JPH05339722A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH05339722A JPH05339722A JP4149144A JP14914492A JPH05339722A JP H05339722 A JPH05339722 A JP H05339722A JP 4149144 A JP4149144 A JP 4149144A JP 14914492 A JP14914492 A JP 14914492A JP H05339722 A JPH05339722 A JP H05339722A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 連続成膜時に放電を停止せず、放電発生工程
を無くすことにより、成膜タクトの向上及び膜組成の安
定性の向上を図る。 【構成】 予備室チャンバー１１に対しても、スパッタ
リングガスを流量調整しながら供給する第２のガス供給
系１４と、予備室チャンバー１１内の真空度を調圧する
第２の調圧弁１５とを設け、予備室チャンバー１１内の
真空度を反応室チャンバー９内の成膜時と等しくした状
態で第２のゲート弁１３を開いて基板２を移載すること
により、連続成膜の場合に放電を停止せず、放電発生工
程を無くして成膜タクトを向上し、膜組成を安定化す
る。
を無くすことにより、成膜タクトの向上及び膜組成の安
定性の向上を図る。 【構成】 予備室チャンバー１１に対しても、スパッタ
リングガスを流量調整しながら供給する第２のガス供給
系１４と、予備室チャンバー１１内の真空度を調圧する
第２の調圧弁１５とを設け、予備室チャンバー１１内の
真空度を反応室チャンバー９内の成膜時と等しくした状
態で第２のゲート弁１３を開いて基板２を移載すること
により、連続成膜の場合に放電を停止せず、放電発生工
程を無くして成膜タクトを向上し、膜組成を安定化す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、スパッタリング装置は光磁気ディ
スク、光ディスク、ビデオヘッドの記録膜等の成膜に多
く利用されている。
スク、光ディスク、ビデオヘッドの記録膜等の成膜に多
く利用されている。
【０００３】以下、図２を参照しながら従来のスパッタ
リング装置の一例について説明する。図２において、２
１はカソードであり、その下面にターゲット２１ａが固
定されている。２２はカソード２１と対向して配置さ
れ、スパッタにより膜が堆積される基板、２３は基板２
２を保持する基板ホルダーである。２４はカソード２１
に電圧を印加し、カソード２１の表面でプラズマを発生
させるための電源である。２５はカソード２１と基板２
２の間の空間に配置されたシャッターである。２６は反
応室チャンバー２９内を減圧雰囲気にするための第１の
真空排気ポンプ、２７は反応室チャンバー２９内にスパ
ッタリングガスを流量調整しながら供給するガス供給
系、２８は反応室チャンバー２９内の真空度を調圧する
調圧弁である。３０は予備室チャンバー３１内を減圧雰
囲気にする第２の真空排気ポンプである。３２は予備室
チャンバー３１と大気を接続する第１のゲート弁、３３
は反応室チャンバー２９と予備室チャンバー３１を接続
する第２のゲート弁である。
リング装置の一例について説明する。図２において、２
１はカソードであり、その下面にターゲット２１ａが固
定されている。２２はカソード２１と対向して配置さ
れ、スパッタにより膜が堆積される基板、２３は基板２
２を保持する基板ホルダーである。２４はカソード２１
に電圧を印加し、カソード２１の表面でプラズマを発生
させるための電源である。２５はカソード２１と基板２
２の間の空間に配置されたシャッターである。２６は反
応室チャンバー２９内を減圧雰囲気にするための第１の
真空排気ポンプ、２７は反応室チャンバー２９内にスパ
ッタリングガスを流量調整しながら供給するガス供給
系、２８は反応室チャンバー２９内の真空度を調圧する
調圧弁である。３０は予備室チャンバー３１内を減圧雰
囲気にする第２の真空排気ポンプである。３２は予備室
チャンバー３１と大気を接続する第１のゲート弁、３３
は反応室チャンバー２９と予備室チャンバー３１を接続
する第２のゲート弁である。
【０００４】次に、以上の構成のスパッタリング装置の
動作について説明する。
動作について説明する。
【０００５】まず、反応室チャンバー２９内部を第１の
真空排気ポンプ２６で、予備室チャンバー３１内部を第
２の真空排気ポンプ３０により１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。次に、減圧雰囲気である予備室チ
ャンバー３１を大気圧に戻し、第１のゲート弁３２を開
き、基板２２を予備室チャンバー３１内に移載し、再び
第１のゲート弁３２を閉じる。
真空排気ポンプ２６で、予備室チャンバー３１内部を第
２の真空排気ポンプ３０により１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。次に、減圧雰囲気である予備室チ
ャンバー３１を大気圧に戻し、第１のゲート弁３２を開
き、基板２２を予備室チャンバー３１内に移載し、再び
第１のゲート弁３２を閉じる。
【０００６】この状態から、第２の真空排気ポンプ１０
により予備室チャンバー３１を１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。そして、第２のゲート弁３３を開
き、基板２２を反応室チャンバー２９内に移載し、基板
ホルダー２３に保持させ、第２のゲート弁３３を再び閉
じる。その後、反応室チャンバー２９内部に、アルゴン
ガスを導入し、調圧弁２８により５×１０-3Ｔｏｒｒ程
度の真空度に設定し、電源２４によりカソード２１に直
流または高周波の電圧を印加し、反応室チャンバー２９
の内部にプラズマを発生させる。そしてシャッター２５
を開き、基板２２に所定の膜を堆積する。その後シャッ
ター２５を閉じ、プラズマを停止し、アルゴンガスの導
入を停止する。そして、第２のゲート弁３３を開き、基
板２２を予備室チャンバー３１に移載し、第２のゲート
弁３３を再び閉じる。次に予備室チャンバー３１を大気
圧に戻し、第１のゲート弁３２を開き、基板２２を予備
室チャンバー３１の外へ移載し、異なる基板２２を予備
室チャンバー３１内に移載し、再び第１のゲート弁３２
を閉じ、以上の動作を繰り返す。
により予備室チャンバー３１を１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。そして、第２のゲート弁３３を開
き、基板２２を反応室チャンバー２９内に移載し、基板
ホルダー２３に保持させ、第２のゲート弁３３を再び閉
じる。その後、反応室チャンバー２９内部に、アルゴン
ガスを導入し、調圧弁２８により５×１０-3Ｔｏｒｒ程
度の真空度に設定し、電源２４によりカソード２１に直
流または高周波の電圧を印加し、反応室チャンバー２９
の内部にプラズマを発生させる。そしてシャッター２５
を開き、基板２２に所定の膜を堆積する。その後シャッ
ター２５を閉じ、プラズマを停止し、アルゴンガスの導
入を停止する。そして、第２のゲート弁３３を開き、基
板２２を予備室チャンバー３１に移載し、第２のゲート
弁３３を再び閉じる。次に予備室チャンバー３１を大気
圧に戻し、第１のゲート弁３２を開き、基板２２を予備
室チャンバー３１の外へ移載し、異なる基板２２を予備
室チャンバー３１内に移載し、再び第１のゲート弁３２
を閉じ、以上の動作を繰り返す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、成膜が終了すると、放電を停止し、ア
ルゴンガスの導入を停止するために、連続成膜の場合ア
ルゴンガスの導入、真空度の調圧、カソードへの電圧印
加による放電発生工程が毎回必要となり、そのために成
膜タクトが長くなり、またターゲット表面組成が変化
し、基板に堆積される膜の組成が安定しないという問題
があった。
ような構成では、成膜が終了すると、放電を停止し、ア
ルゴンガスの導入を停止するために、連続成膜の場合ア
ルゴンガスの導入、真空度の調圧、カソードへの電圧印
加による放電発生工程が毎回必要となり、そのために成
膜タクトが長くなり、またターゲット表面組成が変化
し、基板に堆積される膜の組成が安定しないという問題
があった。
【０００８】本発明は上記従来の問題点に鑑み、連続成
膜の場合に放電を停止せず、放電発生工程を無くすこと
により、成膜タクトの向上及び膜組成の安定性の向上を
図ることを目的とする。
膜の場合に放電を停止せず、放電発生工程を無くすこと
により、成膜タクトの向上及び膜組成の安定性の向上を
図ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、内部にカソードと基板ホルダーを配設された反
応室チャンバーと、反応室チャンバー内を減圧雰囲気に
する第１の真空ポンプと、反応室チャンバー内にスパッ
タリングガスを流量調整しながら供給する第１のガス供
給系と、反応室チャンバー内の真空度を調圧する第１の
調圧弁と、少なくとも１つの予備室チャンバーと、予備
室チャンバー内を減圧雰囲気にする第２の真空ポンプ
と、予備室チャンバーと大気とを接続する第１のゲート
弁と、予備室チャンバーと反応室チャンバーとを接続す
る第２のゲート弁とを備えたスパッタリング装置におい
て、予備室チャンバー内にスパッタリングガスを流量調
整しながら供給する第２のガス供給系と、予備室チャン
バー内の真空度を調圧する第２の調圧弁とを設けたこと
を特徴とする。
装置は、内部にカソードと基板ホルダーを配設された反
応室チャンバーと、反応室チャンバー内を減圧雰囲気に
する第１の真空ポンプと、反応室チャンバー内にスパッ
タリングガスを流量調整しながら供給する第１のガス供
給系と、反応室チャンバー内の真空度を調圧する第１の
調圧弁と、少なくとも１つの予備室チャンバーと、予備
室チャンバー内を減圧雰囲気にする第２の真空ポンプ
と、予備室チャンバーと大気とを接続する第１のゲート
弁と、予備室チャンバーと反応室チャンバーとを接続す
る第２のゲート弁とを備えたスパッタリング装置におい
て、予備室チャンバー内にスパッタリングガスを流量調
整しながら供給する第２のガス供給系と、予備室チャン
バー内の真空度を調圧する第２の調圧弁とを設けたこと
を特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の上記構成によれば、予備室チャンバー
内のガス雰囲気と真空度を、反応室チャンバー内の成膜
時と等しくした状態で第２のゲート弁を開くことができ
るため、連続成膜の場合に放電を停止せずに成膜を行う
ことができ、アルゴンガスの導入、真空度の調圧、カソ
ードへの電圧印加による放電発生工程を無くすことがで
き、その結果成膜タクトを向上することができる。
内のガス雰囲気と真空度を、反応室チャンバー内の成膜
時と等しくした状態で第２のゲート弁を開くことができ
るため、連続成膜の場合に放電を停止せずに成膜を行う
ことができ、アルゴンガスの導入、真空度の調圧、カソ
ードへの電圧印加による放電発生工程を無くすことがで
き、その結果成膜タクトを向上することができる。
【００１１】また、放電を停止しないために、常時予備
スパッタしている状態となっているため、ターゲット表
面組成が変化しないため、基板に堆積する膜の組成が安
定することになる。
スパッタしている状態となっているため、ターゲット表
面組成が変化しないため、基板に堆積する膜の組成が安
定することになる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例のスパッタリング装
置について図１を参照しながら説明する。
置について図１を参照しながら説明する。
【００１３】図１において、１はカソードであり、その
下面にターゲット１ａが固定されている。２はカソード
１と対向して配置され、スパッタにより膜が堆積される
基板、３は基板２を保持する基板ホルダーである。４は
カソード１に電圧を印加し、カソード１の表面でプラズ
マを発生させるための電源である。５はカソード１と基
板２の間の空間に配置されたシャッターである。６は反
応室チャンバー９内を減圧雰囲気にするための第１の真
空排気ポンプ、７は反応室チャンバー９内にスパッタリ
ングガスを流量調整しながら供給する第１のガス供給
系、８は反応室チャンバー９内の真空度を調圧する第１
の調圧弁である。１０は予備室チャンバー１１内を減圧
雰囲気にする第２の真空排気ポンプである。１４は予備
室チャンバー１１内にスパッタリングガスを流量調整し
ながら供給する第２のガス供給系、１５は予備室チャン
バー１１内の真空度を調圧する第２の調圧弁、１２は予
備室チャンバー１１と大気を接続する第１のゲート弁、
１３は反応室チャンバー９と予備室チャンバー１１を接
続する第２のゲート弁である。
下面にターゲット１ａが固定されている。２はカソード
１と対向して配置され、スパッタにより膜が堆積される
基板、３は基板２を保持する基板ホルダーである。４は
カソード１に電圧を印加し、カソード１の表面でプラズ
マを発生させるための電源である。５はカソード１と基
板２の間の空間に配置されたシャッターである。６は反
応室チャンバー９内を減圧雰囲気にするための第１の真
空排気ポンプ、７は反応室チャンバー９内にスパッタリ
ングガスを流量調整しながら供給する第１のガス供給
系、８は反応室チャンバー９内の真空度を調圧する第１
の調圧弁である。１０は予備室チャンバー１１内を減圧
雰囲気にする第２の真空排気ポンプである。１４は予備
室チャンバー１１内にスパッタリングガスを流量調整し
ながら供給する第２のガス供給系、１５は予備室チャン
バー１１内の真空度を調圧する第２の調圧弁、１２は予
備室チャンバー１１と大気を接続する第１のゲート弁、
１３は反応室チャンバー９と予備室チャンバー１１を接
続する第２のゲート弁である。
【００１４】次に、以上の構成のスパッタリング装置の
動作について説明する。
動作について説明する。
【００１５】まず、反応室チャンバー９内部を第１の真
空排気ポンプ６で、予備室チャンバー１１内部を第２の
真空排気ポンプ１０により１０-6Ｔｏｒｒ台の真空度ま
で真空排気する。次に、反応室チャンバー９内部に、ア
ルゴンガスを導入し、第１の調圧弁８により５×１０-3
Ｔｏｒｒ程度の真空度に設定し、電源４によりカソード
１に直流または高周波の電圧を印加し、反応室チャンバ
ー９の内部にプラズマを発生させる。このとき、シャッ
ター５は閉じておき、カソード１に印加している電圧を
放電が消えない最小のパワーまで低下させる。次に、減
圧雰囲気である予備室チャンバー１１を大気圧に戻し、
第１のゲート弁１２を開き、基板２を予備室チャンバー
１１内に移載し、再び第１のゲート弁１２を閉じる。
空排気ポンプ６で、予備室チャンバー１１内部を第２の
真空排気ポンプ１０により１０-6Ｔｏｒｒ台の真空度ま
で真空排気する。次に、反応室チャンバー９内部に、ア
ルゴンガスを導入し、第１の調圧弁８により５×１０-3
Ｔｏｒｒ程度の真空度に設定し、電源４によりカソード
１に直流または高周波の電圧を印加し、反応室チャンバ
ー９の内部にプラズマを発生させる。このとき、シャッ
ター５は閉じておき、カソード１に印加している電圧を
放電が消えない最小のパワーまで低下させる。次に、減
圧雰囲気である予備室チャンバー１１を大気圧に戻し、
第１のゲート弁１２を開き、基板２を予備室チャンバー
１１内に移載し、再び第１のゲート弁１２を閉じる。
【００１６】この状態から、第２の真空排気ポンプ１０
により予備室チャンバー１１を１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。そして、予備室チャンバー１１内
部にアルゴンガスを導入し、第２の調圧弁１５により５
×１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度に設定した後、第２のゲ
ート弁１３を開き、基板２を反応室チャンバー９内に移
載し、基板ホルダー３に保持させ、第２のゲート弁１３
を再び閉じる。そして、カソード１に印加している電圧
を成膜パワーまで上昇させ、シャッター５を開き、基板
２に所定の膜を堆積する。その後、シャッター５を閉
じ、カソード１に印加している電圧を放電が消えない最
小パワーまで低下させる。そして、第２のゲート弁１３
を開き、基板２を予備室チャンバー１１に移載し、第２
のゲート弁１３を再び閉じる。そして予備室チャンバー
１１へのアルゴンガスの導入を停止し、予備室チャンバ
ー１１を大気圧に戻し、第１のゲート弁１２を開き、基
板２を予備室チャンバー１１の外に移載し、異なる基板
２を予備室チャンバー１１内に移載し、再び第１のゲー
ト弁１２を閉じ、以上の動作を繰り返す。
により予備室チャンバー１１を１０-6Ｔｏｒｒ台の真空
度まで真空排気する。そして、予備室チャンバー１１内
部にアルゴンガスを導入し、第２の調圧弁１５により５
×１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空度に設定した後、第２のゲ
ート弁１３を開き、基板２を反応室チャンバー９内に移
載し、基板ホルダー３に保持させ、第２のゲート弁１３
を再び閉じる。そして、カソード１に印加している電圧
を成膜パワーまで上昇させ、シャッター５を開き、基板
２に所定の膜を堆積する。その後、シャッター５を閉
じ、カソード１に印加している電圧を放電が消えない最
小パワーまで低下させる。そして、第２のゲート弁１３
を開き、基板２を予備室チャンバー１１に移載し、第２
のゲート弁１３を再び閉じる。そして予備室チャンバー
１１へのアルゴンガスの導入を停止し、予備室チャンバ
ー１１を大気圧に戻し、第１のゲート弁１２を開き、基
板２を予備室チャンバー１１の外に移載し、異なる基板
２を予備室チャンバー１１内に移載し、再び第１のゲー
ト弁１２を閉じ、以上の動作を繰り返す。
【００１７】以上のように、本実施例によれば、予備室
チャンバー１１内の真空度を、反応室チャンバー９内の
成膜時のガス雰囲気及び真空度と等しくした状態で第２
のゲート弁１３を開くことができるため、連続成膜の場
合、放電を停止せずに成膜を行うことができ、アルゴン
ガスの導入、真空度の調圧、カソード１への電圧印加に
よる放電発生工程を無くすことができる。その結果、成
膜タクトを向上することができる。
チャンバー１１内の真空度を、反応室チャンバー９内の
成膜時のガス雰囲気及び真空度と等しくした状態で第２
のゲート弁１３を開くことができるため、連続成膜の場
合、放電を停止せずに成膜を行うことができ、アルゴン
ガスの導入、真空度の調圧、カソード１への電圧印加に
よる放電発生工程を無くすことができる。その結果、成
膜タクトを向上することができる。
【００１８】また、放電を停止しないために、常時、予
備スパッタしている状態となっているため、ターゲット
１ａの表面組成が変化せず、基板２に堆積する膜の組成
が安定することとなる。
備スパッタしている状態となっているため、ターゲット
１ａの表面組成が変化せず、基板２に堆積する膜の組成
が安定することとなる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、以上のように予備室チ
ャンバー内にスパッタリングガス流量を調整しながら供
給する第２のガス供給系と、予備室チャンバー内の真空
度を調圧する第２の調圧弁とを設けたことにより、連続
成膜の場合に放電を停止せずに成膜を行うことができ、
放電発生工程を無くし、成膜タクトの向上及び膜組成の
安定性を向上することができる。
ャンバー内にスパッタリングガス流量を調整しながら供
給する第２のガス供給系と、予備室チャンバー内の真空
度を調圧する第２の調圧弁とを設けたことにより、連続
成膜の場合に放電を停止せずに成膜を行うことができ、
放電発生工程を無くし、成膜タクトの向上及び膜組成の
安定性を向上することができる。
【図１】本発明の一実施例のスパッタリング装置の概略
構成図である。
構成図である。
【図２】従来例のスパッタリング装置の概略構成図であ
る。
る。
１ カソード ３ 基板ホルダー ６ 第１の真空ポンプ ７ 第１のガス供給系 ８ 第１の調圧弁 ９ 反応室チャンバー １０ 第２の真空ポンプ １１ 予備室チャンバー １２ 第１のゲート弁 １３ 第２のゲート弁 １４ 第２のガス供給系 １５ 第２の調圧弁
Claims (1)
- 【請求項１】 内部にカソードと基板ホルダーを配設さ
れた反応室チャンバーと、反応室チャンバー内を減圧雰
囲気にする第１の真空ポンプと、反応室チャンバー内に
スパッタリングガスを流量調整しながら供給する第１の
ガス供給系と、反応室チャンバー内の真空度を調圧する
第１の調圧弁と、少なくとも１つの予備室チャンバー
と、予備室チャンバー内を減圧雰囲気にする第２の真空
ポンプと、予備室チャンバーと大気とを接続する第１の
ゲート弁と、予備室チャンバーと反応室チャンバーとを
接続する第２のゲート弁とを備えたスパッタリング装置
において、予備室チャンバー内にスパッタリングガスを
流量調整しながら供給する第２のガス供給系と、予備室
チャンバー内の真空度を調圧する第２の調圧弁とを設け
たことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14914492A JP3354591B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | スパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14914492A JP3354591B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | スパッタリング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05339722A true JPH05339722A (ja) | 1993-12-21 |
| JP3354591B2 JP3354591B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=15468733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14914492A Expired - Fee Related JP3354591B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | スパッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3354591B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008226891A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
| JP2011144450A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-07-28 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
-
1992
- 1992-06-09 JP JP14914492A patent/JP3354591B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008226891A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
| JP2011144450A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-07-28 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3354591B2 (ja) | 2002-12-09 |
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