JPH05343331A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH05343331A JPH05343331A JP14533592A JP14533592A JPH05343331A JP H05343331 A JPH05343331 A JP H05343331A JP 14533592 A JP14533592 A JP 14533592A JP 14533592 A JP14533592 A JP 14533592A JP H05343331 A JPH05343331 A JP H05343331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- supply head
- gas supply
- cooling jacket
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＣＶＤ装置において、反応性ガス供給ヘッドを
効率的に冷却する事により、反応生成物の塵埃によるウ
エハ汚染を低減し、半導体素子製造過程における歩留ま
りの向上と高スループット化を実現する。 【構成】ガス供給ヘッド２は、ガスバッファ室１８を囲
む様に冷却ジャケット２１が、ガスバッファ室１８から
冷却ジャケット２１を貫通する様に、微小孔を有する複
数本の連結棒１９が設けられる。この微小孔がガス噴出
口１７となり、反応性ガスをＣＶＤ反応炉１内に供給す
る。この時、この冷却ジャケットに冷却流体を流動させ
る。
効率的に冷却する事により、反応生成物の塵埃によるウ
エハ汚染を低減し、半導体素子製造過程における歩留ま
りの向上と高スループット化を実現する。 【構成】ガス供給ヘッド２は、ガスバッファ室１８を囲
む様に冷却ジャケット２１が、ガスバッファ室１８から
冷却ジャケット２１を貫通する様に、微小孔を有する複
数本の連結棒１９が設けられる。この微小孔がガス噴出
口１７となり、反応性ガスをＣＶＤ反応炉１内に供給す
る。この時、この冷却ジャケットに冷却流体を流動させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ装置、特に、真
空容器内に設けられたヒータと均熱板から成るサセプタ
上に半導体ウエハを載置し、ウエハを加熱することによ
り、ウエハ面上に薄膜を成膜するＣＶＤ装置に関する。
空容器内に設けられたヒータと均熱板から成るサセプタ
上に半導体ウエハを載置し、ウエハを加熱することによ
り、ウエハ面上に薄膜を成膜するＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜製造装置（以下、ＣＶＤ装
置）では、ガス供給ヘッドとウエハを載置するためのサ
セプタが対向する様な構造になっている。そのため、サ
セプタによる輻射熱や、ガスによる伝導によりガス供給
ヘッドが加熱されるため、反応性ガスがガス供給ヘッド
内で熱反応する事を防止したり、塵埃によるウエハ汚染
低減の観点からガス供給ヘッドに反応成生物が付着する
事を防ぐ必要がある。この様な事を解決するために、実
開平3−109329 号公報では、ガス供給ヘッドに水冷ジャ
ケットを設け、水を循環させることにより、ガス供給ヘ
ッド部を冷却している。しかし、この様な構造では、最
も冷却する必要のあるガス噴出口部分の冷却が不十分で
ある。これは、ガス噴出口部分を構成する部材とジャケ
ットを構成する部材が別部材であり、完全に接続（熱的
に）されていないため、特に、チャンバ圧力が低い装置
では、ガス噴出口部を構成する部材からジャケットを構
成する部材への熱伝達効率が低下するためである。
置）では、ガス供給ヘッドとウエハを載置するためのサ
セプタが対向する様な構造になっている。そのため、サ
セプタによる輻射熱や、ガスによる伝導によりガス供給
ヘッドが加熱されるため、反応性ガスがガス供給ヘッド
内で熱反応する事を防止したり、塵埃によるウエハ汚染
低減の観点からガス供給ヘッドに反応成生物が付着する
事を防ぐ必要がある。この様な事を解決するために、実
開平3−109329 号公報では、ガス供給ヘッドに水冷ジャ
ケットを設け、水を循環させることにより、ガス供給ヘ
ッド部を冷却している。しかし、この様な構造では、最
も冷却する必要のあるガス噴出口部分の冷却が不十分で
ある。これは、ガス噴出口部分を構成する部材とジャケ
ットを構成する部材が別部材であり、完全に接続（熱的
に）されていないため、特に、チャンバ圧力が低い装置
では、ガス噴出口部を構成する部材からジャケットを構
成する部材への熱伝達効率が低下するためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】反応性ガスがガス供給
ヘッド内で熱反応する事や、ガス供給ヘッドに反応成生
物が付着する事を防止し、反応成生物の塵埃によるウエ
ハ汚染を低減するため、ガス供給ヘッドのガス噴出口部
分を効率的に冷却する。
ヘッド内で熱反応する事や、ガス供給ヘッドに反応成生
物が付着する事を防止し、反応成生物の塵埃によるウエ
ハ汚染を低減するため、ガス供給ヘッドのガス噴出口部
分を効率的に冷却する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガス供給ヘッ
ド部のガス噴出口部を効率的に冷却するために、 (1）ガス供給ヘッドを囲む様に冷却ジャケットを設け、
ガス供給ヘッドのガスバッファ室から冷却ジャケットを
貫通する複数本の微小孔を有する棒を冷却ジャケットを
構成する板に固定し、この微小孔をガス噴出口として、
反応性ガスをチャンバ内に供給する様にする。
ド部のガス噴出口部を効率的に冷却するために、 (1）ガス供給ヘッドを囲む様に冷却ジャケットを設け、
ガス供給ヘッドのガスバッファ室から冷却ジャケットを
貫通する複数本の微小孔を有する棒を冷却ジャケットを
構成する板に固定し、この微小孔をガス噴出口として、
反応性ガスをチャンバ内に供給する様にする。
【０００５】(2）また、この棒の断面形状や配置を変化
させる。
させる。
【０００６】
【作用】ガス供給ヘッドを囲む様に冷却ジャケットを設
け、ガス供給ヘッドのガスバッファ室から冷却ジャケッ
トを貫通する複数本の微小孔を有する棒を冷却ジャケッ
トを構成する板に固定し、この微小孔をガス噴出口とし
て、反応性ガスをチャンバ内に供給する様な構造にし、
このジャケット部に冷却流体を流すことにより、ガス噴
出口部分の部材を直接冷却できる。これにより、ガス供
給ヘッドのガス噴出口部を効率的に冷却できるので、反
応性ガスがガス供給ヘッド内で熱反応する事や、ガス供
給ヘッドに反応成生物が付着する事を防止し、反応生成
物の塵埃によるウエハ汚染を低減できる。このようにし
て、半導体素子製造過程の歩留まりの向上と高スループ
ット化が実現できる。
け、ガス供給ヘッドのガスバッファ室から冷却ジャケッ
トを貫通する複数本の微小孔を有する棒を冷却ジャケッ
トを構成する板に固定し、この微小孔をガス噴出口とし
て、反応性ガスをチャンバ内に供給する様な構造にし、
このジャケット部に冷却流体を流すことにより、ガス噴
出口部分の部材を直接冷却できる。これにより、ガス供
給ヘッドのガス噴出口部を効率的に冷却できるので、反
応性ガスがガス供給ヘッド内で熱反応する事や、ガス供
給ヘッドに反応成生物が付着する事を防止し、反応生成
物の塵埃によるウエハ汚染を低減できる。このようにし
て、半導体素子製造過程の歩留まりの向上と高スループ
ット化が実現できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１から図７を用い
て説明する。図１は、本発明の第１実施例のＣＶＤ装置
の断面図を、図２（ａ)(ｂ）及び図３は、第１実施例の
ガス供給ヘッドの断面を、図４は、第２実施例のガス供
給ヘッドの断面を、図５は、第３実施例のガス供給ヘッ
ドの断面を、図６は、第４実施例のガス供給ヘッドの断
面を、図７は、その他実施例での貫通棒の断面形状を示
したものである。
て説明する。図１は、本発明の第１実施例のＣＶＤ装置
の断面図を、図２（ａ)(ｂ）及び図３は、第１実施例の
ガス供給ヘッドの断面を、図４は、第２実施例のガス供
給ヘッドの断面を、図５は、第３実施例のガス供給ヘッ
ドの断面を、図６は、第４実施例のガス供給ヘッドの断
面を、図７は、その他実施例での貫通棒の断面形状を示
したものである。
【０００８】図１を用いて、第１実施例のＣＶＤ装置を
説明する。図１に示す様に、ＣＶＤ装置は、ＣＶＤ反応
炉１，反応性ガスを供給するためのガス供給ヘッド２，
ウエハ４を加熱するためのサセプタ３，ＣＶＤ反応炉１
内に成膜前のウエハ４を持ち込んだり、成膜後のウエハ
４を持ち出すためのウエハ搬送系を装備したロードロッ
ク室を接続するためのポート５，ＣＶＤ反応炉１内を必
要な圧力に設定するための真空排気系を接続するための
ポート６により構成される。
説明する。図１に示す様に、ＣＶＤ装置は、ＣＶＤ反応
炉１，反応性ガスを供給するためのガス供給ヘッド２，
ウエハ４を加熱するためのサセプタ３，ＣＶＤ反応炉１
内に成膜前のウエハ４を持ち込んだり、成膜後のウエハ
４を持ち出すためのウエハ搬送系を装備したロードロッ
ク室を接続するためのポート５，ＣＶＤ反応炉１内を必
要な圧力に設定するための真空排気系を接続するための
ポート６により構成される。
【０００９】サセプタ３は、ヒータ７と押上棒９，ベロ
ーズ１０，シリンダ１１，サポート１２より成るウエハ
押上機構８及びヒータ７に電力を供給するための電力線
１３により構成される。
ーズ１０，シリンダ１１，サポート１２より成るウエハ
押上機構８及びヒータ７に電力を供給するための電力線
１３により構成される。
【００１０】図２（ａ)(ｂ）及び図３を用いて、ガス供
給ヘッド２を説明する。図２（ａ）に示す様に、ガス供
給ヘッド２は、ガスバッファ室１８を囲む様に冷却ジャ
ケット２１が、ガスバッファ室１８から冷却ジャケット
２１を貫通する様に、微小孔を有する複数の連結棒１９
が設けられる。また、ガス供給ヘッド２には、反応性ガ
スを導入するための反応性ガス導入口１４，冷却流体を
導入，導出するための冷却流体流入口１５及び冷却流体
流出口１６，ガス噴出口１７，流路２０が付属する。図
２（ｂ）は、図２（ａ）をガス噴出口１７側から見た図
である。この図に示す様に、ガス噴出口１７（連結棒１
９）は、格子状に配置されている。
給ヘッド２を説明する。図２（ａ）に示す様に、ガス供
給ヘッド２は、ガスバッファ室１８を囲む様に冷却ジャ
ケット２１が、ガスバッファ室１８から冷却ジャケット
２１を貫通する様に、微小孔を有する複数の連結棒１９
が設けられる。また、ガス供給ヘッド２には、反応性ガ
スを導入するための反応性ガス導入口１４，冷却流体を
導入，導出するための冷却流体流入口１５及び冷却流体
流出口１６，ガス噴出口１７，流路２０が付属する。図
２（ｂ）は、図２（ａ）をガス噴出口１７側から見た図
である。この図に示す様に、ガス噴出口１７（連結棒１
９）は、格子状に配置されている。
【００１１】通常のＣＶＤ装置では、ＣＶＤ反応炉１内
圧力が０.１ から数Torr程度であり、ガスバッファ室１
８の圧力が数十Torr程度であるので、ガスバッファ室１
８に導かれた反応性ガスは、ガス噴出口１７の孔径が同
一であれば、それぞれの孔から、同一量のガスが噴流と
なって、サセプタ３上のウエハ４に供給される。図３
は、図２（ａ）のＩ−Ｉ断面を示したものである。冷却
流体は、パイプ２２から冷却ジャケット２１に流入し、
せき止め板２４や連結棒１９に衝突しながら、パイプ２
方向に向かって図中矢印の様に流れる。
圧力が０.１ から数Torr程度であり、ガスバッファ室１
８の圧力が数十Torr程度であるので、ガスバッファ室１
８に導かれた反応性ガスは、ガス噴出口１７の孔径が同
一であれば、それぞれの孔から、同一量のガスが噴流と
なって、サセプタ３上のウエハ４に供給される。図３
は、図２（ａ）のＩ−Ｉ断面を示したものである。冷却
流体は、パイプ２２から冷却ジャケット２１に流入し、
せき止め板２４や連結棒１９に衝突しながら、パイプ２
方向に向かって図中矢印の様に流れる。
【００１２】この様な装置構成で、ロードロック室（図
示せず）からＣＶＤ反応炉１内のサセプタ３の真上にウ
エハ４を持込み、ウエハ押上機構８を用いて、予め決め
られた温度に設定されたサセプタ３上にウエハ４を設置
する。そして、ガス供給ヘッド２の反応性ガス導入口１
４からガスバッファ室１８に導かれた反応性ガスは、複
数の連結棒１９の微小孔がガス噴出口１７となり、この
ガス噴出口１７からＣＶＤ反応炉１内に噴出する。
示せず）からＣＶＤ反応炉１内のサセプタ３の真上にウ
エハ４を持込み、ウエハ押上機構８を用いて、予め決め
られた温度に設定されたサセプタ３上にウエハ４を設置
する。そして、ガス供給ヘッド２の反応性ガス導入口１
４からガスバッファ室１８に導かれた反応性ガスは、複
数の連結棒１９の微小孔がガス噴出口１７となり、この
ガス噴出口１７からＣＶＤ反応炉１内に噴出する。
【００１３】ガス供給ヘッド２は、高温のサセプタ３か
らの輻射熱とＣＶＤ反応炉１内のガスの伝導熱により温
度上昇する。この温度上昇を、冷却流体流入口１５から
導入した冷却流体を、流路２０を経て冷却流体流出口１
６から導出することにより冷却する。この際、冷却流体
が、直接、冷却ジャケット２１を構成する部材を冷却す
る事ができるので、効果的な冷却が実現できる。
らの輻射熱とＣＶＤ反応炉１内のガスの伝導熱により温
度上昇する。この温度上昇を、冷却流体流入口１５から
導入した冷却流体を、流路２０を経て冷却流体流出口１
６から導出することにより冷却する。この際、冷却流体
が、直接、冷却ジャケット２１を構成する部材を冷却す
る事ができるので、効果的な冷却が実現できる。
【００１４】この様に、ガス供給ヘッド２を効率的に冷
却することにより、反応性ガスがガス供給ヘッド２内で
熱反応する事や、ガス供給ヘッド２に反応成生物が付着
する事を防止し、反応生成物の塵埃によるウエハ汚染を
低減できる。こうして、半導体素子製造過程の歩留まり
の向上と高スループット化が実現できる。
却することにより、反応性ガスがガス供給ヘッド２内で
熱反応する事や、ガス供給ヘッド２に反応成生物が付着
する事を防止し、反応生成物の塵埃によるウエハ汚染を
低減できる。こうして、半導体素子製造過程の歩留まり
の向上と高スループット化が実現できる。
【００１５】図４は、第２実施例について、図２に示し
た様にガス供給ヘッド２のＩ−Ｉ断面を示した図であ
る。図４に示す様に、この実施例では、直径の異なる２
種類の連結棒１９を用いて、適当に配置し、冷却流体
を、パイプ２２から冷却ジャケット２１に流入させ、せ
き止め板２４や連結棒１９に衝突させながら、パイプ２
方向に向かって、水冷ジャケット２１内を均等に図中矢
印の様に流すことにより、ガス供給ヘッド２を均一に、
効率的に冷却することが出来る。
た様にガス供給ヘッド２のＩ−Ｉ断面を示した図であ
る。図４に示す様に、この実施例では、直径の異なる２
種類の連結棒１９を用いて、適当に配置し、冷却流体
を、パイプ２２から冷却ジャケット２１に流入させ、せ
き止め板２４や連結棒１９に衝突させながら、パイプ２
方向に向かって、水冷ジャケット２１内を均等に図中矢
印の様に流すことにより、ガス供給ヘッド２を均一に、
効率的に冷却することが出来る。
【００１６】この様に、ガス供給ヘッド２を効率的に冷
却することにより、反応性ガスがガス供給ヘッド２内で
熱反応する事や、ガス供給ヘッド２に反応成生物が付着
する事を防止し、反応生成物の塵埃によるウエハ汚染を
低減できる。こうして、半導体素子製造過程の歩留まり
の向上と高スループット化が実現できる。
却することにより、反応性ガスがガス供給ヘッド２内で
熱反応する事や、ガス供給ヘッド２に反応成生物が付着
する事を防止し、反応生成物の塵埃によるウエハ汚染を
低減できる。こうして、半導体素子製造過程の歩留まり
の向上と高スループット化が実現できる。
【００１７】図５は、第３実施例について、図２に示し
た様にガス供給ヘッド２のＩ−Ｉ断面を示した図であ
る。図５に示す様に、この実施例では、円形断面と長円
形断面の異なる２種類の連結棒１９を用いて、適当に配
置し、冷却流体を、パイプ２２から冷却ジャケット２１
に流入させ、せき止め板２４や連結棒１９に衝突させな
がら、パイプ２方向に向かって、水冷ジャケット２１内
を均等に図中矢印の様に流すことにより、ガス供給ヘッ
ド２を均一に、効率的に冷却することが出来る。
た様にガス供給ヘッド２のＩ−Ｉ断面を示した図であ
る。図５に示す様に、この実施例では、円形断面と長円
形断面の異なる２種類の連結棒１９を用いて、適当に配
置し、冷却流体を、パイプ２２から冷却ジャケット２１
に流入させ、せき止め板２４や連結棒１９に衝突させな
がら、パイプ２方向に向かって、水冷ジャケット２１内
を均等に図中矢印の様に流すことにより、ガス供給ヘッ
ド２を均一に、効率的に冷却することが出来る。
【００１８】この様に、ガス供給ヘッド２を効率的に冷
却することにより、反応性ガスがガス供給ヘッド２内で
熱反応する事や、ガス供給ヘッド２に反応成生物が付着
する事を防止し、反応生成物の塵埃によるウエハ汚染を
低減できる。こうして、半導体素子製造過程の歩留まり
の向上と高スループット化が実現できる。
却することにより、反応性ガスがガス供給ヘッド２内で
熱反応する事や、ガス供給ヘッド２に反応成生物が付着
する事を防止し、反応生成物の塵埃によるウエハ汚染を
低減できる。こうして、半導体素子製造過程の歩留まり
の向上と高スループット化が実現できる。
【００１９】図６は、第４実施例について、図２に示し
た様にガス供給ヘッド２のＩ−Ｉ断面を示した図であ
る。図６に示す様に、この実施例では、矩形断面の連結
棒１９を用いて、適当に配置し、冷却流体を、パイプ２
２から冷却ジャケット２１に流入させ、せき止め板２４
や連結棒１９に衝突させながら、パイプ２方向に向かっ
て、水冷ジャケット２１内を均等に図中矢印の様に流す
ことにより、ガス供給ヘッド２を均一に、効率的に冷却
することが出来る。
た様にガス供給ヘッド２のＩ−Ｉ断面を示した図であ
る。図６に示す様に、この実施例では、矩形断面の連結
棒１９を用いて、適当に配置し、冷却流体を、パイプ２
２から冷却ジャケット２１に流入させ、せき止め板２４
や連結棒１９に衝突させながら、パイプ２方向に向かっ
て、水冷ジャケット２１内を均等に図中矢印の様に流す
ことにより、ガス供給ヘッド２を均一に、効率的に冷却
することが出来る。
【００２０】この様に、ガス供給ヘッド２を効率的に冷
却することにより、反応性ガスがガス供給ヘッド２内で
熱反応する事や、ガス供給ヘッド２に反応成生物が付着
する事を防止し、反応生成物の塵埃によるウエハ汚染を
低減できる。このようにして、半導体素子製造過程の歩
留まりの向上と高スループット化が実現できる。
却することにより、反応性ガスがガス供給ヘッド２内で
熱反応する事や、ガス供給ヘッド２に反応成生物が付着
する事を防止し、反応生成物の塵埃によるウエハ汚染を
低減できる。このようにして、半導体素子製造過程の歩
留まりの向上と高スループット化が実現できる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、ガス供給ヘッドのガス
噴出口部を効率的に冷却できるので、反応性ガスがガス
供給ヘッド内で熱反応する事や、ガス供給ヘッドに反応
成生物が付着する事を防止し、反応生成物の塵埃による
ウエハ汚染を低減できるので、半導体素子製造過程の歩
留まりの向上と高スループット化が実現できる。
噴出口部を効率的に冷却できるので、反応性ガスがガス
供給ヘッド内で熱反応する事や、ガス供給ヘッドに反応
成生物が付着する事を防止し、反応生成物の塵埃による
ウエハ汚染を低減できるので、半導体素子製造過程の歩
留まりの向上と高スループット化が実現できる。
【図１】本発明の第１実施例のＣＶＤ装置の構造を示す
断面図。
断面図。
【図２】本発明の第１実施例のガス供給ヘッドの構造を
示す断面図。
示す断面図。
【図３】図２のガス供給ヘッドのＩ−Ｉ矢視断面図。
【図４】本発明の第２実施例のガス供給ヘッドの構造を
示す断面図。
示す断面図。
【図５】本発明の第３実施例のガス供給ヘッドの構造を
示す断面図。
示す断面図。
【図６】本発明の第４実施例のガス供給ヘッドの構造を
示す断面図。
示す断面図。
１…ＣＶＤ反応炉、２…ガス供給ヘッド、３…サセプ
タ、４…ウエハ、５，６…ポート、７…ヒータ、８…ウ
エハ押上機構、９…押上棒、１０…ベローズ、１１…シ
リンダ、１２…サポート、１３…電力線、１４…反応性
ガス導入口、１５…冷却流体流入口、１６…冷却流体流
出口、１７…ガス噴出口、１８…ガスバッファ室、１９
…連結棒、２０…流路、２１…冷却ジャケット。
タ、４…ウエハ、５，６…ポート、７…ヒータ、８…ウ
エハ押上機構、９…押上棒、１０…ベローズ、１１…シ
リンダ、１２…サポート、１３…電力線、１４…反応性
ガス導入口、１５…冷却流体流入口、１６…冷却流体流
出口、１７…ガス噴出口、１８…ガスバッファ室、１９
…連結棒、２０…流路、２１…冷却ジャケット。
Claims (1)
- 【請求項１】ＣＶＤ反応炉内に設けられたサセプタ上に
ウエハを設置し、前記ウエハを加熱すると同時に、反応
性ガスを水等の冷却流体により冷却されるガス供給ヘッ
ドのガス噴出口より前記ＣＶＤ反応炉内に供給し、排気
口より真空ポンプでガス排気して、前記ウエハ上に薄膜
を生成するＣＶＤ装置において、ガスバッファ室を囲む
様に冷却ジャケットが、前記ガスバッファ室から前記冷
却ジャケットを貫通する様に微小孔を有する複数本の棒
が設けられた構造のガス供給ヘッドを用いて、前記微小
孔を前記ガス噴出口として、前記反応性ガスを前記ＣＶ
Ｄ反応炉内に供給することを特徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14533592A JPH05343331A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14533592A JPH05343331A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343331A true JPH05343331A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15382796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14533592A Pending JPH05343331A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343331A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003012165A1 (fr) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au gaz et procede de traitement au gaz |
| JP2009141343A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-25 | Sharp Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2010027675A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
| US20110023782A1 (en) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | Ligadp Co., Ltd. | Gas injection unit for chemical vapor desposition apparatus |
| JP4778655B2 (ja) * | 2000-02-04 | 2011-09-21 | アイクストロン、アーゲー | １つまたは多くの被膜を基板に沈積する方法および装置 |
| US10745824B2 (en) | 2016-11-16 | 2020-08-18 | Nuflare Technology, Inc. | Film forming apparatus |
| WO2024249317A1 (en) * | 2023-06-02 | 2024-12-05 | Lam Research Corporation | Gas distributor including gas and coolant plenums |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP14533592A patent/JPH05343331A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4778655B2 (ja) * | 2000-02-04 | 2011-09-21 | アイクストロン、アーゲー | １つまたは多くの被膜を基板に沈積する方法および装置 |
| WO2003012165A1 (fr) * | 2001-08-01 | 2003-02-13 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au gaz et procede de traitement au gaz |
| JP2004076023A (ja) * | 2001-08-01 | 2004-03-11 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置およびガス処理方法 |
| JP2009013504A (ja) * | 2001-08-01 | 2009-01-22 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置およびガス処理方法 |
| JP2009141343A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-25 | Sharp Corp | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| JP2010027675A (ja) * | 2008-07-15 | 2010-02-04 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
| US20110023782A1 (en) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | Ligadp Co., Ltd. | Gas injection unit for chemical vapor desposition apparatus |
| US8808454B2 (en) | 2009-07-28 | 2014-08-19 | Ligadp Co., Ltd. | Gas injection unit for chemical vapor desposition apparatus |
| US10745824B2 (en) | 2016-11-16 | 2020-08-18 | Nuflare Technology, Inc. | Film forming apparatus |
| WO2024249317A1 (en) * | 2023-06-02 | 2024-12-05 | Lam Research Corporation | Gas distributor including gas and coolant plenums |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2714577B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| US4468283A (en) | Method for etching and controlled chemical vapor deposition | |
| US4640223A (en) | Chemical vapor deposition reactor | |
| JPS61194179A (ja) | 蒸着反応室を形成するためのハウジング | |
| US4834022A (en) | CVD reactor and gas injection system | |
| US6120610A (en) | Plasma etch system | |
| JPH05343331A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP4287918B2 (ja) | 基板表面処理装置 | |
| CN222846806U (zh) | 一种用于真空镀膜加工的降温组件以及降温系统 | |
| JPH0461117A (ja) | 枚葉式ｃｖｄ装置 | |
| US20260002260A1 (en) | Multizone thermally controlled showerhead | |
| JP3163343B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| TW202543070A (zh) | 用於鍵合頭加熱器的冷卻系統以及鍵合頭加熱器 | |
| JPH03173419A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11251305A (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
| JP2522402B2 (ja) | ウェハ―加熱装置 | |
| JPH097966A (ja) | 縦型反応炉の反応管 | |
| KR20230161774A (ko) | 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
| JPH0713946B2 (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH0496330A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3117238B2 (ja) | 半導体製造装置と半導体装置の製造方法。 | |
| KR20010036468A (ko) | 반도체 급속가열장치 | |
| JPH02142119A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH0294626A (ja) | 縦型熱処理装置および熱処理方法 | |
| JP2005324075A (ja) | 排気捕集装置及びガス反応装置 |