JPH053376A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH053376A JPH053376A JP24364591A JP24364591A JPH053376A JP H053376 A JPH053376 A JP H053376A JP 24364591 A JP24364591 A JP 24364591A JP 24364591 A JP24364591 A JP 24364591A JP H053376 A JPH053376 A JP H053376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- group
- type
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 abstract 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RVIXKDRPFPUUOO-UHFFFAOYSA-N dimethylselenide Chemical compound C[Se]C RVIXKDRPFPUUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 (109)II−VI族化合物半導体層を形成する工
程において、まず、 (112)誘電体マスクを形成し、次
に、 (109)II−VI族化合物半導体層を、II族有機化合物
とVI族有機化合物とを原料とした有機金属化学気相成長
法で形成する。 【効果】 表面が平坦な (109)II−VI族化合物半導体層
を選択的に形成することができるので、後の工程で埋め
込み層の表面に形成する (110)電極等の信頼性を悪化さ
せることがない。また、II−VI族化合物半導体層を選択
的に形成することができることより、余分な場所に形成
されたII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要と
なるので、製造工程を短縮することができる。さらに、
毒性の高いガスを使用しないので、高価な安全設備が不
要となる。
程において、まず、 (112)誘電体マスクを形成し、次
に、 (109)II−VI族化合物半導体層を、II族有機化合物
とVI族有機化合物とを原料とした有機金属化学気相成長
法で形成する。 【効果】 表面が平坦な (109)II−VI族化合物半導体層
を選択的に形成することができるので、後の工程で埋め
込み層の表面に形成する (110)電極等の信頼性を悪化さ
せることがない。また、II−VI族化合物半導体層を選択
的に形成することができることより、余分な場所に形成
されたII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要と
なるので、製造工程を短縮することができる。さらに、
毒性の高いガスを使用しないので、高価な安全設備が不
要となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の垂直方向にレー
ザ光を発振する面発光型の半導体レーザの製造方法に関
する。
ザ光を発振する面発光型の半導体レーザの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】基板の垂直方向に共振器を持つ面発光型
の半導体レーザ（以下、「面発光レーザ」と記す）とし
ては、例えば、第５０回応用物理学会学術講演会の講演
予稿集第３分冊ｐ．９０９ ２９ａ−ＺＧ−７（1989年
９月２７日発行）に開示されたものが知られている。
の半導体レーザ（以下、「面発光レーザ」と記す）とし
ては、例えば、第５０回応用物理学会学術講演会の講演
予稿集第３分冊ｐ．９０９ ２９ａ−ＺＧ−７（1989年
９月２７日発行）に開示されたものが知られている。
【０００３】この面発光レーザは、図９に示すように、
先ず、 (602)ｎ型ＧａＡｓ基板に (603)ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ／ＡｌＡｓ多層膜、 (604)ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層、(605)ｐ型ＧａＡｓ活性層および (606)ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層を順次成長させ、その後、 (605)ｐ型
ＧａＡｓ活性層および (606)ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層を円柱状の領域を残してエッチングし、さらに、 (60
7)ｐ型、 (608)ｎ型、(609)ｐ型、 (610)ｐ型の順にＡ
ｌＧａＡｓを液相成長により形成して円柱状領域の周囲
を埋込み、しかる後に、 (610)ｐ型ＡｌＧａＡｓキャッ
プ層の上部に (611)誘電体多層膜ミラーを蒸着し、 (61
2)ｐ型オーミック電極、 (601)ｎ型オーミック電極を形
成することにより構成される。
先ず、 (602)ｎ型ＧａＡｓ基板に (603)ｎ型ＡｌＧａＡ
ｓ／ＡｌＡｓ多層膜、 (604)ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層、(605)ｐ型ＧａＡｓ活性層および (606)ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層を順次成長させ、その後、 (605)ｐ型
ＧａＡｓ活性層および (606)ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層を円柱状の領域を残してエッチングし、さらに、 (60
7)ｐ型、 (608)ｎ型、(609)ｐ型、 (610)ｐ型の順にＡ
ｌＧａＡｓを液相成長により形成して円柱状領域の周囲
を埋込み、しかる後に、 (610)ｐ型ＡｌＧａＡｓキャッ
プ層の上部に (611)誘電体多層膜ミラーを蒸着し、 (61
2)ｐ型オーミック電極、 (601)ｎ型オーミック電極を形
成することにより構成される。
【０００４】このように、埋込み層を (607)ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ層および (608)ｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｐ−
ｎ接合層で構成したのは、 (605)ｐ型ＧａＡｓ活性層以
外の部分に電流が流れるのを防止するためである。
ａＡｓ層および (608)ｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｐ−
ｎ接合層で構成したのは、 (605)ｐ型ＧａＡｓ活性層以
外の部分に電流が流れるのを防止するためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる面発光
レーザは、埋込み層の抵抗を大きくすることができない
ので十分な電流狭窄が得られないこと、円柱状領域との
界面位置の整合が必要となること等の課題を有してい
る。
レーザは、埋込み層の抵抗を大きくすることができない
ので十分な電流狭窄が得られないこと、円柱状領域との
界面位置の整合が必要となること等の課題を有してい
る。
【０００６】さらに、従来の技術では、埋め込み層を液
相成長により形成しているので、液圧により柱状導体層
が倒れ、その歩留りが極めて悪化することが考えられ
る。
相成長により形成しているので、液圧により柱状導体層
が倒れ、その歩留りが極めて悪化することが考えられ
る。
【０００７】かかる課題を解決するために、本願発明者
等は、かかる埋込み層を一層のII−VI族化合物半導体層
のみによって形成した面発光レーザを、既に提案してい
る（特願平２−２４２０００号）。
等は、かかる埋込み層を一層のII−VI族化合物半導体層
のみによって形成した面発光レーザを、既に提案してい
る（特願平２−２４２０００号）。
【０００８】そして，本発明者は、半導体基板状にII−
VI族化合物半導体層を形成する方法として、液相成長以
外の方法、例えばＭＢＥ法（分子線エピタキシャル法）
やＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）を試みた。
VI族化合物半導体層を形成する方法として、液相成長以
外の方法、例えばＭＢＥ法（分子線エピタキシャル法）
やＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）を試みた。
【０００９】しかしながら、II族原料とVI族原料とを使
用した一般の手法でＭＯＣＶＤ法を実施すると、特願平
２−２４２０００号に開示された面発光レーザの埋込み
層（II−VI族化合物半導体のみによる埋込み層）を形成
した場合、面発光レーザ素子の特性が悪く、寿命が短
く、さらには製造時の歩留まりが悪くなってしまう、新
たな課題が発生した。
用した一般の手法でＭＯＣＶＤ法を実施すると、特願平
２−２４２０００号に開示された面発光レーザの埋込み
層（II−VI族化合物半導体のみによる埋込み層）を形成
した場合、面発光レーザ素子の特性が悪く、寿命が短
く、さらには製造時の歩留まりが悪くなってしまう、新
たな課題が発生した。
【００１０】かかる課題について本願発明者が詳細に検
討したところ、このような課題は、以下の理由によって
発生するものであることを知見した。
討したところ、このような課題は、以下の理由によって
発生するものであることを知見した。
【００１１】ＭＯＣＶＤ法によってII−VI族化合物半導
体層の形成を行う際に、上述したように、II族原料とし
ては有機金属を使用し、VI族原料としては水素化物ガス
を使用した場合、このII−VI族化合物半導体層を選択的
に形成することができず、共振器上にも形成されてしま
う。このため、例えば、予め共振器上にＳｉＯ2 層を形
成しておいてこの上に多結晶のII−VI族化合物半導体層
が形成されるようにし、その後、この多結晶のII−VI族
化合物半導体層を反応性イオンビームエッチング法（以
下、「ＲＩＢＥ法」と記す）を用いてエッチングするこ
と等より、共振器上のII−VI族化合物半導体層を除去す
る必要があった。
体層の形成を行う際に、上述したように、II族原料とし
ては有機金属を使用し、VI族原料としては水素化物ガス
を使用した場合、このII−VI族化合物半導体層を選択的
に形成することができず、共振器上にも形成されてしま
う。このため、例えば、予め共振器上にＳｉＯ2 層を形
成しておいてこの上に多結晶のII−VI族化合物半導体層
が形成されるようにし、その後、この多結晶のII−VI族
化合物半導体層を反応性イオンビームエッチング法（以
下、「ＲＩＢＥ法」と記す）を用いてエッチングするこ
と等より、共振器上のII−VI族化合物半導体層を除去す
る必要があった。
【００１２】しかし、II−VI族化合物半導体はエッチン
グが困難であるため、エッチング後のII−VI族化合物半
導体層（すなわち埋め込み層）の表面に凹凸が形成され
てしまい、このため、後の工程で埋め込み層の表面に形
成する電極等の信頼性を悪化させてしまう。これによ
り、製造された面発光レーザ素子の特性が悪くなり、ま
た、製造時の歩留まりが悪化してしまっていたのであ
る。
グが困難であるため、エッチング後のII−VI族化合物半
導体層（すなわち埋め込み層）の表面に凹凸が形成され
てしまい、このため、後の工程で埋め込み層の表面に形
成する電極等の信頼性を悪化させてしまう。これによ
り、製造された面発光レーザ素子の特性が悪くなり、ま
た、製造時の歩留まりが悪化してしまっていたのであ
る。
【００１３】また、上述したように、共振器上のＳｉＯ
2 層表面に形成された多結晶のII−VI族化合物半導体層
をエッチングで除去する工程が必要とされることより、
その分だけ製造工程が長くなってしまい、製造コストを
増大させてしまうという課題もあった。
2 層表面に形成された多結晶のII−VI族化合物半導体層
をエッチングで除去する工程が必要とされることより、
その分だけ製造工程が長くなってしまい、製造コストを
増大させてしまうという課題もあった。
【００１４】さらに、水素化物ガスは毒性が高いので、
これをVI族原料として使用する場合には、製造工程での
作業等の安全性を確保するために、高価な安全設備を必
要とし、このことも、製造コストを増大させる一因とな
っていた。
これをVI族原料として使用する場合には、製造工程での
作業等の安全性を確保するために、高価な安全設備を必
要とし、このことも、製造コストを増大させる一因とな
っていた。
【００１５】本発明はこのような課題を解決するもの
で、その目的とするところは、高性能で信頼性の高い半
導体レーザを安価に製造することができる、半導体レー
ザの製造方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、高性能で信頼性の高い半
導体レーザを安価に製造することができる、半導体レー
ザの製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザの
製造方法は、半導体基板に垂直な方向に光を出射するよ
うに当該半導体基板に垂直な方向に形成されたの共振器
を有し、該共振器を形成する半導体層の少なくとも一層
が柱状に形成された面発光型の半導体レーザの製造方法
において、前記柱状の半導体層の周囲を前記II−VI族化
合物半導体層で埋め込むための工程として、前記柱状の
半導体層の上部に誘電体等の多結晶状のマスクを形成す
る工程と、前記II−VI族化合物半導体層を、II族有機化
合物とVI族有機化合物とを原料として、有機金属化学気
相成長法により形成する工程と、を含むことを特徴とす
る。
製造方法は、半導体基板に垂直な方向に光を出射するよ
うに当該半導体基板に垂直な方向に形成されたの共振器
を有し、該共振器を形成する半導体層の少なくとも一層
が柱状に形成された面発光型の半導体レーザの製造方法
において、前記柱状の半導体層の周囲を前記II−VI族化
合物半導体層で埋め込むための工程として、前記柱状の
半導体層の上部に誘電体等の多結晶状のマスクを形成す
る工程と、前記II−VI族化合物半導体層を、II族有機化
合物とVI族有機化合物とを原料として、有機金属化学気
相成長法により形成する工程と、を含むことを特徴とす
る。
【００１７】
【作用】柱状の半導体層の周囲を前記II−VI族化合物半
導体層で埋め込む工程において、予めこの柱状の半導体
層の上部に誘電体等の多結晶状のマスクを形成するした
後に、II−VI族化合物半導体層を、II族有機化合物とVI
族有機化合物とを原料とした有機金属化学気相成長法で
形成することにより、柱状の半導体層の周囲のみに、凹
凸のないII−VI族化合物半導体層を選択的に形成できる
ことが確認された。
導体層で埋め込む工程において、予めこの柱状の半導体
層の上部に誘電体等の多結晶状のマスクを形成するした
後に、II−VI族化合物半導体層を、II族有機化合物とVI
族有機化合物とを原料とした有機金属化学気相成長法で
形成することにより、柱状の半導体層の周囲のみに、凹
凸のないII−VI族化合物半導体層を選択的に形成できる
ことが確認された。
【００１８】この理由は下記のように考えられる。すな
わち、多結晶状（単結晶以外のもの、すなわち、多結晶
及び非晶質を含む）のマスク以外の埋込み領域では結晶
方向が揃っていることから、II-VI 族化合物半導体層は
エピタキシャル成長する。一方、多結晶状のマスク上で
はエピタキシャル成長はなく、あるとすれば多結晶状の
II-VI 族化合物が吸着するだけである。ただし、上述し
た化合物を原料とする有機金属化学気相成長法では、そ
の成長温度の最適温度が比較的高く（例えば４００°Ｃ
以上）、マスク上に吸着した原料は、その蒸気圧の高さ
から、すぐに脱離してしまう。このため、マスク上には
II-VI 族化合物半導体層が形成されないものと考えられ
る。
わち、多結晶状（単結晶以外のもの、すなわち、多結晶
及び非晶質を含む）のマスク以外の埋込み領域では結晶
方向が揃っていることから、II-VI 族化合物半導体層は
エピタキシャル成長する。一方、多結晶状のマスク上で
はエピタキシャル成長はなく、あるとすれば多結晶状の
II-VI 族化合物が吸着するだけである。ただし、上述し
た化合物を原料とする有機金属化学気相成長法では、そ
の成長温度の最適温度が比較的高く（例えば４００°Ｃ
以上）、マスク上に吸着した原料は、その蒸気圧の高さ
から、すぐに脱離してしまう。このため、マスク上には
II-VI 族化合物半導体層が形成されないものと考えられ
る。
【００１９】従って、マスクの材質としては、多結晶状
の構造となる誘電体、例えばＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 など
の他、誘電体以外の多結晶または非晶質材、例えばポリ
シリコンまたはアモルファスシリコンなどでも良い。
の構造となる誘電体、例えばＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 など
の他、誘電体以外の多結晶または非晶質材、例えばポリ
シリコンまたはアモルファスシリコンなどでも良い。
【００２０】したがって、後の工程でII−VI族化合物半
導体層の表面に形成する電極等の信頼性を悪化させるこ
とがないので、製造された面発光レーザ素子の特性を向
上させ、さらに、製造時の歩留まりを高めることができ
る。
導体層の表面に形成する電極等の信頼性を悪化させるこ
とがないので、製造された面発光レーザ素子の特性を向
上させ、さらに、製造時の歩留まりを高めることができ
る。
【００２１】また、II−VI族化合物半導体層を選択的に
形成することができることより、余分な場所に形成され
たII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要となる
ので、製造工程を短縮することができ、したがって、製
造コストを低下させることができる。
形成することができることより、余分な場所に形成され
たII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要となる
ので、製造工程を短縮することができ、したがって、製
造コストを低下させることができる。
【００２２】さらに、水素化物ガスを使用しないので、
製造工程での作業等の安全性を確保するための高価な安
全設備が不要となり、この点でも、製造コストを低下さ
せることができる。
製造工程での作業等の安全性を確保するための高価な安
全設備が不要となり、この点でも、製造コストを低下さ
せることができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を用い
て説明する。
て説明する。
【００２４】（実施例１）図１は本発明の第１の実施例
における半導体レーザ (100)の発光部の断面を示す斜視
図であり、また、図２（ａ）〜（ｅ）は当該実施例にお
ける半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
における半導体レーザ (100)の発光部の断面を示す斜視
図であり、また、図２（ａ）〜（ｅ）は当該実施例にお
ける半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
【００２５】以下、本実施例に係わる半導体レーザ (10
0)の構成および製造工程について、図２（ａ）〜（ｅ）
にしたがって説明する。
0)の構成および製造工程について、図２（ａ）〜（ｅ）
にしたがって説明する。
【００２６】まず、 (102)ｎ型ＧａＡｓ基板上に、
(103)ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、さらに、ｎ型
Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ層とｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ層
からなり波長８７０ｎｍ付近の光に対し９８％以上の反
射率を持つ３０ペアの(104)分布反射型多層膜ミラーを
形成する。続いて、 (105)ｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓク
ラッド層、 (106)ｐ型ＧａＡｓ活性層、 (107)ｐ型Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層、 (108)ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ
0.9 Ａｓコンタクト層を、順次、ＭＯＣＶＤ法でエピタ
キシャル成長させる（図２（ａ））。このとき、本実施
例では、成長温度を７００℃とし、成長圧力を１５０Ｔ
ｏｒｒとし、III 族原料としてはＴＭＧａ（トリメチル
ガリウム）およびＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）
の有機金属を、Ｖ族原料としてはＡｓＨ3 を、ｎ型ドー
パントとしてはＨ2 Ｓｅを、ｐ型ドーパントとしてはＤ
ＥＺｎ（ジエチルジンク）を、それぞれ用いる。
(103)ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、さらに、ｎ型
Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ層とｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ層
からなり波長８７０ｎｍ付近の光に対し９８％以上の反
射率を持つ３０ペアの(104)分布反射型多層膜ミラーを
形成する。続いて、 (105)ｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓク
ラッド層、 (106)ｐ型ＧａＡｓ活性層、 (107)ｐ型Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層、 (108)ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ
0.9 Ａｓコンタクト層を、順次、ＭＯＣＶＤ法でエピタ
キシャル成長させる（図２（ａ））。このとき、本実施
例では、成長温度を７００℃とし、成長圧力を１５０Ｔ
ｏｒｒとし、III 族原料としてはＴＭＧａ（トリメチル
ガリウム）およびＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）
の有機金属を、Ｖ族原料としてはＡｓＨ3 を、ｎ型ドー
パントとしてはＨ2 Ｓｅを、ｐ型ドーパントとしてはＤ
ＥＺｎ（ジエチルジンク）を、それぞれ用いる。
【００２７】その後、熱ＣＶＤ法によって、表面に
(112)ＳｉＯ2 層を形成し、さらに、ＲＩＢＥ法によ
り、 (113)ハードベイクレジストで覆われた円柱状の発
光部を残して、 (107)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッ
ド層の途中まで、エッチングを行う（図２（ｂ））。こ
の際、本実施例では、エッチングガスとしては塩素とア
ルゴンの混合ガスを用いることとし、ガス圧を１×１０
-3Ｔｏｒｒとし、引出し電圧を４００Ｖとする。ここ
で、 (107)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層の途中
までしかエッチングしないのは、活性層の水平方向の注
入キャリアと光を閉じ込めるための構造を、リブ導波路
型の屈折率導波構造とするためである。
(112)ＳｉＯ2 層を形成し、さらに、ＲＩＢＥ法によ
り、 (113)ハードベイクレジストで覆われた円柱状の発
光部を残して、 (107)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッ
ド層の途中まで、エッチングを行う（図２（ｂ））。こ
の際、本実施例では、エッチングガスとしては塩素とア
ルゴンの混合ガスを用いることとし、ガス圧を１×１０
-3Ｔｏｒｒとし、引出し電圧を４００Ｖとする。ここ
で、 (107)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層の途中
までしかエッチングしないのは、活性層の水平方向の注
入キャリアと光を閉じ込めるための構造を、リブ導波路
型の屈折率導波構造とするためである。
【００２８】次に、この (107)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6
Ａｓクラッド層上に、埋込み層を形成する。このため
に、本実施例では、まず、 (113)レジストを取り除き、
次に、(112)ＳｉＯ2 層をマスクとして使用して、ＭＯ
ＣＶＤ法により、 (109)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層をエピタ
キシャル成長させる。このときの成長条件は、成長温度
を５５０℃、成長圧力を４０Ｔｏｒｒとし、II族原料と
してはＤＭＺｎ（ジメチルジンク）を使用し、また、VI
族原料としてはＤＭＳｅ（ジメチルセレン）およびＤＥ
Ｓ（ジエチルサルファ）を使用することとした。
Ａｓクラッド層上に、埋込み層を形成する。このため
に、本実施例では、まず、 (113)レジストを取り除き、
次に、(112)ＳｉＯ2 層をマスクとして使用して、ＭＯ
ＣＶＤ法により、 (109)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層をエピタ
キシャル成長させる。このときの成長条件は、成長温度
を５５０℃、成長圧力を４０Ｔｏｒｒとし、II族原料と
してはＤＭＺｎ（ジメチルジンク）を使用し、また、VI
族原料としてはＤＭＳｅ（ジメチルセレン）およびＤＥ
Ｓ（ジエチルサルファ）を使用することとした。
【００２９】これにより、 (109)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層
を、上述の工程でエッチングされた領域にのみ、選択
的に形成することが可能となる（図２（ｃ））。すなわ
ち、(112)ＳｉＯ2 層上には、ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層は
形成されない。
を、上述の工程でエッチングされた領域にのみ、選択
的に形成することが可能となる（図２（ｃ））。すなわ
ち、(112)ＳｉＯ2 層上には、ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層は
形成されない。
【００３０】その後、マスクとしての (112)ＳｉＯ2
層を除去することにより、表面が平坦な（すなわち、表
面に凹凸のない）埋め込み層を得ることができる。な
お、本実施例で使用したマスク材としてのＳｉＯ2 は、
エッチングされ易い特性を有する点で優れている。
層を除去することにより、表面が平坦な（すなわち、表
面に凹凸のない）埋め込み層を得ることができる。な
お、本実施例で使用したマスク材としてのＳｉＯ2 は、
エッチングされ易い特性を有する点で優れている。
【００３１】さらに、表面に４ペアの (111)ＳｉＯ2
／α−Ｓｉ誘電体多層膜ミラーを電子ビーム蒸着により
形成し、反応性イオンエッチング法（以下、「ＲＩＥ
法」と記す）によるドライエッチングで、発光部の径よ
りやや小さい領域を残して取り去る（図２（ｄ））。こ
の誘電体多層膜ミラーの、波長８７０ｎｍでの反射率
は、９４％である。
／α−Ｓｉ誘電体多層膜ミラーを電子ビーム蒸着により
形成し、反応性イオンエッチング法（以下、「ＲＩＥ
法」と記す）によるドライエッチングで、発光部の径よ
りやや小さい領域を残して取り去る（図２（ｄ））。こ
の誘電体多層膜ミラーの、波長８７０ｎｍでの反射率
は、９４％である。
【００３２】しかる後、 (111)誘電体多層膜ミラー以
外の表面に(110)ｐ型オーミック電極を蒸着し、さらに
(102)ｎ型ＧａＡｓ基板側に (101)ｎ型オーミック電極
を蒸着する（図２（ｅ））。そして、最後に、Ｎ2 雰囲
気中で、４２０℃のアロイングを行う。
外の表面に(110)ｐ型オーミック電極を蒸着し、さらに
(102)ｎ型ＧａＡｓ基板側に (101)ｎ型オーミック電極
を蒸着する（図２（ｅ））。そして、最後に、Ｎ2 雰囲
気中で、４２０℃のアロイングを行う。
【００３３】以上の工程により、図１に示したような、
リブ導波路構造を有する (100)面発光レーザを得ること
ができる。
リブ導波路構造を有する (100)面発光レーザを得ること
ができる。
【００３４】このようにして作成した本実施例の面発光
レーザは、埋込み層として用いたＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層
が非常に高い抵抗（１ＧΩ以上）を有するので、埋込み
層への注入電流のもれが起こらず、極めて有効な電流狭
窄が達成される。また、埋込み層と共振部との屈折率差
が大きいため、有効な光閉じ込めを行うことができる。
レーザは、埋込み層として用いたＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層
が非常に高い抵抗（１ＧΩ以上）を有するので、埋込み
層への注入電流のもれが起こらず、極めて有効な電流狭
窄が達成される。また、埋込み層と共振部との屈折率差
が大きいため、有効な光閉じ込めを行うことができる。
【００３５】図３は本実施例の半導体レーザの駆動電流
と発振光出力の関係を示すグラフである。図に示したよ
うに、室温において連続発振が達成され、しきい値１ｍ
Ａと極めて低い値を得た。また外部微分量子効率も高
く、無効電流の抑制がレーザの特性向上に貢献してい
る。
と発振光出力の関係を示すグラフである。図に示したよ
うに、室温において連続発振が達成され、しきい値１ｍ
Ａと極めて低い値を得た。また外部微分量子効率も高
く、無効電流の抑制がレーザの特性向上に貢献してい
る。
【００３６】また、本実施例によれば、上述したよう
に、表面が平坦な (109)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層を、共振
器の周囲にのみ、選択的に形成することができるので
（工程）、工程で埋め込み層の表面に形成する (11
0)ｐ型オーミック電極等の信頼性を悪化させることがな
く、したがって、製造された面発光レーザ素子の特性を
向上させ、さらに、製造時の歩留まりを高めることがで
きる。
に、表面が平坦な (109)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層を、共振
器の周囲にのみ、選択的に形成することができるので
（工程）、工程で埋め込み層の表面に形成する (11
0)ｐ型オーミック電極等の信頼性を悪化させることがな
く、したがって、製造された面発光レーザ素子の特性を
向上させ、さらに、製造時の歩留まりを高めることがで
きる。
【００３７】また、II−VI族化合物半導体層を選択的に
形成することができることより、余分な場所に形成され
たII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要となる
ので、製造工程を短縮することができ、したがって、製
造コストを低下させることができる。
形成することができることより、余分な場所に形成され
たII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要となる
ので、製造工程を短縮することができ、したがって、製
造コストを低下させることができる。
【００３８】（実施例２）図４は本発明の第２の実施例
における半導体レーザ(200)の発光部の断面を示す斜視
図であり、図５（ａ）〜（ｅ）は当該実施例における半
導体レーザ (200)の製造工程を示す断面図である。
における半導体レーザ(200)の発光部の断面を示す斜視
図であり、図５（ａ）〜（ｅ）は当該実施例における半
導体レーザ (200)の製造工程を示す断面図である。
【００３９】本実施例の半導体レーザ (200)は、 (208)
ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓコンタクト層から (205)ｎ型
Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層の一部までを柱状に形
成した点で、上述の実施例１と異なる。
ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓコンタクト層から (205)ｎ型
Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層の一部までを柱状に形
成した点で、上述の実施例１と異なる。
【００４０】以下、本実施例の構成および製造工程につ
いて、図５（ａ）〜（ｅ）にしたがって説明する。
いて、図５（ａ）〜（ｅ）にしたがって説明する。
【００４１】まず、 (202)ｎ型ＧａＡｓ基板上に、
(203)ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、さらに、ｎ型
ＡｌＡｓ層とｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ層からなり波長
８７０ｎｍ付近の光に対し９８％以上の反射率を持つ３
０ペアの (204)分布反射型多層膜ミラーを形成する。続
いて、 (205)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層、
(206)ｐ型ＧａＡｓ活性層、 (207)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ
0.6 Ａｓクラッド層、 (208)ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ
コンタクト層を、順次、ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル
成長させる（図５（ａ））。本実施例では、このときの
成長温度を７００℃とし、成長圧力を１５０Ｔｏｒｒと
するとともに、III 族原料にＴＭＧａ（トリメチルガリ
ウム）およびＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）の有
機金属を、Ｖ族原料としてはＡｓＨ3 を、ｎ型ドーパン
トとしてはＨ2 Ｓｅを、ｐ型ドーパントとしてはＤＥＺ
ｎ（ジエチルジンク）を、それぞれ用いる。
(203)ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、さらに、ｎ型
ＡｌＡｓ層とｎ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ層からなり波長
８７０ｎｍ付近の光に対し９８％以上の反射率を持つ３
０ペアの (204)分布反射型多層膜ミラーを形成する。続
いて、 (205)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層、
(206)ｐ型ＧａＡｓ活性層、 (207)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ
0.6 Ａｓクラッド層、 (208)ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ
コンタクト層を、順次、ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル
成長させる（図５（ａ））。本実施例では、このときの
成長温度を７００℃とし、成長圧力を１５０Ｔｏｒｒと
するとともに、III 族原料にＴＭＧａ（トリメチルガリ
ウム）およびＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）の有
機金属を、Ｖ族原料としてはＡｓＨ3 を、ｎ型ドーパン
トとしてはＨ2 Ｓｅを、ｐ型ドーパントとしてはＤＥＺ
ｎ（ジエチルジンク）を、それぞれ用いる。
【００４２】その後、熱ＣＶＤ法によって、表面に
(212)ＳｉＯ2 を形成し、さらに、ＲＩＢＥ法により、
(213)ハードベイクレジストで覆われた円柱状の発光部
を残して、 (205)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層
の途中まで、エッチングを行う（図５（ｂ））。この
際、本実施例では、エッチングガスとしては塩素とアル
ゴンの混合ガスを用い、ガス圧を１×１０-3Ｔｏｒｒと
し、引出し電圧を４００Ｖとする。
(212)ＳｉＯ2 を形成し、さらに、ＲＩＢＥ法により、
(213)ハードベイクレジストで覆われた円柱状の発光部
を残して、 (205)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層
の途中まで、エッチングを行う（図５（ｂ））。この
際、本実施例では、エッチングガスとしては塩素とアル
ゴンの混合ガスを用い、ガス圧を１×１０-3Ｔｏｒｒと
し、引出し電圧を４００Ｖとする。
【００４３】次に、このエッチング領域上に、埋込み
層を形成する。このために、本実施例では、まず、 (21
3)レジストを取り除き、次に、 (212)ＳｉＯ2 層をマス
クとして使用して、ＭＯＣＶＤ法により、 (209)ＺｎＳ
0.06Ｓｅ0.94層をエピタキシャル成長させる。このとき
の成長条件は、成長温度を５５０℃、成長圧力を４０Ｔ
ｏｒｒとし、II族原料としてはＤＭＺｎ（ジメチルジン
ク）を使用し、また、VI族原料としてはＤＭＳｅ（ジメ
チルセレン）およびＤＥＳ（ジエチルサルファ）を使用
することとした。
層を形成する。このために、本実施例では、まず、 (21
3)レジストを取り除き、次に、 (212)ＳｉＯ2 層をマス
クとして使用して、ＭＯＣＶＤ法により、 (209)ＺｎＳ
0.06Ｓｅ0.94層をエピタキシャル成長させる。このとき
の成長条件は、成長温度を５５０℃、成長圧力を４０Ｔ
ｏｒｒとし、II族原料としてはＤＭＺｎ（ジメチルジン
ク）を使用し、また、VI族原料としてはＤＭＳｅ（ジメ
チルセレン）およびＤＥＳ（ジエチルサルファ）を使用
することとした。
【００４４】これにより、 (209)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層
を、上述の工程でエッチングされた領域にのみ、選択
的に形成することが可能となる（図５（ｃ））。すなわ
ち、(212)ＳｉＯ2 層上には、ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層は
形成されない。
を、上述の工程でエッチングされた領域にのみ、選択
的に形成することが可能となる（図５（ｃ））。すなわ
ち、(212)ＳｉＯ2 層上には、ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層は
形成されない。
【００４５】その後、マスクとしての (112)ＳｉＯ2
層を除去することにより、表面が平坦な（すなわち、表
面に凹凸のない）埋め込み層を得ることができる。
層を除去することにより、表面が平坦な（すなわち、表
面に凹凸のない）埋め込み層を得ることができる。
【００４６】さらに、表面に４ペアの (211)ＳｉＯ2
／α−Ｓｉ誘電体多層膜ミラーを電子ビーム蒸着により
形成し、ＲＩＥ法を用いたドライエッチングで、発光部
の径よりやや小さい領域を残して取り去る（図５
（ｄ））。誘電体多層膜ミラーの、波長８７０ｎｍでの
反射率は、９４％である。
／α−Ｓｉ誘電体多層膜ミラーを電子ビーム蒸着により
形成し、ＲＩＥ法を用いたドライエッチングで、発光部
の径よりやや小さい領域を残して取り去る（図５
（ｄ））。誘電体多層膜ミラーの、波長８７０ｎｍでの
反射率は、９４％である。
【００４７】しかる後、 (211)誘電体多層膜ミラー以
外の表面に(210)ｐ型オーミック電極を蒸着し、さら
に、 (202)ｎ型ＧａＡｓ基板側に (201)ｎ型オーミック
電極を蒸着する（図５（ｅ））。そして、最後に、Ｎ2
雰囲気中で、４２０℃のアロイングを行う。
外の表面に(210)ｐ型オーミック電極を蒸着し、さら
に、 (202)ｎ型ＧａＡｓ基板側に (201)ｎ型オーミック
電極を蒸着する（図５（ｅ））。そして、最後に、Ｎ2
雰囲気中で、４２０℃のアロイングを行う。
【００４８】以上の工程により、図４に示したような
(200)面発光レーザを得ることができる。
(200)面発光レーザを得ることができる。
【００４９】このようにして作成した本実施例の面発光
半導体レーザにおいても、上述した実施例１と同様、埋
込み層として用いたＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層が非常に高い
抵抗（１ＧΩ以上）を有するので、埋込み層への注入電
流のもれが起こらず、極めて有効な電流狭窄が達成され
る。また、埋込み層と共振部との屈折率差が大きいた
め、有効な光閉じ込めを行うことができる。
半導体レーザにおいても、上述した実施例１と同様、埋
込み層として用いたＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層が非常に高い
抵抗（１ＧΩ以上）を有するので、埋込み層への注入電
流のもれが起こらず、極めて有効な電流狭窄が達成され
る。また、埋込み層と共振部との屈折率差が大きいた
め、有効な光閉じ込めを行うことができる。
【００５０】また、本実施例でも、上述した実施例１と
同様に、表面が平坦な(209)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層を、
共振器の周囲にのみ、選択的に形成することができるの
で（工程）、工程で埋め込み層の表面に形成する
(210)ｐ型オーミック電極等の信頼性を悪化させること
がなく、したがって、製造された面発光レーザ素子の特
性を向上させ、さらに、製造時の歩留まりを高めること
ができる。
同様に、表面が平坦な(209)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層を、
共振器の周囲にのみ、選択的に形成することができるの
で（工程）、工程で埋め込み層の表面に形成する
(210)ｐ型オーミック電極等の信頼性を悪化させること
がなく、したがって、製造された面発光レーザ素子の特
性を向上させ、さらに、製造時の歩留まりを高めること
ができる。
【００５１】また、II−VI族化合物半導体層を選択的に
形成することができることより、余分な場所に形成され
たII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要となる
ので、製造工程を短縮することができ、したがって、製
造コストを低下させることができる。
形成することができることより、余分な場所に形成され
たII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要となる
ので、製造工程を短縮することができ、したがって、製
造コストを低下させることができる。
【００５２】（実施例３）図６は本発明の第３の実施例
における半導体レーザ(300)の発光部の断面を示す斜視
図であり、図７（ａ）〜（ｆ）は当該実施例における半
導体レーザ (300)の製造工程を示す断面図である。
における半導体レーザ(300)の発光部の断面を示す斜視
図であり、図７（ａ）〜（ｆ）は当該実施例における半
導体レーザ (300)の製造工程を示す断面図である。
【００５３】本実施例の半導体レーザ (300)は、 (307)
ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層を、互いに分離溝
で分離された複数の柱状部を形成した点で、上述の実施
例１および実施例２と異なる。
ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド層を、互いに分離溝
で分離された複数の柱状部を形成した点で、上述の実施
例１および実施例２と異なる。
【００５４】以下、本実施例の構成および製造工程につ
いて、図７（ａ）〜（ｆ）にしたがって説明する。
いて、図７（ａ）〜（ｆ）にしたがって説明する。
【００５５】まず、 (302)ｎ型ＧａＡｓ基板上に、
(303)ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、さらに、ｎ型
Ａｌ0.9 Ｇａ0.1 Ａｓ層とｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層
からなり波長７８０ｎｍを中心に±３０ｎｍの光に対し
て９８％以上の反射率を持つ２５ペアの (304)半導体多
層膜ミラーを形成する。続いて、 (305)ｎ型Ａｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ａｓクラッド層、 (306)ｐ型Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａ
ｓ活性層、 (307)ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド
層、 (308)ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓコンタクト層を、
順次、ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる（図７
（ａ））。本実施例では、このときの成長条件を、成長
温度を７２０℃、成長圧力を１５０Ｔｏｒｒとするとと
もに、III 族原料としてはＴＭＧａ（トリメチルガリウ
ム）およびＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）の有機
金属を、Ｖ族原料としてはＡｓＨ3 、ｎ型ドーパントに
Ｈ2 Ｓｅ、ｐ型ドーパントにＤＥＺｎ（ジエチルジン
ク）を、それぞれ用いる。
(303)ｎ型ＧａＡｓバッファ層を形成し、さらに、ｎ型
Ａｌ0.9 Ｇａ0.1 Ａｓ層とｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層
からなり波長７８０ｎｍを中心に±３０ｎｍの光に対し
て９８％以上の反射率を持つ２５ペアの (304)半導体多
層膜ミラーを形成する。続いて、 (305)ｎ型Ａｌ0.5 Ｇ
ａ0.5 Ａｓクラッド層、 (306)ｐ型Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａ
ｓ活性層、 (307)ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓクラッド
層、 (308)ｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓコンタクト層を、
順次、ＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる（図７
（ａ））。本実施例では、このときの成長条件を、成長
温度を７２０℃、成長圧力を１５０Ｔｏｒｒとするとと
もに、III 族原料としてはＴＭＧａ（トリメチルガリウ
ム）およびＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）の有機
金属を、Ｖ族原料としてはＡｓＨ3 、ｎ型ドーパントに
Ｈ2 Ｓｅ、ｐ型ドーパントにＤＥＺｎ（ジエチルジン
ク）を、それぞれ用いる。
【００５６】次に、表面に常圧熱ＣＶＤ法により (31
2)ＳｉＯ2 層を形成し、さらにその上にフォトレジスト
を塗布し、高温で焼きしめて (313)ハードベークレジス
トを形成する。さらに、このハードベークレジスト上
に、ＥＢ蒸着法により、ＳｉＯ2 層を形成する。
2)ＳｉＯ2 層を形成し、さらにその上にフォトレジスト
を塗布し、高温で焼きしめて (313)ハードベークレジス
トを形成する。さらに、このハードベークレジスト上
に、ＥＢ蒸着法により、ＳｉＯ2 層を形成する。
【００５７】次に、ＲＩＥ法を用いて、基板上に形成
した各層を、以下のようにしてエッチングする。
した各層を、以下のようにしてエッチングする。
【００５８】初めに、 (313)ハードベークレジスト上に
形成したＳｉＯ2 層上に、通常用いられるフォトリソグ
ラフィー工程を施し、必要なレジストパターンを形成
し、このパターンをマスクとして、ＲＩＥ法によりＳｉ
Ｏ2 層をエッチングする。このエッチングは、例えば、
ＣＦ4ガスを用いて、ガス圧を４．５Ｐａ、入力をＲＦ
パワー１５０Ｗ、サンプルホルダーの温度を２０℃にコ
ントロールすることにより、行うことができる。
形成したＳｉＯ2 層上に、通常用いられるフォトリソグ
ラフィー工程を施し、必要なレジストパターンを形成
し、このパターンをマスクとして、ＲＩＥ法によりＳｉ
Ｏ2 層をエッチングする。このエッチングは、例えば、
ＣＦ4ガスを用いて、ガス圧を４．５Ｐａ、入力をＲＦ
パワー１５０Ｗ、サンプルホルダーの温度を２０℃にコ
ントロールすることにより、行うことができる。
【００５９】次に、このＳｉＯ2 層をマスクにして、Ｒ
ＩＥ法により、 (313)ハードベークレジストをエッチン
グする。このエッチングは、例えば、Ｏ2 ガスを用い
て、ガス圧を４．５Ｐａ、入力パワーを１５０Ｗ、サン
プルホルダーの温度を２０℃にコントロールすることに
より、行うことができる。このとき、ＳｉＯ2 層上に初
めに形成したレジストパターンも同時にエッチングされ
る。
ＩＥ法により、 (313)ハードベークレジストをエッチン
グする。このエッチングは、例えば、Ｏ2 ガスを用い
て、ガス圧を４．５Ｐａ、入力パワーを１５０Ｗ、サン
プルホルダーの温度を２０℃にコントロールすることに
より、行うことができる。このとき、ＳｉＯ2 層上に初
めに形成したレジストパターンも同時にエッチングされ
る。
【００６０】次に、パターン状に残っているＳｉＯ2 層
とエピタキシャル層上に形成した (312)ＳｉＯ2 層とを
同時にエッチングするために、再びＣＦ4 ガスを用いて
エッチングを行う。
とエピタキシャル層上に形成した (312)ＳｉＯ2 層とを
同時にエッチングするために、再びＣＦ4 ガスを用いて
エッチングを行う。
【００６１】以上のように、薄いＳｉＯ2 層をマスクに
して、ドライエッチングの一方法であるＲＩＥ法を (31
3)ハードベークレジストに用いることにより、必要なパ
ターン形状を持ちながら、さらに基板に対して垂直な側
面を持った (313)ハードベークレジストを作成すること
ができる（図７（ｂ））。
して、ドライエッチングの一方法であるＲＩＥ法を (31
3)ハードベークレジストに用いることにより、必要なパ
ターン形状を持ちながら、さらに基板に対して垂直な側
面を持った (313)ハードベークレジストを作成すること
ができる（図７（ｂ））。
【００６２】続いて、この垂直な側面を持った (313)
ハードベークレジストをマスクにして、ＲＩＢＥ法を用
いて、柱状の発光部を残して、 (307)ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層の途中までエッチングを行う（図７
（ｃ））。この際、本実施例では、エッチングガスには
塩素とアルゴンとの混合ガスを用い、ガス圧力を５×１
０-4Ｔｏｒｒ、プラズマ引出し電圧を４００Ｖ、エッチ
ング試料上でのイオン電流密度を４００μＡ／ｃｍ2 と
して、サンプルホルダーの温度を２０℃に保って行うこ
ととする。
ハードベークレジストをマスクにして、ＲＩＢＥ法を用
いて、柱状の発光部を残して、 (307)ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 Ａｓクラッド層の途中までエッチングを行う（図７
（ｃ））。この際、本実施例では、エッチングガスには
塩素とアルゴンとの混合ガスを用い、ガス圧力を５×１
０-4Ｔｏｒｒ、プラズマ引出し電圧を４００Ｖ、エッチ
ング試料上でのイオン電流密度を４００μＡ／ｃｍ2 と
して、サンプルホルダーの温度を２０℃に保って行うこ
ととする。
【００６３】ここで、 (307)ｐ型Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ
クラッド層の途中までしかエッチングしないのは、活性
層の水平方向の注入キャリアと光の閉じ込めを、屈折率
導波型のリブ導波路構造にして、活性層内の光の一部を
活性層水平方向に伝達できるようにするためである。
クラッド層の途中までしかエッチングしないのは、活性
層の水平方向の注入キャリアと光の閉じ込めを、屈折率
導波型のリブ導波路構造にして、活性層内の光の一部を
活性層水平方向に伝達できるようにするためである。
【００６４】また、レジストとして垂直な側面を持った
(313)ハードベークレジストを使用し、さらに、エッチ
ング方法としてエッチング試料に対して垂直にイオンを
ビーム状に照射してエッチングを行うＲＩＢＥ法を使用
することにより、近接した (320)発光部を、基板に垂直
な (314)分離溝で分離させることができるとともに、面
発光型半導体レーザの特性向上に必要な垂直光共振器を
作成することが可能となっている。
(313)ハードベークレジストを使用し、さらに、エッチ
ング方法としてエッチング試料に対して垂直にイオンを
ビーム状に照射してエッチングを行うＲＩＢＥ法を使用
することにより、近接した (320)発光部を、基板に垂直
な (314)分離溝で分離させることができるとともに、面
発光型半導体レーザの特性向上に必要な垂直光共振器を
作成することが可能となっている。
【００６５】次に、この (307)ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6
Ａｓクラッド層上に、埋込み層を形成する。このため
に、本実施例では、まず、 (313)レジストを取り除き、
次に、(312)ＳｉＯ2 層をマスクとして使用して、ＭＯ
ＣＶＤ法により、 (309)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層を埋込み
成長させる。このときの成長条件は、成長温度を５５０
℃、成長圧力を４０Ｔｏｒｒとし、II族原料としてはＤ
ＭＺｎ（ジメチルジンク）を使用し、また、VI族原料と
してはＤＭＳｅ（ジメチルセレン）およびＤＥＳ（ジエ
チルサルファ）を使用することとした。
Ａｓクラッド層上に、埋込み層を形成する。このため
に、本実施例では、まず、 (313)レジストを取り除き、
次に、(312)ＳｉＯ2 層をマスクとして使用して、ＭＯ
ＣＶＤ法により、 (309)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層を埋込み
成長させる。このときの成長条件は、成長温度を５５０
℃、成長圧力を４０Ｔｏｒｒとし、II族原料としてはＤ
ＭＺｎ（ジメチルジンク）を使用し、また、VI族原料と
してはＤＭＳｅ（ジメチルセレン）およびＤＥＳ（ジエ
チルサルファ）を使用することとした。
【００６６】これにより、 (309)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層
を、上述の工程でエッチングされた領域にのみ、選択
的に形成することが可能となる（図７（ｄ））。すなわ
ち、(312)ＳｉＯ2 層上には、ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層は
形成されない。
を、上述の工程でエッチングされた領域にのみ、選択
的に形成することが可能となる（図７（ｄ））。すなわ
ち、(312)ＳｉＯ2 層上には、ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層は
形成されない。
【００６７】その後、マスクとしての (312)ＳｉＯ2
層を除去することにより、表面が平坦な（すなわち、表
面に凹凸のない）埋め込み層を得ることができる。
層を除去することにより、表面が平坦な（すなわち、表
面に凹凸のない）埋め込み層を得ることができる。
【００６８】さらに、表面に４ペアの (311)ＳｉＯ2
／α−Ｓｉ誘電体多層膜ミラーを電子ビーム蒸着により
形成し、ＲＩＥ法を用いたドライエッチングで、発光部
の径よりやや小さい領域を残して取り去る（図７
（ｅ））。誘電体多層膜ミラーの、波長７８０ｎｍでの
反射率は、９４％である。
／α−Ｓｉ誘電体多層膜ミラーを電子ビーム蒸着により
形成し、ＲＩＥ法を用いたドライエッチングで、発光部
の径よりやや小さい領域を残して取り去る（図７
（ｅ））。誘電体多層膜ミラーの、波長７８０ｎｍでの
反射率は、９４％である。
【００６９】ここで、本実施例の (300)半導体レーザで
は、ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94で埋め込んだ (314)分離溝上に
も (311)誘電体多層膜ミラーを作成することとしたの
で、発光部に挟まれた領域にも垂直共振器構造が形成さ
れ、したがって、 (314)分離溝にもれた光も有効にレー
ザ発振に寄与し、また、漏れた光を利用するので (320)
発光部の位相に同期した発光となる。
は、ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94で埋め込んだ (314)分離溝上に
も (311)誘電体多層膜ミラーを作成することとしたの
で、発光部に挟まれた領域にも垂直共振器構造が形成さ
れ、したがって、 (314)分離溝にもれた光も有効にレー
ザ発振に寄与し、また、漏れた光を利用するので (320)
発光部の位相に同期した発光となる。
【００７０】しかる後、 (311)誘電体多層膜ミラー以
外の表面に(310)ｐ型オーミック電極を蒸着し、さら
に、 (302)ｎ型ＧａＡｓ基板側に (301)ｎ型オーミック
電極を蒸着する（図７（ｆ））。ここで、出射側の (31
0)ｐ型オーミック電極は、各 (320)発光部の各 (308)コ
ンタクト層に導通するように形成される。そして、最後
に、Ｎ2 雰囲気中で、４２０℃でアロイングを行う。
外の表面に(310)ｐ型オーミック電極を蒸着し、さら
に、 (302)ｎ型ＧａＡｓ基板側に (301)ｎ型オーミック
電極を蒸着する（図７（ｆ））。ここで、出射側の (31
0)ｐ型オーミック電極は、各 (320)発光部の各 (308)コ
ンタクト層に導通するように形成される。そして、最後
に、Ｎ2 雰囲気中で、４２０℃でアロイングを行う。
【００７１】以上の工程により、図６に示したような
(300)面発光レーザを得ることができる。
(300)面発光レーザを得ることができる。
【００７２】このようにして作製した本実施例の面発光
レーザにおいても、上述した実施例１および実施例２と
同様、埋込み層として用いたＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層が非
常に高い抵抗（１ＧΩ以上）を有するので、埋込み層へ
の注入電流のもれが起こらず、極めて有効な電流狭窄が
達成される。また、埋込み層と共振部との屈折率差が大
きいため、有効な光閉じ込めを行うことができる。
レーザにおいても、上述した実施例１および実施例２と
同様、埋込み層として用いたＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層が非
常に高い抵抗（１ＧΩ以上）を有するので、埋込み層へ
の注入電流のもれが起こらず、極めて有効な電流狭窄が
達成される。また、埋込み層と共振部との屈折率差が大
きいため、有効な光閉じ込めを行うことができる。
【００７３】また、本実施例でも、上述した実施例１，
２と同様に、表面が平坦な (309)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層
を、共振器の周囲にのみ、選択的に形成することができ
るので（工程）、工程で埋め込み層の表面に形成す
る (310)ｐ型オーミック電極等の信頼性を悪化させるこ
とがなく、したがって、製造された面発光レーザ素子の
特性を向上させ、さらに、製造時の歩留まりを高めるこ
とができる。
２と同様に、表面が平坦な (309)ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層
を、共振器の周囲にのみ、選択的に形成することができ
るので（工程）、工程で埋め込み層の表面に形成す
る (310)ｐ型オーミック電極等の信頼性を悪化させるこ
とがなく、したがって、製造された面発光レーザ素子の
特性を向上させ、さらに、製造時の歩留まりを高めるこ
とができる。
【００７４】また、II−VI族化合物半導体層を選択的に
形成することができることより、余分な場所に形成され
たII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要となる
ので、製造工程を短縮することができ、したがって、製
造コストを低下させることができる。
形成することができることより、余分な場所に形成され
たII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要となる
ので、製造工程を短縮することができ、したがって、製
造コストを低下させることができる。
【００７５】次に、図８に、本発明の各実施例において
使用した、II−VI族化合物半導体層の製造装置の主要構
成図を示す。
使用した、II−VI族化合物半導体層の製造装置の主要構
成図を示す。
【００７６】図において、II族原料は、 (802)シリンダ
ーを(801)水素ボンベから流す水素ガスでバブリングす
ることによって供給する。一方、VI族原料は、 (803)Ｄ
ＭＳｅシリンダーと、 (804)ＤＥＳシリンダーとを、
(801)水素ボンベから流す水素ガスでバブリングするこ
とによって供給する。各原料は、 (805)反応管に供給さ
れ、 (808)高周波発振器により加熱された (806)カーボ
ンサセプタ上の基板に、ＺｎＳＳｅ層を成長させる。な
お、 (805)反応管内の圧力は (807)排気装置の排気量に
より調整できる。
ーを(801)水素ボンベから流す水素ガスでバブリングす
ることによって供給する。一方、VI族原料は、 (803)Ｄ
ＭＳｅシリンダーと、 (804)ＤＥＳシリンダーとを、
(801)水素ボンベから流す水素ガスでバブリングするこ
とによって供給する。各原料は、 (805)反応管に供給さ
れ、 (808)高周波発振器により加熱された (806)カーボ
ンサセプタ上の基板に、ＺｎＳＳｅ層を成長させる。な
お、 (805)反応管内の圧力は (807)排気装置の排気量に
より調整できる。
【００７７】この成長装置は、他の成長装置に比べ、Ｚ
ｎＳＳｅ層を、低温で結晶性よく、且つ、広い範囲にわ
たって均一に成長させることができるという特徴を有し
ている。
ｎＳＳｅ層を、低温で結晶性よく、且つ、広い範囲にわ
たって均一に成長させることができるという特徴を有し
ている。
【００７８】また、本発明に係わる半導体レーザではII
−VI族化合物半導体層を形成する際に毒性の高い水素化
物ガスを使用しないことより、製造装置において、製造
工程での作業等の安全性を確保するための高価な安全設
備が不要となり、製造コストを低下させる上で有効であ
る。
−VI族化合物半導体層を形成する際に毒性の高い水素化
物ガスを使用しないことより、製造装置において、製造
工程での作業等の安全性を確保するための高価な安全設
備が不要となり、製造コストを低下させる上で有効であ
る。
【００７９】なお、以上説明した本発明の各実施例で
は、II−VI族化合物半導体層をＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94で形
成したが、例えば、ＺｎＳｅ，ＺｎＳ，ＺｎＣｄＳ，Ｃ
ｄＳＳｅで形成してもよい。ただし、埋込み層として
は、基板と格子定数が一致するものが好ましい。
は、II−VI族化合物半導体層をＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94で形
成したが、例えば、ＺｎＳｅ，ＺｎＳ，ＺｎＣｄＳ，Ｃ
ｄＳＳｅで形成してもよい。ただし、埋込み層として
は、基板と格子定数が一致するものが好ましい。
【００８０】また、本発明の各実施例では、活性層をＧ
ａＡｓとしたが、ＡｌＧａＡｓでも同様の効果が得られ
る。さらに、その他のIII −Ｖ族化合物半導体を柱状部
に用いた場合でも、適当なII−VI族化合物半導体を埋込
み層に選ぶことによって、同様の効果が得られる。
ａＡｓとしたが、ＡｌＧａＡｓでも同様の効果が得られ
る。さらに、その他のIII −Ｖ族化合物半導体を柱状部
に用いた場合でも、適当なII−VI族化合物半導体を埋込
み層に選ぶことによって、同様の効果が得られる。
【００８１】さらに、上述の各実施例では、誘電体マス
クとして (112)ＳｉＯ2 層を使用したが、他の誘電体例
えばＡｌ2 Ｏ3 等を用いてマスクを形成してもよい。ま
た、誘電体以外の多結晶膜例えばアモルファスシリコン
等を用いても良い。
クとして (112)ＳｉＯ2 層を使用したが、他の誘電体例
えばＡｌ2 Ｏ3 等を用いてマスクを形成してもよい。ま
た、誘電体以外の多結晶膜例えばアモルファスシリコン
等を用いても良い。
【００８２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、表面が平坦なII−VI族化合物半導体層を選択的に
形成することができるので、後の工程でII−VI族化合物
半導体層のの表面に形成する電極等の信頼性を悪化させ
ることがなく、したがって、製造された面発光レーザ素
子の特性を向上させ、さらに、製造時の歩留まりを高め
ることができる。
れば、表面が平坦なII−VI族化合物半導体層を選択的に
形成することができるので、後の工程でII−VI族化合物
半導体層のの表面に形成する電極等の信頼性を悪化させ
ることがなく、したがって、製造された面発光レーザ素
子の特性を向上させ、さらに、製造時の歩留まりを高め
ることができる。
【００８３】また、II−VI族化合物半導体層を選択的に
形成することができることより、余分な場所に形成され
たII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要となる
ので、製造工程を短縮することができ、したがって、製
造コストを低下させることができる。
形成することができることより、余分な場所に形成され
たII−VI族化合物半導体層を除去する工程が不要となる
ので、製造工程を短縮することができ、したがって、製
造コストを低下させることができる。
【００８４】さらに、本発明に係わる半導体レーザでは
II−VI族化合物半導体層を形成する際に毒性の高い水素
化物ガスを使用しないことより、製造装置において、製
造工程での作業等の安全性を確保するための高価な安全
設備が不要となり、これによっても、製造コストを低下
させることができる。
II−VI族化合物半導体層を形成する際に毒性の高い水素
化物ガスを使用しないことより、製造装置において、製
造工程での作業等の安全性を確保するための高価な安全
設備が不要となり、これによっても、製造コストを低下
させることができる。
【００８５】したがって、本発明によれば、高性能で信
頼性の高い半導体レーザを安価に製造することができ
る、半導体レーザの製造方法を提供することができる。
頼性の高い半導体レーザを安価に製造することができ
る、半導体レーザの製造方法を提供することができる。
【００８６】特に、半導体レーザを二次元的に集積させ
てアレイ化させる場合には、同一基板上に形成された多
数個の半導体レーザのすべてを良品で製造する必要があ
るので、このような信頼性の向上や不良要因の抑制は、
非常に有益である。
てアレイ化させる場合には、同一基板上に形成された多
数個の半導体レーザのすべてを良品で製造する必要があ
るので、このような信頼性の向上や不良要因の抑制は、
非常に有益である。
【図１】実施例１に係わる半導体レーザの発光部の断面
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）ともに、実施例１に係わる半導
体レーザの製造工程を示す断面図である。
体レーザの製造工程を示す断面図である。
【図３】実施例１に係わる半導体レーザの駆動電流と発
振光出力の関係を示すグラフである。
振光出力の関係を示すグラフである。
【図４】実施例２に係わる半導体レーザの発光部の断面
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）ともに、実施例２に係わる半導
体レーザの製造工程を示す断面図である。
体レーザの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施例３に係わる半導体レーザの発光部の断面
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図７】（ａ）〜（ｆ）ともに、実施例３に係わる半導
体レーザの製造工程を示す断面図である。
体レーザの製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の各実施例において使用した、II−VI族
化合物半導体層の製造装置の主要構成図である。
化合物半導体層の製造装置の主要構成図である。
【図９】従来の半導体レーザの発光部の一例に係わる断
面を示す斜視図である。
面を示す斜視図である。
１０１，２０１，３０１ ｎ型オーミック電極
１０２，２０２，３０２ ｎ型ＧａＡｓ基板
１０３，２０３，３０３ ｎ型ＧａＡｓバッファ層
１０４，２０４，３０４ 分布反射型多層膜ミラー
１０５，２０５，３０５ ｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ
クラッド層 １０６，２０６，３０６ ｐ型ＧａＡｓ活性層 １０７，２０７，３０７ ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ
クラッド層 １０８，２０８，３０８ ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ
コンタクト層 １０９，２０９，３０９ ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層（埋
込み層） １１０，２１０，３１０ ｐ型オーミック電極 １１１，２１１，３１１ ＳｉＯ2 ／α−Ｓｉ誘電体
多層膜ミラー １１２，２１２，３１２ ＳｉＯ2 層
クラッド層 １０６，２０６，３０６ ｐ型ＧａＡｓ活性層 １０７，２０７，３０７ ｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ
クラッド層 １０８，２０８，３０８ ｐ型Ａｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ
コンタクト層 １０９，２０９，３０９ ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94層（埋
込み層） １１０，２１０，３１０ ｐ型オーミック電極 １１１，２１１，３１１ ＳｉＯ2 ／α−Ｓｉ誘電体
多層膜ミラー １１２，２１２，３１２ ＳｉＯ2 層
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板に垂直な方向に光を出射するよ
うに当該半導体基板に垂直な方向に形成されたの共振器
を有し、該共振器を形成する半導体層の少なくとも一層
が柱状に形成された面発光型の半導体レーザの製造方法
において、前記柱状の半導体層の周囲を前記II−VI族化
合物半導体層で埋め込むための工程として、前記柱状の
半導体層の上部に誘電体マスクを形成する工程と、前記
II−VI族化合物半導体層を、II族有機化合物とVI族有機
化合物とを原料として、有機金属化学気相成長法により
形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体レーザ
の製造方法。 - 【請求項２】半導体基板に垂直な方向に光を出射するよ
うに当該半導体基板に垂直な方向に形成されたの共振器
を有し、該共振器を形成する半導体層の少なくとも一層
が柱状に形成された面発光型の半導体レーザの製造方法
において、前記柱状の半導体層の周囲を前記II−VI族化
合物半導体層で埋め込むための工程として、前記柱状の
半導体層の上部に多結晶状のマスクを形成する工程と、
前記II−VI族化合物半導体層を、II族有機化合物とVI族
有機化合物とを原料として、有機金属化学気相成長法に
より形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体レ
ーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24364591A JPH053376A (ja) | 1990-09-28 | 1991-09-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25946190 | 1990-09-28 | ||
| JP2-259461 | 1990-09-28 | ||
| JP24364591A JPH053376A (ja) | 1990-09-28 | 1991-09-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053376A true JPH053376A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=26536356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24364591A Pending JPH053376A (ja) | 1990-09-28 | 1991-09-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053376A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998044606A1 (fr) * | 1997-03-27 | 1998-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Laser combine a semi-conducteur |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP24364591A patent/JPH053376A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998044606A1 (fr) * | 1997-03-27 | 1998-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Laser combine a semi-conducteur |
| US6597716B1 (en) | 1997-03-27 | 2003-07-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor laser |
| US6855570B2 (en) | 1997-03-27 | 2005-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor laser |
| US7042011B2 (en) | 1997-03-27 | 2006-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor laser |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3713100B2 (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| US6320209B1 (en) | Epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride based semiconductive oxide selective growth mask and method for fabricating the same | |
| US6265287B1 (en) | Method for producing semiconductor layer for a semiconductor laser device | |
| US5621750A (en) | Surface emission type semiconductor laser, method and apparatus for producing the same | |
| JPH06232099A (ja) | 半導体装置の製造方法，半導体装置の製造装置，半導体レーザの製造方法，量子細線構造の製造方法，及び結晶成長方法 | |
| US5587335A (en) | Method of making surface emission type semiconductor laser | |
| US5295148A (en) | Surface emission type semiconductor laser | |
| US5625637A (en) | Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing process | |
| US5375133A (en) | Surface emitting semiconductor laser and method of manufacture | |
| JP3448939B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| US5436922A (en) | Surface emission type semiconductor laser | |
| KR20000035669A (ko) | 반도체 레이저, 반도체 장치 및 이들의 제조 방법 | |
| JP2001007443A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP3666444B2 (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3293221B2 (ja) | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH09266355A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH053376A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP3717255B2 (ja) | ３族窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3767031B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH0513880A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP3298137B2 (ja) | 面発光型半導体レーザの製造方法 | |
| JP3969989B2 (ja) | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 | |
| JP2728672B2 (ja) | 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 | |
| JP2993167B2 (ja) | 面発光半導体レーザの製造方法 | |
| JP5341353B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子およびｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法 |