光磁気記録媒体76の磁性層に光スポットが形成され
る。一方、磁気ヘッド77により光スポット照射部位に
外部磁界が与えられる。光磁気記録媒体76からの反射
光は、再び対物レンズ75を介して偏光ビームスプリッ
タ74に戻り、ここで反射光の一部が分離されて制御光
学系へもたらされる。制御光学系では、分離光束が別に
用意した偏光ビームスプリッタ78で更に分離されると
共に、一方が再生光学系79に導かれて情報信号が生成
される。また、他方は集光レンズ85、ハーフプリズム
86を介して光検出器87に、更にハーフプリズム8
6、ナイフエッジ88を介して光検出器89へ与えら
れ、光ヘッドのオートフォーカスやオートトラッキング
のためのサーボエラー信号が生成される。再生光学系7
9は、光束の偏光方向を45度回転させるための1/2
波長板80、光束を集光する集光レンズ81、光束を分
離する偏光ビームスプリッタ82、偏光ビームスプリッ
タ82により分離された光束のそれぞれを検出する光検
出器83及び84から構成されている。再生データは光
検出器83と84からの信号を差動検出した信号を用い
て生成される。
【0003】図12は上記再生信号としての光磁気信号
がどの様に得られるかを説明するための図である。光磁
気記録媒体76は、磁化の方向の違いにより情報を記録
するのであるが、これに直線偏光の光を与えると、磁化
の方向の違いにより直線偏光の偏光方向が右回りか左回
りかに回転する。例えば、光磁気記録媒体に入射する直
線偏光の偏光方向を図12に示す座標軸P方向とし、下
向き磁化に対する反射光は+θk 回転したR+ 、上向き
磁化に対する反射光は−θk 回転したR- とする。そこ
で、図12で示すような方向に検光子をおくと、検光子
を透過してくる光はR+ に対しA、R- に対しBとな
り、これを光検出器で検出すると光強度の差として情報
を得ることができる。図11の装置では、偏光ビームス
プリッタ82が検光子の役目をしていて、分離した一方
の光束に対し、P軸から+45度、他方の光束に対し、
P軸から−45度の方向の検光子となる。つまり、光検
出器83と84で得られる信号成分は逆相となるので、
個々の信号を差動検出することで、ノイズが軽減された
再生信号を得ることができる。
がどの様に得られるかを説明するための図である。光磁
気記録媒体76は、磁化の方向の違いにより情報を記録
するのであるが、これに直線偏光の光を与えると、磁化
の方向の違いにより直線偏光の偏光方向が右回りか左回
りかに回転する。例えば、光磁気記録媒体に入射する直
線偏光の偏光方向を図12に示す座標軸P方向とし、下
向き磁化に対する反射光は+θk 回転したR+ 、上向き
磁化に対する反射光は−θk 回転したR- とする。そこ
で、図12で示すような方向に検光子をおくと、検光子
を透過してくる光はR+ に対しA、R- に対しBとな
り、これを光検出器で検出すると光強度の差として情報
を得ることができる。図11の装置では、偏光ビームス
プリッタ82が検光子の役目をしていて、分離した一方
の光束に対し、P軸から+45度、他方の光束に対し、
P軸から−45度の方向の検光子となる。つまり、光検
出器83と84で得られる信号成分は逆相となるので、
個々の信号を差動検出することで、ノイズが軽減された
再生信号を得ることができる。
【0004】次に、以上のような情報記録装置の記録方
式としては、代表的に光変調方式と磁界変調方式があ
る。光変調方式は記録媒体に一定の外部磁界を印加しな
がら記録情報に応じて変調された光スポットを照射する
方式である。この方式では、記録媒体に形成される磁区
の大きさは、光強度の大きさと、高レベルの光を照射す
る時間、記録媒体の速さ等により決まる。特に、照射す
る時間を非常に短くした場合、磁区の大きさはほとんど
光強度の大きさで決まると言ってよい。従って、光変調
方式では光ビームの照射時間と光強度を適度に設定する
ことによって、光スポットの大きさよりも小さな磁区を
形成することが可能となり、情報の高密度記録を行うこ
とができる。一方、磁界変調方式は記録媒体に一定強度
の光スポットを照射しながら記録情報に応じて変調され
た外部磁界を印加する方式である。この磁界変調方式で
高密度記録を行うためには、変調磁界を高速に切り変え
ればよく、こうした磁界の高速反転によって光スポット
よりも小さい長さの磁区を記録することができる。
式としては、代表的に光変調方式と磁界変調方式があ
る。光変調方式は記録媒体に一定の外部磁界を印加しな
がら記録情報に応じて変調された光スポットを照射する
方式である。この方式では、記録媒体に形成される磁区
の大きさは、光強度の大きさと、高レベルの光を照射す
る時間、記録媒体の速さ等により決まる。特に、照射す
る時間を非常に短くした場合、磁区の大きさはほとんど
光強度の大きさで決まると言ってよい。従って、光変調
方式では光ビームの照射時間と光強度を適度に設定する
ことによって、光スポットの大きさよりも小さな磁区を
形成することが可能となり、情報の高密度記録を行うこ
とができる。一方、磁界変調方式は記録媒体に一定強度
の光スポットを照射しながら記録情報に応じて変調され
た外部磁界を印加する方式である。この磁界変調方式で
高密度記録を行うためには、変調磁界を高速に切り変え
ればよく、こうした磁界の高速反転によって光スポット
よりも小さい長さの磁区を記録することができる。
【0005】ところで、このように光スポットよりも小
さく記録された磁区を再生する方式としては、図13に
示す方式(Optical Data Storage Topical Meeting 199
1.2.25〜27,TuB3,TuB4 )、あるいは図14に示す方式
(日経エレクトロニクス 1991.3.4,P92)がある。これ
らは、いずれも光スポットの一部をマスクして再生可能
領域を小さくするものである。以下、上記再生方式につ
いて説明する。まず、前者の再生方式である。図13に
おいて、(a)は光磁気記録媒体の一部分を表面から見
た図、(b)は記録媒体の各層の磁化状態を示した図で
ある。光磁気記録媒体の磁性層は3層から構成され、9
4は再生層で300℃より大きいキュリー温度を持ち、
室温での保磁力は100(Oe )程度である。95はス
イッチング層で120℃程度のキュリー温度を持ち、9
6は記録層で250℃程度のキュリー温度を有する。こ
れらは、いずれも室温での保磁力は104 (Oe )より
大きい。ここで、トラック90に対して再生用の光スポ
ット91(91′)を図のように照射し、このとき光磁
気記録媒体が図中B方向に移動しているとすると、まず
光スポット91の熱により磁性層が熱せられる。この場
合、92(92′)として示す領域がスイッチング層の
磁化が消失する温度以上になった領域で、光スポットの
一部をマスクするマスク領域となる。このマスク領域9
2(92′)では、再生層と記録層の交換結合力が遮断
されるため、この領域に磁石97により記録磁区と同じ
磁化の方向に外部磁界を印加すると、マスク領域92
(92′)の再生層94の磁化は常に上向きになる。従
って、光スポット91(91′)内で実質的なマスク領
域98を除いた部分は再生可能領域となるため、本来の
光スポット91(91′)の大きさよりも小さな記録磁
区列93−1〜6を再生することができる。
さく記録された磁区を再生する方式としては、図13に
示す方式(Optical Data Storage Topical Meeting 199
1.2.25〜27,TuB3,TuB4 )、あるいは図14に示す方式
(日経エレクトロニクス 1991.3.4,P92)がある。これ
らは、いずれも光スポットの一部をマスクして再生可能
領域を小さくするものである。以下、上記再生方式につ
いて説明する。まず、前者の再生方式である。図13に
おいて、(a)は光磁気記録媒体の一部分を表面から見
た図、(b)は記録媒体の各層の磁化状態を示した図で
ある。光磁気記録媒体の磁性層は3層から構成され、9
4は再生層で300℃より大きいキュリー温度を持ち、
室温での保磁力は100(Oe )程度である。95はス
イッチング層で120℃程度のキュリー温度を持ち、9
6は記録層で250℃程度のキュリー温度を有する。こ
れらは、いずれも室温での保磁力は104 (Oe )より
大きい。ここで、トラック90に対して再生用の光スポ
ット91(91′)を図のように照射し、このとき光磁
気記録媒体が図中B方向に移動しているとすると、まず
光スポット91の熱により磁性層が熱せられる。この場
合、92(92′)として示す領域がスイッチング層の
磁化が消失する温度以上になった領域で、光スポットの
一部をマスクするマスク領域となる。このマスク領域9
2(92′)では、再生層と記録層の交換結合力が遮断
されるため、この領域に磁石97により記録磁区と同じ
磁化の方向に外部磁界を印加すると、マスク領域92
(92′)の再生層94の磁化は常に上向きになる。従
って、光スポット91(91′)内で実質的なマスク領
域98を除いた部分は再生可能領域となるため、本来の
光スポット91(91′)の大きさよりも小さな記録磁
区列93−1〜6を再生することができる。
【0006】次に、後者の再生方式を図14により説明
する。図14において、(a)は光磁気記録媒体の表面
から見た図、(b)は各層の磁化状態を示した図であ
る。光磁気記録媒体の磁性層は、ここでは2層から構成
され、102は再生層、103は記録層である。記録層
103は保磁力が大きく、キュリー温度は通常の光磁気
記録媒体と同じであるが、再生層102は保磁力もキュ
リー温度も記録層103よりも低い特性を有する。ここ
で、トラック90に対して再生用の光スポット99を図
示のように照射し、このとき光磁気記録媒体は図中C方
向に移動しているとすると、まず光磁気記録媒体が初期
化磁石104の下を通過したときに、保磁力の小さい再
生層102だけが強制的に下向きに磁化され、上向きに
磁化されていた記録層103の記録ピット101−2〜
101−4をマスクしてしまう。このとき、光スポット
99(99′)の照射部分では温度が上がり、長時間光
が当たった領域は高温となるため、交換結合力により記
録層103の記録ピット101−5〜101−6が再生
層102に転写可能な領域100(100′)を形成で
きる。105は転写の補助をする補助磁石である。従っ
て、光スポット99内で106として示す領域が再生可
能領域となる。このように、いずれの方式であっても、
見掛け上有効な光スポット径を小さくすることが可能で
ある。
する。図14において、(a)は光磁気記録媒体の表面
から見た図、(b)は各層の磁化状態を示した図であ
る。光磁気記録媒体の磁性層は、ここでは2層から構成
され、102は再生層、103は記録層である。記録層
103は保磁力が大きく、キュリー温度は通常の光磁気
記録媒体と同じであるが、再生層102は保磁力もキュ
リー温度も記録層103よりも低い特性を有する。ここ
で、トラック90に対して再生用の光スポット99を図
示のように照射し、このとき光磁気記録媒体は図中C方
向に移動しているとすると、まず光磁気記録媒体が初期
化磁石104の下を通過したときに、保磁力の小さい再
生層102だけが強制的に下向きに磁化され、上向きに
磁化されていた記録層103の記録ピット101−2〜
101−4をマスクしてしまう。このとき、光スポット
99(99′)の照射部分では温度が上がり、長時間光
が当たった領域は高温となるため、交換結合力により記
録層103の記録ピット101−5〜101−6が再生
層102に転写可能な領域100(100′)を形成で
きる。105は転写の補助をする補助磁石である。従っ
て、光スポット99内で106として示す領域が再生可
能領域となる。このように、いずれの方式であっても、
見掛け上有効な光スポット径を小さくすることが可能で
ある。
【0007】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、図
13、図14に示した従来の再生方式では、マスクされ
る領域が光スポットの前側かまたは後側だけであるため
に、光スポットのマスクされない側からの影響によっ
て、再生信号の品位が低下するという問題があった。特
に図13の再生方式では、記録ピット93−3や93−
6の前後の影響を受けるという問題があった。また、図
14の再生方式にあっては、初期化磁石が必要であるた
め、装置の構造が複雑、かつ大型化するという問題があ
った。
13、図14に示した従来の再生方式では、マスクされ
る領域が光スポットの前側かまたは後側だけであるため
に、光スポットのマスクされない側からの影響によっ
て、再生信号の品位が低下するという問題があった。特
に図13の再生方式では、記録ピット93−3や93−
6の前後の影響を受けるという問題があった。また、図
14の再生方式にあっては、初期化磁石が必要であるた
め、装置の構造が複雑、かつ大型化するという問題があ
った。
【0008】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、その目的は光スポットよりも小さ
く記録された磁区を高い品位で再生でき、加えて記録と
同時のダイレクトベリファイをも可能とした光磁気記録
再生装置を提供することにある。
めになされたもので、その目的は光スポットよりも小さ
く記録された磁区を高い品位で再生でき、加えて記録と
同時のダイレクトベリファイをも可能とした光磁気記録
再生装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、少なく
とも交換結合した記録層と再生層の2層の磁性層及びこ
の交換結合力を制御するための磁性層を備えた光磁気記
録媒体に、記録用光ビームを照射して前記2層の交換結
合力を遮断するための手段と、前記光ビームの照射部に
記録すべき情報信号に応じて変調された外部磁界を印加
して前記記録層に情報を記録し、かつ再生層の磁化を外
部磁界の方向に配向するための手段と、前記再生層から
反射した記録用光ビームを2つに分離するための検光子
としての偏光ビームスプリッタと、この分離された光ビ
ームをそれぞれ検出するための多分割光検出器と、この
2つの多分割光検出器の各検出面の信号を用いて所定の
演算を行い、ベリファイ用再生信号を生成するための手
段と、得られたベリファイ用再生信号を用いて記録情報
のベリファイを行うための手段とを有することを特徴と
する光磁気記録再生装置によって達成される。
とも交換結合した記録層と再生層の2層の磁性層及びこ
の交換結合力を制御するための磁性層を備えた光磁気記
録媒体に、記録用光ビームを照射して前記2層の交換結
合力を遮断するための手段と、前記光ビームの照射部に
記録すべき情報信号に応じて変調された外部磁界を印加
して前記記録層に情報を記録し、かつ再生層の磁化を外
部磁界の方向に配向するための手段と、前記再生層から
反射した記録用光ビームを2つに分離するための検光子
としての偏光ビームスプリッタと、この分離された光ビ
ームをそれぞれ検出するための多分割光検出器と、この
2つの多分割光検出器の各検出面の信号を用いて所定の
演算を行い、ベリファイ用再生信号を生成するための手
段と、得られたベリファイ用再生信号を用いて記録情報
のベリファイを行うための手段とを有することを特徴と
する光磁気記録再生装置によって達成される。
【0010】また、本発明の目的は、少なくとも交換結
合した記録層と再生層の2層の磁性層及びこの交換結合
力を制御するための磁性層を備えた光磁気記録媒体に、
再生用光ビームを照射して前記2層の磁性層の交換結合
力が強まった転写可能領域とこの領域の外側の交換結合
力が弱まった転写不可能領域を形成するための手段と、
おおむねこの転写不可能領域を含む転写可能領域に所定
の一定方向の磁界を印加して転写不可能領域の情報をマ
スクするための手段と、前記転写不可能領域を含む転写
可転領域から反射された再生用光ビームを2つに分離す
るための検光子としての偏光ビームスプリッタと、この
分離された光ビームをそれぞれ検出するための多分割光
検出器と、この2つの多分割光検出器の各検出面の信号
を用いて所定の演算を行い、再生信号を生成するための
手段とを有することを特徴とする光磁気記録再生装置に
よって達成される。
合した記録層と再生層の2層の磁性層及びこの交換結合
力を制御するための磁性層を備えた光磁気記録媒体に、
再生用光ビームを照射して前記2層の磁性層の交換結合
力が強まった転写可能領域とこの領域の外側の交換結合
力が弱まった転写不可能領域を形成するための手段と、
おおむねこの転写不可能領域を含む転写可能領域に所定
の一定方向の磁界を印加して転写不可能領域の情報をマ
スクするための手段と、前記転写不可能領域を含む転写
可転領域から反射された再生用光ビームを2つに分離す
るための検光子としての偏光ビームスプリッタと、この
分離された光ビームをそれぞれ検出するための多分割光
検出器と、この2つの多分割光検出器の各検出面の信号
を用いて所定の演算を行い、再生信号を生成するための
手段とを有することを特徴とする光磁気記録再生装置に
よって達成される。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。図1は本発明の光磁気記録再生装
置の一実施例を示した構成図である。なお、図1では本
発明の要部の再生光学系の構成のみを示しており、それ
以外の構成は図11に示した装置と同じで、図1では同
一部分を省略してある。但し、本実施例では対物レンズ
として、NAが0.5か、それ以上の大きな曲率の曲面
をもつものが使用されている。また、ここでは光磁気記
録媒体として磁性層が三層のものが使用されているが、
その具体的な構造及び特性については、詳しく後述す
る。図1において、80は1/2波長板、81は集光レ
ンズ、82は検光子としての偏光ビームスプリッタであ
り、これらはいずれも図11のものと同じである。1/
2波長板80には図11に示した偏光ビームスプリッタ
78で分離された光ビームが入射されるものとする。ま
た、1及び2は検出面が4つに分割された4分割光検出
器である。図1では、これらの4分割光検出器1,2の
検出面を模式的に示しており、また光磁気記録媒体76
に対する配置関係がわかるように、光磁気記録媒体76
の情報トラックの方向を矢印で示している。1−1〜1
−4は4分割光検出器1の各検出面、矢印Dは情報トラ
ックの方向である。また、2−1〜2−4は4分割光検
出器2の各検出面、矢印D′は情報トラックの方向であ
る。4分割光検出器1と2の各検出面の対応は、検光子
としての偏光ビームスプリッタ82を介して光を入射す
るために、左右の位置が逆の対応となる。即ち、検出面
1−1と2−1、検出面1−2と2−2、検出面1−3
と2−3、検出面1−4と2−4がそれぞれ対応する位
置関係となる。
して詳細に説明する。図1は本発明の光磁気記録再生装
置の一実施例を示した構成図である。なお、図1では本
発明の要部の再生光学系の構成のみを示しており、それ
以外の構成は図11に示した装置と同じで、図1では同
一部分を省略してある。但し、本実施例では対物レンズ
として、NAが0.5か、それ以上の大きな曲率の曲面
をもつものが使用されている。また、ここでは光磁気記
録媒体として磁性層が三層のものが使用されているが、
その具体的な構造及び特性については、詳しく後述す
る。図1において、80は1/2波長板、81は集光レ
ンズ、82は検光子としての偏光ビームスプリッタであ
り、これらはいずれも図11のものと同じである。1/
2波長板80には図11に示した偏光ビームスプリッタ
78で分離された光ビームが入射されるものとする。ま
た、1及び2は検出面が4つに分割された4分割光検出
器である。図1では、これらの4分割光検出器1,2の
検出面を模式的に示しており、また光磁気記録媒体76
に対する配置関係がわかるように、光磁気記録媒体76
の情報トラックの方向を矢印で示している。1−1〜1
−4は4分割光検出器1の各検出面、矢印Dは情報トラ
ックの方向である。また、2−1〜2−4は4分割光検
出器2の各検出面、矢印D′は情報トラックの方向であ
る。4分割光検出器1と2の各検出面の対応は、検光子
としての偏光ビームスプリッタ82を介して光を入射す
るために、左右の位置が逆の対応となる。即ち、検出面
1−1と2−1、検出面1−2と2−2、検出面1−3
と2−3、検出面1−4と2−4がそれぞれ対応する位
置関係となる。
【0012】3及び4はそれぞれ4分割光検出器1の対
角位置の検出面同志の検出信号を加算するための加算ア
ンプ、6及び7はそれぞれ4分割光検出器1のトラック
方向に隣接する検出面同志の検出信号を加算するための
加算アンプである。5は加算アンプ3及び4で得られた
和信号を差動検出するための差動アンプ、8は加算アン
プ6及び7で得られた和信号を差動検出するための差動
アンプである。また、9及び10はそれぞれ4分割光検
出器2の対角位置の検出面同志の検出信号を加算するた
めの加算アンプ、12及び13はそれぞれ4分割光検出
器2のトラック方向に隣接する検出面同志の検出信号を
加算するための加算アンプである。11は加算アンプ9
及び10で得られた和信号を差動検出するための差動ア
ンプ、14は加算アンプ12及び13で得られた和信号
を差動検出するための差動アンプである。更に、15は
差動アンプ5と11の出力信号を差動検出するための差
動アンプで、ここで差動検出して得られた信号が後述す
るようにベリファイ用再生信号16として使用される。
17は差動アンプ8と14の出力信号を加算するための
加算アンプで、ここで加算して得られた信号が通常再生
時の再生信号18として出力される。
角位置の検出面同志の検出信号を加算するための加算ア
ンプ、6及び7はそれぞれ4分割光検出器1のトラック
方向に隣接する検出面同志の検出信号を加算するための
加算アンプである。5は加算アンプ3及び4で得られた
和信号を差動検出するための差動アンプ、8は加算アン
プ6及び7で得られた和信号を差動検出するための差動
アンプである。また、9及び10はそれぞれ4分割光検
出器2の対角位置の検出面同志の検出信号を加算するた
めの加算アンプ、12及び13はそれぞれ4分割光検出
器2のトラック方向に隣接する検出面同志の検出信号を
加算するための加算アンプである。11は加算アンプ9
及び10で得られた和信号を差動検出するための差動ア
ンプ、14は加算アンプ12及び13で得られた和信号
を差動検出するための差動アンプである。更に、15は
差動アンプ5と11の出力信号を差動検出するための差
動アンプで、ここで差動検出して得られた信号が後述す
るようにベリファイ用再生信号16として使用される。
17は差動アンプ8と14の出力信号を加算するための
加算アンプで、ここで加算して得られた信号が通常再生
時の再生信号18として出力される。
【0013】また、本実施例では、半導体レーザ71か
ら射出される光束は紙面に平行方向に偏光方向のある直
線偏光(P偏光)である。この光束が対物レンズに入射
すると、前述の如く対物レンズの曲率が大きく、入射光
に垂直の偏光に対する反射率が著しく異なるので、偏光
面が回転し、入射光の偏光面と垂直な偏光だけをみる
と、後述するように四つ葉のクローバのような回折像が
得られる。また、4分割光検出器1及び2に入射する光
束は、図12に示したP+ の入射光の偏光方向と同じ偏
光の光と、それに垂直な方向の偏光である。この中に
は、光磁気記録媒体のカー効果、ファラデー効果によっ
て生じるS+ 及びS- の光と、前述したような対物レン
ズの曲面で生じた光が含まれている。
ら射出される光束は紙面に平行方向に偏光方向のある直
線偏光(P偏光)である。この光束が対物レンズに入射
すると、前述の如く対物レンズの曲率が大きく、入射光
に垂直の偏光に対する反射率が著しく異なるので、偏光
面が回転し、入射光の偏光面と垂直な偏光だけをみる
と、後述するように四つ葉のクローバのような回折像が
得られる。また、4分割光検出器1及び2に入射する光
束は、図12に示したP+ の入射光の偏光方向と同じ偏
光の光と、それに垂直な方向の偏光である。この中に
は、光磁気記録媒体のカー効果、ファラデー効果によっ
て生じるS+ 及びS- の光と、前述したような対物レン
ズの曲面で生じた光が含まれている。
【0014】図2は本実施例で使用される光磁気記録媒
体76の具体的な構造を示した断面図である。図2にお
いて、19はプラスチックなどの光透過性を有する材料
から作製された透明基板である。この透明基板19上
に、保護層20、再生層21(第1の磁性層)、調整層
22(第3の磁性層)、記録層23(第2の磁性層)、
保護層24、反射層25が順次積層されている。再生層
21と記録層23は交換結合しており、その間に設けら
れた調整層22はその交換結合力を光ビームの温度によ
って制御するよう機能するものである。なお26は光磁
気ディスクに実際に記録、再生するときに必要な光スポ
ット集光用の対物レンズ、27はこれに対向配置される
磁気ヘッドである。
体76の具体的な構造を示した断面図である。図2にお
いて、19はプラスチックなどの光透過性を有する材料
から作製された透明基板である。この透明基板19上
に、保護層20、再生層21(第1の磁性層)、調整層
22(第3の磁性層)、記録層23(第2の磁性層)、
保護層24、反射層25が順次積層されている。再生層
21と記録層23は交換結合しており、その間に設けら
れた調整層22はその交換結合力を光ビームの温度によ
って制御するよう機能するものである。なお26は光磁
気ディスクに実際に記録、再生するときに必要な光スポ
ット集光用の対物レンズ、27はこれに対向配置される
磁気ヘッドである。
【0015】図3は上記各磁性層の温度と保磁力の関係
を示した特性図で、28は再生層21の特性曲線、29
は調整層22の特性曲線、30は記録層23の特性曲線
である。図3から明らかなように、再生層28は室温で
の保磁力Hc28 が小さく、高いキュリー温度Tc28 を有
し、記録層23は室温での保磁力Hc30 が大きく、低い
キュリー温度Tc30 を有する。また、調整層22の室温
での保磁力Hc29 とキュリー温度Tc29 は、ともに他よ
り小さい。なお、図中TR は再生時の光スポット近傍の
磁性層の温度範囲を示し、室温より高く、調整層22の
キュリー温度Tc29 より小さい。また、TW は記録時の
光スポット近傍の磁性層の温度範囲であり、記録層23
のキュリー温度Tc30 近傍で、調整層22のキュリー温
度Tc29より高く、再生層21のキュリー温度Tc28 よ
り小さくなっている。本実施例の光磁気記録媒体の具体
的な組成及び膜厚、その他の特性を表1に示す。
を示した特性図で、28は再生層21の特性曲線、29
は調整層22の特性曲線、30は記録層23の特性曲線
である。図3から明らかなように、再生層28は室温で
の保磁力Hc28 が小さく、高いキュリー温度Tc28 を有
し、記録層23は室温での保磁力Hc30 が大きく、低い
キュリー温度Tc30 を有する。また、調整層22の室温
での保磁力Hc29 とキュリー温度Tc29 は、ともに他よ
り小さい。なお、図中TR は再生時の光スポット近傍の
磁性層の温度範囲を示し、室温より高く、調整層22の
キュリー温度Tc29 より小さい。また、TW は記録時の
光スポット近傍の磁性層の温度範囲であり、記録層23
のキュリー温度Tc30 近傍で、調整層22のキュリー温
度Tc29より高く、再生層21のキュリー温度Tc28 よ
り小さくなっている。本実施例の光磁気記録媒体の具体
的な組成及び膜厚、その他の特性を表1に示す。
【0016】
【表1】 表1に示すとおり、再生層21は例えばTM−rich
の組成としており、Ms(飽和磁化)は200emu/
cc以下である。調整層22は例えばRE−richの
組成であり、Msは300〜400emu/cc程度で
ある。また、記録層23は例えばRE−richでもT
M−richの組成でも良いが、Msは200emu/
cc以下、または−200emu/cc以上である。
の組成としており、Ms(飽和磁化)は200emu/
cc以下である。調整層22は例えばRE−richの
組成であり、Msは300〜400emu/cc程度で
ある。また、記録層23は例えばRE−richでもT
M−richの組成でも良いが、Msは200emu/
cc以下、または−200emu/cc以上である。
【0017】ここで、再生層21と記録層23との交換
結合力及び調整層22の働きについて説明する。まず、
再生時の温度範囲TR 以下では調整層22のMsが大き
く、異方性定数よりも2πMs2 の値が大きくなるた
め、調整層22は垂直磁化にはならず面内磁化となる。
そのため、再生層21と記録層23との交換結合力は弱
められた状態になる。つまり、再生層21の保磁力より
も大きな外部磁界Hexをかけると、再生層21の磁化は
外部磁界の方向を向く。再生時の温度範囲TR まで磁性
層の温度が上がると、調整層22の異方性定数がその温
度における2πMs2 の値よりも大きくなるため、調整
層22は垂直磁化となる。これにより、再生層21と記
録層23との交換結合力は強められた状態になり、記録
層23に記録されている磁化の方向が再生層21に転写
可能となる。さらに、記録時の温度範囲TW まで磁性層
の温度が上がると、調整層22はキュリー温度Tc29 以
上となるので、磁化が消失する。そのため、再生層21
と記録層23との交換結合力は遮断された状態となり、
再生層21の保磁力よりも大きな外部変調磁界±Hexを
かけると、再生層21の磁化は外部変調磁界の方向に配
向する。
結合力及び調整層22の働きについて説明する。まず、
再生時の温度範囲TR 以下では調整層22のMsが大き
く、異方性定数よりも2πMs2 の値が大きくなるた
め、調整層22は垂直磁化にはならず面内磁化となる。
そのため、再生層21と記録層23との交換結合力は弱
められた状態になる。つまり、再生層21の保磁力より
も大きな外部磁界Hexをかけると、再生層21の磁化は
外部磁界の方向を向く。再生時の温度範囲TR まで磁性
層の温度が上がると、調整層22の異方性定数がその温
度における2πMs2 の値よりも大きくなるため、調整
層22は垂直磁化となる。これにより、再生層21と記
録層23との交換結合力は強められた状態になり、記録
層23に記録されている磁化の方向が再生層21に転写
可能となる。さらに、記録時の温度範囲TW まで磁性層
の温度が上がると、調整層22はキュリー温度Tc29 以
上となるので、磁化が消失する。そのため、再生層21
と記録層23との交換結合力は遮断された状態となり、
再生層21の保磁力よりも大きな外部変調磁界±Hexを
かけると、再生層21の磁化は外部変調磁界の方向に配
向する。
【0018】次に、本実施例の光磁気記録再生装置の基
本的な記録、再生動作について説明する。まず、図4に
基づいて情報の記録動作を説明する。図4(a)は光磁
気記録媒体の一部分を表面から見た図、図4(b)は各
磁性層の磁化の状態を示した図である。同図において、
31は情報が記録されている光磁気記録媒体上の情報ト
ラックである。光磁気記録媒体は図中A方向(トラック
と平行方向)に移動しているものとする。32(3
2′)はトラック31上に照射された記録用光スポッ
ト、即ち記録時の光スポットが照射される領域を示す。
この光スポットは半導体レーザなどの光源の光ビームを
図2で示した対物レンズ26で絞って照射したもので、
この光スポット32により磁性層の温度が上昇する。3
4(34′)は図3で示したTW の温度範囲にあるとこ
ろの交換結合力遮断領域である。この交換結合力遮断領
域34内では、調整層22の磁化は消失し、再生層21
と記録層23との交換結合力は遮断される。33(3
3′)はTW の温度範囲の高温側の領域で、図2に示し
た磁気ヘッド27から印加される外部変調磁界±Hexに
よって記録層23の磁化が反転することが可能な記録可
能領域である。
本的な記録、再生動作について説明する。まず、図4に
基づいて情報の記録動作を説明する。図4(a)は光磁
気記録媒体の一部分を表面から見た図、図4(b)は各
磁性層の磁化の状態を示した図である。同図において、
31は情報が記録されている光磁気記録媒体上の情報ト
ラックである。光磁気記録媒体は図中A方向(トラック
と平行方向)に移動しているものとする。32(3
2′)はトラック31上に照射された記録用光スポッ
ト、即ち記録時の光スポットが照射される領域を示す。
この光スポットは半導体レーザなどの光源の光ビームを
図2で示した対物レンズ26で絞って照射したもので、
この光スポット32により磁性層の温度が上昇する。3
4(34′)は図3で示したTW の温度範囲にあるとこ
ろの交換結合力遮断領域である。この交換結合力遮断領
域34内では、調整層22の磁化は消失し、再生層21
と記録層23との交換結合力は遮断される。33(3
3′)はTW の温度範囲の高温側の領域で、図2に示し
た磁気ヘッド27から印加される外部変調磁界±Hexに
よって記録層23の磁化が反転することが可能な記録可
能領域である。
【0019】情報を記録する場合、このように一定パワ
ーの光スポット32を走査しながら照射することによ
り、記録可能領域33と、これら光スポット32と記録
可能領域33を含む交換結合力遮断領域34を形成す
る。そして、この状態で記録する情報に従がって磁気ヘ
ッド27により外部磁界を+Hex又は−Hexに変調し、
この磁界をおおむね交換結合力遮断領域34を含む領域
に印加する。この結果、記録層23の記録可能領域33
に磁区が記録され、ここでオーバライトされる磁区は従
来の磁界変調オーバライト方式と同等の矢羽根形状とな
る。即ち、図4に示すように前の情報の磁区35−1な
どの上から新しい情報がオーバライトされるために、新
しい情報の磁区35−2の形状は磁区の先端と後端が円
弧状の矢羽根状となる。この場合、外部磁界の変調周波
数を高くすることにより、記録する磁区のA方向の長さ
を光スポット32の半径程度にすることができる。一
方、交換結合力遮断領域34内の再生層21の磁化は、
外部磁界の変調に合わせてその方向を変える。つまり、
記録層23にオーバライトしている磁区の方向と同じ方
向に配向する。これにより、光磁気記録媒体からの反射
光を図1で示した光ヘッドの再生光学系でその偏光状態
を検知することにより、再生層21の磁化の方向を検出
することができる。即ち、磁性層の欠陥等により磁区が
書き損じているかいないかを確かめることができ、一つ
の光スポットによる記録と同時のダイレクトベリファイ
を行うことができる。
ーの光スポット32を走査しながら照射することによ
り、記録可能領域33と、これら光スポット32と記録
可能領域33を含む交換結合力遮断領域34を形成す
る。そして、この状態で記録する情報に従がって磁気ヘ
ッド27により外部磁界を+Hex又は−Hexに変調し、
この磁界をおおむね交換結合力遮断領域34を含む領域
に印加する。この結果、記録層23の記録可能領域33
に磁区が記録され、ここでオーバライトされる磁区は従
来の磁界変調オーバライト方式と同等の矢羽根形状とな
る。即ち、図4に示すように前の情報の磁区35−1な
どの上から新しい情報がオーバライトされるために、新
しい情報の磁区35−2の形状は磁区の先端と後端が円
弧状の矢羽根状となる。この場合、外部磁界の変調周波
数を高くすることにより、記録する磁区のA方向の長さ
を光スポット32の半径程度にすることができる。一
方、交換結合力遮断領域34内の再生層21の磁化は、
外部磁界の変調に合わせてその方向を変える。つまり、
記録層23にオーバライトしている磁区の方向と同じ方
向に配向する。これにより、光磁気記録媒体からの反射
光を図1で示した光ヘッドの再生光学系でその偏光状態
を検知することにより、再生層21の磁化の方向を検出
することができる。即ち、磁性層の欠陥等により磁区が
書き損じているかいないかを確かめることができ、一つ
の光スポットによる記録と同時のダイレクトベリファイ
を行うことができる。
【0020】次に、図5に基づいて情報の再生動作を説
明する。図5(a)は光磁気記録媒体の一部分を表面か
ら見た図、図5(b)は各磁性層の磁化の状態を示した
図である。同図において、31は情報が記録されている
光磁気記録媒体上の情報トラックである。光磁気記録媒
体はA方向に移動しているものとする。36(36′)
は記録用光スポットよりパワーの低い再生用の光スポッ
トが照射される領域を示す。この光スポット36により
磁性層の温度が上昇する。37(37′)は図3で示し
たTR の温度範囲にある転写可能領域である。転写可能
領域37′内では、調整層22は垂直磁化となり、再生
層21と記録層23との交換結合力が強められるため、
磁気ヘッド27により印加される外部磁界に影響され
ず、記録層23の磁化の方向が再生層21の方向として
転写される。38(38′)は転写可能領域37の外側
にあって、光スポット36を含む転写不可能領域であ
る。転写不可能領域38内の磁性層の温度は、TR の温
度範囲以下となる。この領域38内では、調整層22は
面内磁化となり、再生層21と記録層23の交換結合力
は弱められ、再生層21の磁化の方向は記録層23の磁
化の方向に関係なく、磁気ヘッド27による外部磁界の
方向に従がう。このとき磁気ヘッド27は所定の一定方
向の外部磁界を印加する。
明する。図5(a)は光磁気記録媒体の一部分を表面か
ら見た図、図5(b)は各磁性層の磁化の状態を示した
図である。同図において、31は情報が記録されている
光磁気記録媒体上の情報トラックである。光磁気記録媒
体はA方向に移動しているものとする。36(36′)
は記録用光スポットよりパワーの低い再生用の光スポッ
トが照射される領域を示す。この光スポット36により
磁性層の温度が上昇する。37(37′)は図3で示し
たTR の温度範囲にある転写可能領域である。転写可能
領域37′内では、調整層22は垂直磁化となり、再生
層21と記録層23との交換結合力が強められるため、
磁気ヘッド27により印加される外部磁界に影響され
ず、記録層23の磁化の方向が再生層21の方向として
転写される。38(38′)は転写可能領域37の外側
にあって、光スポット36を含む転写不可能領域であ
る。転写不可能領域38内の磁性層の温度は、TR の温
度範囲以下となる。この領域38内では、調整層22は
面内磁化となり、再生層21と記録層23の交換結合力
は弱められ、再生層21の磁化の方向は記録層23の磁
化の方向に関係なく、磁気ヘッド27による外部磁界の
方向に従がう。このとき磁気ヘッド27は所定の一定方
向の外部磁界を印加する。
【0021】このように再生時においては、記録時のパ
ワーよりは低い一定パワーの光スポット36を走査しな
がら照射することにより、転写可能領域37と転写不可
能領域38を形成する。この状態で磁気ヘッド27によ
り一定方向の外部磁界をおおむね転写不可能領域38を
含む領域に印加する。外部磁界の方向は、初期化時の記
録層23の磁化の方向と同じでもよいし、その逆でもよ
い。この結果、トラック31上の磁区39のうち転写不
可能領域38内に入った39−2,39−4及び39−
3の一部の破線で示される磁区はマスクされ、転写可能
領域37に現われた磁区39−3の実線部分のみが、再
生反射光の偏光状態の変化に寄与するものとなる。従っ
て、この反射光を図1に示したような光ヘッドの再生光
学系により検出し、その偏光状態を検知することによ
り、再生層21の転写可能領域38内の磁区の方向を検
出することができ、光スポット36の直径以下の長さの
磁区を再生することができる。本実施例では、マスクさ
れる領域が再生反射光の偏光状態の変化に寄与する領域
(転写可能領域37)を取り囲んでいるので、図13及
び図14に示した従来のマスク方式よりも、まわりの磁
区からの影響が少なく信頼性の高い再生信号を得ること
ができる。なお、転写可能領域37をより小さくするこ
とによって、より長さの小さな磁区を再生することが可
能ではあるが、再生信号のC/Nを考えると、転写可能
領域37の大きさは再生光スポット36の大きさの半分
程度が望ましい。
ワーよりは低い一定パワーの光スポット36を走査しな
がら照射することにより、転写可能領域37と転写不可
能領域38を形成する。この状態で磁気ヘッド27によ
り一定方向の外部磁界をおおむね転写不可能領域38を
含む領域に印加する。外部磁界の方向は、初期化時の記
録層23の磁化の方向と同じでもよいし、その逆でもよ
い。この結果、トラック31上の磁区39のうち転写不
可能領域38内に入った39−2,39−4及び39−
3の一部の破線で示される磁区はマスクされ、転写可能
領域37に現われた磁区39−3の実線部分のみが、再
生反射光の偏光状態の変化に寄与するものとなる。従っ
て、この反射光を図1に示したような光ヘッドの再生光
学系により検出し、その偏光状態を検知することによ
り、再生層21の転写可能領域38内の磁区の方向を検
出することができ、光スポット36の直径以下の長さの
磁区を再生することができる。本実施例では、マスクさ
れる領域が再生反射光の偏光状態の変化に寄与する領域
(転写可能領域37)を取り囲んでいるので、図13及
び図14に示した従来のマスク方式よりも、まわりの磁
区からの影響が少なく信頼性の高い再生信号を得ること
ができる。なお、転写可能領域37をより小さくするこ
とによって、より長さの小さな磁区を再生することが可
能ではあるが、再生信号のC/Nを考えると、転写可能
領域37の大きさは再生光スポット36の大きさの半分
程度が望ましい。
【0022】本実施例の記録、再生の基本動作は以上の
とうりであるが、ここで本実施例のベリファイ信号及び
再生信号の検出動作について詳細に説明する。なお、前
述したように4分割光検出器1及び2上に入射する光束
は、図12に示したP+ の入射光の偏光方向と同じ偏光
の光と、それに垂直な方向の偏光であり、この中には光
磁気記録媒体のカー効果、ファラデー効果によって生じ
るS+ 及びS- の光と対物レンズの曲面で回折して生じ
る光が含まれているものとする。図6(a)は検光子と
しての偏光ビームスプリッタ82に入射する直前の光の
分布のうちP+の光を示した図、図6(b)は同図
(a)のA−A′線の断面におけるP+ の光の振幅を示
した図である。なお、図6(a)に示す4つの四角は4
分割光検出器の検出面で、P+ の光を検出面上に投影し
て示している。図6(a)では、P+の光を斜線で示し
ており、4つの検出面に均等に分布し、光の位相も4つ
の検出面でほぼ同じである。A−A′線の断面における
光の振幅は、図6(b)に示すような振幅となる。
とうりであるが、ここで本実施例のベリファイ信号及び
再生信号の検出動作について詳細に説明する。なお、前
述したように4分割光検出器1及び2上に入射する光束
は、図12に示したP+ の入射光の偏光方向と同じ偏光
の光と、それに垂直な方向の偏光であり、この中には光
磁気記録媒体のカー効果、ファラデー効果によって生じ
るS+ 及びS- の光と対物レンズの曲面で回折して生じ
る光が含まれているものとする。図6(a)は検光子と
しての偏光ビームスプリッタ82に入射する直前の光の
分布のうちP+の光を示した図、図6(b)は同図
(a)のA−A′線の断面におけるP+ の光の振幅を示
した図である。なお、図6(a)に示す4つの四角は4
分割光検出器の検出面で、P+ の光を検出面上に投影し
て示している。図6(a)では、P+の光を斜線で示し
ており、4つの検出面に均等に分布し、光の位相も4つ
の検出面でほぼ同じである。A−A′線の断面における
光の振幅は、図6(b)に示すような振幅となる。
【0023】図7(a)は検光子としての偏光ビームス
プリッタ82に入射する直前の光の分布のうち対物レン
ズの曲面で生じるS偏光の光を示した図である。なお、
ここでも同様に4分割光検出器の検出面に投影して示し
てある。図7(a)から明らかなように、光の分布は四
つ葉のクローバーのような形状をしており、それぞれの
葉の光が4つの検出面に投影される。また、対角位置同
志の葉の光は位相はそれぞれ同じで、隣り合う葉の光の
位相差はπである。この図7(a)にEとして示す葉の
光と、図6(a)に示した光の位相は同位相である。図
7(b),(c)は、同図(a)のB−B′線、C−
C′線の断面における光の振幅を示した図で、前述した
四つ葉の光の位相関係から図のような振幅となる。図
6、図7に示した光は、光磁気記録媒体上の磁化方向に
関係なく、一定した分布である。本発明では、これら2
つの光と光磁気記録媒体上の磁化の状態で変化する
S+ ,S-の光を検光子としての偏光ビームスプリッタ
82で分離し、また2つの4分割光検出器で上記3つの
光により生じる光量分布の変化を検出することにより、
情報を再生するものである。
プリッタ82に入射する直前の光の分布のうち対物レン
ズの曲面で生じるS偏光の光を示した図である。なお、
ここでも同様に4分割光検出器の検出面に投影して示し
てある。図7(a)から明らかなように、光の分布は四
つ葉のクローバーのような形状をしており、それぞれの
葉の光が4つの検出面に投影される。また、対角位置同
志の葉の光は位相はそれぞれ同じで、隣り合う葉の光の
位相差はπである。この図7(a)にEとして示す葉の
光と、図6(a)に示した光の位相は同位相である。図
7(b),(c)は、同図(a)のB−B′線、C−
C′線の断面における光の振幅を示した図で、前述した
四つ葉の光の位相関係から図のような振幅となる。図
6、図7に示した光は、光磁気記録媒体上の磁化方向に
関係なく、一定した分布である。本発明では、これら2
つの光と光磁気記録媒体上の磁化の状態で変化する
S+ ,S-の光を検光子としての偏光ビームスプリッタ
82で分離し、また2つの4分割光検出器で上記3つの
光により生じる光量分布の変化を検出することにより、
情報を再生するものである。
【0024】図8に基づいて記録動作時のベリファイ信
号の検出動作について説明する。図8(a)は光磁気記
録媒体の情報トラックを拡大して示した図で、40は情
報トラック、42及び43はその情報トラック40上に
走査される記録用の光スポットである。情報を記録する
場合、光スポット42の位置で磁気ヘッド27から下向
きの外部磁界が印加され、図4で説明したように記録層
23に下向きの磁区が形成される。また、光スポット4
3の位置では上向きの外部磁界が印加され、記録層23
に上向きの磁区が形成される。41はこうして記録され
たばかりの矢羽根状のドメインである。ここで、図4で
説明した実際の記録可能領域33は光スポットと少しず
れるが、調整層22により光スポットを含む交換結合力
遮断領域34において記録層23と再生層21の交換結
合力が遮断されるため、図8(b)に示すように光スポ
ット42の位置では交換結合力遮断領域34内の再生層
21の磁区は外部磁界と同じ方向の下向き磁区となる。
これにより、44で示すように光スポット内は全て下向
き磁区からの反射光となり、この反射光に含まれるS成
分の光は図12に示したS+ の光束となる。一方、光ス
ポット43の位置では45で示すように、光スポット内
は全て上向き磁区からの反射光となり、この反射光のS
成分の光はS- の光となる。
号の検出動作について説明する。図8(a)は光磁気記
録媒体の情報トラックを拡大して示した図で、40は情
報トラック、42及び43はその情報トラック40上に
走査される記録用の光スポットである。情報を記録する
場合、光スポット42の位置で磁気ヘッド27から下向
きの外部磁界が印加され、図4で説明したように記録層
23に下向きの磁区が形成される。また、光スポット4
3の位置では上向きの外部磁界が印加され、記録層23
に上向きの磁区が形成される。41はこうして記録され
たばかりの矢羽根状のドメインである。ここで、図4で
説明した実際の記録可能領域33は光スポットと少しず
れるが、調整層22により光スポットを含む交換結合力
遮断領域34において記録層23と再生層21の交換結
合力が遮断されるため、図8(b)に示すように光スポ
ット42の位置では交換結合力遮断領域34内の再生層
21の磁区は外部磁界と同じ方向の下向き磁区となる。
これにより、44で示すように光スポット内は全て下向
き磁区からの反射光となり、この反射光に含まれるS成
分の光は図12に示したS+ の光束となる。一方、光ス
ポット43の位置では45で示すように、光スポット内
は全て上向き磁区からの反射光となり、この反射光のS
成分の光はS- の光となる。
【0025】図8(c)は同図(a)の各光スポットの
位置で光磁気効果によって生じるS偏光の光の検光子と
しての偏光ビームスプリッタ82に入射する直前での分
布を示した図である。ここでも4分割光検出器の検出面
に投影して示してある。図8(c)から明らかなよう
に、光スポット42,43の各位置でS偏光の分布は円
形状となる。ところが、光の位相は光スポットの位置で
異なり、光スポット42の位置では図6(a)及び図7
(a)のEで示した光と同位相となる。これに対し、光
スポット43の位置では図7(a)に示したE′の光と
同位相であり、従って光スポット42と43の位置では
πの位相差がある。図8(d)は光スポットの各位置で
同図(c)のA−A′断面における光の振幅を示した図
である。また、図8(e)及び(f)は各光スポットの
位置において図7で説明した対物レンズの曲面で生じる
S偏光の光と、図8(d)の光磁気効果により生じるS
偏光の光を重ね合わせた効果の光の分布を、図8(c)
のB−B′線及びC−C′線の断面における光の振幅と
して表わした図である。図8(e)はB−B′線におけ
る光の振幅、図8(f)はC−C′線における光の振幅
である。
位置で光磁気効果によって生じるS偏光の光の検光子と
しての偏光ビームスプリッタ82に入射する直前での分
布を示した図である。ここでも4分割光検出器の検出面
に投影して示してある。図8(c)から明らかなよう
に、光スポット42,43の各位置でS偏光の分布は円
形状となる。ところが、光の位相は光スポットの位置で
異なり、光スポット42の位置では図6(a)及び図7
(a)のEで示した光と同位相となる。これに対し、光
スポット43の位置では図7(a)に示したE′の光と
同位相であり、従って光スポット42と43の位置では
πの位相差がある。図8(d)は光スポットの各位置で
同図(c)のA−A′断面における光の振幅を示した図
である。また、図8(e)及び(f)は各光スポットの
位置において図7で説明した対物レンズの曲面で生じる
S偏光の光と、図8(d)の光磁気効果により生じるS
偏光の光を重ね合わせた効果の光の分布を、図8(c)
のB−B′線及びC−C′線の断面における光の振幅と
して表わした図である。図8(e)はB−B′線におけ
る光の振幅、図8(f)はC−C′線における光の振幅
である。
【0026】更に、図8(g),(h)は検光子として
の偏光ビームスプリッタ82の分離面上で、前述の対物
レンズの曲面で生じるS偏光の光、光磁気効果によって
生じるS偏光の光、及び図7で示したP+ の光を合わせ
て2つの光束に分離し、これらを4分割光検出器1及び
2でそれぞれ検出したときの各検出面での検出光量差を
示した図である。図8(g)は4分割光検出器1の検出
面、図8(h)は4分割光検出器2の検出面での検出光
量差である。図8(g),(h)では光量の多い順に大
大、大小、小大、小小として示してある。図1で説明し
たように4分割光検出器2へ入射する光は、偏光ビーム
スプリッタ82で反射されるので、4分割光検出器2の
検出面と4分割光検出器1の検出面に対する対応は左右
が逆になる。例えば、図8(g),(h)の左端に示し
た光スポット42の位置における4分割光検出器上の光
の分布についてみると、4分割光検出器1の検出面1−
1と4分割光検出器2の検出面2−1が対応する。これ
らの検出面に入射する光は図8(e)に示したB−B′
線断面における光の振幅のFで示す左側の大きな上向き
の振幅(図12に示したS+ 方向成分)と、図6で示し
た上向きの振幅(図12に示したP+ 方向成分)が合わ
されたもので、+θ側に回転した光である。そして、偏
光ビームスプリッタ82の配置として、+45度の検光
子として働く方が図8(g)に示す4分割光検出器1に
入射し、−45度の検光子として働く方が図8(h)に
示す4分割光検出器2に入射するようにしたとすると、
検出面1−1に入射する光量は、検出面2−1に入射す
る光量よりも大きくなり、それを検出面1−1では大
大、検出面2−1では大小として示している(大大>大
小)。
の偏光ビームスプリッタ82の分離面上で、前述の対物
レンズの曲面で生じるS偏光の光、光磁気効果によって
生じるS偏光の光、及び図7で示したP+ の光を合わせ
て2つの光束に分離し、これらを4分割光検出器1及び
2でそれぞれ検出したときの各検出面での検出光量差を
示した図である。図8(g)は4分割光検出器1の検出
面、図8(h)は4分割光検出器2の検出面での検出光
量差である。図8(g),(h)では光量の多い順に大
大、大小、小大、小小として示してある。図1で説明し
たように4分割光検出器2へ入射する光は、偏光ビーム
スプリッタ82で反射されるので、4分割光検出器2の
検出面と4分割光検出器1の検出面に対する対応は左右
が逆になる。例えば、図8(g),(h)の左端に示し
た光スポット42の位置における4分割光検出器上の光
の分布についてみると、4分割光検出器1の検出面1−
1と4分割光検出器2の検出面2−1が対応する。これ
らの検出面に入射する光は図8(e)に示したB−B′
線断面における光の振幅のFで示す左側の大きな上向き
の振幅(図12に示したS+ 方向成分)と、図6で示し
た上向きの振幅(図12に示したP+ 方向成分)が合わ
されたもので、+θ側に回転した光である。そして、偏
光ビームスプリッタ82の配置として、+45度の検光
子として働く方が図8(g)に示す4分割光検出器1に
入射し、−45度の検光子として働く方が図8(h)に
示す4分割光検出器2に入射するようにしたとすると、
検出面1−1に入射する光量は、検出面2−1に入射す
る光量よりも大きくなり、それを検出面1−1では大
大、検出面2−1では大小として示している(大大>大
小)。
【0027】また、検出面1−2は検出面2−2に対応
し、これらの検出面に入射する光は図8(e)に示した
B−B′線断面における光の振幅のGで示す右側の小さ
な下向きの振幅(図12に示したS- 方向成分)と、図
6で示した上向きの振幅(図12に示したP+ 方向成
分)が合わされ、−θ側に回転した光である。この場合
検出面1−2に入射する光量は検出面2−2に入射する
光量よりも小さくなり、それを検出面1−2では小小、
検出面2−2では小大として示している(小小<小
大)。検出面1−3は検出面2−3に対応し、ここでは
図8(f)に示したC−C′線断面における光の振幅の
Hで示す小さな下向きの振幅と、同様に図6に示した上
向きの振幅の光が合わされた光である。検出面1−3の
光量は検出面2−3の光量よりも大きくなり、それを検
出面1−3では大大、検出面2−3では大小として示し
ている。更に、検出面1−4と2−4では図8(f)の
C−C′線断面における光の振幅のIで示す大きな上向
きの振幅と図6の上向きの振幅の光が合わされた光であ
る。このときは、検出面1−4の光量は検出面2−4の
光量よりも小さくなり、それを検出面1−4では小小、
検出面2−4では小大として示している。同様にして光
スポット43の位置において、4分割光検出器1及び2
の検出面の光量を表わすと、それぞれ図8(g),
(h)に示すとおりとなる。
し、これらの検出面に入射する光は図8(e)に示した
B−B′線断面における光の振幅のGで示す右側の小さ
な下向きの振幅(図12に示したS- 方向成分)と、図
6で示した上向きの振幅(図12に示したP+ 方向成
分)が合わされ、−θ側に回転した光である。この場合
検出面1−2に入射する光量は検出面2−2に入射する
光量よりも小さくなり、それを検出面1−2では小小、
検出面2−2では小大として示している(小小<小
大)。検出面1−3は検出面2−3に対応し、ここでは
図8(f)に示したC−C′線断面における光の振幅の
Hで示す小さな下向きの振幅と、同様に図6に示した上
向きの振幅の光が合わされた光である。検出面1−3の
光量は検出面2−3の光量よりも大きくなり、それを検
出面1−3では大大、検出面2−3では大小として示し
ている。更に、検出面1−4と2−4では図8(f)の
C−C′線断面における光の振幅のIで示す大きな上向
きの振幅と図6の上向きの振幅の光が合わされた光であ
る。このときは、検出面1−4の光量は検出面2−4の
光量よりも小さくなり、それを検出面1−4では小小、
検出面2−4では小大として示している。同様にして光
スポット43の位置において、4分割光検出器1及び2
の検出面の光量を表わすと、それぞれ図8(g),
(h)に示すとおりとなる。
【0028】このように情報記録時においては、4分割
光検出器1及び2の各検出面の光量は情報トラックの磁
化状態によって変化するのであるが、各4分割光検出器
1,2の各検出面の信号は図1に示したアナログ演算回
路へ出力され、図8(i)に示すようなベリファイ用再
生信号が生成される。具体的に説明すると、まず4分割
光検出器1の対角位置同志の検出面1−1と1−3の検
出信号及び検出面1−2と1−4の信号は、それぞれ加
算アンプ3,4で加算され、得られた和信号は差動アン
プ5で差動検出される。また、4分割光検出器2の対角
位置同志の検出面2−1と2−3及び検出面2−2と2
−4の検出信号は、それぞれ加算アンプ9,10で加算
され、その和信号は差動アンプ11で差動検出される。
差動アンプ5と差動アンプ11の出力信号は更に差動ア
ンプ15で差動検出され、その結果図8(i)に示すよ
うなベリファイ用再生信号が生成される。得られた再生
信号は、下向き磁化の領域では負の一定レベル、上向き
磁化の領域では正の一定レベルとなり、ドメインの41
のエッジで負から正へ立ち上がり、また正から負へ立ち
下がるパルス状信号となる。こうして得られたベリファ
イ用再生信号は図示しない信号処理回路で復調処理など
を行って再生データに変換された後、図示しないベリフ
ァイ判定回路に送られる。そして、ベリファイ判定回路
で再生データと記録データを逐一比較することにより、
正しく情報を記録できたかどうかが判定され、記録と同
時にベリファイを実行するという、いわゆるダイレクト
ベリファイが行われる。
光検出器1及び2の各検出面の光量は情報トラックの磁
化状態によって変化するのであるが、各4分割光検出器
1,2の各検出面の信号は図1に示したアナログ演算回
路へ出力され、図8(i)に示すようなベリファイ用再
生信号が生成される。具体的に説明すると、まず4分割
光検出器1の対角位置同志の検出面1−1と1−3の検
出信号及び検出面1−2と1−4の信号は、それぞれ加
算アンプ3,4で加算され、得られた和信号は差動アン
プ5で差動検出される。また、4分割光検出器2の対角
位置同志の検出面2−1と2−3及び検出面2−2と2
−4の検出信号は、それぞれ加算アンプ9,10で加算
され、その和信号は差動アンプ11で差動検出される。
差動アンプ5と差動アンプ11の出力信号は更に差動ア
ンプ15で差動検出され、その結果図8(i)に示すよ
うなベリファイ用再生信号が生成される。得られた再生
信号は、下向き磁化の領域では負の一定レベル、上向き
磁化の領域では正の一定レベルとなり、ドメインの41
のエッジで負から正へ立ち上がり、また正から負へ立ち
下がるパルス状信号となる。こうして得られたベリファ
イ用再生信号は図示しない信号処理回路で復調処理など
を行って再生データに変換された後、図示しないベリフ
ァイ判定回路に送られる。そして、ベリファイ判定回路
で再生データと記録データを逐一比較することにより、
正しく情報を記録できたかどうかが判定され、記録と同
時にベリファイを実行するという、いわゆるダイレクト
ベリファイが行われる。
【0029】次に、通常の情報再生時の再生信号検出動
作を図9に基づいて説明する。図9(a)は情報トラッ
クを拡大した図で、48,49は情報トラック46上を
走査される再生用の光スポット、47は情報トラック4
6上に記録されているドメインである。情報再生時には
図5で説明したように下向きの外部磁界が印加されてい
るので、光スポット48,49のいずれの位置であって
も転写不可能領域38の再生層21の磁化は下向きであ
る。また、転写可能領域37内の再生層21の磁化は記
録層23と同じになるので、光スポット48の位置では
下向き磁化、光スポット49の位置では上向き磁化とな
る。つまり、図9(b)に示すように光スポット48の
位置では、50として示すように光スポット内は全て下
向き磁化となり、光スポット49の位置では51として
示す如く光スポット内は上向き磁化と下向き磁化が混在
することとなる。
作を図9に基づいて説明する。図9(a)は情報トラッ
クを拡大した図で、48,49は情報トラック46上を
走査される再生用の光スポット、47は情報トラック4
6上に記録されているドメインである。情報再生時には
図5で説明したように下向きの外部磁界が印加されてい
るので、光スポット48,49のいずれの位置であって
も転写不可能領域38の再生層21の磁化は下向きであ
る。また、転写可能領域37内の再生層21の磁化は記
録層23と同じになるので、光スポット48の位置では
下向き磁化、光スポット49の位置では上向き磁化とな
る。つまり、図9(b)に示すように光スポット48の
位置では、50として示すように光スポット内は全て下
向き磁化となり、光スポット49の位置では51として
示す如く光スポット内は上向き磁化と下向き磁化が混在
することとなる。
【0030】図9(c)は各光スポット48,49の位
置で光磁気効果によって生じるS偏光の光の偏光ビーム
スプリッタ82に入射する直前での分布を示した図であ
る。もちろん、4分割光検出器の検出面に投影して示し
てある。図9(c)に示すように光スポット48の位置
ではS+ のみとなるので円形の分布となるが、光スポッ
ト49の位置ではS+ とS- が混在し、これらにはπの
位相差があるため、トラック方向に光が回折され、その
分布は左右に分かれる。図9(c)において、左側に分
かれた光がS- 、右側に分かれた光がS+ である。図9
(d)は光スポットの各位置で、同図(c)のA−A′
線断面における光の振幅を示した図である。また、図9
(e),(f)は各光スポットの位置において図7で説
明した対物レンズの曲面で生じるS偏光の光と図9
(d)の光磁気効果により生じるS偏光の光を重ね合わ
せた結果の光の分布を、図9(c)のB−B′線及びC
−C′線の断面における光の振幅として表わした図であ
る。図9(e)はB−B′線断面における振幅、図9
(f)はC−C′線断面における振幅である。
置で光磁気効果によって生じるS偏光の光の偏光ビーム
スプリッタ82に入射する直前での分布を示した図であ
る。もちろん、4分割光検出器の検出面に投影して示し
てある。図9(c)に示すように光スポット48の位置
ではS+ のみとなるので円形の分布となるが、光スポッ
ト49の位置ではS+ とS- が混在し、これらにはπの
位相差があるため、トラック方向に光が回折され、その
分布は左右に分かれる。図9(c)において、左側に分
かれた光がS- 、右側に分かれた光がS+ である。図9
(d)は光スポットの各位置で、同図(c)のA−A′
線断面における光の振幅を示した図である。また、図9
(e),(f)は各光スポットの位置において図7で説
明した対物レンズの曲面で生じるS偏光の光と図9
(d)の光磁気効果により生じるS偏光の光を重ね合わ
せた結果の光の分布を、図9(c)のB−B′線及びC
−C′線の断面における光の振幅として表わした図であ
る。図9(e)はB−B′線断面における振幅、図9
(f)はC−C′線断面における振幅である。
【0031】更に、図9(g),(h)は偏光ビームス
プリッタ82の分離面上で対物レンズの曲面で生じるS
偏光の光と光磁気効果によって生じるS偏光の光、及び
図7で示したP+ の光を合わせて2つの光束に分離し、
これらを4分割光検出器1及び2でそれぞれ検出したと
きの各検出面での検出光量差を示した図である。情報再
生時においては図9(g),(h)に示す如く光スポッ
ト48の位置では図8(g),(h)で説明した情報記
録時の検出光量差と同じであるが、光スポット49の位
置では図9(c)に示したように検出面での光の分布が
異なるために、図に示すような検出光量差となる。これ
らの4分割光検出器1及び2の各検出面の信号は図1に
示したアナログ演算回路へ出力され、図9(i)に示す
ような再生信号が生成される。具体的に説明すると、ま
ず4分割光検出器1のトラック方向に隣接する同志の検
出面1−1と1−2及び検出面1−3と1−4の検出信
号は、それぞれ加算アンプ6,7で加算され、得られた
和信号は差動アンプ8で差動検出される。また、4分割
光検出器2のトラック方向に隣接する同志の検出面2−
1と2−2及び検出面2−3と2−4の検出信号は、そ
れぞれ加算アンプ12,13で加算されその和信号は差
動アンプ14で差動検出される。差動アンプ8及び14
の信号は更に加算アンプ17で加算され、その結果図9
(i)に示すように再生信号18が生成される。得られ
た再生信号は下向き磁化の領域では0レベル、上向き磁
化の領域では正の一定レベルの信号となり、ドメイン4
7のエッジで立ち上がりまたは立ち下がるパルス状信号
となる。この再生信号は図示しない信号処理回路に送ら
れ、ここで復調処理などが施こされて再生データが生成
される。なお、情報を再生する場合、前述のように光ス
ポット内の転写可能領域37と転写不可能領域38の割
合をおよそ1対1にすると、光スポットの約半分の大き
さの磁区を安定的に再生することができる。
プリッタ82の分離面上で対物レンズの曲面で生じるS
偏光の光と光磁気効果によって生じるS偏光の光、及び
図7で示したP+ の光を合わせて2つの光束に分離し、
これらを4分割光検出器1及び2でそれぞれ検出したと
きの各検出面での検出光量差を示した図である。情報再
生時においては図9(g),(h)に示す如く光スポッ
ト48の位置では図8(g),(h)で説明した情報記
録時の検出光量差と同じであるが、光スポット49の位
置では図9(c)に示したように検出面での光の分布が
異なるために、図に示すような検出光量差となる。これ
らの4分割光検出器1及び2の各検出面の信号は図1に
示したアナログ演算回路へ出力され、図9(i)に示す
ような再生信号が生成される。具体的に説明すると、ま
ず4分割光検出器1のトラック方向に隣接する同志の検
出面1−1と1−2及び検出面1−3と1−4の検出信
号は、それぞれ加算アンプ6,7で加算され、得られた
和信号は差動アンプ8で差動検出される。また、4分割
光検出器2のトラック方向に隣接する同志の検出面2−
1と2−2及び検出面2−3と2−4の検出信号は、そ
れぞれ加算アンプ12,13で加算されその和信号は差
動アンプ14で差動検出される。差動アンプ8及び14
の信号は更に加算アンプ17で加算され、その結果図9
(i)に示すように再生信号18が生成される。得られ
た再生信号は下向き磁化の領域では0レベル、上向き磁
化の領域では正の一定レベルの信号となり、ドメイン4
7のエッジで立ち上がりまたは立ち下がるパルス状信号
となる。この再生信号は図示しない信号処理回路に送ら
れ、ここで復調処理などが施こされて再生データが生成
される。なお、情報を再生する場合、前述のように光ス
ポット内の転写可能領域37と転写不可能領域38の割
合をおよそ1対1にすると、光スポットの約半分の大き
さの磁区を安定的に再生することができる。
【0032】図10は本発明の他の実施例を示した構成
図である。この実施例では、4分割光検出器の代わりに
2分割光検出器52及び53を使用した例である。図1
0において、80は1/2波長板、81は集光レンズ、
82は検光子としての偏光ビームスプリッタで、これら
はいずれも図1の実施例のものと同じである。52及び
53は検出面がそれぞれ空間的に2つに分割された2分
割光検出器で、各々光磁気記録媒体の情報トラックの方
向に2つに分割されている。即ち、2分割光検出器52
は図1に示した4分割光検出器1のトラック方向に隣接
する同志の検出面1−1と1−2及び検出面1−3と1
−4を各々一体化したものと考えてよくまた2分割光検
出器53は4分割光検出器2のトラック方向に隣接する
同志の検出面2−1と2−2及び検出面2−3と2−4
を各々一体化したものと考えてよい。情報の記録時には
2分割光検出器52の各検出面の検出信号は加算アンプ
54で加算され、2分割光検出器53の各検出面の検出
信号は加算アンプ55で加算される。これらの加算アン
プ54及び55で得られた和信号は更に差動アンプ56
で差動検出され、得られた信号はベリファイ用再生信号
として出力される。一方、情報再生時には差動アンプ5
8で2分割光検出器52の各検出面の検出信号が差動検
出され、また差動アンプ59で2分割光検出器53の各
検出面の検出信号が差動検出される。そして、この2つ
の差動検出信号は加算アンプ60で加算され、得られた
信号は通常の情報の再生信号として出力される。
図である。この実施例では、4分割光検出器の代わりに
2分割光検出器52及び53を使用した例である。図1
0において、80は1/2波長板、81は集光レンズ、
82は検光子としての偏光ビームスプリッタで、これら
はいずれも図1の実施例のものと同じである。52及び
53は検出面がそれぞれ空間的に2つに分割された2分
割光検出器で、各々光磁気記録媒体の情報トラックの方
向に2つに分割されている。即ち、2分割光検出器52
は図1に示した4分割光検出器1のトラック方向に隣接
する同志の検出面1−1と1−2及び検出面1−3と1
−4を各々一体化したものと考えてよくまた2分割光検
出器53は4分割光検出器2のトラック方向に隣接する
同志の検出面2−1と2−2及び検出面2−3と2−4
を各々一体化したものと考えてよい。情報の記録時には
2分割光検出器52の各検出面の検出信号は加算アンプ
54で加算され、2分割光検出器53の各検出面の検出
信号は加算アンプ55で加算される。これらの加算アン
プ54及び55で得られた和信号は更に差動アンプ56
で差動検出され、得られた信号はベリファイ用再生信号
として出力される。一方、情報再生時には差動アンプ5
8で2分割光検出器52の各検出面の検出信号が差動検
出され、また差動アンプ59で2分割光検出器53の各
検出面の検出信号が差動検出される。そして、この2つ
の差動検出信号は加算アンプ60で加算され、得られた
信号は通常の情報の再生信号として出力される。
【0033】本実施例は、対物レンズのNAがさほど大
きくなく、図7で示した4つ葉のクローバ状の光量が光
磁気効果によって生じるS偏光の光量と同じ程度の場合
に、好適に用いることができる。即ち、こういった条件
のもとでは2分割光検出器によって検出しても再生信号
の品質は図1の実施例と比較しても大差はなく、従って
この場合には図1の実施例に比べて大幅に構成を簡単化
することができる。一方、光スポットを更に極小化する
ために対物レンズのNAを大きくした場合、図7に示し
た4つ葉のクローバ状の光量が光磁気効果によって生じ
るS偏光の光量よりも大きくなるが、この場合には図1
の実施例の4分割光検出器で検出する方が有効である。
きくなく、図7で示した4つ葉のクローバ状の光量が光
磁気効果によって生じるS偏光の光量と同じ程度の場合
に、好適に用いることができる。即ち、こういった条件
のもとでは2分割光検出器によって検出しても再生信号
の品質は図1の実施例と比較しても大差はなく、従って
この場合には図1の実施例に比べて大幅に構成を簡単化
することができる。一方、光スポットを更に極小化する
ために対物レンズのNAを大きくした場合、図7に示し
た4つ葉のクローバ状の光量が光磁気効果によって生じ
るS偏光の光量よりも大きくなるが、この場合には図1
の実施例の4分割光検出器で検出する方が有効である。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、情報再生
時に光スポットよりも小さく記録された磁区を高い品位
で再生できると共に、情報記録時にはベリファイ用の再
生信号が得られ、このベリファイ用再生信号を用いて記
録と同時のベリファイ、即ちダイレクトベリファイを行
うことができるという効果がある。
時に光スポットよりも小さく記録された磁区を高い品位
で再生できると共に、情報記録時にはベリファイ用の再
生信号が得られ、このベリファイ用再生信号を用いて記
録と同時のベリファイ、即ちダイレクトベリファイを行
うことができるという効果がある。
【図1】本発明の光磁気記録再生装置の一実施例を示し
た構成図である。
た構成図である。
【図2】図1の実施例に使用される光磁気記録媒体の構
成を示した断面図である。
成を示した断面図である。
【図3】図2の光磁気記録媒体の磁性層の保磁力と温度
の関係を示した特性図である。
の関係を示した特性図である。
【図4】図1の実施例の情報記録時における情報トラッ
ク上の光スポットと情報磁区及び各磁性層の磁化状態を
示した図である。
ク上の光スポットと情報磁区及び各磁性層の磁化状態を
示した図である。
【図5】図1の実施例の情報再生時における情報トラッ
ク上の光スポットと情報磁区及び各磁性層の磁化状態を
示した図である。
ク上の光スポットと情報磁区及び各磁性層の磁化状態を
示した図である。
【図6】偏光ビームスプリッタ82に入射する直前の光
のうちP+ の光の分布を4分割光検出器の検出面に投影
して示した図、及びその光の4分割光検出器のA−A′
線断面における振幅を示した図である。
のうちP+ の光の分布を4分割光検出器の検出面に投影
して示した図、及びその光の4分割光検出器のA−A′
線断面における振幅を示した図である。
【図7】偏光ビームスプリッタ82に入射する直前の光
のうち対物レンズの曲面で回折して生じるS偏光の光の
分布を4分割光検出器の検出面に投影して示した図、及
びその光の4分割光検出器のB−B′線とC−C′線断
面における振幅を示した図である。
のうち対物レンズの曲面で回折して生じるS偏光の光の
分布を4分割光検出器の検出面に投影して示した図、及
びその光の4分割光検出器のB−B′線とC−C′線断
面における振幅を示した図である。
【図8】図1の実施例の情報記録時におけるベリファイ
用再生信号の検出動作を説明するための図である。
用再生信号の検出動作を説明するための図である。
【図9】図1の実施例の情報再生時における再生信号の
検出動作を説明するための図である。
検出動作を説明するための図である。
【図10】本発明の他の実施例を示した構成図である。
【図11】従来例の光磁気記録再生装置の光学系を示し
た図である。
た図である。
【図12】光磁気記録において光磁気信号として再生さ
れる情報再生の原理を説明するための図である。
れる情報再生の原理を説明するための図である。
【図13】従来の記録用光スポットよりも小さい磁区を
再生する再生方式の一例を示した図である。
再生する再生方式の一例を示した図である。
【図14】他の従来例の再生方式を示した図である。
1,2 4分割光検出器 3,4,6,7,9,10,12,13,17 加算
アンプ 5,8,11,14,15 差動アンプ 21 再生層 22 調整層 23 記録層 26 対物レンズ 27 磁気ヘッド 33 記録可能領域 34 交換結合力遮断領域 37 転写可能領域 38 転写不可能領域 52,53 2分割光検出器
アンプ 5,8,11,14,15 差動アンプ 21 再生層 22 調整層 23 記録層 26 対物レンズ 27 磁気ヘッド 33 記録可能領域 34 交換結合力遮断領域 37 転写可能領域 38 転写不可能領域 52,53 2分割光検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 英司 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内
Claims (8)
- 【請求項1】 少なくとも交換結合した記録層と再生層
の2層の磁性層及びこの交換結合力を制御するための磁
性層を備えた光磁気記録媒体に、記録用光ビームを照射
して前記2層の交換結合力を遮断するための手段と、前
記光ビームの照射部に記録すべき情報信号に応じて変調
された外部磁界を印加して前記記録層に情報を記録し、
かつ再生層の磁化を外部磁界の方向に配向するための手
段と、前記再生層から反射した記録用光ビームを2つに
分離するための検光子としての偏光ビームスプリッタ
と、この分離された光ビームをそれぞれ検出するための
多分割光検出器と、この2つの多分割光検出器の各検出
面の信号を用いて所定の演算を行い、ベリファイ用再生
信号を生成するための手段と、得られたベリファイ用再
生信号を用いて記録情報のベリファイを行うための手段
とを有することを特徴とする光磁気記録再生装置。 - 【請求項2】 少なくとも交換結合した記録層と再生層
の2層の磁性層及びこの交換結合力を制御するための磁
性層を備えた光磁気記録媒体に、再生用光ビームを照射
して前記2層の磁性層の交換結合力が強まった転写可能
領域とこの領域の外側の交換結合力が弱まった転写不可
能領域を形成するための手段と、おおむねこの転写不可
能領域を含む転写可能領域に所定の一定方向の磁界を印
加して転写不可能領域の情報をマスクするための手段
と、前記転写不可能領域を含む転写可転領域から反射さ
れた再生用光ビームを2つに分離するための検光子とし
ての偏光ビームスプリッタと、この分離された光ビーム
をそれぞれ検出するための多分割光検出器と、この2つ
の多分割光検出器の各検出面の信号を用いて所定の演算
を行い、再生信号を生成するための手段とを有すること
を特徴とする光磁気記録再生装置。 - 【請求項3】 前記光磁気記録媒体から反射された光ビ
ームには、記録媒体への入射光の偏光方向と同じ偏光の
光と、入射光の偏光方向と垂直方向の偏光である光磁気
効果によって生じる光と、光ビーム集光用の対物レンズ
の曲面で生じる光が含まれていることを特徴とする請求
項1及び2の光磁気記録再生装置。 - 【請求項4】 光磁気効果によって生じる光の量と対物
レンズの曲面で生じる光の光量は同じであるか、または
光磁気効果によって生じる光の光量が対物レンズの曲面
で生じる光の光量よりも少くないことを特徴とする請求
項3の光磁気記録再生装置。 - 【請求項5】 前記多分割光検出器は、それぞれ検出面
が十文字状に4つに分割され、かつ光磁気記録媒体の情
報トラックに対して十文字状の分割線が平行及び直交す
るように配置された4分割光検出器であって、前記演算
手段はこの各4分割光検出器の対角位置同志の検出面の
検出信号をそれぞれ加算すると共に、この対角位置同志
で加算された和信号を各々差動検出し、更にこの各4分
割検出器で得られた差動検出信号を差動検出することに
より、ベリファイ用の再生信号を生成することを特徴と
する請求項1の光磁気記録再生装置。 - 【請求項6】 前記多分割光検出器は、それぞれ検出面
が1つの分割線で2つに分割され、かつこの分割線が光
磁気記録媒体の情報トラックに平行となるように配置さ
れた2分割光検出器であって、前記演算手段はこの各2
分割光検出器の2つの検出面の検出信号をそれぞれ加算
し、更にこの加算して得られた和信号を差動検出するこ
とにより、ベリファイ用の再生信号を生成することを特
徴とする請求項1の光磁気記録再生装置。 - 【請求項7】 前記多分割光検出器は、それぞれ検出面
が十文字状に4つに分割され、かつ光磁気記録媒体の情
報トラックに対して十文字状の分割線が平行及び直交す
るように配置された4分割光検出器であって、前記演算
手段はこの各4分割光検出器のトラック方向に隣接する
検出面同志の検出信号をそれぞれ加算すると共に、この
隣接する同志で加算された和信号を各々差動検出し、更
にこの各4分割光検出器で得られた差動検出信号を加算
することにより、記録情報の再生信号を生成することを
特徴とする請求項2の光磁気記録再生装置。 - 【請求項8】 前記多分割光検出器は、それぞれ検出面
が1つの分割線で2つに分割され、かつこの分割線が光
磁気記録媒体の情報トラックと平行になるように配置さ
れた2分割光検出器であって、前記演算手段はこの各2
分割光検出器の2つの検出面の検出信号をそれぞれ差動
検出し、更にこの得られた差動検出信号を加算すること
により、記録情報の再生信号を生成することを特徴とす
る請求項2の光磁気記録再生装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16553392A JPH05334751A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 光磁気記録再生装置 |
| AT93300750T ATE172048T1 (de) | 1992-02-05 | 1993-02-02 | Magnetooptisches informationsaufzeichnungs- und - wiedergabegerät |
| DE69321380T DE69321380T2 (de) | 1992-02-05 | 1993-02-02 | Magnetooptisches Informationsaufzeichnungs- und -wiedergabegerät |
| EP93300750A EP0555049B1 (en) | 1992-02-05 | 1993-02-02 | Magnetooptical information recording/reproducing apparatus |
| US08/514,477 US5577017A (en) | 1992-02-05 | 1995-08-11 | Magnetooptical information recording/reproducing apparatus |
| US08/733,918 US5768219A (en) | 1992-02-05 | 1996-10-18 | Optical information recording/reproducing apparatus that produces verifying reproduction signals by executing a computation using detection signals of multi-divided detection surfaces of a photo-detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16553392A JPH05334751A (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 光磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05334751A true JPH05334751A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15814202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16553392A Pending JPH05334751A (ja) | 1992-02-05 | 1992-06-02 | 光磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05334751A (ja) |
-
1992
- 1992-06-02 JP JP16553392A patent/JPH05334751A/ja active Pending
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