JPH05335911A - ドライブ回路 - Google Patents
ドライブ回路Info
- Publication number
- JPH05335911A JPH05335911A JP4136557A JP13655792A JPH05335911A JP H05335911 A JPH05335911 A JP H05335911A JP 4136557 A JP4136557 A JP 4136557A JP 13655792 A JP13655792 A JP 13655792A JP H05335911 A JPH05335911 A JP H05335911A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos transistor
- current
- load
- gate
- voltage
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＭＯＳトランジスタに高速なスイッチングを行
わせることができるドライブ回路を提供する。 【構成】スイッチ６がオフで、ＭＯＳトランジスタ２の
ゲートが接地電位とされているとき、ＭＯＳトランジス
タ２はオフ状態とされており、負荷１には電流が供給さ
れない。このとき、増幅器７の出力はハイレベルとな
り、充電用容量４は、このレベルの電位まで充電され、
また、ゲート容量３の電圧は０Ｖになる。スイッチ６が
オンとされ、ＭＯＳトランジスタ２のゲートが増幅器７
の出力に接続されると、充電用容量４は、充電されてい
る電位によりゲート容量３を急速に充電し、ＭＯＳトラ
ンジスタ２をオンとして、負荷１に電流を流し始める。
負荷１に流れる電流値は、抵抗５により電圧として検出
され、増幅器７は、抵抗５の電圧が予め設定した電圧Ｖ
refになるように前記ＭＯＳトランジスタ２をドライブ
する。
わせることができるドライブ回路を提供する。 【構成】スイッチ６がオフで、ＭＯＳトランジスタ２の
ゲートが接地電位とされているとき、ＭＯＳトランジス
タ２はオフ状態とされており、負荷１には電流が供給さ
れない。このとき、増幅器７の出力はハイレベルとな
り、充電用容量４は、このレベルの電位まで充電され、
また、ゲート容量３の電圧は０Ｖになる。スイッチ６が
オンとされ、ＭＯＳトランジスタ２のゲートが増幅器７
の出力に接続されると、充電用容量４は、充電されてい
る電位によりゲート容量３を急速に充電し、ＭＯＳトラ
ンジスタ２をオンとして、負荷１に電流を流し始める。
負荷１に流れる電流値は、抵抗５により電圧として検出
され、増幅器７は、抵抗５の電圧が予め設定した電圧Ｖ
refになるように前記ＭＯＳトランジスタ２をドライブ
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＯＳトランジスタに
対するドライブ回路に係り、特に、ＭＯＳトランジスタ
の負荷の電流値を０または制御値に高速に切り換えるこ
とのできるドライブ回路に関する。
対するドライブ回路に係り、特に、ＭＯＳトランジスタ
の負荷の電流値を０または制御値に高速に切り換えるこ
とのできるドライブ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ドライブ回路に関する従来技術として、
例えば、特願昭５７−１２７５３５号等により提案され
た技術が知られている。
例えば、特願昭５７−１２７５３５号等により提案され
た技術が知られている。
【０００３】この従来技術は、負荷を駆動するＭＯＳト
ランジスタと、前記負荷の電流を検出しこれを制御する
電流制御回路と、前記負荷の電流を断続するために前記
電流制御回路と前記ＭＯＳトランジスタのゲートとの間
にあるスイッチ回路とにより構成され、前記スイッチ回
路がオンとされたとき、電流制御回路の出力端浮遊容量
がスイッチ回路を介してＭＯＳトランジスタのゲート容
量を充電して前記ＭＯＳトランジスタを駆動するという
ものである。
ランジスタと、前記負荷の電流を検出しこれを制御する
電流制御回路と、前記負荷の電流を断続するために前記
電流制御回路と前記ＭＯＳトランジスタのゲートとの間
にあるスイッチ回路とにより構成され、前記スイッチ回
路がオンとされたとき、電流制御回路の出力端浮遊容量
がスイッチ回路を介してＭＯＳトランジスタのゲート容
量を充電して前記ＭＯＳトランジスタを駆動するという
ものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術は、ＭＯ
Ｓトランジスタのゲート容量に比較して電流制御回路の
出力端浮遊容量が小さいため、ＭＯＳトランジスタのゲ
ート容量の大部分が電流制御回路の出力電流により充電
され、結果的に、ＭＯＳトランジスタが引き込む電流の
立ち上がり時間が長くなる、すなわち、スイッチング時
間が長くなるという問題点を有している。
Ｓトランジスタのゲート容量に比較して電流制御回路の
出力端浮遊容量が小さいため、ＭＯＳトランジスタのゲ
ート容量の大部分が電流制御回路の出力電流により充電
され、結果的に、ＭＯＳトランジスタが引き込む電流の
立ち上がり時間が長くなる、すなわち、スイッチング時
間が長くなるという問題点を有している。
【０００５】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決し、ＭＯＳトランジスタが引き込む電流の立ち上が
り時間を小さくして、ＭＯＳトランジスタに高速なスイ
ッチングを行わせることができるドライブ回路を提供す
ることにある。
解決し、ＭＯＳトランジスタが引き込む電流の立ち上が
り時間を小さくして、ＭＯＳトランジスタに高速なスイ
ッチングを行わせることができるドライブ回路を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、電流制御回路の出力端に容量を設け、スイッチ回路
がオンとなったとき、ＭＯＳトランジスタのゲート容量
を、前記電流制御回路の出力端に設けた容量から充電す
るようにすることにより達成される。
は、電流制御回路の出力端に容量を設け、スイッチ回路
がオンとなったとき、ＭＯＳトランジスタのゲート容量
を、前記電流制御回路の出力端に設けた容量から充電す
るようにすることにより達成される。
【０００７】
【作用】前述の構成によれば、スイッチ回路がオフとな
っているとき、ハイレベルとなっている電流制御回路の
出力により、電流制御回路の出力端に設けられ充電用容
量が充電される。また、スイッチ回路がオンとされる
と、前述の充電用容量は、スイッチ回路を介してＭＯＳ
トランジスタのゲート容量を充電する。
っているとき、ハイレベルとなっている電流制御回路の
出力により、電流制御回路の出力端に設けられ充電用容
量が充電される。また、スイッチ回路がオンとされる
と、前述の充電用容量は、スイッチ回路を介してＭＯＳ
トランジスタのゲート容量を充電する。
【０００８】これによりＭＯＳトランジスタのゲート容
量の充電が充分急速に行われ、ＭＯＳトランジスタは、
高速にスイッチングを行うことができる。
量の充電が充分急速に行われ、ＭＯＳトランジスタは、
高速にスイッチングを行うことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明によるドライブ回路の一実施例
を図面により詳細に説明する。
を図面により詳細に説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例の構成を示すブロ
ック図、図２は本発明の一実施例をＭＯＳトランジスタ
による集積回路で構成した回路を示す図である。図１，
図２において、１は負荷、２は負荷駆動用ＭＯＳトラン
ジスタ、３はＭＯＳトランジスタ２のゲート容量、４は
充電用容量、５は電流検出用抵抗、６はスイッチ回路、
７は増幅器、８〜１３はＭＯＳトランジスタである。
ック図、図２は本発明の一実施例をＭＯＳトランジスタ
による集積回路で構成した回路を示す図である。図１，
図２において、１は負荷、２は負荷駆動用ＭＯＳトラン
ジスタ、３はＭＯＳトランジスタ２のゲート容量、４は
充電用容量、５は電流検出用抵抗、６はスイッチ回路、
７は増幅器、８〜１３はＭＯＳトランジスタである。
【００１１】本発明の一実施例は、図１に示すように、
ゲート容量３を有する負荷駆動用ＭＯＳトランジスタ２
と、スイッチ回路６と、電流検出用抵抗６、増幅器７及
び基準電圧源Ｖrefによる電流制御回路と、増幅器７の
出力端に接続された充電用容量４とにより構成されてい
る。
ゲート容量３を有する負荷駆動用ＭＯＳトランジスタ２
と、スイッチ回路６と、電流検出用抵抗６、増幅器７及
び基準電圧源Ｖrefによる電流制御回路と、増幅器７の
出力端に接続された充電用容量４とにより構成されてい
る。
【００１２】このように構成される本発明の一実施例に
おいて、スイッチ６がオフ、すなわち、ＭＯＳトランジ
スタ２のゲートが接地電位とされているとき、ＭＯＳト
ランジスタ２はオフ状態とされており、負荷１には電流
が供給されない。このとき、増幅器７の出力はハイレベ
ルとなり、充電用容量４は、このレベルの電位まで充電
され、また、ゲート容量３の電圧は０Ｖになる。
おいて、スイッチ６がオフ、すなわち、ＭＯＳトランジ
スタ２のゲートが接地電位とされているとき、ＭＯＳト
ランジスタ２はオフ状態とされており、負荷１には電流
が供給されない。このとき、増幅器７の出力はハイレベ
ルとなり、充電用容量４は、このレベルの電位まで充電
され、また、ゲート容量３の電圧は０Ｖになる。
【００１３】スイッチ６がオンとされると、すなわち、
ＭＯＳトランジスタ２のゲートが増幅器７の出力に接続
されると、充電用容量４は、充電されている電位により
ゲート容量３を急速に充電し、ＭＯＳトランジスタ２を
オンとして、負荷１に電流を流しはじめる。
ＭＯＳトランジスタ２のゲートが増幅器７の出力に接続
されると、充電用容量４は、充電されている電位により
ゲート容量３を急速に充電し、ＭＯＳトランジスタ２を
オンとして、負荷１に電流を流しはじめる。
【００１４】この負荷１に流れる電流値は、抵抗５によ
り電圧として検出され、増幅器７は、抵抗５の電圧が予
め設定した電圧Ｖrefになるように前記ＭＯＳトランジ
スタ２をドライブする。
り電圧として検出され、増幅器７は、抵抗５の電圧が予
め設定した電圧Ｖrefになるように前記ＭＯＳトランジ
スタ２をドライブする。
【００１５】充電用容量４の値は、ＭＯＳトランジスタ
２のゲート電位を負荷１に流れる電流が制御値になるま
で充電するので、Ｖｏを増幅器７の最大出力電圧、ＶGS
をＭＯＳトランジスタ２のオン時におけるゲート・ソー
ス間電圧、Ｃｃを充電用容量４の容量値、ＣGをＭＯＳ
トランジスタ２のゲート容量３の容量値であるとする
と、次に示す式（１）が成立し、 ＣｃＶｏ＝Ｃｃ（Ｖref＋ＶGS）＋ＣG・ＶGS （１） この（１）式より、充電用容量４の容量値Ｃｃは、 Ｃｃ＝｛ＶGS／（Ｖｏ−Ｖref−ＶGS）｝・ＣG （２） として求めることができる。
２のゲート電位を負荷１に流れる電流が制御値になるま
で充電するので、Ｖｏを増幅器７の最大出力電圧、ＶGS
をＭＯＳトランジスタ２のオン時におけるゲート・ソー
ス間電圧、Ｃｃを充電用容量４の容量値、ＣGをＭＯＳ
トランジスタ２のゲート容量３の容量値であるとする
と、次に示す式（１）が成立し、 ＣｃＶｏ＝Ｃｃ（Ｖref＋ＶGS）＋ＣG・ＶGS （１） この（１）式より、充電用容量４の容量値Ｃｃは、 Ｃｃ＝｛ＶGS／（Ｖｏ−Ｖref−ＶGS）｝・ＣG （２） として求めることができる。
【００１６】前述した本発明の一実施例をＭＯＳトラン
ジスタによる集積回路で構成した場合、図２に示すよう
に、スイッチ６は、ＭＯＳトランジスタ８，９により構
成することができ、制御電圧Ｖｉにより制御される。ま
た、増幅器７は、ＭＯＳトランジスタ１０〜１３により
構成することができる。
ジスタによる集積回路で構成した場合、図２に示すよう
に、スイッチ６は、ＭＯＳトランジスタ８，９により構
成することができ、制御電圧Ｖｉにより制御される。ま
た、増幅器７は、ＭＯＳトランジスタ１０〜１３により
構成することができる。
【００１７】前述した本発明の一実施例によれば、負荷
を駆動するＭＯＳトランジスタと、前記負荷の電流を検
出しこれを制御する電流制御回路と、前記負荷の電流を
断続するために前記電流制御回路と前記ＭＯＳトランジ
スタのゲートとの間にスイッチ回路があるドライブ回路
において、前記ＭＯＳトランジスタのゲート容量を充電
するための容量を前記電流制御回路の出力に設けている
ので、従来技術の場合と同様の構成要素を用いながら高
速なスイッチング制御を行うことのできるドライブ回路
を実現することができる。
を駆動するＭＯＳトランジスタと、前記負荷の電流を検
出しこれを制御する電流制御回路と、前記負荷の電流を
断続するために前記電流制御回路と前記ＭＯＳトランジ
スタのゲートとの間にスイッチ回路があるドライブ回路
において、前記ＭＯＳトランジスタのゲート容量を充電
するための容量を前記電流制御回路の出力に設けている
ので、従来技術の場合と同様の構成要素を用いながら高
速なスイッチング制御を行うことのできるドライブ回路
を実現することができる。
【００１８】前述した本発明の実施例は、特に、集積回
路により本発明を実施した場合、ＭＯＳトランジスタの
ゲート容量と充電用容量とが温度変化に対して同じ特性
を示すので、適用温度範囲を広げることができ、また、
製造上のばらつきを受けにくくすることができる。
路により本発明を実施した場合、ＭＯＳトランジスタの
ゲート容量と充電用容量とが温度変化に対して同じ特性
を示すので、適用温度範囲を広げることができ、また、
製造上のばらつきを受けにくくすることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｍ
ＯＳトランジスタが引き込む電流の立ち上がり時間を小
さくして、ＭＯＳトランジスタに高速なスイッチングを
行わせることができる。
ＯＳトランジスタが引き込む電流の立ち上がり時間を小
さくして、ＭＯＳトランジスタに高速なスイッチングを
行わせることができる。
【図１】本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例をＭＯＳトランジスタによる
集積回路で構成した回路を示す図である。
集積回路で構成した回路を示す図である。
１…負荷、２…負荷駆動用ＭＯＳトランジスタ、３…Ｍ
ＯＳトランジスタ２のゲート容量、４…充電用容量、５
…電流検出用抵抗、６…スイッチ回路、７…増幅器、８
〜１３…ＭＯＳトランジスタ。
ＯＳトランジスタ２のゲート容量、４…充電用容量、５
…電流検出用抵抗、６…スイッチ回路、７…増幅器、８
〜１３…ＭＯＳトランジスタ。
Claims (1)
- 【請求項１】負荷を駆動するＭＯＳトランジスタと、前
記負荷の電流を検出しこれを制御する電流制御回路と、
前記負荷の電流を断続するために前記電流制御回路と前
記ＭＯＳトランジスタのゲートとの間に設けられたスイ
ッチ回路とを備えたドライブ回路において、前記ＭＯＳ
トランジスタのゲート容量を充電するための容量を前記
電流制御回路の出力に備えることを特徴とするドライブ
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4136557A JPH05335911A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | ドライブ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4136557A JPH05335911A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | ドライブ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335911A true JPH05335911A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15178017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4136557A Pending JPH05335911A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | ドライブ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335911A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524982A (ja) * | 2000-02-23 | 2003-08-19 | ポトチェフストローム ユニヴァーシティ フォー クリスティアン ハイアー エデュケーション | Ｍｏｓｆｅｔ用の駆動回路および方法 |
| US7825604B2 (en) | 2005-06-03 | 2010-11-02 | Rohm Co., Ltd. | Drive circuit supplying current to load based on control signal, and portable information terminal including the same |
| DE102017223805B4 (de) | 2017-07-18 | 2020-07-02 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Zwei Steigungsverbesserungsschaltungen für geschaltete, geregelte Stromspiegel und entsprechendes Verfahren |
| WO2020261353A1 (ja) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 三菱電機株式会社 | スイッチングデバイスの駆動装置 |
| IT202000013561A1 (it) * | 2020-06-08 | 2021-12-08 | St Microelectronics Srl | Sistema di pilotaggio di matrice di led |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP4136557A patent/JPH05335911A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524982A (ja) * | 2000-02-23 | 2003-08-19 | ポトチェフストローム ユニヴァーシティ フォー クリスティアン ハイアー エデュケーション | Ｍｏｓｆｅｔ用の駆動回路および方法 |
| US7825604B2 (en) | 2005-06-03 | 2010-11-02 | Rohm Co., Ltd. | Drive circuit supplying current to load based on control signal, and portable information terminal including the same |
| US8253343B2 (en) | 2005-06-03 | 2012-08-28 | Rohm Co., Ltd. | Drive circuit to adjust a luminance of a light emitting element based on a PWM signal, and a portable information terminal including the drive circuit |
| DE102017223805B4 (de) | 2017-07-18 | 2020-07-02 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Zwei Steigungsverbesserungsschaltungen für geschaltete, geregelte Stromspiegel und entsprechendes Verfahren |
| WO2020261353A1 (ja) * | 2019-06-25 | 2020-12-30 | 三菱電機株式会社 | スイッチングデバイスの駆動装置 |
| JPWO2020261353A1 (ja) * | 2019-06-25 | 2021-11-11 | 三菱電機株式会社 | スイッチングデバイスの駆動装置 |
| IT202000013561A1 (it) * | 2020-06-08 | 2021-12-08 | St Microelectronics Srl | Sistema di pilotaggio di matrice di led |
| EP3923683A1 (en) * | 2020-06-08 | 2021-12-15 | STMicroelectronics S.r.l. | Led array driver system |
| CN113840422A (zh) * | 2020-06-08 | 2021-12-24 | 意法半导体股份有限公司 | Led阵列驱动器系统 |
| US11546980B2 (en) | 2020-06-08 | 2023-01-03 | Stmicroelectronics S.R.L. | LED array driver system |
| US12075536B2 (en) | 2020-06-08 | 2024-08-27 | Stmicroelectronics S.R.L. | LED array driver system |
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