JPH11191720A - 弾性表面波装置及び弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波装置及び弾性表面波フィルタInfo
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- JPH11191720A JPH11191720A JP35831997A JP35831997A JPH11191720A JP H11191720 A JPH11191720 A JP H11191720A JP 35831997 A JP35831997 A JP 35831997A JP 35831997 A JP35831997 A JP 35831997A JP H11191720 A JPH11191720 A JP H11191720A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】圧電基板上に形成されたＳＡＷ装置のΔｆを個
々のＳＡＷ装置毎に調整可能とし、ＳＡＷフィルタの通
過帯域特性や減衰特性等を改善する。 【解決手段】圧電基板の主面に少なくとも一対のＩＤＴ
電極３０を形成して成るＳＡＷ装置Ｄ１であって、前記
ＩＤＴ電極３０の電極指３０ａの長さをｗ1 、前記電極
指３０ａ先端と相対するＩＤＴ電極３０のバスバー３０
ｃとの間隔をｗ2 とした場合、０．０４≦ｗ2 ／ｗ1 ≦
０．２０であり、かつ前記間隔部に前記バスバー３０ｃ
より小電極指３０ｂを突設させた。
々のＳＡＷ装置毎に調整可能とし、ＳＡＷフィルタの通
過帯域特性や減衰特性等を改善する。 【解決手段】圧電基板の主面に少なくとも一対のＩＤＴ
電極３０を形成して成るＳＡＷ装置Ｄ１であって、前記
ＩＤＴ電極３０の電極指３０ａの長さをｗ1 、前記電極
指３０ａ先端と相対するＩＤＴ電極３０のバスバー３０
ｃとの間隔をｗ2 とした場合、０．０４≦ｗ2 ／ｗ1 ≦
０．２０であり、かつ前記間隔部に前記バスバー３０ｃ
より小電極指３０ｂを突設させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話やセルラ
ー電話等の通信機器に内蔵される共振子や周波数帯域フ
ィルタとして使用される弾性表面波装置及び弾性表面波
フィルタに関する。
ー電話等の通信機器に内蔵される共振子や周波数帯域フ
ィルタとして使用される弾性表面波装置及び弾性表面波
フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave で、以下、ＳＡＷと略す）装置Ｄを図３に示す。同
図において、３５はＡｌ等から成り櫛歯状電極のＩＤＴ
（Inter Digital Transducer）電極、３５ａはＩＤＴ電
極３５の電極指、３５ｂは電極指３５ａを複数本設ける
ための共通電極であるバスバー、３６はＩＤＴ電極３５
のＳＡＷ伝搬路の両端に配置されＳＡＷを効率良く共振
させる反射器、ｗ1 は電極指３５ａの長さ、ｗ2 は電極
指３５ａと相手側のバスバー３５ｂとの間隔である。
尚、これらの部品はＬｉＴａＯ3 等の圧電基板（図示せ
ず）上に形成されるものであり、また電極指３５ａの対
数は数１０〜数１００対、反射器３６の電極指の本数は
数１０〜数１００本に及ぶため、同図では簡略化して描
いてある。
ave で、以下、ＳＡＷと略す）装置Ｄを図３に示す。同
図において、３５はＡｌ等から成り櫛歯状電極のＩＤＴ
（Inter Digital Transducer）電極、３５ａはＩＤＴ電
極３５の電極指、３５ｂは電極指３５ａを複数本設ける
ための共通電極であるバスバー、３６はＩＤＴ電極３５
のＳＡＷ伝搬路の両端に配置されＳＡＷを効率良く共振
させる反射器、ｗ1 は電極指３５ａの長さ、ｗ2 は電極
指３５ａと相手側のバスバー３５ｂとの間隔である。
尚、これらの部品はＬｉＴａＯ3 等の圧電基板（図示せ
ず）上に形成されるものであり、また電極指３５ａの対
数は数１０〜数１００対、反射器３６の電極指の本数は
数１０〜数１００本に及ぶため、同図では簡略化して描
いてある。
【０００３】また、図５に、従来の３段のラダー型（梯
子型）ＳＡＷフィルタＦ１の回路図を示す。このラダー
型ＳＡＷフィルタＦ１は、圧電基板１上において直列Ｓ
ＡＷ共振子２ａ〜２ｃと並列ＳＡＷ共振子３ａ〜３ｃと
を交互に接続して構成する。尚、同図において、４は直
列ＳＡＷ共振子２ａ〜２ｃと並列ＳＡＷ共振子３ａ〜３
ｃを接続する配線パターン、５は外部の駆動回路等と接
続するためのワイヤーである。
子型）ＳＡＷフィルタＦ１の回路図を示す。このラダー
型ＳＡＷフィルタＦ１は、圧電基板１上において直列Ｓ
ＡＷ共振子２ａ〜２ｃと並列ＳＡＷ共振子３ａ〜３ｃと
を交互に接続して構成する。尚、同図において、４は直
列ＳＡＷ共振子２ａ〜２ｃと並列ＳＡＷ共振子３ａ〜３
ｃを接続する配線パターン、５は外部の駆動回路等と接
続するためのワイヤーである。
【０００４】上記ＳＡＷ装置（ＳＡＷ共振子）Ｄは、図
４に示すように、周波数によってインピーダンスが極小
になる共振周波数（ｆｒ）１０と、逆にインピーダンス
が極大になる反共振周波数（ｆａ）１１を併せ持つ２重
共振特性を示す。同図において、９はＳＡＷ共振子のイ
ンピーダンス｜Ｚ｜−周波数特性（以下、インピーダン
ス特性という）、１２は等価容量である。そして、上記
ラダー型ＳＡＷフィルタＦ１については、図６に示すよ
うに、直列ＳＡＷ共振子２ａ〜２ｃの共振周波数７ａと
並列ＳＡＷ共振子３ａ〜３ｃの反共振周波数８ｂとが交
差しない程度に近づけて設定することにより、これらの
周波数近傍を通過帯域７ｆとする帯域通過フィルタを構
成できることが提案されている（特開平６−２３２６８
２号公報参照）。
４に示すように、周波数によってインピーダンスが極小
になる共振周波数（ｆｒ）１０と、逆にインピーダンス
が極大になる反共振周波数（ｆａ）１１を併せ持つ２重
共振特性を示す。同図において、９はＳＡＷ共振子のイ
ンピーダンス｜Ｚ｜−周波数特性（以下、インピーダン
ス特性という）、１２は等価容量である。そして、上記
ラダー型ＳＡＷフィルタＦ１については、図６に示すよ
うに、直列ＳＡＷ共振子２ａ〜２ｃの共振周波数７ａと
並列ＳＡＷ共振子３ａ〜３ｃの反共振周波数８ｂとが交
差しない程度に近づけて設定することにより、これらの
周波数近傍を通過帯域７ｆとする帯域通過フィルタを構
成できることが提案されている（特開平６−２３２６８
２号公報参照）。
【０００５】尚、図６において、７は直列ＳＡＷ共振子
２ａ〜２ｃのインピーダンス特性、７ｂは直列ＳＡＷ共
振子２ａ〜２ｃの反共振周波数、７ｃは後述するように
本発明により急峻性を改善された場合の直列ＳＡＷ共振
子２ａ〜２ｃの反共振周波数である。また、８は並列Ｓ
ＡＷ共振子３ａ〜３ｃのインピーダンス特性、８ａは並
列ＳＡＷ共振子３ａ〜３ｃの共振周波数、８ｃは後述す
るように本発明により急峻性を改善された場合の並列Ｓ
ＡＷ共振子３ａ〜３ｃの共振周波数である。
２ａ〜２ｃのインピーダンス特性、７ｂは直列ＳＡＷ共
振子２ａ〜２ｃの反共振周波数、７ｃは後述するように
本発明により急峻性を改善された場合の直列ＳＡＷ共振
子２ａ〜２ｃの反共振周波数である。また、８は並列Ｓ
ＡＷ共振子３ａ〜３ｃのインピーダンス特性、８ａは並
列ＳＡＷ共振子３ａ〜３ｃの共振周波数、８ｃは後述す
るように本発明により急峻性を改善された場合の並列Ｓ
ＡＷ共振子３ａ〜３ｃの共振周波数である。
【０００６】そして、携帯電話等の通信機器用のＳＡＷ
フィルタにおいては、要求仕様によりＳＡＷ共振子のイ
ンピーダンス特性を最適に設計する。ＳＡＷ共振子のイ
ンピーダンス特性を決定付ける代表的なパラメータとし
て、共振周波数ｆｒ、反共振周波数ｆａ、Δｆ＝ｆａ−
ｆｒ及び等価容量があり、これらのパラメータはＳＡＷ
共振子のＩＤＴ電極３５の設計により調整でき、ｆｒは
ＩＤＴ電極３５の電極指３５ａピッチ、等価容量は電極
指３５ａの交差幅（ｗ1 −ｗ2 ）と電極指３５ａの対数
によって制御できる。
フィルタにおいては、要求仕様によりＳＡＷ共振子のイ
ンピーダンス特性を最適に設計する。ＳＡＷ共振子のイ
ンピーダンス特性を決定付ける代表的なパラメータとし
て、共振周波数ｆｒ、反共振周波数ｆａ、Δｆ＝ｆａ−
ｆｒ及び等価容量があり、これらのパラメータはＳＡＷ
共振子のＩＤＴ電極３５の設計により調整でき、ｆｒは
ＩＤＴ電極３５の電極指３５ａピッチ、等価容量は電極
指３５ａの交差幅（ｗ1 −ｗ2 ）と電極指３５ａの対数
によって制御できる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ｆａは
主として圧電基板１の電気機械結合係数によって決定さ
れるため、ＩＤＴ電極３５の材質及び膜厚を決定すると
ほぼ決まってしまい、圧電基板１上の個々のＳＡＷ共振
子毎にｆａを自由に設定できないという問題があった。
従って、ＳＡＷフィルタの通過帯域幅を変化させようと
すると、圧電基板１の材質又はウェハの結晶方位の変更
によって解決する必要が生じていた。また、ＳＡＷフィ
ルタの通過帯域幅が決定すると、減衰傾度（減衰帯域幅
／通過帯域幅）を改善する方法はなかった。
主として圧電基板１の電気機械結合係数によって決定さ
れるため、ＩＤＴ電極３５の材質及び膜厚を決定すると
ほぼ決まってしまい、圧電基板１上の個々のＳＡＷ共振
子毎にｆａを自由に設定できないという問題があった。
従って、ＳＡＷフィルタの通過帯域幅を変化させようと
すると、圧電基板１の材質又はウェハの結晶方位の変更
によって解決する必要が生じていた。また、ＳＡＷフィ
ルタの通過帯域幅が決定すると、減衰傾度（減衰帯域幅
／通過帯域幅）を改善する方法はなかった。
【０００８】上記の通り、従来のラダー型ＳＡＷフィル
タや格子型ＳＡＷフィルタでは、ＳＡＷ共振子のΔｆは
使用する圧電基板１の電気機械結合係数によって定ま
る。このため、同一圧電基板１上に形成された複数のＳ
ＡＷ共振子は、絶対値は異なるものの夫々同等のインピ
ーダンス特性及びΔｆを持つ結果となる。
タや格子型ＳＡＷフィルタでは、ＳＡＷ共振子のΔｆは
使用する圧電基板１の電気機械結合係数によって定ま
る。このため、同一圧電基板１上に形成された複数のＳ
ＡＷ共振子は、絶対値は異なるものの夫々同等のインピ
ーダンス特性及びΔｆを持つ結果となる。
【０００９】故に、このようなＳＡＷ共振子により構成
するＳＡＷフィルタでは、減衰傾度が限定され、目的と
する通過帯域特性及び減衰特性の両方を満足することは
困難であった。また、近年、ＳＡＷフィルタのような周
波数制御用の電子部品に対する性能向上の要求は強く、
例えば図６の点線に示すように、ＳＡＷフィルタの通過
帯域幅を変えずに減衰特性を急峻にするといった必要が
生じている。
するＳＡＷフィルタでは、減衰傾度が限定され、目的と
する通過帯域特性及び減衰特性の両方を満足することは
困難であった。また、近年、ＳＡＷフィルタのような周
波数制御用の電子部品に対する性能向上の要求は強く、
例えば図６の点線に示すように、ＳＡＷフィルタの通過
帯域幅を変えずに減衰特性を急峻にするといった必要が
生じている。
【００１０】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は同一の圧電基板上に形成さ
れたＳＡＷ装置（ＳＡＷ共振子）のΔｆを個々のＳＡＷ
装置毎に調整可能とし、ＳＡＷフィルタの通過帯域特性
や減衰特性等を改善することである。
れたものであり、その目的は同一の圧電基板上に形成さ
れたＳＡＷ装置（ＳＡＷ共振子）のΔｆを個々のＳＡＷ
装置毎に調整可能とし、ＳＡＷフィルタの通過帯域特性
や減衰特性等を改善することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、圧電基板の主面に少なくとも一組の櫛歯状電極を形
成して成る弾性表面波装置であって、前記櫛歯状電極の
電極指の長さをｗ1 、前記電極指先端と相対するバスバ
ーとの間隔をｗ2 とした場合、０．０４≦ｗ2／ｗ1 ≦
０．２０とし、かつ前記間隔部に前記電極指先端と相対
するバスバーより小電極指を突設させたことを特徴とす
る。
は、圧電基板の主面に少なくとも一組の櫛歯状電極を形
成して成る弾性表面波装置であって、前記櫛歯状電極の
電極指の長さをｗ1 、前記電極指先端と相対するバスバ
ーとの間隔をｗ2 とした場合、０．０４≦ｗ2／ｗ1 ≦
０．２０とし、かつ前記間隔部に前記電極指先端と相対
するバスバーより小電極指を突設させたことを特徴とす
る。
【００１２】本発明において、好ましくは、前記小電極
指は、前記バスバーから前記電極指先端方向に向けて先
細り状となっている。
指は、前記バスバーから前記電極指先端方向に向けて先
細り状となっている。
【００１３】また、本発明の弾性表面波フィルタは、同
一の圧電基板上において複数の弾性表面波装置を接続し
て成る梯子型弾性表面波フィルタ又は平衡型弾性表面波
フィルタであって、前記弾性表面波装置の少なくとも１
個が上記の弾性表面波装置であることを特徴とする。
一の圧電基板上において複数の弾性表面波装置を接続し
て成る梯子型弾性表面波フィルタ又は平衡型弾性表面波
フィルタであって、前記弾性表面波装置の少なくとも１
個が上記の弾性表面波装置であることを特徴とする。
【００１４】本発明は上記構成により、以下のような効
果を奏する。圧電基板用のリチウムタンタレート（Ｌｉ
ＴａＯ3 ）単結晶やリチウムニオベート（ＬｉＮｂ
Ｏ3 ）単結晶の場合、ＩＤＴ電極の電極指の交差部と非
交差部（小電極指部）では、明らかに電気機械結合係数
ｋ2 が異なる。そして、開口率（ｗ2 ／ｗ1 ×１００
％）を変化させることにより、電極指部の電気機械結合
係数ｋ2 は小電極指部の影響を受け減少する。
果を奏する。圧電基板用のリチウムタンタレート（Ｌｉ
ＴａＯ3 ）単結晶やリチウムニオベート（ＬｉＮｂ
Ｏ3 ）単結晶の場合、ＩＤＴ電極の電極指の交差部と非
交差部（小電極指部）では、明らかに電気機械結合係数
ｋ2 が異なる。そして、開口率（ｗ2 ／ｗ1 ×１００
％）を変化させることにより、電極指部の電気機械結合
係数ｋ2 は小電極指部の影響を受け減少する。
【００１５】ここで、開口率とΔｆの関係を図８に示
す。開口率４％未満ではΔｆの変化率が大きく設計上の
自由度は大きいが、製造偏差が通過帯域に与える影響が
甚大であるため無視できないばかりでなく、フォトリソ
グラフィー法等による微細加工の歩留りが急激に劣化す
る。例えば、９５０ＭＨｚのリチウムタンタレート単結
晶で考察すると、ＳＡＷ波長λは約３．７μｍ、電極指
の交差幅（ｗ1 −ｗ2 ）は１０λ程度が適当である場合
が多く、開口率４％は約０．１５μｍとなるため、この
精度未満ではフォトリソグラフィー法による正確な形成
が困難である。一方、開口率が２０％を超えると、Δｆ
の変化が飽和する。
す。開口率４％未満ではΔｆの変化率が大きく設計上の
自由度は大きいが、製造偏差が通過帯域に与える影響が
甚大であるため無視できないばかりでなく、フォトリソ
グラフィー法等による微細加工の歩留りが急激に劣化す
る。例えば、９５０ＭＨｚのリチウムタンタレート単結
晶で考察すると、ＳＡＷ波長λは約３．７μｍ、電極指
の交差幅（ｗ1 −ｗ2 ）は１０λ程度が適当である場合
が多く、開口率４％は約０．１５μｍとなるため、この
精度未満ではフォトリソグラフィー法による正確な形成
が困難である。一方、開口率が２０％を超えると、Δｆ
の変化が飽和する。
【００１６】また、図３のＳＡＷ装置Ｄにおいて、外部
より高周波信号が入力されることにより電極指３５ａ部
に擬似ＳＡＷを生じるが、この擬似ＳＡＷは電極指３５
ａ中央部のＳＡＷ伝搬軸から拡散し、間隔ｗ2 部を伝搬
する波が発生する。尚、前記間隔ｗ2 部に相当する電極
指３５ａ部を電極指首部（非交差部）という。この電極
指首部は、電極指３５ａ部に比して電極面積が小さいた
め、電極指首部を伝搬するＳＡＷと、電極指３５ａ中央
部（交差部）を伝搬するＳＡＷとで、速度差が生じる。
これにより電気機械結合孫数ｋ2 が小さくなった場合と
同じ現象を示し、Δｆが小さくなる。
より高周波信号が入力されることにより電極指３５ａ部
に擬似ＳＡＷを生じるが、この擬似ＳＡＷは電極指３５
ａ中央部のＳＡＷ伝搬軸から拡散し、間隔ｗ2 部を伝搬
する波が発生する。尚、前記間隔ｗ2 部に相当する電極
指３５ａ部を電極指首部（非交差部）という。この電極
指首部は、電極指３５ａ部に比して電極面積が小さいた
め、電極指首部を伝搬するＳＡＷと、電極指３５ａ中央
部（交差部）を伝搬するＳＡＷとで、速度差が生じる。
これにより電気機械結合孫数ｋ2 が小さくなった場合と
同じ現象を示し、Δｆが小さくなる。
【００１７】ＳＡＷ共振子の共振特性は、電極指３５ａ
部のＳＡＷと電極指首部のＳＡＷとの合成特性となるた
め、開口率を調整することでΔｆをコントロールでき
る。また、開口率を比較的大きくした場合、フォトリソ
グラフィー工程における前記電極指首部での露光量が大
きくなり、所謂ハレーションにより前記電極指首部の線
幅が設定値よりも細くなるという問題が生じる。この場
合、細くなった部分の電気抵抗が増大するため、挿入損
失の増加や耐電力性（信頼性）の低下を招くことにな
る。
部のＳＡＷと電極指首部のＳＡＷとの合成特性となるた
め、開口率を調整することでΔｆをコントロールでき
る。また、開口率を比較的大きくした場合、フォトリソ
グラフィー工程における前記電極指首部での露光量が大
きくなり、所謂ハレーションにより前記電極指首部の線
幅が設定値よりも細くなるという問題が生じる。この場
合、細くなった部分の電気抵抗が増大するため、挿入損
失の増加や耐電力性（信頼性）の低下を招くことにな
る。
【００１８】そこで、開口率を変更した場合に、電極指
首部の線幅減少を防ぐため、間隔ｗ2 部にバスバーより
突設されかつ電極指３５ａに接しない小電極指を設け
る。このとき、小電極指の形状を電極指３５ａと同様の
方形状とすると、上記速度差が小さくなりΔｆの制御が
難しくなる。従って、小電極指を、バスバーから電極指
３５ａ先端に向かうにつれて先細り状、換言すると線幅
が狭くなるように形成することで、上記速度差を失うこ
となく、電極指首部の線幅の細線化を防ぐことができ
る。
首部の線幅減少を防ぐため、間隔ｗ2 部にバスバーより
突設されかつ電極指３５ａに接しない小電極指を設け
る。このとき、小電極指の形状を電極指３５ａと同様の
方形状とすると、上記速度差が小さくなりΔｆの制御が
難しくなる。従って、小電極指を、バスバーから電極指
３５ａ先端に向かうにつれて先細り状、換言すると線幅
が狭くなるように形成することで、上記速度差を失うこ
となく、電極指首部の線幅の細線化を防ぐことができ
る。
【００１９】本発明のＳＡＷフィルタは、図６に示すよ
うに、例えば１個のＳＡＷ共振子のΔｆを小さくするこ
とにより、このＳＡＷ共振子の共振周波数ｆｒから反共
振周波数ｆａ迄のインピーダンス特性は、他のＳＡＷ共
振子に比して急激に変化することとなる。その結果、Ｓ
ＡＷフィルタの特性は、通過帯域７ｆ幅を維持したまま
減衰傾度が急峻になる。より具体的には、図７に示すよ
うに、ＳＡＷフィルタの減衰極が２４ａから２４ｂに移
動するため、減衰量を２０ａから２０ｂにできる。尚、
同図において、１９は通過帯域、２０は減衰域である。
うに、例えば１個のＳＡＷ共振子のΔｆを小さくするこ
とにより、このＳＡＷ共振子の共振周波数ｆｒから反共
振周波数ｆａ迄のインピーダンス特性は、他のＳＡＷ共
振子に比して急激に変化することとなる。その結果、Ｓ
ＡＷフィルタの特性は、通過帯域７ｆ幅を維持したまま
減衰傾度が急峻になる。より具体的には、図７に示すよ
うに、ＳＡＷフィルタの減衰極が２４ａから２４ｂに移
動するため、減衰量を２０ａから２０ｂにできる。尚、
同図において、１９は通過帯域、２０は減衰域である。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明のＳＡＷ装置について以下
に説明する。図１と図２は本発明によるＳＡＷ装置Ｄ
１，Ｄ２の基本構成の平面図である。図１において、３
０はＩＤＴ電極、３０ａは電極指、３０ｂは小電極指、
３０ｃはバスバー、３１は反射器である。電極指３０ａ
の長さをｗ1 、電極指３０ａ先端と相対するＩＤＴ電極
３０のバスバー３０ｃとの間隔をｗ2 とした場合、０．
０４≦ｗ2 ／ｗ1 ≦０．２０であり、前記間隔部におい
てバスバー３０ｃより突設された小電極指３０ｂを設け
る。
に説明する。図１と図２は本発明によるＳＡＷ装置Ｄ
１，Ｄ２の基本構成の平面図である。図１において、３
０はＩＤＴ電極、３０ａは電極指、３０ｂは小電極指、
３０ｃはバスバー、３１は反射器である。電極指３０ａ
の長さをｗ1 、電極指３０ａ先端と相対するＩＤＴ電極
３０のバスバー３０ｃとの間隔をｗ2 とした場合、０．
０４≦ｗ2 ／ｗ1 ≦０．２０であり、前記間隔部におい
てバスバー３０ｃより突設された小電極指３０ｂを設け
る。
【００２１】図１の例では、小電極指３０ｂが三角形状
とされており、点線部で示すように小電極指３０ｂの底
辺部を幅広にしたり、小電極指３０ｂを曲線的に形成し
てもよい。図２の例は、小電極指３０ｂｂが２つの三角
形状部から成り、３つ以上に分割してもよい。
とされており、点線部で示すように小電極指３０ｂの底
辺部を幅広にしたり、小電極指３０ｂを曲線的に形成し
てもよい。図２の例は、小電極指３０ｂｂが２つの三角
形状部から成り、３つ以上に分割してもよい。
【００２２】本発明において、小電極指先端と電極指３
５ａ先端との間隔は０．１５λ〜０．３５λが好まし
く、０．１５λ未満ではフォトリソグラフィー法等によ
る微細加工の歩留りが急激に劣化する。また、０．３５
λを超えると電極指３５ａと小電極指の間隔が広がるた
めハレーションによる細線化が顕著になる。
５ａ先端との間隔は０．１５λ〜０．３５λが好まし
く、０．１５λ未満ではフォトリソグラフィー法等によ
る微細加工の歩留りが急激に劣化する。また、０．３５
λを超えると電極指３５ａと小電極指の間隔が広がるた
めハレーションによる細線化が顕著になる。
【００２３】また、小電極指の面積は、小電極指が方形
状の場合（図１の一点鎖線部）と比較して、その５０％
〜１５０％（図１の点線部）とするのがよく、５０％未
満では小電極指を施す効果、つまりハレーションによる
細線化を抑制する効果が低下し、１５０％を超えるとΔ
ｆを制御することが困難になる。
状の場合（図１の一点鎖線部）と比較して、その５０％
〜１５０％（図１の点線部）とするのがよく、５０％未
満では小電極指を施す効果、つまりハレーションによる
細線化を抑制する効果が低下し、１５０％を超えるとΔ
ｆを制御することが困難になる。
【００２４】図５のラダー型ＳＡＷフィルタＦ１に本発
明を適用した場合について、以下に説明する。直列ＳＡ
Ｗ共振子２ｂ，２ｃの２個について、図１のように構成
する。図６は、ラダー型ＳＡＷフィルタＦ１の通過帯域
の周波数特性（上側のグラフ）と、ＳＡＷ共振子のイン
ピーダンス特性（上側のグラフ）を示す。直列ＳＡＷ共
振子２ａのインピーダンス特性７は、ｗ2 ／ｗ1 を従来
より大きくしたことによりΔｆが減少し、共振周波数７
ａを保持したまま反共振周波数７ｂが低周波側に移動し
７ｃとなる。このインピーダンス特性の変化に対応し
て、ＳＡＷフィルタＦ１の通過帯域の周波数特性は高域
側の減衰特性が急峻になる。
明を適用した場合について、以下に説明する。直列ＳＡ
Ｗ共振子２ｂ，２ｃの２個について、図１のように構成
する。図６は、ラダー型ＳＡＷフィルタＦ１の通過帯域
の周波数特性（上側のグラフ）と、ＳＡＷ共振子のイン
ピーダンス特性（上側のグラフ）を示す。直列ＳＡＷ共
振子２ａのインピーダンス特性７は、ｗ2 ／ｗ1 を従来
より大きくしたことによりΔｆが減少し、共振周波数７
ａを保持したまま反共振周波数７ｂが低周波側に移動し
７ｃとなる。このインピーダンス特性の変化に対応し
て、ＳＡＷフィルタＦ１の通過帯域の周波数特性は高域
側の減衰特性が急峻になる。
【００２５】また、並列ＳＡＷ共振子３ｂのインピーダ
ンス特性８は、ｗ2 ／ｗ1 を従来より大きくしたことに
よりΔｆが減少し、反共振周波数８ｂを保持して、共振
周波数８ａが高周波側に移動し８ｃとなる。このインピ
ーダンス特性の変化に対応して、ＳＡＷフィルタＦ１の
通過帯域の周波数特性は低域側の減衰特性が急峻に変化
する。
ンス特性８は、ｗ2 ／ｗ1 を従来より大きくしたことに
よりΔｆが減少し、反共振周波数８ｂを保持して、共振
周波数８ａが高周波側に移動し８ｃとなる。このインピ
ーダンス特性の変化に対応して、ＳＡＷフィルタＦ１の
通過帯域の周波数特性は低域側の減衰特性が急峻に変化
する。
【００２６】このようなｗ2 ／ｗ1 の調整によって得ら
れるΔｆの変化幅は、４２°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴ
ａＯ3 単結晶から成る圧電基板１で決まるΔｆに対して
約１０％であり、ＳＡＷフィルタの減衰特性の急峻度を
十分に改善することができる。
れるΔｆの変化幅は、４２°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴ
ａＯ3 単結晶から成る圧電基板１で決まるΔｆに対して
約１０％であり、ＳＡＷフィルタの減衰特性の急峻度を
十分に改善することができる。
【００２７】具体的には、９００ＭＨｚ帯のＳＡＷフィ
ルタＦ１について、本発明の２個のＳＡＷ共振子２ｂ，
２ｃの電極指３０ａは、８６対と９４対、電極指３０ａ
の長さｗ1 は共に１０λ、電極指３０ａの材質は蒸着法
により成膜したＡｌを用い、電極指３０ａの厚みは共に
４１０ｎｍ、間隔ｗ2 はｗ1 の１２．５％に共に設定し
た。また、電極指３０ａ幅及び電極指３０ａ間隔は夫々
約１μｍである。図１１に改善前の信号レベルの周波数
特性を、図１２に本発明によって得られた周波数持性を
示す。本発明により減衰特性が改善されている。
ルタＦ１について、本発明の２個のＳＡＷ共振子２ｂ，
２ｃの電極指３０ａは、８６対と９４対、電極指３０ａ
の長さｗ1 は共に１０λ、電極指３０ａの材質は蒸着法
により成膜したＡｌを用い、電極指３０ａの厚みは共に
４１０ｎｍ、間隔ｗ2 はｗ1 の１２．５％に共に設定し
た。また、電極指３０ａ幅及び電極指３０ａ間隔は夫々
約１μｍである。図１１に改善前の信号レベルの周波数
特性を、図１２に本発明によって得られた周波数持性を
示す。本発明により減衰特性が改善されている。
【００２８】図９に本発明による対称格子状の平衡型
（ブリッジ型）ＳＡＷフィルタＦ２の回路図を示す。直
列腕に接続された２個のＳＡＷ共振子４０，４１につい
て、本発明を適用している。尚、同図において、４２，
４３は並列腕に接続された２個のＳＡＷ共振子、４５
ａ，４５ｂは入力端子、４６ａ，４６ｂは出力端子であ
る。
（ブリッジ型）ＳＡＷフィルタＦ２の回路図を示す。直
列腕に接続された２個のＳＡＷ共振子４０，４１につい
て、本発明を適用している。尚、同図において、４２，
４３は並列腕に接続された２個のＳＡＷ共振子、４５
ａ，４５ｂは入力端子、４６ａ，４６ｂは出力端子であ
る。
【００２９】図１０に、平衡型ＳＡＷフィルタＦ２の通
過帯域の周波数特性と、ＳＡＷ共振子４０〜４３のイン
ピーダンス特性を示す。ＳＡＷ共振子４０のインピーダ
ンス特性１７は、ｗ2 ／ｗ1 を従来より大きくしたこと
によりΔｆが減少し、共振周波数１７ａを保持したまま
反共振周波数１７ｂが低周波側に移動し１７ｃとなる。
このインピーダンス特性の変化に対応して、ＳＡＷフィ
ルタＦ２の通過帯域１７ｆの周波数特性は高域側の減衰
特性が急峻になる。
過帯域の周波数特性と、ＳＡＷ共振子４０〜４３のイン
ピーダンス特性を示す。ＳＡＷ共振子４０のインピーダ
ンス特性１７は、ｗ2 ／ｗ1 を従来より大きくしたこと
によりΔｆが減少し、共振周波数１７ａを保持したまま
反共振周波数１７ｂが低周波側に移動し１７ｃとなる。
このインピーダンス特性の変化に対応して、ＳＡＷフィ
ルタＦ２の通過帯域１７ｆの周波数特性は高域側の減衰
特性が急峻になる。
【００３０】また、ＳＡＷ腕共振子４２，４３のインピ
ーダンス特性１８は、ｗ2 ／ｗ1 を従来より大きくした
ことによりΔｆが減少し、反共振周波数１８ｂを保持し
て、共振周波数１８ａが高周波側に移動し１８ｃとな
る。このインピーダンス特性の変化に対応して、ＳＡＷ
フィルタＦ２の通過帯域１７ｆの周波数特性は低域側の
減衰特性が急峻になる。
ーダンス特性１８は、ｗ2 ／ｗ1 を従来より大きくした
ことによりΔｆが減少し、反共振周波数１８ｂを保持し
て、共振周波数１８ａが高周波側に移動し１８ｃとな
る。このインピーダンス特性の変化に対応して、ＳＡＷ
フィルタＦ２の通過帯域１７ｆの周波数特性は低域側の
減衰特性が急峻になる。
【００３１】このようなｗ2 ／ｗ1 の調整によって得ら
れるΔｆの変化幅は、ラダー型ＳＡＷフィルタＦ１と同
様、４２°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶から
成る圧電基板１で決まるΔｆに対して約１０％であり、
ＳＡＷフィルタの減衰特性の急峻度を十分に改善するこ
とができる。
れるΔｆの変化幅は、ラダー型ＳＡＷフィルタＦ１と同
様、４２°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶から
成る圧電基板１で決まるΔｆに対して約１０％であり、
ＳＡＷフィルタの減衰特性の急峻度を十分に改善するこ
とができる。
【００３２】具体的には、９００ＭＨｚ帯のＳＡＷフィ
ルタＦ２について、本発明の２個のＳＡＷ共振子４０，
４１の電極指３０ａは、６０対と６０対、電極指３０ａ
の長さｗ1 は共に１５λ、電極の材質は蒸着法により成
膜したＡｌを用い、電極指３０ａの厚みは共に４１０ｎ
ｍ、間隔ｗ2 はｗ1 の１２．０％に共に設定した。ま
た、電極指３０ａ幅及び電極指３０ａ間隔は夫々約１μ
ｍである。図１３に改善前の信号レベルの周波数特性
を、図１４に本発明によって得られた周波数持性を示
す。本発明により減衰特性が改善されている。
ルタＦ２について、本発明の２個のＳＡＷ共振子４０，
４１の電極指３０ａは、６０対と６０対、電極指３０ａ
の長さｗ1 は共に１５λ、電極の材質は蒸着法により成
膜したＡｌを用い、電極指３０ａの厚みは共に４１０ｎ
ｍ、間隔ｗ2 はｗ1 の１２．０％に共に設定した。ま
た、電極指３０ａ幅及び電極指３０ａ間隔は夫々約１μ
ｍである。図１３に改善前の信号レベルの周波数特性
を、図１４に本発明によって得られた周波数持性を示
す。本発明により減衰特性が改善されている。
【００３３】本発明において、ＩＤＴ電極３０はＡｌあ
るいはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）から
なり、特にＡｌが励振効率が高く、材料コストが低いた
め好ましい。また、ＩＤＴ電極３０は蒸着法、スパッタ
リング法又はＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。
るいはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）から
なり、特にＡｌが励振効率が高く、材料コストが低いた
め好ましい。また、ＩＤＴ電極３０は蒸着法、スパッタ
リング法又はＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。
【００３４】そして、ＩＤＴ電極３０の電極指３０ａの
対数は５０〜２００程度、電極指３０ａの線幅は０．１
〜１０．０μｍ程度、電極指３０ａの間隔は０．１〜１
０．０μｍ程度、電極指３０ａの開口幅（交差幅）は１
０〜１００μｍ程度、ＩＤＴ電極３０ａの厚みは０．２
〜０．４μｍ程度とすることが、ＳＡＷ共振子あるいは
ＳＡＷフィルタとしての所期の特性を得るうえで好適で
ある。また、ＩＤＴ電極３０ａの電極指間に酸化亜鉛，
酸化アルミニウム等の圧電材料を成膜すれば、ＳＡＷの
共振効率が向上し好適である。
対数は５０〜２００程度、電極指３０ａの線幅は０．１
〜１０．０μｍ程度、電極指３０ａの間隔は０．１〜１
０．０μｍ程度、電極指３０ａの開口幅（交差幅）は１
０〜１００μｍ程度、ＩＤＴ電極３０ａの厚みは０．２
〜０．４μｍ程度とすることが、ＳＡＷ共振子あるいは
ＳＡＷフィルタとしての所期の特性を得るうえで好適で
ある。また、ＩＤＴ電極３０ａの電極指間に酸化亜鉛，
酸化アルミニウム等の圧電材料を成膜すれば、ＳＡＷの
共振効率が向上し好適である。
【００３５】圧電基板としては、３６°±１０°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶、６４°Ｙカット−Ｘ
伝搬のＬｉＮｂＯ3 単結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬の
ＬｉＢ4 Ｏ7 単結晶等が、電気機械結合係数が大きく且
つ群遅延時間温度係数が小さいため好ましく、特に電気
機械結合係数の大きな３６°±１０°Ｙカット−Ｘ伝搬
のＬｉＴａＯ3 単結晶が良い。また、結晶Ｙ軸方向にお
けるカット角は３６°±１０°の範囲内であれば良く、
その場合十分な圧電特性が得られる。圧電基板の厚みは
０．１〜０．５ｍｍ程度がよく、０．１ｍｍ未満では圧
電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストが大き
くなる。
ト−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶、６４°Ｙカット−Ｘ
伝搬のＬｉＮｂＯ3 単結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬の
ＬｉＢ4 Ｏ7 単結晶等が、電気機械結合係数が大きく且
つ群遅延時間温度係数が小さいため好ましく、特に電気
機械結合係数の大きな３６°±１０°Ｙカット−Ｘ伝搬
のＬｉＴａＯ3 単結晶が良い。また、結晶Ｙ軸方向にお
けるカット角は３６°±１０°の範囲内であれば良く、
その場合十分な圧電特性が得られる。圧電基板の厚みは
０．１〜０．５ｍｍ程度がよく、０．１ｍｍ未満では圧
電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストが大き
くなる。
【００３６】かくして、本発明のＳＡＷ装置は、ＩＤＴ
電極の電極指の開口率（ｗ2 ／ｗ1×１００％）を調整
することによりΔｆを制御できるとともに、フォトリソ
グラフィー工程でＩＤＴ電極を形成する際に電極指首部
が細線化するのを防止でき、また、本発明のＳＡＷ装置
でＳＡＷフィルタを構成した場合、通過帯域端部の減衰
特性が改善されるという作用効果を有する。
電極の電極指の開口率（ｗ2 ／ｗ1×１００％）を調整
することによりΔｆを制御できるとともに、フォトリソ
グラフィー工程でＩＤＴ電極を形成する際に電極指首部
が細線化するのを防止でき、また、本発明のＳＡＷ装置
でＳＡＷフィルタを構成した場合、通過帯域端部の減衰
特性が改善されるという作用効果を有する。
【００３７】更には、本発明のＳＡＷフィルタにおい
て、０．０４≦ｗ2 ／ｗ1 ≦０．２０とし小電極指を設
けたＳＡＷ装置を少なくとも１個有していればよく、勿
論全てのＳＡＷ装置を上記構成としてもよい。また、圧
電基板の両主面（表裏面）にＳＡＷ装置又はＳＡＷフィ
ルタを設けても構わない。
て、０．０４≦ｗ2 ／ｗ1 ≦０．２０とし小電極指を設
けたＳＡＷ装置を少なくとも１個有していればよく、勿
論全てのＳＡＷ装置を上記構成としてもよい。また、圧
電基板の両主面（表裏面）にＳＡＷ装置又はＳＡＷフィ
ルタを設けても構わない。
【００３８】尚、本発明は上記実施形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で種々の
変更は何等差し支えない。
のではなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で種々の
変更は何等差し支えない。
【００３９】
【発明の効果】本発明は、ＩＤＴ電極の電極指の長さを
ｗ1 、電極指先端と相対するＩＤＴ電極のバスバーとの
間隔をｗ2 とした場合、０．０４≦ｗ2 ／ｗ1 ≦０．２
０であり、前記間隔部において前記バスバーより小電極
指を突設させたことにより、ＳＡＷ装置のΔｆを制御で
きるとともに、フォトリソグラフィー工程でＩＤＴ電極
を形成する際に電極指首部が細線化するのを防止でき、
また、ＳＡＷフィルタを構成した場合、通過帯域端部の
減衰特性が改善される。
ｗ1 、電極指先端と相対するＩＤＴ電極のバスバーとの
間隔をｗ2 とした場合、０．０４≦ｗ2 ／ｗ1 ≦０．２
０であり、前記間隔部において前記バスバーより小電極
指を突設させたことにより、ＳＡＷ装置のΔｆを制御で
きるとともに、フォトリソグラフィー工程でＩＤＴ電極
を形成する際に電極指首部が細線化するのを防止でき、
また、ＳＡＷフィルタを構成した場合、通過帯域端部の
減衰特性が改善される。
【図１】本発明のＳＡＷ装置Ｄ１の基本構成の平面図で
ある。
ある。
【図２】本発明のＳＡＷ装置Ｄ２の基本構成の平面図で
ある。
ある。
【図３】従来のＳＡＷ装置Ｄの基本構成の平面図であ
る。
る。
【図４】従来のＳＡＷ装置Ｄのインピーダンス特性のグ
ラフである。
ラフである。
【図５】本発明を適用できるラダー型ＳＡＷフィルタＦ
１の回路図である。
１の回路図である。
【図６】ラダー型ＳＡＷフィルタＦ１の通過帯域の周波
数特性のグラフと、直列ＳＡＷ共振子及び並列ＳＡＷ共
振子のインピーダンス特性のグラフである。
数特性のグラフと、直列ＳＡＷ共振子及び並列ＳＡＷ共
振子のインピーダンス特性のグラフである。
【図７】ラダー型ＳＡＷフィルタＦ１の通過帯域端部の
減衰特性改善について説明するためのグラフである。
減衰特性改善について説明するためのグラフである。
【図８】本発明のＳＡＷ装置の開口率とΔｆとの関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図９】本発明による平衡型ＳＡＷフィルタＦ２の回路
図である。
図である。
【図１０】平衡型ＳＡＷフィルタＦ２の通過帯域の周波
数特性のグラフと、直列腕に接続されたＳＡＷ共振子及
び並列腕に接続されたＳＡＷ共振子のインピーダンス特
性のグラフである。
数特性のグラフと、直列腕に接続されたＳＡＷ共振子及
び並列腕に接続されたＳＡＷ共振子のインピーダンス特
性のグラフである。
【図１１】従来のラダー型ＳＡＷフィルタＦ１の通過帯
域の周波数特性のグラフである。
域の周波数特性のグラフである。
【図１２】本発明によるラダー型ＳＡＷフィルタＦ１の
通過帯域の周波数特性のグラフである。
通過帯域の周波数特性のグラフである。
【図１３】従来の平衡型ＳＡＷフィルタＦ２の通過帯域
の周波数特性のグラフである。
の周波数特性のグラフである。
【図１４】本発明による平衡型ＳＡＷフィルタＦ２の通
過帯域の周波数特性のグラフである。
過帯域の周波数特性のグラフである。
１：圧電基板 ２ａ：直列ＳＡＷ共振子 ２ｂ：直列ＳＡＷ共振子 ２ｃ：直列ＳＡＷ共振子 ３ａ：並列ＳＡＷ共振子 ３ｂ：並列ＳＡＷ共振子 ３ｃ：並列ＳＡＷ共振子 ４：配線パターン ５：ワイヤー ７：直列ＳＡＷ共振子のインピーダンス特性 ７ａ：共振周波数 ７ｂ：反共振周波数 ７ｃ：反共振周波数 ８：並列ＳＡＷ共振子のインピーダンス特性 ８ａ：共振周波数 ８ｂ：反共振周波数 ８ｃ：共振周波数 ９：ＳＡＷ共振子のインピーダンス特性 ３０：ＩＤＴ電極 ３０ａ：電極指 ３０ｂ：小電極指 ３０ｃ：バスバー ３１：反射器
Claims (3)
- 【請求項１】圧電基板の主面に少なくとも一組の櫛歯状
電極を形成して成る弾性表面波装置であって、前記櫛歯
状電極の電極指の長さをｗ1 、前記電極指先端と相対す
るバスバーとの間隔をｗ2 とした場合、０．０４≦ｗ2
／ｗ1 ≦０．２０とし、かつ前記間隔部に前記電極指先
端と相対するバスバーより小電極指を突設させたことを
特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】前記小電極指は、前記バスバーから前記電
極指先端方向に向けて先細り状となっている請求項１記
載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】同一の圧電基板上において複数の弾性表面
波装置を接続して成る梯子型弾性表面波フィルタ又は平
衡型弾性表面波フィルタであって、前記弾性表面波装置
の少なくとも１個が請求項１又は２の弾性表面波装置で
あることを特徴とする弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35831997A JPH11191720A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 弾性表面波装置及び弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35831997A JPH11191720A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 弾性表面波装置及び弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11191720A true JPH11191720A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=18458690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35831997A Pending JPH11191720A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 弾性表面波装置及び弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11191720A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004328196A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス |
| US6903626B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-06-07 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave element and duplexer having the same |
| EP1548936A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter |
| US6946931B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-09-20 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter |
| US6989724B2 (en) | 2003-05-19 | 2006-01-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and communication device |
| JP2006186435A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| WO2006078001A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | National University Corporation Chiba University | 弾性表面波装置 |
| JP2007068107A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子及び通信装置 |
| JP2007081469A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子及び通信装置 |
| US7215224B2 (en) | 2001-04-09 | 2007-05-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter, surface acoustic wave device and communication device |
| JP4853520B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2012-01-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ装置及びデュプレクサ |
| JP2019021997A (ja) * | 2017-07-12 | 2019-02-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子、分波器および通信装置 |
| WO2025198519A3 (en) * | 2024-03-18 | 2025-11-13 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | High q electroacoustic resonator |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP35831997A patent/JPH11191720A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7215224B2 (en) | 2001-04-09 | 2007-05-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter, surface acoustic wave device and communication device |
| US6903626B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-06-07 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave element and duplexer having the same |
| US6946931B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-09-20 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter |
| JP2004328196A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス |
| US7170371B2 (en) * | 2003-04-23 | 2007-01-30 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device with a thicker partial bus bar area and optimal bus bar to electrode tip gap |
| US6989724B2 (en) | 2003-05-19 | 2006-01-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and communication device |
| EP1548936A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter |
| US7385468B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-06-10 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter |
| JP2006186435A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JPWO2006078001A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2008-06-19 | 国立大学法人 千葉大学 | 弾性表面波装置 |
| WO2006078001A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | National University Corporation Chiba University | 弾性表面波装置 |
| US8106726B2 (en) | 2005-01-21 | 2012-01-31 | National University Corporation Chiba University | Elastic surface wave device comprising dummy electrodes |
| JP2007068107A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子及び通信装置 |
| JP2007081469A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子及び通信装置 |
| JP4853520B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2012-01-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ装置及びデュプレクサ |
| JP2019021997A (ja) * | 2017-07-12 | 2019-02-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子、分波器および通信装置 |
| WO2025198519A3 (en) * | 2024-03-18 | 2025-11-13 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | High q electroacoustic resonator |
| US12609671B2 (en) | 2024-03-18 | 2026-04-21 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | High Q electroacoustic resonator |
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