JPH0534028Y2 - - Google Patents
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は直流電源回路において、特に過負荷
時における保護のため出力電流を制限する電流制
限回路に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field of Application] This invention relates to a DC power supply circuit, and particularly to a current limiting circuit that limits the output current for protection during overload.
この考案は電流検出用抵抗と電流制限用トラン
ジスタを介して直流電源を負荷に供給するもので
あつて、過負荷時に電流検出用抵抗に流れる電流
を検出して電流制限用トランジスタを制御して負
荷電流を制限するものにおいて、電流検出用抵抗
として小抵抗のものでよく、また電流制限時の電
流値のばらつきが小さく、さらに温度特性が良好
なものを提供するものである。
This device supplies DC power to the load via a current detection resistor and a current limiting transistor.During overload, the current flowing through the current detecting resistor is detected and the current limiting transistor is controlled to load the load. In a current limiting device, a current detecting resistor may have a small resistance, and the variation in current value during current limiting is small, and the temperature characteristics are good.
例えばカメラ一体形VTRで録画した画像をテ
レビ受像機で再生する場合、カメラ一体形VTR
の出力は、テレビのあきチヤンネルのRF信号に
変換する必要があり、そのためにRFコンバータ
ユニツトが用いられる。
For example, if you want to play back images recorded with a camera-integrated VTR on a TV receiver, the camera-integrated VTR
The output must be converted into an RF signal for the TV's open channel, and an RF converter unit is used for this purpose.
このRFコンバータユニツトへの電源をVTR側
から供給する場合に、電源をミニジヤツクを介し
て出力するものがある。このような場合、プラグ
の誤挿入、誤操作により、また、プラグ挿入過程
で、ジヤツク端子部で短絡状態となることがあ
り、このときジヤツク側の機器、すなわちVTR
側が壊れないように短絡電流を、設定値以下に制
限するように保護対策を施す必要がある。 When power is supplied to this RF converter unit from the VTR side, there are some that output the power through a mini jack. In such cases, due to incorrect insertion or operation of the plug, or during the plug insertion process, a short circuit may occur at the jack terminals, and at this time, the equipment on the jack side, that is, the VTR.
It is necessary to take protective measures to limit the short-circuit current to a set value or less to prevent the side from being damaged.
第2図はこの目的を実現する電流制限回路の一
例で、1は直流電源Eからの直流電圧が供給され
る電源端子である。この電源端子1は電流検出用
抵抗2及び可変インピーダンス素子としてのトラ
ンジスタ3のエミツターコレクタ間を介して、負
荷Zが接続される端子4に接続される。この回路
が前述のカメラ一体形VTRに設けられる場合に
は、この端子4がミニジヤツクとされる。トラン
ジスタ3のベースは抵抗5を介して接地される。
そして、抵抗2に並列にトランジスタ6のベース
−エミツタ間が接続され、このトランジスタ6の
コレクタがトランジスタ3のベースと抵抗5との
接続点に接続される。 FIG. 2 shows an example of a current limiting circuit that achieves this purpose, and 1 is a power supply terminal to which a DC voltage from a DC power supply E is supplied. This power supply terminal 1 is connected to a terminal 4 to which a load Z is connected via a current detection resistor 2 and an emitter-collector of a transistor 3 as a variable impedance element. When this circuit is provided in the above-mentioned camera-integrated VTR, this terminal 4 is a mini jack. The base of transistor 3 is grounded via resistor 5.
The base and emitter of a transistor 6 are connected in parallel to the resistor 2, and the collector of the transistor 6 is connected to the connection point between the base of the transistor 3 and the resistor 5.
この第2図の回路において、負荷Z側がシヨー
トした場合、負荷電流が増加するが、この電流増
加に伴つて抵抗2での電圧降下が0.6V以上にな
ると、トランジスタ6がオンとなり、このためト
ランジスタ3のベース電圧が高くなり、この可変
インピーダンス素子としてのトランジスタ3のイ
ンピーダンス値が高くなり、電流が制限される。
この場合、トランジスタ6のベース−エミツタ間
電圧VBEと抵抗2の値R2とにより制限される電流
が決まる。 In the circuit shown in Fig. 2, when the load Z side is shorted, the load current increases, but when the voltage drop across the resistor 2 becomes 0.6V or more due to this increase in current, the transistor 6 turns on, and as a result, the transistor The base voltage of transistor 3 becomes high, the impedance value of transistor 3 as a variable impedance element becomes high, and the current is limited.
In this case, the current to be limited is determined by the base-emitter voltage V BE of the transistor 6 and the value R 2 of the resistor 2.
また、第3図は電流制限回路の他の例で、この
例の場合には電源端子11は抵抗12及びトラン
ジスタ13のエミツタ−コレクタ間を介して負荷
Zが接続される端子14に接続される。トランジ
スタ13のベースは抵抗15を介して接地され
る。 FIG. 3 shows another example of the current limiting circuit, in which the power supply terminal 11 is connected to the terminal 14 to which the load Z is connected via the resistor 12 and the emitter-collector of the transistor 13. . The base of transistor 13 is grounded via resistor 15.
そして、電源端子11と抵抗12との接続点
と、トランジスタ13のベースとの間にトランジ
スタ16のコレクタ−エミツタ間が接続されると
ともに、電源端子11が抵抗17及び18の直列
回路を介して接地され、この抵抗17及び18の
接続点がトランジスタ16のベースに接続され
る。 The collector-emitter of the transistor 16 is connected between the connection point between the power supply terminal 11 and the resistor 12 and the base of the transistor 13, and the power supply terminal 11 is grounded through a series circuit of resistors 17 and 18. The connection point between the resistors 17 and 18 is connected to the base of the transistor 16.
この例においては、負荷Zのシヨート等により
出力負荷電流が増加して、トランジスタ13のベ
ース電位がトランジスタ16のベース電位よりも
下がると、このトランジスタ16がオンし、トラ
ンジスタ13のベース電位が上がることにより電
流が制限される。 In this example, when the output load current increases due to the shorting of the load Z and the base potential of the transistor 13 falls below the base potential of the transistor 16, the transistor 16 is turned on and the base potential of the transistor 13 increases. The current is limited by
ところが、第2図の回路及び第3図の回路の場
合、以下のような欠点がある。
However, the circuit shown in FIG. 2 and the circuit shown in FIG. 3 have the following drawbacks.
すなわち、第2図の回路の場合、トランジスタ
6をオンさせるためには抵抗2による電圧降下が
約0.6V以上必要になり、通常動作時と電流制限
時の出力電流差が小さい場合、この抵抗2の抵抗
値を比較的大きくする必要がある。ところが、こ
の抵抗2の値を大きくすると、通常動作時におい
てもこの抵抗2での電圧降下分が大きくなり、負
荷Zに供給する出力電源電圧が低下してしまう。 In other words, in the case of the circuit shown in Fig. 2, in order to turn on transistor 6, a voltage drop of approximately 0.6 V or more is required across resistor 2, and if the difference in output current during normal operation and during current limit is small, It is necessary to make the resistance value relatively large. However, if the value of this resistor 2 is increased, the voltage drop across this resistor 2 will increase even during normal operation, and the output power supply voltage supplied to the load Z will decrease.
また、第2図の回路の場合、トランジスタ6の
ベース−エミツタ間電圧VBEのばらつき及び温度
特性の影響が、制限される電流値にそのまま加わ
り、この制限される電流値にばらつきが生じる。 Further, in the case of the circuit shown in FIG. 2, the effects of variations in the base-emitter voltage V BE of the transistor 6 and the temperature characteristics are directly added to the limited current value, resulting in variations in the limited current value.
また、第3図の回路の場合、第2図の回路に比
べて電流検出用の抵抗12の値を小さく選ぶこと
ができ、通常動作時におけるこの抵抗12での電
圧降下分は小さくすることができる。 In addition, in the case of the circuit shown in FIG. 3, the value of the current detection resistor 12 can be selected to be smaller than that of the circuit shown in FIG. 2, and the voltage drop across this resistor 12 during normal operation can be made smaller. can.
しかし、制限される電流はトランジスタ13と
16のベース−エミツタ間電圧VBEのばらつきの
影響を受ける。また、過負荷時にトランジスタ1
3に発熱がある場合、トランジスタ13のベース
−エミツタ間電圧VBEも変化し、電流の制限も不
安定になる。 However, the limited current is affected by variations in the base-emitter voltage V BE of transistors 13 and 16. Also, during overload, transistor 1
When transistor 3 generates heat, the base-emitter voltage V BE of transistor 13 also changes, and the current limit becomes unstable.
このトランジスタ13及び16の電圧VBEの相
対的なばらつきを抑えるには、例えばコンプリメ
ンタリーにするなど、相互の特性を考慮するよう
にすればよいが、在庫の管理や代替品の選択に注
意を要するという欠点がある。 In order to suppress the relative variations in the voltage V BE of the transistors 13 and 16, it is possible to consider their characteristics, such as by making them complementary, but care should be taken when managing inventory and selecting substitutes. It has the disadvantage that it requires
この考案は以上のような欠点を一掃できるもの
を提案しようとするものである。 This invention attempts to propose something that can eliminate the above-mentioned drawbacks.
この考案においては、直流電圧の得られる電源
端子21が第1の抵抗22と可変インピーダンス
素子としての第1のトランジスタ23との直列回
路を介して負荷が接続される端子24に接続さ
れ、第1の抵抗22と第1のトランジスタ23と
の接続点が第2、第3、第4の直列抵抗26,2
7,28を介して接地され、電源端子21と第1
のトランジスタ23のベースとの間に第2のトラ
ンジスタ29のコレクタ−エミツタ間が接続さ
れ、第2の抵抗26と第3の抵抗27との接続点
が第2のトランジスタ29のベースに接続され、
第2、第3の直列抵抗26,27に並列に、ダイ
オード接続された第3のトランジスタ30が接続
される。
In this invention, a power supply terminal 21 from which a DC voltage can be obtained is connected to a terminal 24 to which a load is connected via a series circuit of a first resistor 22 and a first transistor 23 as a variable impedance element. The connection point between the resistor 22 and the first transistor 23 is the second, third, and fourth series resistor 26, 2.
7, 28, and the power terminal 21 and the first
The collector-emitter of the second transistor 29 is connected to the base of the transistor 23, and the connection point between the second resistor 26 and the third resistor 27 is connected to the base of the second transistor 29,
A diode-connected third transistor 30 is connected in parallel to the second and third series resistors 26 and 27.
端子24に過負荷が接続されたときは、第1の
抵抗22の電圧降下が増大し、第2のトランジス
タ29がオンとなる。すると、トランジスタ23
のベース電位は上昇しようとし、負荷に流れる電
流は制限される。
When an overload is connected to the terminal 24, the voltage drop across the first resistor 22 increases and the second transistor 29 turns on. Then, transistor 23
The base potential of will tend to rise, and the current flowing to the load will be limited.
第1図はこの考案の一実施例で、21は直流電
源Eからの一定の直流電圧が供給される電源端子
である。この電源端子21は電流検出用抵抗22
及び可変インピーダンス素子としてのトランジス
タ23のエミツタ−コレクタ間を介して負荷Zが
接続される端子24に接続される。この端子24
はジヤツクとされる場合もある。トランジスタ2
3のベースは抵抗25を介して接地される。
FIG. 1 shows an embodiment of this invention, in which reference numeral 21 is a power supply terminal to which a constant DC voltage is supplied from a DC power supply E. This power supply terminal 21 is connected to a current detection resistor 22.
It is connected to a terminal 24 to which a load Z is connected via the emitter and collector of a transistor 23 as a variable impedance element. This terminal 24
is sometimes referred to as jack. transistor 2
3 is grounded via a resistor 25.
そして、抵抗22とトランジスタ23のエミツ
タとの接続点が抵抗26,27及び28の直列回
路を介して接地される。また、電源端子21とト
ランジスタ23のベースとの間に制御用トランジ
スタ29のエミツタ−コレクタ間が接続され、こ
の制御用トランジスタ29のベースが抵抗26と
27の接続点に接続される。 A connection point between the resistor 22 and the emitter of the transistor 23 is grounded through a series circuit of resistors 26, 27, and 28. Further, the emitter-collector of a control transistor 29 is connected between the power supply terminal 21 and the base of the transistor 23, and the base of the control transistor 29 is connected to the connection point between the resistors 26 and 27.
そして抵抗26及び27の直列回路に並列にダ
イオード接続されたトランジスタ30が接続され
る。このトランジスタ30はトランジスタ29と
同一特性のものが使用され、定電圧源用のダイオ
ードとされるものである。 A diode-connected transistor 30 is connected in parallel to the series circuit of resistors 26 and 27. This transistor 30 has the same characteristics as the transistor 29, and is used as a diode for a constant voltage source.
この場合、抵抗26と27はダイオード30の
順方向電圧(定電圧)を分割するものであり、抵
抗26の電圧降下VR26は端子24に接続される
負荷の状態に関係なくほぼ一定である。 In this case, the resistors 26 and 27 are for dividing the forward voltage (constant voltage) of the diode 30, and the voltage drop VR 26 across the resistor 26 is approximately constant regardless of the state of the load connected to the terminal 24.
そして、端子24の負荷が正常な負荷であると
きは、この抵抗26の電圧降下VR26と抵抗22
による電圧降下VR22(=I・R22;Iは抵抗22
を流れる電流、R22は抵抗22の抵抗値)との和
がトランジスタ29がオンとなるベース−エミツ
タ間電圧VBEONより低く設定される。すなわち、
VBEON>I・R22+VR26 ……(1)
とされ、トランジスタ29はオンとならない。た
だし、このとき、抵抗28及び25に流れる電流
は無視する。 When the load on the terminal 24 is a normal load, the voltage drop VR 26 across this resistor 26 and the resistor 22
Voltage drop due to VR 22 (=I・R 22 ; I is resistance 22
( R22 is the resistance value of the resistor 22) is set lower than the base-emitter voltage VBEON at which the transistor 29 is turned on. That is, V BEON > I·R 22 +VR 26 (1), and the transistor 29 is not turned on. However, at this time, the currents flowing through the resistors 28 and 25 are ignored.
そして、端子24に接続される負荷が短絡等の
過負荷となつたときは、抵抗22の電圧降下
VR22は増大し、このためトランジスタ29がオ
ンとなる。すると、トランジスタ23のベース電
位は上昇しようとし、負荷に供給される電流は制
限される。 When the load connected to the terminal 24 is overloaded due to short circuit, etc., the voltage drop across the resistor 22
VR 22 increases, which turns transistor 29 on. Then, the base potential of the transistor 23 tends to rise, and the current supplied to the load is limited.
このときの電流をISとすれば、
IS・R22+VR26=VBEON ……(2)
∴IS=VBEON−VR26/R22 ……(3)
となる。したがつて、(3)式から、電流ISの値が定
まつている場合に、電圧降下VR26を大きくすれ
ば抵抗22の値R22を小さくすることができる。
つまり、同じ制限電流値であつても、抵抗26に
よる電圧降下分を変えることにより、抵抗22の
値を小さくすることができるものである。 If the current at this time is I S , then I S · R 22 + VR 26 = V BEON ……(2) ∴I S = V BEON − VR 26 /R 22 ……(3). Therefore, from equation (3), when the value of the current IS is fixed, the value R 22 of the resistor 22 can be reduced by increasing the voltage drop VR 26 .
In other words, even if the limiting current value is the same, the value of the resistor 22 can be made smaller by changing the voltage drop caused by the resistor 26.
したがつて、通常使用状態における端子24の
出力電源電圧の低下は少ない。 Therefore, the drop in the output power supply voltage of the terminal 24 during normal use is small.
また、(3)式から、制限電流ISの精度は、(VBEON
−VR26)のばらつきや、温度特性に影響される
ことがわかる。 Also, from equation (3), the accuracy of the limiting current I S is (V BEON
-VR26 ) and is affected by temperature characteristics.
しかし、この場合、トランジスタ29と30と
は同一特性であるので、VBEONとVR26との温度特
性やばらつきはほぼ同一である。したがつて
(VBEON−VR26)のばらつきや温度特性は相殺さ
れて抑えられることになる。 However, in this case, since the transistors 29 and 30 have the same characteristics, the temperature characteristics and variations between V BEON and VR 26 are almost the same. Therefore, variations in (V BEON −VR 26 ) and temperature characteristics are canceled out and suppressed.
トランジスタ29と30とは量産時に特性のよ
く揃つた、例えば同じウエハーから製造される同
一ロツトのトランジスタをマウントすることによ
り、同一特性のトランジスタという条件を満足す
ることができる。もちろん、これらトランジスタ
29及び30を1つのパツケージにぺアで入つて
いるデユアルトランジスタを使用するようにして
もよい。 The condition that the transistors 29 and 30 have the same characteristics can be satisfied by mounting transistors of the same lot with well-matched characteristics, for example, manufactured from the same wafer, during mass production. Of course, a dual transistor in which these transistors 29 and 30 are included in a pair in one package may be used.
なお、温度補償は、抵抗27の値に比べ抵抗2
6の値が大きいほど、良好な結果が得られるもの
である。 In addition, temperature compensation is performed by resistor 2 compared to the value of resistor 27.
The larger the value of 6, the better the results.
この考案においては、定電圧用のダイオードの
順方向降下電圧を分圧し、その分圧電圧を、電流
検出用抵抗の電圧降下に加算し、この加算電圧を
制御用トランジスタで検出して、可変インピーダ
ンス素子としてのトランジスタを制御して電流制
限するので、そのダイオードの分圧電圧分だけ電
流検出用抵抗の値を小さくでき、出力電圧値の降
下を小さくできる。
In this device, the forward drop voltage of the constant voltage diode is divided and this divided voltage is added to the voltage drop of the current detection resistor. This added voltage is detected by a control transistor and the transistor acting as a variable impedance element is controlled to limit the current. This allows the value of the current detection resistor to be reduced by the divided voltage of the diode, thereby reducing the drop in the output voltage value.
そして、そのダイオードを制御用トランジスタ
と同一特性のトランジスタで構成することにより
電流制限時の電流値のばらつきを小さくできる。
したがつて、調整の必要がないという効果があ
る。また、温度特性が良くなるので、使用温度範
囲が広くなる。 By configuring the diode with a transistor having the same characteristics as the control transistor, it is possible to reduce variations in current value during current limitation.
Therefore, there is an effect that no adjustment is necessary. Furthermore, since the temperature characteristics are improved, the usable temperature range becomes wider.
第1図はこの考案回路の一実施例の回路図、第
2図及び第3図は従来回路の一例の回路図であ
る。
21は電源端子、22は電流検出用の第1の抵
抗、23は可変インピーダンス素子としてのトラ
ンジスタ、24は負荷の接続される端子、26,
27,28は第2、第3、第4の抵抗、29は制
御用トランジスタ、30はダイオード接続された
トランジスタである。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of this invented circuit, and FIGS. 2 and 3 are circuit diagrams of examples of conventional circuits. 21 is a power supply terminal, 22 is a first resistor for current detection, 23 is a transistor as a variable impedance element, 24 is a terminal to which a load is connected, 26,
27 and 28 are second, third, and fourth resistors, 29 is a control transistor, and 30 is a diode-connected transistor.
Claims (1)
可変インピーダンス素子としての第1のトラン
ジスタとの直列回路を介して負荷が接続される
端子に接続され、 b 上記第1の抵抗と第1のトランジスタとの接
続点が第2、第3、第4の直列抵抗を介して接
地され、 c 上記電源端子と上記第1のトランジスタのベ
ースとの間に第2のトランジスタのコレクタ−
エミツタ間が接続され、 d 上記第2の抵抗と第3の抵抗との接続点が上
記第2のトランジスタのベースに接続され、 e 上記第2、第3の直列抵抗に並列に、ダイオ
ード接続さた第3のトランジスタが接続され、 f この第2のトランジスタがオンになるとき上
記第1のトランジスタのベース電圧が制御され
て上記負荷に供給される電流が制限されるよう
になされた電流制限回路。[Claims for Utility Model Registration] a. A power supply terminal from which a DC voltage can be obtained is connected to a terminal to which a load is connected via a series circuit of a first resistor and a first transistor as a variable impedance element, and b. A connection point between the first resistor and the first transistor is grounded via second, third, and fourth series resistors, and a second transistor collector
d a connection point between the second resistor and the third resistor is connected to the base of the second transistor; e a diode-connected transistor is connected in parallel to the second and third series resistors; a current limiting circuit to which a third transistor f is connected, and when the second transistor is turned on, the base voltage of the first transistor is controlled to limit the current supplied to the load; .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986145288U JPH0534028Y2 (en) | 1986-09-22 | 1986-09-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986145288U JPH0534028Y2 (en) | 1986-09-22 | 1986-09-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6353115U JPS6353115U (en) | 1988-04-09 |
| JPH0534028Y2 true JPH0534028Y2 (en) | 1993-08-30 |
Family
ID=31056689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986145288U Expired - Lifetime JPH0534028Y2 (en) | 1986-09-22 | 1986-09-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0534028Y2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4655584B2 (en) * | 2004-10-27 | 2011-03-23 | コニカミノルタオプト株式会社 | Current limiting circuit, driving device, imaging device |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP1986145288U patent/JPH0534028Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6353115U (en) | 1988-04-09 |
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