JPH05335244A - アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 - Google Patents
アモルファスシリコン薄膜の成膜方法Info
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- JPH05335244A JPH05335244A JP16366792A JP16366792A JPH05335244A JP H05335244 A JPH05335244 A JP H05335244A JP 16366792 A JP16366792 A JP 16366792A JP 16366792 A JP16366792 A JP 16366792A JP H05335244 A JPH05335244 A JP H05335244A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体材料としての膜質を確保できると共
に、半導体デバイスの製造上、必要とされる膜厚を短時
間で成膜する方法を提供する。 【構成】 プラズマＣＶＤ法で基板４の表面にアモルフ
ァスシリコン薄膜を成膜する方法において、成膜初期は
連続放電で成膜し、次いで間欠放電で必要な膜厚まで成
膜する。
に、半導体デバイスの製造上、必要とされる膜厚を短時
間で成膜する方法を提供する。 【構成】 プラズマＣＶＤ法で基板４の表面にアモルフ
ァスシリコン薄膜を成膜する方法において、成膜初期は
連続放電で成膜し、次いで間欠放電で必要な膜厚まで成
膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマＣＶＤ法で
基板表面にアモルファスシリコン薄膜を成膜する方法に
関する。
基板表面にアモルファスシリコン薄膜を成膜する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、成膜チャンバー（真空チャンバ
ー）内で、シランガス（ＳｉＨ4 ）および水素ガス（Ｈ
2 ）の原料ガスを導入すると共に、対向電極間に高周波
電力を印加して、放電によるプラズマを形成し、プラズ
マで原料ガスを励起、分解することにより、対向電極の
一方の電極に支持した基板の表面にアモルファスシリコ
ン薄膜を成膜するようにした、プラズマＣＶＤ法による
成膜方法が知られている。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
などの半導体デバイスの製造に応用されている。
ー）内で、シランガス（ＳｉＨ4 ）および水素ガス（Ｈ
2 ）の原料ガスを導入すると共に、対向電極間に高周波
電力を印加して、放電によるプラズマを形成し、プラズ
マで原料ガスを励起、分解することにより、対向電極の
一方の電極に支持した基板の表面にアモルファスシリコ
ン薄膜を成膜するようにした、プラズマＣＶＤ法による
成膜方法が知られている。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
などの半導体デバイスの製造に応用されている。
【０００３】前記の対向電極間における放電は、連続放
電と間欠放電とがある。
電と間欠放電とがある。
【０００４】連続放電は、一般的に行なわれているプラ
ズマＣＶＤ法であり、高品質なアモルファスシリコン薄
膜が、低い基板温度で成膜できる特質があるものであ
る。
ズマＣＶＤ法であり、高品質なアモルファスシリコン薄
膜が、低い基板温度で成膜できる特質があるものであ
る。
【０００５】間欠放電は、基本的な成膜条件（圧力、温
度、原料ガス）は、前記連続放電の場合と同じである
が、対向電極に印加する高周波電力を、振幅変調した高
周波電力とした方法で、１９８７年以降、九州大学の渡
辺等により提案された方法である（Ｙ．Ｗａｔａｎａｂ
ｅ ｅｔ ａｌ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔ
ｔ．５３，１２６３（１９８８）、渡辺他 九州大学工
学集報第６０巻６号７３９頁（１９８７）、白谷他 九
州大学工学集報第６２巻６号６７７頁（１９８９）、白
谷他 電気学会プラズマ研究会資料 ＥＰ−８９−６２
（１９８９））。連続放電の場合に比較して、成膜速度
の向上および気相中で発生するパーティクルの低減がで
きるとされている。
度、原料ガス）は、前記連続放電の場合と同じである
が、対向電極に印加する高周波電力を、振幅変調した高
周波電力とした方法で、１９８７年以降、九州大学の渡
辺等により提案された方法である（Ｙ．Ｗａｔａｎａｂ
ｅ ｅｔ ａｌ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔ
ｔ．５３，１２６３（１９８８）、渡辺他 九州大学工
学集報第６０巻６号７３９頁（１９８７）、白谷他 九
州大学工学集報第６２巻６号６７７頁（１９８９）、白
谷他 電気学会プラズマ研究会資料 ＥＰ−８９−６２
（１９８９））。連続放電の場合に比較して、成膜速度
の向上および気相中で発生するパーティクルの低減がで
きるとされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記の如くの従来のア
モルファスシリコンの成膜方法においては、次のような
問題点があった。
モルファスシリコンの成膜方法においては、次のような
問題点があった。
【０００７】即ち、連続放電による場合、高周波電力を
増大したり、原料ガスの導入量を増大して、成膜速度を
大きくすると、気相中での反応が促進されて、パーティ
クルの発生が起ると共に、プラズマ中でＳｉＨ2 ラジカ
ルが多量に生成されることによって、膜質が悪くなるこ
とである。従って、実用に耐え得る膜質を得るために
は、成膜速度を遅くしなければならなくなり、成膜時間
が長くなり、能率が低下する問題点となっていた（参考
として、松田彰久 電子技術総合研究所研究報告８６４
号 Ｐ３５〜４５、Ａ．Ｍａｔｓｕｄａ ａｎｄ Ｎ．
Ｈａｔａ Ｇｌｏｗ−Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｈｙｄｒｏ
ｇｅｎａｔｅｄ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏ
ｎ、ｅｄｉｔｅｄ ｂｙ Ｋ．Ｔａｎａｋａ Ｐ２８
（１９８９）などの文献がある。）。
増大したり、原料ガスの導入量を増大して、成膜速度を
大きくすると、気相中での反応が促進されて、パーティ
クルの発生が起ると共に、プラズマ中でＳｉＨ2 ラジカ
ルが多量に生成されることによって、膜質が悪くなるこ
とである。従って、実用に耐え得る膜質を得るために
は、成膜速度を遅くしなければならなくなり、成膜時間
が長くなり、能率が低下する問題点となっていた（参考
として、松田彰久 電子技術総合研究所研究報告８６４
号 Ｐ３５〜４５、Ａ．Ｍａｔｓｕｄａ ａｎｄ Ｎ．
Ｈａｔａ Ｇｌｏｗ−Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｈｙｄｒｏ
ｇｅｎａｔｅｄ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏ
ｎ、ｅｄｉｔｅｄ ｂｙ Ｋ．Ｔａｎａｋａ Ｐ２８
（１９８９）などの文献がある。）。
【０００８】一方、間欠放電による方法では、前記の通
り、成膜速度の向上およびパーティクルの低減が可能で
あるが、半導体材料としての膜質が、連続放電の場合に
比較して劣るという問題点があった。
り、成膜速度の向上およびパーティクルの低減が可能で
あるが、半導体材料としての膜質が、連続放電の場合に
比較して劣るという問題点があった。
【０００９】
【課題を解決する為の手段】この発明は、前記の如くの
問題点に鑑みてなされたもので、半導体材料としての膜
質を確保できると共に、半導体デバイスの製造上、必要
とされる膜厚を短時間で成膜する方法を提供することを
目的としている。
問題点に鑑みてなされたもので、半導体材料としての膜
質を確保できると共に、半導体デバイスの製造上、必要
とされる膜厚を短時間で成膜する方法を提供することを
目的としている。
【００１０】斯る目的を達成するこの発明のアモルファ
スシリコン薄膜の成膜方法は、プラズマＣＶＤ法で基板
表面にアモルファスシリコン薄膜を成膜する方法におい
て、成膜初期は連続放電で成膜し、次いで間欠放電で必
要な膜厚まで成膜することを特徴としている。
スシリコン薄膜の成膜方法は、プラズマＣＶＤ法で基板
表面にアモルファスシリコン薄膜を成膜する方法におい
て、成膜初期は連続放電で成膜し、次いで間欠放電で必
要な膜厚まで成膜することを特徴としている。
【００１１】前記連続放電における高周波電力や原料ガ
スの導入量は、成膜チャンバー内で、パーティクルの発
生が起らない条件とするのは言うまでもない。
スの導入量は、成膜チャンバー内で、パーティクルの発
生が起らない条件とするのは言うまでもない。
【００１２】連続放電および間欠放電による成膜は、同
一の成膜チャンバー内で行なっても良く、別の成膜チャ
ンバー内で行なっても良い。
一の成膜チャンバー内で行なっても良く、別の成膜チャ
ンバー内で行なっても良い。
【００１３】高周波電力の周波数は１ｋＨｚ〜１００Ｍ
Ｈｚ（通常１３．５６ＭＨｚ）とすることができる。連
続放電は、このような高周波電力を時間的に連続して印
加するのに対し、間欠放電では、１００Ｈｚ〜１００ｋ
Ｈｚで変調して印加する。変調放電時における放電時間
の割合であるデューティー比は１％以上１００％未満と
することができる。
Ｈｚ（通常１３．５６ＭＨｚ）とすることができる。連
続放電は、このような高周波電力を時間的に連続して印
加するのに対し、間欠放電では、１００Ｈｚ〜１００ｋ
Ｈｚで変調して印加する。変調放電時における放電時間
の割合であるデューティー比は１％以上１００％未満と
することができる。
【００１４】
【作用】この発明のアモルファスシリコン薄膜の成膜方
法によれば、成膜の初期の連続放電による成膜で膜質の
良好なアモルファスシリコンを成膜し、その後の間欠放
電による成膜で、パーティクルの発生を伴うことなく、
高速でアモルファスシリコンを成膜し、必要な膜厚に要
する時間を短縮することができる。
法によれば、成膜の初期の連続放電による成膜で膜質の
良好なアモルファスシリコンを成膜し、その後の間欠放
電による成膜で、パーティクルの発生を伴うことなく、
高速でアモルファスシリコンを成膜し、必要な膜厚に要
する時間を短縮することができる。
【００１５】薄膜トランジスタなどの半導体デバイスに
おいて、アモルファスシリコン層は、半導体材料として
は理論上１０〜２０ｎｍ、物理的には５０〜１００ｎｍ
の膜厚が確保できれば十分であり、残部のアモルファス
シリコン層は電流の経路、或いはエッチングマージンと
されるので、この部分は膜質が多少劣っていても、デバ
イスの性能上、問題は生じない。
おいて、アモルファスシリコン層は、半導体材料として
は理論上１０〜２０ｎｍ、物理的には５０〜１００ｎｍ
の膜厚が確保できれば十分であり、残部のアモルファス
シリコン層は電流の経路、或いはエッチングマージンと
されるので、この部分は膜質が多少劣っていても、デバ
イスの性能上、問題は生じない。
【００１６】従って、所要の膜厚のアモルファスシリコ
ン層のうち、半導体材料としての膜質が必要な部分を連
続放電で成膜し、次いで残りの膜厚部分を間欠放電で成
膜し、結果として成膜時間の短縮を図ることができる。
ン層のうち、半導体材料としての膜質が必要な部分を連
続放電で成膜し、次いで残りの膜厚部分を間欠放電で成
膜し、結果として成膜時間の短縮を図ることができる。
【００１７】
【実施例】薄膜トランジスタの製造に際し、膜厚３００
ｎｍのアモルファスシリコン薄膜を成膜した。
ｎｍのアモルファスシリコン薄膜を成膜した。
【００１８】図１は使用した装置の構成を示したもので
ある。真空容器１内に高周波電極２と接地電極３が対向
して設置してあり、接地電極３に基板４が支持できるよ
うにしてあると共に、高周波電極２には、整合回路１２
を介して高周波電源１１が接続してある。高周波電源１
１には波形発生器１３が接続してあり、波形発生器１３
の変調用信号１４で、連続高周波電力１５が、振幅変調
高周波電力１６に変化できるようになっている。
ある。真空容器１内に高周波電極２と接地電極３が対向
して設置してあり、接地電極３に基板４が支持できるよ
うにしてあると共に、高周波電極２には、整合回路１２
を介して高周波電源１１が接続してある。高周波電源１
１には波形発生器１３が接続してあり、波形発生器１３
の変調用信号１４で、連続高周波電力１５が、振幅変調
高周波電力１６に変化できるようになっている。
【００１９】真空容器１には、ＳｉＨ4 、Ｈ2 等の原料
ガス５を流量制御器６を通して導入するガス導入系が接
続してあると共に、可変コンダクタンスバルブ８を介し
て排気系９が接続してあり、真空容器１内を所定の圧力
に調整できるようになっている。真空容器１内の圧力は
圧力計７で測定する。
ガス５を流量制御器６を通して導入するガス導入系が接
続してあると共に、可変コンダクタンスバルブ８を介し
て排気系９が接続してあり、真空容器１内を所定の圧力
に調整できるようになっている。真空容器１内の圧力は
圧力計７で測定する。
【００２０】接地電極３には、基板加熱機構１０が内蔵
してあり、基板４を加熱できるようになっている。
してあり、基板４を加熱できるようになっている。
【００２１】図中１７は高周波電極２と接地電極３の間
の放電で形成されるプラズマを表わしている。
の放電で形成されるプラズマを表わしている。
【００２２】前記のような構成の成膜装置を用いて、基
板４の表面に厚さ３００ｎｍのアモルファスシリコン薄
膜を成膜した。
板４の表面に厚さ３００ｎｍのアモルファスシリコン薄
膜を成膜した。
【００２３】先ず、基板４を接地電極３に取付けた後、
真空容器１内を真空に排気し、十分な真空（５×１０-3
Ｐａ（３．８×１０-5Ｔｏｒｒ））を得た後、基板４を
加熱（２５０℃）すると共に、原料ガス５を導入し、真
空容器１内を１００Ｐａ（０．７５Ｔｏｒｒ）の圧力に
調整した。圧力調整は流量制御器６と可変コンダクタン
スバルブ８で行う。原料ガス５はＳｉＨ4 ガスとＨ2 ガ
スを混合した（組成比１：４）のものとし、連続放電に
よる成膜の際に、パーティクルが生じないように、５０
０ｓｃｃｍの流量とした。
真空容器１内を真空に排気し、十分な真空（５×１０-3
Ｐａ（３．８×１０-5Ｔｏｒｒ））を得た後、基板４を
加熱（２５０℃）すると共に、原料ガス５を導入し、真
空容器１内を１００Ｐａ（０．７５Ｔｏｒｒ）の圧力に
調整した。圧力調整は流量制御器６と可変コンダクタン
スバルブ８で行う。原料ガス５はＳｉＨ4 ガスとＨ2 ガ
スを混合した（組成比１：４）のものとし、連続放電に
よる成膜の際に、パーティクルが生じないように、５０
０ｓｃｃｍの流量とした。
【００２４】次に、高周波電源１１を動作させて、連続
高周波電力１５を高周波電極２と接地電極３間に印加し
て、両電極間で連続放電させ、基板４の表面にアモルフ
ァスシリコン薄膜を成膜した。パーティクルが発生しな
いように、高周波電力は１００ｗ（０．１ｋｗ）とし
た。
高周波電力１５を高周波電極２と接地電極３間に印加し
て、両電極間で連続放電させ、基板４の表面にアモルフ
ァスシリコン薄膜を成膜した。パーティクルが発生しな
いように、高周波電力は１００ｗ（０．１ｋｗ）とし
た。
【００２５】前記のような条件で得られるアモルファス
シリコン薄膜の成膜速度は約１０ｎｍ／ｍｉｎであり、
１０分の成膜時間で約１００ｎｍの膜厚のアモルファス
シリコン薄膜を成膜した。
シリコン薄膜の成膜速度は約１０ｎｍ／ｍｉｎであり、
１０分の成膜時間で約１００ｎｍの膜厚のアモルファス
シリコン薄膜を成膜した。
【００２６】１０分間の連続放電を終了した後、波形成
形器１３を動作させて、高周波電源１１の出力を振幅変
調高周波電力１６に変化させて、高周波電極２と接地電
極３間で間欠放電が起るようにして、成膜を続行した。
変調用信号１４の周波数は５００Ｈｚとし、デューティ
ー比は５０％とした。
形器１３を動作させて、高周波電源１１の出力を振幅変
調高周波電力１６に変化させて、高周波電極２と接地電
極３間で間欠放電が起るようにして、成膜を続行した。
変調用信号１４の周波数は５００Ｈｚとし、デューティ
ー比は５０％とした。
【００２７】この間欠放電時の条件で得られるアモルフ
ァスシリコン薄膜の成膜速度は約８６ｎｍ／ｍｉｎであ
り、２．３分の成膜時間で２００ｎｍの膜厚のアモルフ
ァスシリコン薄膜を成膜し、合計３００ｎｍの膜厚のア
モルファスシリコン薄膜を基板４の表面に成膜した。成
膜時間の合計は１２．３分で、連続放電のみで３００ｎ
ｍの膜厚に成膜する時間（３０分）の約１／３とするこ
とができた。
ァスシリコン薄膜の成膜速度は約８６ｎｍ／ｍｉｎであ
り、２．３分の成膜時間で２００ｎｍの膜厚のアモルフ
ァスシリコン薄膜を成膜し、合計３００ｎｍの膜厚のア
モルファスシリコン薄膜を基板４の表面に成膜した。成
膜時間の合計は１２．３分で、連続放電のみで３００ｎ
ｍの膜厚に成膜する時間（３０分）の約１／３とするこ
とができた。
【００２８】表１は連続放電で成膜したアモルファスシ
リコン薄膜と、間欠放電で成膜したアモルファスシリコ
ン薄膜の特性を表わしたものである。
リコン薄膜と、間欠放電で成膜したアモルファスシリコ
ン薄膜の特性を表わしたものである。
【００２９】
【表１】
【００３０】間欠放電で成膜したアモルファスシリコン
薄膜の電気電導度比（光電気伝導度／暗電気伝導度）
は、連続放電で成膜したアモルファスシリコン薄膜の電
気電導度比に比較して小さい。
薄膜の電気電導度比（光電気伝導度／暗電気伝導度）
は、連続放電で成膜したアモルファスシリコン薄膜の電
気電導度比に比較して小さい。
【００３１】成膜速度は、前記の通り、間欠放電の場合
の方が連続放電の場合に比べて８．６倍大きい。
の方が連続放電の場合に比べて８．６倍大きい。
【００３２】図２は、アモルファスシリコン薄膜の赤外
分光測定結果の図である。またＳｉ−Ｈｘ結合を示す波
数２０００ｃｍ-1付近の波形をピーク分離した結果を図
３に示した。何れの図も（ａ）が間欠放電によるアモル
ファスシリコン薄膜であり、（ｂ）が連続放電によるア
モルファスシリコン薄膜に対するものである。
分光測定結果の図である。またＳｉ−Ｈｘ結合を示す波
数２０００ｃｍ-1付近の波形をピーク分離した結果を図
３に示した。何れの図も（ａ）が間欠放電によるアモル
ファスシリコン薄膜であり、（ｂ）が連続放電によるア
モルファスシリコン薄膜に対するものである。
【００３３】間欠放電によるアモルファスシリコン薄膜
では、シリコンと水素の結合を示すピークが二つに分か
れており、Ｓｉ−Ｈ2 結合が多く含まれており、半導体
材料としての膜質が劣っている。連続放電によるアモル
ファスシリコン薄膜では、シリコンと水素の結合を示す
ピークが一つしかなく、、Ｓｉ−Ｈ結合のみが含まれて
いることを示しており、膜質が良いものであった。
では、シリコンと水素の結合を示すピークが二つに分か
れており、Ｓｉ−Ｈ2 結合が多く含まれており、半導体
材料としての膜質が劣っている。連続放電によるアモル
ファスシリコン薄膜では、シリコンと水素の結合を示す
ピークが一つしかなく、、Ｓｉ−Ｈ結合のみが含まれて
いることを示しており、膜質が良いものであった。
【００３４】薄膜トランジスタにおけるアモルファスシ
リコン薄膜では、半導体材料としての膜質が必要となる
膜厚は１０〜２０ｎｍの部分であり、残部は電流の経路
やエッチングのマージンの領域とされる。従って実施例
のように、半導体材料としての膜質が必要となる領域を
連続放電で成膜し、残りの部分は膜質の劣る間欠放電に
よるアモルファスシリコン薄膜としても、半導体デバイ
スの性能上、問題無い。この結果、アモルファスシリコ
ン薄膜の成膜時間を大幅に短縮することができる。
リコン薄膜では、半導体材料としての膜質が必要となる
膜厚は１０〜２０ｎｍの部分であり、残部は電流の経路
やエッチングのマージンの領域とされる。従って実施例
のように、半導体材料としての膜質が必要となる領域を
連続放電で成膜し、残りの部分は膜質の劣る間欠放電に
よるアモルファスシリコン薄膜としても、半導体デバイ
スの性能上、問題無い。この結果、アモルファスシリコ
ン薄膜の成膜時間を大幅に短縮することができる。
【００３５】
【発明の効果】この発明によれば、成膜時間を大幅に短
縮できる効果があり、半導体デバイスの製造能率を向上
することができる。
縮できる効果があり、半導体デバイスの製造能率を向上
することができる。
【図１】この発明の実施例で使用した成膜装置の構成図
である。
である。
【図２】アモルファスシリコン薄膜の赤外分光分析のグ
ラフである。
ラフである。
【図３】同じく赤外分光分析のシリコンと水素の結合を
示している部分を拡大したグラフである。
示している部分を拡大したグラフである。
１ 真空容器 ２ 高周波電極 ３ 接地電極 ４ 基板 ５ 原料ガス ６ 流量制御器 ７ 圧力計 ８ 可変コンダクタンスバルブ ９ 排気系 １０ 基板加熱機構 １１ 高周波電源 １２ 整合回路 １３ 波形発生器 １４ 変調用信号 １５ 連続高周波電力 １６ 振幅変調高周波電力
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年７月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】 間欠放電は、基本的な成膜条件の中で、
温度、原料ガスの種類は、前記連続放電の場合と同じで
あるが、圧力、原料ガスの流量は前記連続放電の場合と
同じ場合もあるし、異なる場合もある。間欠放電は、対
向電極に印加する高周波電力を、振幅変調した高周波電
力とした方法で、１９８７年以降、九州大学の渡辺等に
より提案された方法である（Ｙ．Ｗａｔａｎａｂｅ ｅ
ｔ ａｌ．Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．５３，
１２６３（１９８８）、渡辺他九州大学工学集報第６０
巻６号７３９頁（１９８７）、白谷他 九州大学工学集
報第６２巻６号６７７頁（１９８９）、白谷他 電気学
会プラズマ研究会資料ＥＰ−８９−６２（１９８
９））。連続放電の場合に比較して、成膜速度の向上お
よび気相中で発生するパーティクルの低減ができるとさ
れている。
温度、原料ガスの種類は、前記連続放電の場合と同じで
あるが、圧力、原料ガスの流量は前記連続放電の場合と
同じ場合もあるし、異なる場合もある。間欠放電は、対
向電極に印加する高周波電力を、振幅変調した高周波電
力とした方法で、１９８７年以降、九州大学の渡辺等に
より提案された方法である（Ｙ．Ｗａｔａｎａｂｅ ｅ
ｔ ａｌ．Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ．５３，
１２６３（１９８８）、渡辺他九州大学工学集報第６０
巻６号７３９頁（１９８７）、白谷他 九州大学工学集
報第６２巻６号６７７頁（１９８９）、白谷他 電気学
会プラズマ研究会資料ＥＰ−８９−６２（１９８
９））。連続放電の場合に比較して、成膜速度の向上お
よび気相中で発生するパーティクルの低減ができるとさ
れている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】 この発明のアモルファスシリコン薄膜の
成膜方法によれば、成膜の初期の連続放電による成膜で
膜質の良好なアモルファスシリコンを成膜し、その後の
間欠放電による成膜で、パーティクルの発生を伴うこと
なく、高速でアモルファスシリコンを成膜し、必要な膜
厚を成膜するのに要する時間を短縮することができる。
成膜方法によれば、成膜の初期の連続放電による成膜で
膜質の良好なアモルファスシリコンを成膜し、その後の
間欠放電による成膜で、パーティクルの発生を伴うこと
なく、高速でアモルファスシリコンを成膜し、必要な膜
厚を成膜するのに要する時間を短縮することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】 次に、高周波電源１１を動作させて、連
続高周波電力１５を高周波電極２と接地電極３間に印加
して、両電極間で連続放電させ、基板４の表面にアモル
ファスシリコン薄膜を成膜した。パーティクルが発生し
ないように、高周波電力は１００Ｗ（０．１ｋＷ）とし
た。
続高周波電力１５を高周波電極２と接地電極３間に印加
して、両電極間で連続放電させ、基板４の表面にアモル
ファスシリコン薄膜を成膜した。パーティクルが発生し
ないように、高周波電力は１００Ｗ（０．１ｋＷ）とし
た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマＣＶＤ法で基板表面にアモルフ
ァスシリコン薄膜を成膜する方法において、成膜初期は
連続放電で成膜し、次いで間欠放電で必要な膜厚まで成
膜することを特徴とするアモルファスシリコン薄膜の成
膜方法。 - 【請求項２】 連続放電および間欠放電による成膜は、
同一のチャンバー内又は別のチャンバー内で行う請求項
１記載のアモルファスシリコン薄膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16366792A JPH05335244A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16366792A JPH05335244A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335244A true JPH05335244A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15778305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16366792A Pending JPH05335244A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | アモルファスシリコン薄膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335244A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5437895A (en) * | 1993-09-21 | 1995-08-01 | Anelva Corporation | Plasma CVD process for forming amorphous silicon thin film |
| US5648293A (en) * | 1993-07-22 | 1997-07-15 | Nec Corporation | Method of growing an amorphous silicon film |
| EP0727826A3 (en) * | 1995-02-17 | 1998-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for forming a thin semiconductor film and a plasma CVD apparatus to be used in this method |
| US6531654B2 (en) * | 2000-05-23 | 2003-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor thin-film formation process, and amorphous silicon solar-cell device |
Citations (2)
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| JPS62216637A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-24 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
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-
1992
- 1992-05-29 JP JP16366792A patent/JPH05335244A/ja active Pending
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