JPH05343201A - Ｐｔｃサーミスタ - Google Patents
ＰｔｃサーミスタInfo
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- JPH05343201A JPH05343201A JP4152184A JP15218492A JPH05343201A JP H05343201 A JPH05343201 A JP H05343201A JP 4152184 A JP4152184 A JP 4152184A JP 15218492 A JP15218492 A JP 15218492A JP H05343201 A JPH05343201 A JP H05343201A
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- Japan
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- electrode
- electrodes
- ptc thermistor
- thickness
- substrate
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 素体と電極との良好なオーミック接触を得ら
れ、しかも外観上の歩留り向上を図ることのできるＰＴ
Ｃサーミスタを提供する。 【構成】 本ＰＴＣサーミスタは、ＰＴＣサーミスタ素
体１に、厚み０．２乃至０．７μｍのＮｉめっきからな
る第１の電極２ａ，２ａを形成し、この第１の電極２
ａ，２ａの上に、低接触抵抗金属を主成分とする第２の
電極２ｂ，２ｂを形成したものである。素体１に第１の
電極２ａを形成すると、素体１中にＮｉめっき溶液等の
水分が侵入する。このため、第１の電極２ａの上に形成
した第２の電極２ｂを焼付けると、素体１中に侵入した
水分が膨脹して破壊し、電極２の表面にクレータ（破裂
痕）が発生する。そこで、第１の電極２ａの厚みを０．
２乃至０．７μｍと薄くすることで、素体１中に侵入し
た水分が外部に放出され易くなり、クレータの発生が少
なくなる。
れ、しかも外観上の歩留り向上を図ることのできるＰＴ
Ｃサーミスタを提供する。 【構成】 本ＰＴＣサーミスタは、ＰＴＣサーミスタ素
体１に、厚み０．２乃至０．７μｍのＮｉめっきからな
る第１の電極２ａ，２ａを形成し、この第１の電極２
ａ，２ａの上に、低接触抵抗金属を主成分とする第２の
電極２ｂ，２ｂを形成したものである。素体１に第１の
電極２ａを形成すると、素体１中にＮｉめっき溶液等の
水分が侵入する。このため、第１の電極２ａの上に形成
した第２の電極２ｂを焼付けると、素体１中に侵入した
水分が膨脹して破壊し、電極２の表面にクレータ（破裂
痕）が発生する。そこで、第１の電極２ａの厚みを０．
２乃至０．７μｍと薄くすることで、素体１中に侵入し
た水分が外部に放出され易くなり、クレータの発生が少
なくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＴＣサーミスタに関
し、より詳しくは電極構成に関する。
し、より詳しくは電極構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＴＣサーミスタ素体へのオーミック電
極形成法としては、従来より無電解Ｎｉめっき法が多く
採用されている。その無電解Ｎｉめっき法により形成さ
れたＮｉめっきの膜厚は、良好なオーミック接触を得る
ため、１．０乃至５．０μｍと１μｍ以上が主流であっ
た。
極形成法としては、従来より無電解Ｎｉめっき法が多く
採用されている。その無電解Ｎｉめっき法により形成さ
れたＮｉめっきの膜厚は、良好なオーミック接触を得る
ため、１．０乃至５．０μｍと１μｍ以上が主流であっ
た。
【０００３】また、このＮｉめっき単独では接触抵抗が
高くかつ酸化による経時劣化等があり、実用的でなくな
るため、電極は、Ｎｉめっきの上に更に低接触抵抗金属
であるＡｇペーストを塗布して成膜した複数電極構成か
らなっていた。
高くかつ酸化による経時劣化等があり、実用的でなくな
るため、電極は、Ｎｉめっきの上に更に低接触抵抗金属
であるＡｇペーストを塗布して成膜した複数電極構成か
らなっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電極構成では、Ｎｉめっき処理後にＡｇペーストを塗布
して５００℃前後で焼付けした際に、微小なクレータ
（素体内のめっき液等の水分がＡｇ焼付け時に膨脹して
破裂して発生する破裂痕）が多数発生し、外観上の歩留
りを悪化させていた。
電極構成では、Ｎｉめっき処理後にＡｇペーストを塗布
して５００℃前後で焼付けした際に、微小なクレータ
（素体内のめっき液等の水分がＡｇ焼付け時に膨脹して
破裂して発生する破裂痕）が多数発生し、外観上の歩留
りを悪化させていた。
【０００５】また、Ｎｉめっきの厚みは１μｍ以上の厚
いものであるため、めっき処理時間が長くかかり、めっ
き処理工程での処理能力不足やめっき材料のコスト高騰
の問題も招いていた。
いものであるため、めっき処理時間が長くかかり、めっ
き処理工程での処理能力不足やめっき材料のコスト高騰
の問題も招いていた。
【０００６】更に、Ｎｉめっきの厚みが２μｍ以上の場
合には、Ｎｉピーリングテスト（Ｎｉ膜のテープ剥離テ
スト）で多数のものが不合格（ＮＧ）となる傾向にあっ
た。そこで、本発明は、上記事情を鑑みてなされたもの
であり、素体と電極との良好なオーミック接触を得ら
れ、しかも外観上の歩留り改善を図ることのできるＰＴ
Ｃサーミスタを提供することを目的とする。
合には、Ｎｉピーリングテスト（Ｎｉ膜のテープ剥離テ
スト）で多数のものが不合格（ＮＧ）となる傾向にあっ
た。そこで、本発明は、上記事情を鑑みてなされたもの
であり、素体と電極との良好なオーミック接触を得ら
れ、しかも外観上の歩留り改善を図ることのできるＰＴ
Ｃサーミスタを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の発明は、ＰＴＣサーミスタ素体に厚み
０．２乃至０．７μｍのＮｉめっきからなる第１の電極
を形成し、この第１の電極の上に低接触抵抗金属を主成
分とする第２の電極を形成したことを特徴とするＰＴＣ
サーミスタである。
に請求項１記載の発明は、ＰＴＣサーミスタ素体に厚み
０．２乃至０．７μｍのＮｉめっきからなる第１の電極
を形成し、この第１の電極の上に低接触抵抗金属を主成
分とする第２の電極を形成したことを特徴とするＰＴＣ
サーミスタである。
【０００８】また、請求項２記載の発明は、低接触抵抗
金属は、５００℃以下の熱処理により得られることを特
徴とするものである。
金属は、５００℃以下の熱処理により得られることを特
徴とするものである。
【０００９】また、請求項３記載の発明は、低接触抵抗
金属は、Ａｇ，Ｓｎ，半田のいずれか１種を主成分とす
ることを特徴とするものである。
金属は、Ａｇ，Ｓｎ，半田のいずれか１種を主成分とす
ることを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】上記構成のＰＴＣサーミスタの作用を説明す
る。
る。
【００１１】請求項１記載のＰＴＣサーミスタによれ
ば、ＰＴＣサーミスタ素体に第１の電極を形成すると、
ＰＴＣサーミスタ素体中にＮｉめっき溶液等の水分が侵
入する。このため、第１の電極の上に形成した第２の電
極を焼付けると、ＰＴＣサーミスタ素体中に侵入した水
分が膨脹して破裂し、電極の表面にクレータ（破裂痕）
が発生する。そこで、第１の電極の厚みを０．２乃至
０．７μｍと薄くすることで被膜封止効果が抑えられ、
ＰＴＣサーミスタ素体中に侵入した水分が外部に放出さ
れ易くなり、クレータの発生が少なくなる。これによ
り、素体と電極との良好なオーミック接触を得られ、し
かも外観上の歩留りを改善できる。
ば、ＰＴＣサーミスタ素体に第１の電極を形成すると、
ＰＴＣサーミスタ素体中にＮｉめっき溶液等の水分が侵
入する。このため、第１の電極の上に形成した第２の電
極を焼付けると、ＰＴＣサーミスタ素体中に侵入した水
分が膨脹して破裂し、電極の表面にクレータ（破裂痕）
が発生する。そこで、第１の電極の厚みを０．２乃至
０．７μｍと薄くすることで被膜封止効果が抑えられ、
ＰＴＣサーミスタ素体中に侵入した水分が外部に放出さ
れ易くなり、クレータの発生が少なくなる。これによ
り、素体と電極との良好なオーミック接触を得られ、し
かも外観上の歩留りを改善できる。
【００１２】請求項２記載のＰＴＣサーミスタによれ
ば、５００℃以下の熱処理により、オーミック性の合格
率が向上する。
ば、５００℃以下の熱処理により、オーミック性の合格
率が向上する。
【００１３】請求項３記載のＰＴＣサーミスタによれ
ば、低接触抵抗金属は、Ａｇ，Ｓｎ，半田のいずれか１
種を主成分とするものであるから、請求項１又は２記載
と同様の作用を奏する。
ば、低接触抵抗金属は、Ａｇ，Ｓｎ，半田のいずれか１
種を主成分とするものであるから、請求項１又は２記載
と同様の作用を奏する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳述
する。
する。
【００１５】図１は本発明のＰＴＣサーミスタの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【００１６】本実施例のＰＴＣサーミスタは、ＰＴＣサ
ーミスタ素体１の表裏面に電極２，２を形成したもので
ある。
ーミスタ素体１の表裏面に電極２，２を形成したもので
ある。
【００１７】前記ＰＴＣサーミスタ素体１は、ＢａＴｉ
Ｏ3 を主成分とする正の抵抗温度特性を有する半導体磁
器からなり、例えば直径１８ｍｍ，厚み２．５ｍｍの円
板形状を有している。
Ｏ3 を主成分とする正の抵抗温度特性を有する半導体磁
器からなり、例えば直径１８ｍｍ，厚み２．５ｍｍの円
板形状を有している。
【００１８】前記電極２は、ＰＴＣサーミスタ素体１の
表裏面に形成された第１の電極２ａ，２ａと、この第１
の電極２ａ，２ａの上に形成された第２の電極２ｂ，２
ｂとの複数電極構成からなる。
表裏面に形成された第１の電極２ａ，２ａと、この第１
の電極２ａ，２ａの上に形成された第２の電極２ｂ，２
ｂとの複数電極構成からなる。
【００１９】第１の電極２ａ，２ａは、素体１の表裏面
に無電解Ｎｉめっき法により形成され、厚み０．２乃至
０．７μｍのＮｉめっきからなる。Ｎｉめっきは、本実
施例では被膜成分Ｎｉ約９０％及びＰ５乃至１２％から
なるＮｉ−Ｐ合金とした。なお、最低膜厚を０．２μｍ
としたのは、実際に量産した場合に、０．２μｍ以下に
するとめっきむら等の発生率が非常に高くなるおそれが
あるため、実用的には０．２μｍ以上が必要と考えたた
めである。従って、量産する上で問題が生じない限りは
厚みは更に薄くてもよい。また、最大膜厚０．７μｍ
は、後述するクレータの発生状況を主に考慮して決定し
たものである。
に無電解Ｎｉめっき法により形成され、厚み０．２乃至
０．７μｍのＮｉめっきからなる。Ｎｉめっきは、本実
施例では被膜成分Ｎｉ約９０％及びＰ５乃至１２％から
なるＮｉ−Ｐ合金とした。なお、最低膜厚を０．２μｍ
としたのは、実際に量産した場合に、０．２μｍ以下に
するとめっきむら等の発生率が非常に高くなるおそれが
あるため、実用的には０．２μｍ以上が必要と考えたた
めである。従って、量産する上で問題が生じない限りは
厚みは更に薄くてもよい。また、最大膜厚０．７μｍ
は、後述するクレータの発生状況を主に考慮して決定し
たものである。
【００２０】第２の電極２ｂ，２ｂは、厚み３乃至７μ
ｍの低接触抵抗金属であるＡｇからなる。第２の電極２
ｂ，２ｂの材料は、Ａｇの他にＳｎ又はＳｎ／Ｐｂ合金
等の低接触抵抗金属でもよい。
ｍの低接触抵抗金属であるＡｇからなる。第２の電極２
ｂ，２ｂの材料は、Ａｇの他にＳｎ又はＳｎ／Ｐｂ合金
等の低接触抵抗金属でもよい。
【００２１】次に、上記構成のＰＴＣサーミスタの一電
極形成方法について、図２に示す工程図をも参照して説
明する。
極形成方法について、図２に示す工程図をも参照して説
明する。
【００２２】まず、ＰＴＣサーミスタ素体１を市販の脱
脂剤に数分間浸漬した後、これを水洗して脱脂処理する
（Ｓ１）。次に、そのＰＴＣサーミスタ素体１を塩化第
１スズ溶液に浸漬して水洗し、塩化パラジウム溶液に浸
漬した後、水洗して触媒を付与する（Ｓ２）。そして、
第１の電極２ａ，２ａとなるＮｉ−Ｐ合金を形成する
（Ｓ３）。次に、２７０℃で１時間熱処理する（Ｓ
４）。次に、外周研削により、素体１の側面のＮｉめっ
きを除去する（Ｓ５）。ギャップＧ寸法１乃至２ｍｍを
設けて、第２の電極２ｂ，２ｂとなる厚み３乃至７μｍ
のＡｇを印刷する（Ｓ６）。５００℃で１０分間、Ａｇ
を焼付ける（Ｓ７）。このようにして、電極２が形成さ
れる。
脂剤に数分間浸漬した後、これを水洗して脱脂処理する
（Ｓ１）。次に、そのＰＴＣサーミスタ素体１を塩化第
１スズ溶液に浸漬して水洗し、塩化パラジウム溶液に浸
漬した後、水洗して触媒を付与する（Ｓ２）。そして、
第１の電極２ａ，２ａとなるＮｉ−Ｐ合金を形成する
（Ｓ３）。次に、２７０℃で１時間熱処理する（Ｓ
４）。次に、外周研削により、素体１の側面のＮｉめっ
きを除去する（Ｓ５）。ギャップＧ寸法１乃至２ｍｍを
設けて、第２の電極２ｂ，２ｂとなる厚み３乃至７μｍ
のＡｇを印刷する（Ｓ６）。５００℃で１０分間、Ａｇ
を焼付ける（Ｓ７）。このようにして、電極２が形成さ
れる。
【００２３】次に、上記構成の実施例のＰＴＣサーミス
タについて本発明者らが行った各種試験の結果（オーミ
ック性，クレータの評価，剥離強度，電圧印加試験）に
ついて表１乃至表５を参照して説明する。以下、サンプ
ルＮｏ１乃至１１は、表１に示す第１の電極（Ｎｉ）２
ａの厚み（μｍ），第２の電極（Ａｇ）２ｂの焼付け温
度（℃）の条件下でそれぞれ製造されたものである。
タについて本発明者らが行った各種試験の結果（オーミ
ック性，クレータの評価，剥離強度，電圧印加試験）に
ついて表１乃至表５を参照して説明する。以下、サンプ
ルＮｏ１乃至１１は、表１に示す第１の電極（Ｎｉ）２
ａの厚み（μｍ），第２の電極（Ａｇ）２ｂの焼付け温
度（℃）の条件下でそれぞれ製造されたものである。
【００２４】
【表１】
【００２５】(1) オーミック性（抵抗値測定） 表２は室温２５℃における抵抗値を全サンプルについて
測定した結果を示す。なお、同表中、評価欄の○印は合
格を示し、×印は不合格を示し、△印はその中間を示
す。
測定した結果を示す。なお、同表中、評価欄の○印は合
格を示し、×印は不合格を示し、△印はその中間を示
す。
【００２６】
【表２】
【００２７】(i) 第１の電極（Ｎｉ）２ａの厚みが薄
い場合（０．５μｍ以下）、第２の電極（Ａｇ）２ｂの
焼付け温度が５５０℃以上で抵抗値が高くなる傾向がみ
られた。これは、Ａｇペースト中のガラス成分が、第１
の電極（Ｎｉ）２ａを通り抜けて素体１中に拡散して行
くため、素体１の表面付近で絶縁層が形成され、抵抗値
が高くなったためと思われる。
い場合（０．５μｍ以下）、第２の電極（Ａｇ）２ｂの
焼付け温度が５５０℃以上で抵抗値が高くなる傾向がみ
られた。これは、Ａｇペースト中のガラス成分が、第１
の電極（Ｎｉ）２ａを通り抜けて素体１中に拡散して行
くため、素体１の表面付近で絶縁層が形成され、抵抗値
が高くなったためと思われる。
【００２８】(ii) 第１の電極（Ｎｉ）２ａの厚みが
０．２乃至０．７μｍの場合は、第２の電極（Ａｇ）２
ｂの焼付け温度を５００℃以下にすることにより合格率
が向上する。
０．２乃至０．７μｍの場合は、第２の電極（Ａｇ）２
ｂの焼付け温度を５００℃以下にすることにより合格率
が向上する。
【００２９】(iii) 特開平１−２３６６０２（松下電
器産業（株））では、０．７μｍ以下はオーミック性不
合格（ＮＧ）となっているが、これはＡｇ焼付け温度が
５６０℃と高温のためと思われる。
器産業（株））では、０．７μｍ以下はオーミック性不
合格（ＮＧ）となっているが、これはＡｇ焼付け温度が
５６０℃と高温のためと思われる。
【００３０】(iv) 特開平１−２３６６０２で単にオー
ミック性を○×で評価しているが、この評価方法は不明
であり、本実験のように抵抗値で評価しているとすれ
ば、第２の電極（Ａｇ）２ｂの焼付け温度の依存性を無
視してＮｉ厚み０．７μｍ以下はオーミック性不合格
（ＮＧ）と判断するのは早計といえる。
ミック性を○×で評価しているが、この評価方法は不明
であり、本実験のように抵抗値で評価しているとすれ
ば、第２の電極（Ａｇ）２ｂの焼付け温度の依存性を無
視してＮｉ厚み０．７μｍ以下はオーミック性不合格
（ＮＧ）と判断するのは早計といえる。
【００３１】(2) クレータ（破裂痕）の評価 表３はギャップＧが形成された第１の電極（Ｎｉ）２ａ
の表面（第２の電極２ｂが印刷されていない部分）に発
生しているクレータを観察し、発生量に応じたランク分
けをサンプルＮｏ．１，４，７，８，９について行った
結果を示す。なお、同表中、ランクＡはクレータがほと
んどないことを示し、ランクＢはわずかにクレータが有
ることを示し、ランクＣは多くのクレータが有ることを
示す。
の表面（第２の電極２ｂが印刷されていない部分）に発
生しているクレータを観察し、発生量に応じたランク分
けをサンプルＮｏ．１，４，７，８，９について行った
結果を示す。なお、同表中、ランクＡはクレータがほと
んどないことを示し、ランクＢはわずかにクレータが有
ることを示し、ランクＣは多くのクレータが有ることを
示す。
【００３２】
【表３】
【００３３】(i) その結果、第１の電極（Ｎｉ）２ａ
の厚みが０．５μｍ以下のサンプル（Ｎｏ．１，４）で
は、全くクレータが発生していないことが分かった。こ
れは、クレータ発生メカニズムより説明できる。すなわ
ち、クレータは、Ｎｉめっき処理前の触媒付与工程及び
めっき処理中に素体２中に侵入（素地粒界及び素地内の
空隙に溜まる）した水分残渣が、第２の電極（Ａｇ）２
ｂ焼付け時に膨脹して破裂するために形成されると考え
られる。従って、第１の電極（Ｎｉ）２ａが連続的で緻
密な膜であるため、Ｎｉめっき処理後の熱処理条件（２
７０℃，１ｈｒ）では、水分残渣が外部に放出されない
ためである（これをＮｉ被膜の封止効果という）。
の厚みが０．５μｍ以下のサンプル（Ｎｏ．１，４）で
は、全くクレータが発生していないことが分かった。こ
れは、クレータ発生メカニズムより説明できる。すなわ
ち、クレータは、Ｎｉめっき処理前の触媒付与工程及び
めっき処理中に素体２中に侵入（素地粒界及び素地内の
空隙に溜まる）した水分残渣が、第２の電極（Ａｇ）２
ｂ焼付け時に膨脹して破裂するために形成されると考え
られる。従って、第１の電極（Ｎｉ）２ａが連続的で緻
密な膜であるため、Ｎｉめっき処理後の熱処理条件（２
７０℃，１ｈｒ）では、水分残渣が外部に放出されない
ためである（これをＮｉ被膜の封止効果という）。
【００３４】(ii) 上記Ｎｉ被膜の封止効果は、図３乃
至図５に示すＮｉめっきの厚み別のモデル図からも明ら
かである。図３は厚みが０．５μｍ、図４は厚みが１．
０μｍ、図５は厚みが２．０μｍの場合を示す。第１の
電極（Ｎｉ）２ａの厚みが０．５μｍ以下の場合は、図
３に示すように、素地粒界付近にわずかなすき間が存在
するため、Ｎｉ被膜の封止効果が抑えられ、水分残渣が
放出され易くなる。これに対し、第１の電極（Ｎｉ）２
ａの厚みが１．０μｍ（図４参照）及び２．０μｍ（図
５参照）では、図３に示すような素体１の素面粒子１′
が放出されることがなく、封止効果が大きく、クレータ
が発生し易いといえる。
至図５に示すＮｉめっきの厚み別のモデル図からも明ら
かである。図３は厚みが０．５μｍ、図４は厚みが１．
０μｍ、図５は厚みが２．０μｍの場合を示す。第１の
電極（Ｎｉ）２ａの厚みが０．５μｍ以下の場合は、図
３に示すように、素地粒界付近にわずかなすき間が存在
するため、Ｎｉ被膜の封止効果が抑えられ、水分残渣が
放出され易くなる。これに対し、第１の電極（Ｎｉ）２
ａの厚みが１．０μｍ（図４参照）及び２．０μｍ（図
５参照）では、図３に示すような素体１の素面粒子１′
が放出されることがなく、封止効果が大きく、クレータ
が発生し易いといえる。
【００３５】(3) 剥離強度 表４は第２の電極（Ａｇ）２ｂ上にリード線（０．５
φ）を電極２面に並行させて半田付けし、このリード線
を素体２の面に対して垂直に引張り、リード線が外れる
時の力をサンプルＮｏ．１，４，７，８，９について測
定した結果を示す。
φ）を電極２面に並行させて半田付けし、このリード線
を素体２の面に対して垂直に引張り、リード線が外れる
時の力をサンプルＮｏ．１，４，７，８，９について測
定した結果を示す。
【００３６】
【表４】
【００３７】(i) その結果、第１の電極（Ｎｉ）２ａ
の厚みが２．０μｍのサンプル（Ｎｏ．９）は、引張り
強度が低く、剥離モードも第１の電極２ａ，第２の電極
２ｂ間（Ｎｉ−Ａｇ間）がほとんどであった。これは、
第１の電極（Ｎｉ）２ａの厚みの増大により、第１の電
極（Ｎｉ）２ａの表面が丸味を持ち、凹凸が少なくなる
ことに起因していると思われる。第１の電極（Ｎｉ）２
ａの厚みが薄ければ薄い程表面の凹凸状態は激しくな
り、これが接触面積を増加させ、強度を向上させたと考
えられる。
の厚みが２．０μｍのサンプル（Ｎｏ．９）は、引張り
強度が低く、剥離モードも第１の電極２ａ，第２の電極
２ｂ間（Ｎｉ−Ａｇ間）がほとんどであった。これは、
第１の電極（Ｎｉ）２ａの厚みの増大により、第１の電
極（Ｎｉ）２ａの表面が丸味を持ち、凹凸が少なくなる
ことに起因していると思われる。第１の電極（Ｎｉ）２
ａの厚みが薄ければ薄い程表面の凹凸状態は激しくな
り、これが接触面積を増加させ、強度を向上させたと考
えられる。
【００３８】(4) 電圧印加試験 表５は第１の電極（Ｎｉ）２ａの厚みを薄くした場合の
各種負荷試験（常温断続負荷試験，高温連続負荷試
験，湿中断続負荷試験）後の初期抵抗値の変化率をサ
ンプルＮｏ．１，４，８，９について測定した結果を示
す。常温断続負荷試験では、常温，常湿中，電圧ＡＣ１
８０Ｖ，負荷抵抗１２Ω，サイクル（１分ＯＮ−５分Ｏ
ＦＦ）の条件で１０００サイクル迄行い、高温連続負荷
試験では、１５０±2 ℃，電圧ＡＣ１８０Ｖ，負荷抵抗
１２Ωの連続印加条件で２０００時間迄行い、湿中断続
負荷試験では、４０±2 ℃，９０乃至９５％ＲＨ，ＡＣ
１８０Ｖ，負荷抵抗１２Ω，サイクル（３０分ＯＮ−９
０分ＯＦＦ）の条件で１０００サイクル迄行ったもので
ある。
各種負荷試験（常温断続負荷試験，高温連続負荷試
験，湿中断続負荷試験）後の初期抵抗値の変化率をサ
ンプルＮｏ．１，４，８，９について測定した結果を示
す。常温断続負荷試験では、常温，常湿中，電圧ＡＣ１
８０Ｖ，負荷抵抗１２Ω，サイクル（１分ＯＮ−５分Ｏ
ＦＦ）の条件で１０００サイクル迄行い、高温連続負荷
試験では、１５０±2 ℃，電圧ＡＣ１８０Ｖ，負荷抵抗
１２Ωの連続印加条件で２０００時間迄行い、湿中断続
負荷試験では、４０±2 ℃，９０乃至９５％ＲＨ，ＡＣ
１８０Ｖ，負荷抵抗１２Ω，サイクル（３０分ＯＮ−９
０分ＯＦＦ）の条件で１０００サイクル迄行ったもので
ある。
【００３９】
【表５】
【００４０】各試験後の変化率において、第１の電極
（Ｎｉ）２ａの厚みとの相関はほとんどみられなかっ
た。従って、第１の電極（Ｎｉ）２ａの厚みが０．２乃
至０．７μｍであっても、従来（２．０μｍ）と同等の
実用上の信頼性が保証できることが確認された。
（Ｎｉ）２ａの厚みとの相関はほとんどみられなかっ
た。従って、第１の電極（Ｎｉ）２ａの厚みが０．２乃
至０．７μｍであっても、従来（２．０μｍ）と同等の
実用上の信頼性が保証できることが確認された。
【００４１】このような上記実施例によれば、以下の効
果を奏する。
果を奏する。
【００４２】(1) クレータの評価結果より、第２の電極
（Ａｇ）２ｂ焼付け後にクレータが全く発生せず、外観
歩留りが大幅に改善できた。
（Ａｇ）２ｂ焼付け後にクレータが全く発生せず、外観
歩留りが大幅に改善できた。
【００４３】(2) 第１の電極（Ｎｉ）２ａの厚みを１μ
ｍ以下と薄くしたので、めっき処理時間が従来の１／３
乃至１／１０に短縮でき、めっき処理能力が向上でき、
めっき材料の削減（コストダウン）が可能となり、生産
能力が向上した。
ｍ以下と薄くしたので、めっき処理時間が従来の１／３
乃至１／１０に短縮でき、めっき処理能力が向上でき、
めっき材料の削減（コストダウン）が可能となり、生産
能力が向上した。
【００４４】(3) Ｎｉピーリングテストで不合格（Ｎ
Ｇ）が全く発生しなくなった。
Ｇ）が全く発生しなくなった。
【００４５】(4) 剥離強度の測定結果より、剥離強度が
向上した（テープテストでのＮＧロットがなくなっ
た）。
向上した（テープテストでのＮＧロットがなくなっ
た）。
【００４６】なお、本発明は上記実施例に限定されず、
その要旨を変更しない範囲内で種々に変形実施可能であ
る。
その要旨を変更しない範囲内で種々に変形実施可能であ
る。
【００４７】
【発明の効果】以上詳述した請求項１記載の発明によれ
ば、第１の電極の厚みを０．２乃至０．７μｍと薄くし
て、第２の電極を焼付ける際にＰＴＣサーミスタ素体中
に侵入したＮｉめっき溶液等の水分を外部に放出し易く
し、電極表面のクレータの発生を減らしたので、素体と
電極との良好なオーミック接触を得られ、しかも外観上
の歩留り改善を図ることのできるＰＴＣサーミスタを提
供することができる。
ば、第１の電極の厚みを０．２乃至０．７μｍと薄くし
て、第２の電極を焼付ける際にＰＴＣサーミスタ素体中
に侵入したＮｉめっき溶液等の水分を外部に放出し易く
し、電極表面のクレータの発生を減らしたので、素体と
電極との良好なオーミック接触を得られ、しかも外観上
の歩留り改善を図ることのできるＰＴＣサーミスタを提
供することができる。
【００４８】請求項２記載の発明によれば、５００℃以
下の熱処理により、オーミック性の合格率が向上する。
下の熱処理により、オーミック性の合格率が向上する。
【００４９】請求項３記載の発明によれば、低接触抵抗
金属は、Ａｇ，Ｓｎ，半田のいずれか１種を主成分とす
るものであるから、請求項１又は２記載と同様の効果を
奏する。
金属は、Ａｇ，Ｓｎ，半田のいずれか１種を主成分とす
るものであるから、請求項１又は２記載と同様の効果を
奏する。
【図１】本発明のＰＴＣサーミスタの一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明のＰＴＣサーミスタの一電極形成方法を
示す工程図である。
示す工程図である。
【図３】Ｎｉ被膜の封止効果を示す図である。
【図４】Ｎｉ被膜の封止効果を示す図である。
【図５】Ｎｉ被膜の封止効果を示す図である。
１ ＰＴＣサーミスタ素体 ２ 電極 ２ａ 第１の電極 ２ｂ 第２の電極
Claims (3)
- 【請求項１】 ＰＴＣサーミスタ素体に厚み０．２乃至
０．７μｍのＮｉめっきからなる第１の電極を形成し、
この第１の電極の上に低接触抵抗金属を主成分とする第
２の電極を形成したことを特徴とするＰＴＣサーミス
タ。 - 【請求項２】 前記低接触抵抗金属は、５００℃以下の
熱処理により得られることを特徴とする請求項１記載の
ＰＴＣサーミスタ。 - 【請求項３】 前記低接触抵抗金属は、Ａｇ，Ｓｎ，半
田のいずれか１種を主成分とすることを特徴とする請求
項１又は２記載のＰＴＣサーミスタ。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152184A JPH05343201A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | Ｐｔｃサーミスタ |
| US08/072,318 US5337038A (en) | 1992-06-11 | 1993-06-03 | PTC thermistor |
| DE69313725T DE69313725T2 (de) | 1992-06-11 | 1993-06-07 | Verfahren zur Herstellung eines PTC-Thermistors |
| SG1996003064A SG43056A1 (en) | 1992-06-11 | 1993-06-07 | Ptc thermistor |
| EP93109134A EP0573945B1 (en) | 1992-06-11 | 1993-06-07 | Process for manufacturing a PTC thermistor |
| KR1019930010522A KR100291806B1 (ko) | 1992-06-11 | 1993-06-10 | 피티시(ptc)서미스터 |
| CN93108408A CN1038455C (zh) | 1992-06-11 | 1993-06-11 | 正温度系数热敏电阻器及其制造方法 |
| HK98101859.1A HK1002737B (en) | 1992-06-11 | 1998-03-06 | Process for manufacturing a ptc thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4152184A JPH05343201A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | Ｐｔｃサーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343201A true JPH05343201A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15534897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4152184A Pending JPH05343201A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | Ｐｔｃサーミスタ |
Country Status (7)
| Country | Link |
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| EP (1) | EP0573945B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05343201A (ja) |
| KR (1) | KR100291806B1 (ja) |
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| DE (1) | DE69313725T2 (ja) |
| SG (1) | SG43056A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6133821A (en) * | 1997-10-27 | 2000-10-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | PTC thermistor with improved flash pressure resistance |
| JP2004342658A (ja) * | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Nichicon Corp | 正特性サーミスタ素子の製造方法 |
| JP2005209815A (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サーミスタ |
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| US6282072B1 (en) | 1998-02-24 | 2001-08-28 | Littelfuse, Inc. | Electrical devices having a polymer PTC array |
| CN1050926C (zh) * | 1998-04-17 | 2000-03-29 | 黄恒超 | 一种高分子热敏元件及其制造方法 |
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| US6965293B2 (en) | 2000-04-08 | 2005-11-15 | Lg Cable, Ltd. | Electrical device having PTC conductive polymer |
| AU2001282459A1 (en) | 2000-08-22 | 2002-03-04 | A.T.C.T.-Advanced Thermal Chips Technologies Ltd. | Liquid heating method and apparatus particularly useful for vaporizing a liquid condensate from cooling devices |
| US6628498B2 (en) | 2000-08-28 | 2003-09-30 | Steven J. Whitney | Integrated electrostatic discharge and overcurrent device |
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| US7271369B2 (en) * | 2005-08-26 | 2007-09-18 | Aem, Inc. | Multilayer positive temperature coefficient device and method of making the same |
| DE102006017796A1 (de) * | 2006-04-18 | 2007-10-25 | Epcos Ag | Elektrisches Kaltleiter-Bauelement |
| JP5590494B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2014-09-17 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物−電極接合体の製造方法 |
| CN102436991B (zh) * | 2011-08-05 | 2014-05-21 | 佛山市海欣光电科技有限公司 | 一种降低电极导电棒电镀厚度的方法 |
| KR101875333B1 (ko) * | 2017-07-14 | 2018-07-05 | 군산대학교산학협력단 | Ptc 세라믹 서미스터 및 이의 제조방법 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS498379A (ja) * | 1972-05-22 | 1974-01-24 | ||
| JPS4954889A (ja) * | 1972-08-25 | 1974-05-28 | ||
| JPS53118759A (en) * | 1977-03-25 | 1978-10-17 | Murata Manufacturing Co | Positive temperature characteristic semiconductive resistance |
| DE2905905A1 (de) * | 1978-02-22 | 1979-08-23 | Tdk Electronics Co Ltd | Wabenfoermiges heizelement |
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| KR970006424B1 (ko) * | 1990-02-22 | 1997-04-28 | 가부시키가이샤 무라타세이사큐쇼 | 정특성더미스터와 그 제조방법 |
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1992
- 1992-06-11 JP JP4152184A patent/JPH05343201A/ja active Pending
-
1993
- 1993-06-03 US US08/072,318 patent/US5337038A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-07 EP EP93109134A patent/EP0573945B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-07 SG SG1996003064A patent/SG43056A1/en unknown
- 1993-06-07 DE DE69313725T patent/DE69313725T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-06-10 KR KR1019930010522A patent/KR100291806B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1993-06-11 CN CN93108408A patent/CN1038455C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5337038A (en) | 1994-08-09 |
| HK1002737A1 (en) | 1998-09-11 |
| DE69313725T2 (de) | 1999-01-28 |
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|---|---|---|---|
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