JPH05335879A - 弾性表面波素子 - Google Patents

弾性表面波素子

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JPH05335879A
JPH05335879A JP13548392A JP13548392A JPH05335879A JP H05335879 A JPH05335879 A JP H05335879A JP 13548392 A JP13548392 A JP 13548392A JP 13548392 A JP13548392 A JP 13548392A JP H05335879 A JPH05335879 A JP H05335879A
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JP
Japan
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surface acoustic
acoustic wave
substrate
linbo
resonator
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Withdrawn
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JP13548392A
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English (en)
Inventor
Masaaki Ono
正明 小野
Nobuaki Hirasawa
暢朗 平沢
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電気・機械結合係数が大であって且つ温度係
数も小であるる弾性表面波共振子の実現と、該共振子に
よる広帯域弾性表面波素子を提供すること。 【構成】 Y板又は回転Y板で、弾性表面波伝播方向を
X方向に設定したLiNbO3 基板にくし型電極を設
け、その上をSiO2 膜で被覆した構造とする。このS
iO2 膜は内部応力の無いもので、その厚さは共振波長
の25%前後であると共に、共振子を作動させる弾性表
面波がLOVE波になる値である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はニオブ酸リチウム(Li
NbO3)単結晶基板に形成された弾性表面波素子に関わ
り、特にLOVE波を利用した弾性表面波素子に関わ
る。
【0002】弾性表面波(SAW)の伝播速度は電磁波の
約1/105 と遅く、その波長はすだれ状電極を用いて駆動
/抽出するのに適した寸法である。弾性表面波をすだれ
状電極で制御する素子即ち弾性表面波素子では、周波数
帯域が50MHz〜3GHz帯の場合、電極の寸法がフォトリソ
グラフィで処理し得る程度の微細さとなるので、発振器
やフィルタなどの弾性表面波素子を超小型に形成するこ
とができる。
【0003】この弾性表面波素子は携帯電話など様々な
電子機器に使用されているが、その信号処理速度向上や
高機能化などの趨勢の中で、弾性表面波素子の広帯域化
や温度特性の改善のような高安定化が望まれており、性
能向上に伴う適用領域の拡大が期待されている。
【0004】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】弾性表面
波素子の性能は、振動モードの選択や電極形状などの素
子設計技術の他に、基板材料の特性にも大きく左右され
る。現在多用されている基板材料の一つに水晶基板があ
り、これは温度特性が良好なところから、帯域幅が中心
周波数の数%以下といった狭帯域のフィルタや発振器な
どに広く利用されている。
【0005】一方、帯域幅がそれ以上の広帯域素子の基
板にはLiNbO3 やLiTaO3などが用いられる
が、これ等の材料は温度特性に難があり、安定した動作
が期待できないという問題がある。結晶方位の選択や回
路上の工夫による特性改善も報告されているが、実用上
十分な程度の成果は得られていない。
【0006】弾性表面波素子では、レイリー波に対する
電気・機械結合係数が大であるほど広帯域化が可能とな
る。LiNbO3 やLiTaO3 のそれは、水晶に比べ
れば1桁大きいが、それでも高々数%といった値であ
る。
【0007】最近、LiNbO3 回転Y板上を伝播する
LOVE波型表面波は、その電気・機械結合係数が30
%にも達することが見出され、広帯域弾性表面波素子用
基板として注目されるようになった。しかしこの基板を
用いた共振器は、周波数温度係数が−117ppm/℃
と、水晶に比べて2桁近く劣ったものとなり、実用に耐
える利用範囲が限定されたものとなる。
【0008】本発明の目的は、LiNbO3 回転Y板を
用いた、LOVE波型表面波により作動する、広帯域且
つ温度特性の良好な弾性表面波素子を提供することであ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の弾性表面波素子は、ニオブ酸リチウム(L
iNbO3)単結晶基板に形成された弾性表面波素子であ
って、該LiNbO3 基板はY板又は回転Y板であって
弾性表面波伝播方向がX方向であり、該LiNbO3 基
板表面に形成された弾性表面波駆動/抽出用電極及び反
射電極の膜厚は、該弾性表面波の伝播速度を横波バルク
波の伝播速度より小とする厚さであると共に、該電極が
形成された基板表面が、該弾性表面波の波長の15%〜
35%の厚さを持つ無応力二酸化珪素で被覆されて成る
ことを特徴としている。
【0010】この無応力二酸化珪素膜はCVD法により
形成することが可能である。
【0011】
【作用】二酸化珪素(SiO2)はLiNbO3 とは逆の
温度係数を持つ材料であり、LiNbO3 基板の電極形
成面をSiO2 膜で被覆することによって、基板の温度
特性を補償することができる。このSiO2 膜の膜厚H
とLOVE波の波長λの比によって温度係数が定まる
が、その関係が図2に示されている。図中に明示されて
いるように、H/λ≒0.25 の時に温度係数がほぼ0と
なる。また、該皮膜が内部応力を持つ場合には、その好
ましからぬ影響が現れることになるが、無応力のSiO
2 膜は、処理条件を厳選したCVD法によって堆積形成
することが可能である。
【0012】
【実施例】図1及び表1によって本発明の実施例を示
す。図1(a)は共振子の電極パターンを模式的に示して
おり、該共振子の諸元を一覧表示する表1に記されてい
るように、IDT(Inter Digital Transducer)のフィン
ガー数は50本であって、図より多い。また、フィンガ
ーピッチとフィンガー幅の比率も、図示されたものは実
際とは異なっている。
【0013】
【表1】
【0014】図1(b)は実施例の弾性表面波素子の断面
構造を示しており、LiNbO3 の基板1上にくし型の
金属電極2が配置され、その上はSiO2 膜3で覆われ
ている。同図(c)は、この電極部分の細部形状を示す断
面図で、電極を形成する金属膜はCr膜2a、Au膜2b、
Cr膜2aから成るものである。これ等の金属膜の厚さt
1 〜t2 や電極の幅W、IDTと反射器のフィンガーピ
ッチp、IDT/反射器間距離gの値は表1に記されて
いる通りである。
【0015】基板表面を被覆するSiO2 膜は、LiN
bO3 基板の温度特性を補償するためのものであるか
ら、それ自身が内部応力を持つことは望ましくない。ス
パッタリングや通常のCVD法で形成したSiO2 には
内部応力が残存することは周知であるが、処理条件が適
当に選ばれた場合には、CVD法によって内部応力の無
いSiO2 膜が堆積形成される。
【0016】SiO2 の膜厚Hは共振子の共振波長に従
って設定される。図2は、このように形成された共振子
の共振周波数1次温度係数(TCF1)とSiO2 膜厚の
関係をシミュレーションによって求めたものである。こ
の図から、SiO2 の膜厚Hと共振波長λの比が約0.25
即ち約25%の時に、温度係数が0になることがわかる。
【0017】この時の表面波の速度Vは V=Fr×λ
=3400mm/sとなるが、これは横波バルク波の速
度4079mm/sより遅く、共振子は伝播減衰の無い
LOVE波によって動作することが知られる。即ち、こ
の共振子の電気・機械結合係数は30%近い値となって
おり、広帯域のフィルタやVCOを形成するに適した特
性を持つものである。
【0018】図3は上記実施例の共振子の、温度変化と
共振周波数変化の関係を示す図である。室温を中心に広
い温度範囲にわたって共振周波数は殆ど変動せず、−2
0〜+80℃で共振周波数の変化率は±500ppm以
下である。
【0019】実施例の共振子のアドミッタンス特性を図
4に示す。SAW共振子の電気的等価回路を図5の回路
で近似した場合、その等価回路定数は表2のようなもの
となる。容量比γは3という小さい値であり、電気・機
械結合係数は30%を越えたものとなっている。
【0020】
【表2】
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
YX−LiNbO3 基板上に規定条件を満たすSiO2
膜を形成することにより、位相速度の1次温度係数がほ
ゞ0であり、電気・機械結合係数が30%を越える弾性
表面波素子が得られる。
【0022】本発明の共振子を用いて形成されたフィル
タやVCOは、広帯域であると同時に広い温度範囲で安
定な動作を示す弾性表面波素子となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例を示す図
【図2】 温度係数と膜厚の関係を示す図
【図3】 共振周波数の温度変化を示す図
【図4】 実施例共振子のアドミッタンス応答特性を示
す図
【図5】 SAW共振子の電気的等価回路を示す図
【符号の説明】
1 基板(LiNbO3) 2 金属電極 2a Cr 2b Au 2c Cr 3 SiO2

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ニオブ酸リチウム(LiNbO3)単結晶
    基板に形成された弾性表面波素子であって、 該LiNbO3 基板はY板又は回転Y板であって弾性表
    面波伝播方向がX方向であり、 該LiNbO3 基板表面に形成された弾性表面波駆動/
    抽出用電極及び反射電極の膜厚は、該弾性表面波の伝播
    速度を横波バルク波の伝播速度より小とする厚さであ
    り、 該電極が形成された基板表面が、該弾性波の波長の15
    %〜35%の厚さを持つ無応力二酸化珪素で被覆されて
    成ることを特徴とする弾性表面波素子。
  2. 【請求項2】 請求項1の弾性表面波素子であって、前
    記無応力二酸化珪素膜はCVD法により形成されたもの
    であることを特徴とする弾性表面波素子。
JP13548392A 1992-05-28 1992-05-28 弾性表面波素子 Withdrawn JPH05335879A (ja)

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