JPH05335879A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
- Publication number
- JPH05335879A JPH05335879A JP13548392A JP13548392A JPH05335879A JP H05335879 A JPH05335879 A JP H05335879A JP 13548392 A JP13548392 A JP 13548392A JP 13548392 A JP13548392 A JP 13548392A JP H05335879 A JPH05335879 A JP H05335879A
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- JP
- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- substrate
- linbo
- resonator
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気・機械結合係数が大であって且つ温度係
数も小であるる弾性表面波共振子の実現と、該共振子に
よる広帯域弾性表面波素子を提供すること。 【構成】 Y板又は回転Y板で、弾性表面波伝播方向を
X方向に設定したLiNbO3 基板にくし型電極を設
け、その上をSiO2 膜で被覆した構造とする。このS
iO2 膜は内部応力の無いもので、その厚さは共振波長
の25%前後であると共に、共振子を作動させる弾性表
面波がLOVE波になる値である。
数も小であるる弾性表面波共振子の実現と、該共振子に
よる広帯域弾性表面波素子を提供すること。 【構成】 Y板又は回転Y板で、弾性表面波伝播方向を
X方向に設定したLiNbO3 基板にくし型電極を設
け、その上をSiO2 膜で被覆した構造とする。このS
iO2 膜は内部応力の無いもので、その厚さは共振波長
の25%前後であると共に、共振子を作動させる弾性表
面波がLOVE波になる値である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はニオブ酸リチウム(Li
NbO3)単結晶基板に形成された弾性表面波素子に関わ
り、特にLOVE波を利用した弾性表面波素子に関わ
る。
NbO3)単結晶基板に形成された弾性表面波素子に関わ
り、特にLOVE波を利用した弾性表面波素子に関わ
る。
【0002】弾性表面波(SAW)の伝播速度は電磁波の
約1/105 と遅く、その波長はすだれ状電極を用いて駆動
/抽出するのに適した寸法である。弾性表面波をすだれ
状電極で制御する素子即ち弾性表面波素子では、周波数
帯域が50MHz〜3GHz帯の場合、電極の寸法がフォトリソ
グラフィで処理し得る程度の微細さとなるので、発振器
やフィルタなどの弾性表面波素子を超小型に形成するこ
とができる。
約1/105 と遅く、その波長はすだれ状電極を用いて駆動
/抽出するのに適した寸法である。弾性表面波をすだれ
状電極で制御する素子即ち弾性表面波素子では、周波数
帯域が50MHz〜3GHz帯の場合、電極の寸法がフォトリソ
グラフィで処理し得る程度の微細さとなるので、発振器
やフィルタなどの弾性表面波素子を超小型に形成するこ
とができる。
【0003】この弾性表面波素子は携帯電話など様々な
電子機器に使用されているが、その信号処理速度向上や
高機能化などの趨勢の中で、弾性表面波素子の広帯域化
や温度特性の改善のような高安定化が望まれており、性
能向上に伴う適用領域の拡大が期待されている。
電子機器に使用されているが、その信号処理速度向上や
高機能化などの趨勢の中で、弾性表面波素子の広帯域化
や温度特性の改善のような高安定化が望まれており、性
能向上に伴う適用領域の拡大が期待されている。
【0004】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】弾性表面
波素子の性能は、振動モードの選択や電極形状などの素
子設計技術の他に、基板材料の特性にも大きく左右され
る。現在多用されている基板材料の一つに水晶基板があ
り、これは温度特性が良好なところから、帯域幅が中心
周波数の数%以下といった狭帯域のフィルタや発振器な
どに広く利用されている。
波素子の性能は、振動モードの選択や電極形状などの素
子設計技術の他に、基板材料の特性にも大きく左右され
る。現在多用されている基板材料の一つに水晶基板があ
り、これは温度特性が良好なところから、帯域幅が中心
周波数の数%以下といった狭帯域のフィルタや発振器な
どに広く利用されている。
【0005】一方、帯域幅がそれ以上の広帯域素子の基
板にはLiNbO3 やLiTaO3などが用いられる
が、これ等の材料は温度特性に難があり、安定した動作
が期待できないという問題がある。結晶方位の選択や回
路上の工夫による特性改善も報告されているが、実用上
十分な程度の成果は得られていない。
板にはLiNbO3 やLiTaO3などが用いられる
が、これ等の材料は温度特性に難があり、安定した動作
が期待できないという問題がある。結晶方位の選択や回
路上の工夫による特性改善も報告されているが、実用上
十分な程度の成果は得られていない。
【0006】弾性表面波素子では、レイリー波に対する
電気・機械結合係数が大であるほど広帯域化が可能とな
る。LiNbO3 やLiTaO3 のそれは、水晶に比べ
れば1桁大きいが、それでも高々数%といった値であ
る。
電気・機械結合係数が大であるほど広帯域化が可能とな
る。LiNbO3 やLiTaO3 のそれは、水晶に比べ
れば1桁大きいが、それでも高々数%といった値であ
る。
【0007】最近、LiNbO3 回転Y板上を伝播する
LOVE波型表面波は、その電気・機械結合係数が30
%にも達することが見出され、広帯域弾性表面波素子用
基板として注目されるようになった。しかしこの基板を
用いた共振器は、周波数温度係数が−117ppm/℃
と、水晶に比べて2桁近く劣ったものとなり、実用に耐
える利用範囲が限定されたものとなる。
LOVE波型表面波は、その電気・機械結合係数が30
%にも達することが見出され、広帯域弾性表面波素子用
基板として注目されるようになった。しかしこの基板を
用いた共振器は、周波数温度係数が−117ppm/℃
と、水晶に比べて2桁近く劣ったものとなり、実用に耐
える利用範囲が限定されたものとなる。
【0008】本発明の目的は、LiNbO3 回転Y板を
用いた、LOVE波型表面波により作動する、広帯域且
つ温度特性の良好な弾性表面波素子を提供することであ
る。
用いた、LOVE波型表面波により作動する、広帯域且
つ温度特性の良好な弾性表面波素子を提供することであ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の弾性表面波素子は、ニオブ酸リチウム(L
iNbO3)単結晶基板に形成された弾性表面波素子であ
って、該LiNbO3 基板はY板又は回転Y板であって
弾性表面波伝播方向がX方向であり、該LiNbO3 基
板表面に形成された弾性表面波駆動/抽出用電極及び反
射電極の膜厚は、該弾性表面波の伝播速度を横波バルク
波の伝播速度より小とする厚さであると共に、該電極が
形成された基板表面が、該弾性表面波の波長の15%〜
35%の厚さを持つ無応力二酸化珪素で被覆されて成る
ことを特徴としている。
め、本発明の弾性表面波素子は、ニオブ酸リチウム(L
iNbO3)単結晶基板に形成された弾性表面波素子であ
って、該LiNbO3 基板はY板又は回転Y板であって
弾性表面波伝播方向がX方向であり、該LiNbO3 基
板表面に形成された弾性表面波駆動/抽出用電極及び反
射電極の膜厚は、該弾性表面波の伝播速度を横波バルク
波の伝播速度より小とする厚さであると共に、該電極が
形成された基板表面が、該弾性表面波の波長の15%〜
35%の厚さを持つ無応力二酸化珪素で被覆されて成る
ことを特徴としている。
【0010】この無応力二酸化珪素膜はCVD法により
形成することが可能である。
形成することが可能である。
【0011】
【作用】二酸化珪素(SiO2)はLiNbO3 とは逆の
温度係数を持つ材料であり、LiNbO3 基板の電極形
成面をSiO2 膜で被覆することによって、基板の温度
特性を補償することができる。このSiO2 膜の膜厚H
とLOVE波の波長λの比によって温度係数が定まる
が、その関係が図2に示されている。図中に明示されて
いるように、H/λ≒0.25 の時に温度係数がほぼ0と
なる。また、該皮膜が内部応力を持つ場合には、その好
ましからぬ影響が現れることになるが、無応力のSiO
2 膜は、処理条件を厳選したCVD法によって堆積形成
することが可能である。
温度係数を持つ材料であり、LiNbO3 基板の電極形
成面をSiO2 膜で被覆することによって、基板の温度
特性を補償することができる。このSiO2 膜の膜厚H
とLOVE波の波長λの比によって温度係数が定まる
が、その関係が図2に示されている。図中に明示されて
いるように、H/λ≒0.25 の時に温度係数がほぼ0と
なる。また、該皮膜が内部応力を持つ場合には、その好
ましからぬ影響が現れることになるが、無応力のSiO
2 膜は、処理条件を厳選したCVD法によって堆積形成
することが可能である。
【0012】
【実施例】図1及び表1によって本発明の実施例を示
す。図1(a)は共振子の電極パターンを模式的に示して
おり、該共振子の諸元を一覧表示する表1に記されてい
るように、IDT(Inter Digital Transducer)のフィン
ガー数は50本であって、図より多い。また、フィンガ
ーピッチとフィンガー幅の比率も、図示されたものは実
際とは異なっている。
す。図1(a)は共振子の電極パターンを模式的に示して
おり、該共振子の諸元を一覧表示する表1に記されてい
るように、IDT(Inter Digital Transducer)のフィン
ガー数は50本であって、図より多い。また、フィンガ
ーピッチとフィンガー幅の比率も、図示されたものは実
際とは異なっている。
【0013】
【表1】
【0014】図1(b)は実施例の弾性表面波素子の断面
構造を示しており、LiNbO3 の基板1上にくし型の
金属電極2が配置され、その上はSiO2 膜3で覆われ
ている。同図(c)は、この電極部分の細部形状を示す断
面図で、電極を形成する金属膜はCr膜2a、Au膜2b、
Cr膜2aから成るものである。これ等の金属膜の厚さt
1 〜t2 や電極の幅W、IDTと反射器のフィンガーピ
ッチp、IDT/反射器間距離gの値は表1に記されて
いる通りである。
構造を示しており、LiNbO3 の基板1上にくし型の
金属電極2が配置され、その上はSiO2 膜3で覆われ
ている。同図(c)は、この電極部分の細部形状を示す断
面図で、電極を形成する金属膜はCr膜2a、Au膜2b、
Cr膜2aから成るものである。これ等の金属膜の厚さt
1 〜t2 や電極の幅W、IDTと反射器のフィンガーピ
ッチp、IDT/反射器間距離gの値は表1に記されて
いる通りである。
【0015】基板表面を被覆するSiO2 膜は、LiN
bO3 基板の温度特性を補償するためのものであるか
ら、それ自身が内部応力を持つことは望ましくない。ス
パッタリングや通常のCVD法で形成したSiO2 には
内部応力が残存することは周知であるが、処理条件が適
当に選ばれた場合には、CVD法によって内部応力の無
いSiO2 膜が堆積形成される。
bO3 基板の温度特性を補償するためのものであるか
ら、それ自身が内部応力を持つことは望ましくない。ス
パッタリングや通常のCVD法で形成したSiO2 には
内部応力が残存することは周知であるが、処理条件が適
当に選ばれた場合には、CVD法によって内部応力の無
いSiO2 膜が堆積形成される。
【0016】SiO2 の膜厚Hは共振子の共振波長に従
って設定される。図2は、このように形成された共振子
の共振周波数1次温度係数(TCF1)とSiO2 膜厚の
関係をシミュレーションによって求めたものである。こ
の図から、SiO2 の膜厚Hと共振波長λの比が約0.25
即ち約25%の時に、温度係数が0になることがわかる。
って設定される。図2は、このように形成された共振子
の共振周波数1次温度係数(TCF1)とSiO2 膜厚の
関係をシミュレーションによって求めたものである。こ
の図から、SiO2 の膜厚Hと共振波長λの比が約0.25
即ち約25%の時に、温度係数が0になることがわかる。
【0017】この時の表面波の速度Vは V=Fr×λ
=3400mm/sとなるが、これは横波バルク波の速
度4079mm/sより遅く、共振子は伝播減衰の無い
LOVE波によって動作することが知られる。即ち、こ
の共振子の電気・機械結合係数は30%近い値となって
おり、広帯域のフィルタやVCOを形成するに適した特
性を持つものである。
=3400mm/sとなるが、これは横波バルク波の速
度4079mm/sより遅く、共振子は伝播減衰の無い
LOVE波によって動作することが知られる。即ち、こ
の共振子の電気・機械結合係数は30%近い値となって
おり、広帯域のフィルタやVCOを形成するに適した特
性を持つものである。
【0018】図3は上記実施例の共振子の、温度変化と
共振周波数変化の関係を示す図である。室温を中心に広
い温度範囲にわたって共振周波数は殆ど変動せず、−2
0〜+80℃で共振周波数の変化率は±500ppm以
下である。
共振周波数変化の関係を示す図である。室温を中心に広
い温度範囲にわたって共振周波数は殆ど変動せず、−2
0〜+80℃で共振周波数の変化率は±500ppm以
下である。
【0019】実施例の共振子のアドミッタンス特性を図
4に示す。SAW共振子の電気的等価回路を図5の回路
で近似した場合、その等価回路定数は表2のようなもの
となる。容量比γは3という小さい値であり、電気・機
械結合係数は30%を越えたものとなっている。
4に示す。SAW共振子の電気的等価回路を図5の回路
で近似した場合、その等価回路定数は表2のようなもの
となる。容量比γは3という小さい値であり、電気・機
械結合係数は30%を越えたものとなっている。
【0020】
【表2】
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
YX−LiNbO3 基板上に規定条件を満たすSiO2
膜を形成することにより、位相速度の1次温度係数がほ
ゞ0であり、電気・機械結合係数が30%を越える弾性
表面波素子が得られる。
YX−LiNbO3 基板上に規定条件を満たすSiO2
膜を形成することにより、位相速度の1次温度係数がほ
ゞ0であり、電気・機械結合係数が30%を越える弾性
表面波素子が得られる。
【0022】本発明の共振子を用いて形成されたフィル
タやVCOは、広帯域であると同時に広い温度範囲で安
定な動作を示す弾性表面波素子となる。
タやVCOは、広帯域であると同時に広い温度範囲で安
定な動作を示す弾性表面波素子となる。
【図1】 本発明の実施例を示す図
【図2】 温度係数と膜厚の関係を示す図
【図3】 共振周波数の温度変化を示す図
【図4】 実施例共振子のアドミッタンス応答特性を示
す図
す図
【図5】 SAW共振子の電気的等価回路を示す図
1 基板(LiNbO3) 2 金属電極 2a Cr 2b Au 2c Cr 3 SiO2
Claims (2)
- 【請求項1】 ニオブ酸リチウム(LiNbO3)単結晶
基板に形成された弾性表面波素子であって、 該LiNbO3 基板はY板又は回転Y板であって弾性表
面波伝播方向がX方向であり、 該LiNbO3 基板表面に形成された弾性表面波駆動/
抽出用電極及び反射電極の膜厚は、該弾性表面波の伝播
速度を横波バルク波の伝播速度より小とする厚さであ
り、 該電極が形成された基板表面が、該弾性波の波長の15
%〜35%の厚さを持つ無応力二酸化珪素で被覆されて
成ることを特徴とする弾性表面波素子。 - 【請求項2】 請求項1の弾性表面波素子であって、前
記無応力二酸化珪素膜はCVD法により形成されたもの
であることを特徴とする弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13548392A JPH05335879A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13548392A JPH05335879A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335879A true JPH05335879A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15152779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13548392A Withdrawn JPH05335879A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335879A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005036744A1 (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
| US7209018B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-04-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JP2008092610A (ja) * | 2001-03-04 | 2008-04-17 | Kazuhiko Yamanouchi | 弾性表面波基板及び弾性表面波機能素子 |
| JP2008148338A (ja) * | 2001-03-04 | 2008-06-26 | Kazuhiko Yamanouchi | 弾性表面波機能素子 |
| WO2008078573A1 (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Panasonic Corporation | 弾性表面波共振器並びにそれを用いた弾性表面波フィルタ及びアンテナ共用器 |
| EP1871006A4 (en) * | 2005-04-08 | 2009-06-17 | Murata Manufacturing Co | ELASTIC WAVE ELEMENT |
| US7589452B2 (en) * | 2004-09-17 | 2009-09-15 | Epcos Ag | SAW-component having a reduced temperature path and method for the production thereof |
| JP4569713B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2010-10-27 | パナソニック株式会社 | 弾性波共振器、弾性波フィルタおよびこれを用いたアンテナ共用器 |
| JP2012085110A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Japan Radio Co Ltd | 弾性表面波デバイスおよび弾性表面波デバイス支援装置 |
| US8476991B2 (en) | 2007-11-06 | 2013-07-02 | Panasonic Corporation | Elastic wave resonator, elastic wave filter, and antenna sharing device using the same |
| US9438201B2 (en) | 2013-03-21 | 2016-09-06 | Ngk Insulators, Ltd. | Composite substrates for acoustic wave elements, and acoustic wave elements |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13548392A patent/JPH05335879A/ja not_active Withdrawn
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7209018B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-04-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US7345400B2 (en) | 2003-01-27 | 2008-03-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| WO2005036744A1 (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
| US7589452B2 (en) * | 2004-09-17 | 2009-09-15 | Epcos Ag | SAW-component having a reduced temperature path and method for the production thereof |
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| JPWO2008078573A1 (ja) * | 2006-12-27 | 2010-04-22 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波共振器並びにそれを用いた弾性表面波フィルタ及びアンテナ共用器 |
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| US7965155B2 (en) | 2006-12-27 | 2011-06-21 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave resonator, and surface acoustic wave filter and antenna duplexer in which the surface acoustic wave resonator is used |
| JP4569713B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2010-10-27 | パナソニック株式会社 | 弾性波共振器、弾性波フィルタおよびこれを用いたアンテナ共用器 |
| JP2010252359A (ja) * | 2007-11-06 | 2010-11-04 | Panasonic Corp | 弾性波フィルタおよびこれを用いたアンテナ共用器 |
| JPWO2009060594A1 (ja) * | 2007-11-06 | 2011-03-17 | パナソニック株式会社 | 弾性波共振器、弾性波フィルタおよびこれを用いたアンテナ共用器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |