JPH0534336Y2 - - Google Patents
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- JPH0534336Y2 JPH0534336Y2 JP1988106645U JP10664588U JPH0534336Y2 JP H0534336 Y2 JPH0534336 Y2 JP H0534336Y2 JP 1988106645 U JP1988106645 U JP 1988106645U JP 10664588 U JP10664588 U JP 10664588U JP H0534336 Y2 JPH0534336 Y2 JP H0534336Y2
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- Japan
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- current
- control
- bias
- electromagnets
- rotating shaft
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Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この考案は磁気軸受の制御装置に関し、特に、
回転軸に２個のロータが軸方向に所定の間隔を有
して設けられ、ロータに対して軸方向にそれぞれ
所定のオフセツトを有するように２個の電磁石が
配置された磁気軸受を制御するための制御装置に
関する。
回転軸に２個のロータが軸方向に所定の間隔を有
して設けられ、ロータに対して軸方向にそれぞれ
所定のオフセツトを有するように２個の電磁石が
配置された磁気軸受を制御するための制御装置に
関する。
［従来の技術］
第９図は従来の磁気軸受装置の概要を示す図で
ある。第９図において、回転軸１には磁性体から
なるロータ１１，１２が設けられており、回転軸
１の両端には回転軸１の半径方向の位置を検出す
るための位置センサ２，３が設けられ、回転軸１
の一方端面には速度センサ４が設けられている。
さらに、回転軸１のロータ１１，１２に対してｌ
だけオフセツトを有するように電磁石５と６，７
と８が対称的に設けられている。このように、電
磁石５と６，７と８がロータ１１，１２に対して
ｌだけオフセツトを有するように取付けられてい
ることにより、電磁石５〜８で生じた磁束によ
り、回転軸１の軸方向の保持が確保される。それ
によつて、軸方向の制御を行なうスラスト磁気軸
受を不要にでき、４軸制御が可能となる。このよ
うな磁気軸受装置は、軸方向長さに制約がある場
合や、製造コストを低くする必要のある用途に用
いられる。
ある。第９図において、回転軸１には磁性体から
なるロータ１１，１２が設けられており、回転軸
１の両端には回転軸１の半径方向の位置を検出す
るための位置センサ２，３が設けられ、回転軸１
の一方端面には速度センサ４が設けられている。
さらに、回転軸１のロータ１１，１２に対してｌ
だけオフセツトを有するように電磁石５と６，７
と８が対称的に設けられている。このように、電
磁石５と６，７と８がロータ１１，１２に対して
ｌだけオフセツトを有するように取付けられてい
ることにより、電磁石５〜８で生じた磁束によ
り、回転軸１の軸方向の保持が確保される。それ
によつて、軸方向の制御を行なうスラスト磁気軸
受を不要にでき、４軸制御が可能となる。このよ
うな磁気軸受装置は、軸方向長さに制約がある場
合や、製造コストを低くする必要のある用途に用
いられる。
［考案が解決しようとする課題］
しかしながら、上述の磁気軸受装置において
は、軸方向に対する減衰力がないため、外乱によ
り生じた軸方向の振動が減衰しないという欠点が
あつた。すなわち、回転軸１の一方端から外乱に
より力が加わると、回転軸１は他方端側に移動
し、電磁石５，６はそれぞれ引き戻そうとして、
回転軸１を一方端側に移動させる。回転軸１が一
方端側に移動すると、今度は電磁石７，８が他方
端側に移動させようとするが、回転軸１が軸方向
に振動することに対する減衰力がないため、この
振動は容易に減衰しない。
は、軸方向に対する減衰力がないため、外乱によ
り生じた軸方向の振動が減衰しないという欠点が
あつた。すなわち、回転軸１の一方端から外乱に
より力が加わると、回転軸１は他方端側に移動
し、電磁石５，６はそれぞれ引き戻そうとして、
回転軸１を一方端側に移動させる。回転軸１が一
方端側に移動すると、今度は電磁石７，８が他方
端側に移動させようとするが、回転軸１が軸方向
に振動することに対する減衰力がないため、この
振動は容易に減衰しない。
それゆえに、この考案の主たる目的は、外乱に
よる振動が加わつても、その振動を短時間に減衰
できるような磁気軸受の制御装置を提供すること
である。
よる振動が加わつても、その振動を短時間に減衰
できるような磁気軸受の制御装置を提供すること
である。
［課題を解決するための手段］
この考案は２個のロータの軸方向に所定の間隔
を有して設けられた回転軸と、２個のロータに対
して軸方向にそれぞれ所定のオフセツトを有する
ように配置された２個の電磁石を備えた磁気軸受
の制御装置であつて、２個の電磁石はそれぞれ制
御コイルとバイアスコイルとを含み、制御コイル
に流れる電流を検出する電流検出手段と、電流検
出手段の検出出力に応じて、２個の電磁石の吸引
力と励磁電流を線形化するためにバイアスコイル
に流れるバイアス電流を制御し、回転軸の軸方向
への振動に対し減衰を与えるように制御する制御
手段とを備えて構成される。
を有して設けられた回転軸と、２個のロータに対
して軸方向にそれぞれ所定のオフセツトを有する
ように配置された２個の電磁石を備えた磁気軸受
の制御装置であつて、２個の電磁石はそれぞれ制
御コイルとバイアスコイルとを含み、制御コイル
に流れる電流を検出する電流検出手段と、電流検
出手段の検出出力に応じて、２個の電磁石の吸引
力と励磁電流を線形化するためにバイアスコイル
に流れるバイアス電流を制御し、回転軸の軸方向
への振動に対し減衰を与えるように制御する制御
手段とを備えて構成される。
［作用］
この考案に係る磁気軸受の制御装置は、電磁石
の制御コイルに流れる電流に応じてバイアス電流
を制御することにより、回転軸の軸方向への振動
に対して減衰を与えることができ、外乱による回
転軸の振動を短時間に減衰させることができる。
の制御コイルに流れる電流に応じてバイアス電流
を制御することにより、回転軸の軸方向への振動
に対して減衰を与えることができ、外乱による回
転軸の振動を短時間に減衰させることができる。
［考案の実施例］
まず、この考案の一実施例を説明する前に、磁
気軸受を構成する電磁石のバイアスコイルの機能
について説明する。
気軸受を構成する電磁石のバイアスコイルの機能
について説明する。
第２図は回転軸とラジアル磁気軸受との関係を
示す図であり、第３図はラジアル磁気軸受に流れ
る電流と電磁力との関係を示す図である。
示す図であり、第３図はラジアル磁気軸受に流れ
る電流と電磁力との関係を示す図である。
第２図に示すように、回転軸１に対して電磁石
５，６が対称的に設けられており、それぞれ制御
コイル５１，６１と、バイアスコイル５２，６２
とを含む。制御コイル５１，６１は電磁力を加減
するためのものであり、バイアスコイル５２，６
２は電磁石５，６の吸引力F1と電流ｉとの関係
を線形化するために設けられている。すなわち、
電磁石５，６の吸引力F1と電流ｉとの関係は、 F1＝K1・i2（K1は定数） で表わされ、非線形になつている。
５，６が対称的に設けられており、それぞれ制御
コイル５１，６１と、バイアスコイル５２，６２
とを含む。制御コイル５１，６１は電磁力を加減
するためのものであり、バイアスコイル５２，６
２は電磁石５，６の吸引力F1と電流ｉとの関係
を線形化するために設けられている。すなわち、
電磁石５，６の吸引力F1と電流ｉとの関係は、 F1＝K1・i2（K1は定数） で表わされ、非線形になつている。
ここで、制御コイル５１，６１に制御電流iCを
流し、バイアスコイル５２，６２にバイアス電流
iBを流し、回転軸に対して対称位置にある両方の
電磁石５，６が回転軸１を互いに吸引し合う状態
にしておけば、回転軸１に作用する力、すなわち
両方の電磁石５，６の吸引力を合成した力F2は
一次近似して、 F2＝K2・iB・iC（K2は定数） で表わされる。従つて、バイアス電流iBを一定と
することにより、力F2は制御コイル５１，６１
に流れる制御電流iCと比例関係が成立するので、
力F2と制御電流iCは第３図に示す一点鎖線のよう
に線形化することができる。
流し、バイアスコイル５２，６２にバイアス電流
iBを流し、回転軸に対して対称位置にある両方の
電磁石５，６が回転軸１を互いに吸引し合う状態
にしておけば、回転軸１に作用する力、すなわち
両方の電磁石５，６の吸引力を合成した力F2は
一次近似して、 F2＝K2・iB・iC（K2は定数） で表わされる。従つて、バイアス電流iBを一定と
することにより、力F2は制御コイル５１，６１
に流れる制御電流iCと比例関係が成立するので、
力F2と制御電流iCは第３図に示す一点鎖線のよう
に線形化することができる。
第４図はこの考案の一実施例の原理を説明する
ための図であり、第５図は制御電流と負荷との関
係を示す図であり、第６図は制御電流とオフセツ
トｌとの関係を示す図である。
ための図であり、第５図は制御電流と負荷との関
係を示す図であり、第６図は制御電流とオフセツ
トｌとの関係を示す図である。
第４図において、電磁石５と回転軸１との隙間
δ1、電磁石６と回転軸１との間の隙間δ2が等し
く、重力も含めた負荷Ｆが０であれば、電磁石５
と６の制御コイル５１，６１に流れる制御電流iC
は０となり、バイアスコイル５２，６２に流れる
バイアス電流iBによつて電磁石５，６の吸引力に
より回転軸１はほぼ中心に位置している。ここ
で、負荷Ｆが変化すると、第５図に示すように制
御電流が変化する。
δ1、電磁石６と回転軸１との間の隙間δ2が等し
く、重力も含めた負荷Ｆが０であれば、電磁石５
と６の制御コイル５１，６１に流れる制御電流iC
は０となり、バイアスコイル５２，６２に流れる
バイアス電流iBによつて電磁石５，６の吸引力に
より回転軸１はほぼ中心に位置している。ここ
で、負荷Ｆが変化すると、第５図に示すように制
御電流が変化する。
一方、負荷Ｆを一定にしておき、ロータ１１，
１２と電磁石５，６との軸方向のオフセツトｌを
変化させたとき、第６図に示すように、制御電流
が変化する。すなわち、電磁石５，６がそれぞれ
ロータ１１，１２と対向する面積の最も大きいオ
フセツト０では、制御電流iCは最小となり、左右
のいずれかにオフセツトｌが生じると、制御電流
iCが大きくなる。すなち、制御電流iCの大きさに
応じて、回転軸１の位置を判別することができ
る。
１２と電磁石５，６との軸方向のオフセツトｌを
変化させたとき、第６図に示すように、制御電流
が変化する。すなわち、電磁石５，６がそれぞれ
ロータ１１，１２と対向する面積の最も大きいオ
フセツト０では、制御電流iCは最小となり、左右
のいずれかにオフセツトｌが生じると、制御電流
iCが大きくなる。すなち、制御電流iCの大きさに
応じて、回転軸１の位置を判別することができ
る。
そこで、この考案の一実施例では、制御コイル
５１，６１に流れる制御電流iCに応じて、バイア
スコイル５２，６２に流れるバイアス電流iBを制
御することによつて、回転軸１に加わつた振動を
減衰させる。すなわち、第４図に示すように軸位
置基準信号と位置センサの出力が偏差増幅器２８
に与えられ、偏差増幅器２８の出力はPID調節器
２９によつてPID調節され、電流増幅器２４によ
つて電流増幅され、制御電流iCが制御コイル５
１，６１に供給される。なお、制御コイル５１と
６１はそれぞれ逆方向に巻回されておりかつそれ
ぞれが直列接続されている。バイアス電流源２１
は制御コイル５１，６１に流れる電流に応じて、
バイアスコイル５２，６２に流れる電流を制御す
る。
５１，６１に流れる制御電流iCに応じて、バイア
スコイル５２，６２に流れるバイアス電流iBを制
御することによつて、回転軸１に加わつた振動を
減衰させる。すなわち、第４図に示すように軸位
置基準信号と位置センサの出力が偏差増幅器２８
に与えられ、偏差増幅器２８の出力はPID調節器
２９によつてPID調節され、電流増幅器２４によ
つて電流増幅され、制御電流iCが制御コイル５
１，６１に供給される。なお、制御コイル５１と
６１はそれぞれ逆方向に巻回されておりかつそれ
ぞれが直列接続されている。バイアス電流源２１
は制御コイル５１，６１に流れる電流に応じて、
バイアスコイル５２，６２に流れる電流を制御す
る。
第１図はこの考案の一実施例のブロツク図であ
る。
る。
第１図において、バイアス電流源２１は微分器
２１１とゲイン調整回路２１２と加算器２１３と
電流増幅器２１４とを含む。微分器２１１の出力
はゲイン調整回路２１２に与えられ、そのゲイン
が調整される。ゲインの調整された電流検出信号
は加算器２１３に与えられる。加算器２１３には
バイアス電流指令値が与えられており、加算器２
１３はバイアス電流指令値に電流検出信号を加算
して電流増幅器２１４に与え、ここで電流増幅し
た後、バイアスコイル５２，６２に供給する。
２１１とゲイン調整回路２１２と加算器２１３と
電流増幅器２１４とを含む。微分器２１１の出力
はゲイン調整回路２１２に与えられ、そのゲイン
が調整される。ゲインの調整された電流検出信号
は加算器２１３に与えられる。加算器２１３には
バイアス電流指令値が与えられており、加算器２
１３はバイアス電流指令値に電流検出信号を加算
して電流増幅器２１４に与え、ここで電流増幅し
た後、バイアスコイル５２，６２に供給する。
上述のごとくバイアス電流源２１を構成して、
バイアス電流を増加させると、電磁石５，６から
回転軸１に働く吸引力が増加し、オフセツトｌを
小さくするように回転軸１に力が働く。つまり、
制御電流を検出し、その検出電流の微分値と本来
のバイアス電流指令値とを加算し、その信号によ
つてバイアス電流を制御することによつて、回転
軸１に外乱が作用しても有効に振動を減衰させる
ことができる。
バイアス電流を増加させると、電磁石５，６から
回転軸１に働く吸引力が増加し、オフセツトｌを
小さくするように回転軸１に力が働く。つまり、
制御電流を検出し、その検出電流の微分値と本来
のバイアス電流指令値とを加算し、その信号によ
つてバイアス電流を制御することによつて、回転
軸１に外乱が作用しても有効に振動を減衰させる
ことができる。
第７図はこの考案のその他の実施例を示すブロ
ツク図である。この第７図に示した実施例は、前
述の第１図に示した実施例のバイアスコイル５
２，６２を省略し、制御コイル５１ないし８１に
制御電流とバイアス電流を重畳して供給するよう
に構成したものである。すなわち、軸位置基準回
路２７は左側の電磁石５，６の基準位置を示す基
準信号を発生するものであつて、この基準信号は
偏差増幅器２８に与えられる。偏差増幅器２８に
は左側位置センサ２によつて検出された位置信号
が与えられている。偏差増幅器２８は基準信号と
左側の位置信号とを比較して、PID調節器２９に
与える。PID調節器２９は偏差増幅器２８の出力
をPID調節し、制御信号を加算器２５に与えると
ともに、反転器２２を介して加算器２３に与え
る。加算器２３，２５の出力は全波整流器４５，
４６によつて全波整流されて電流増幅器２４，２
６に与えられ、電流増幅された後、制御コイル５
１，６１に供給される。
ツク図である。この第７図に示した実施例は、前
述の第１図に示した実施例のバイアスコイル５
２，６２を省略し、制御コイル５１ないし８１に
制御電流とバイアス電流を重畳して供給するよう
に構成したものである。すなわち、軸位置基準回
路２７は左側の電磁石５，６の基準位置を示す基
準信号を発生するものであつて、この基準信号は
偏差増幅器２８に与えられる。偏差増幅器２８に
は左側位置センサ２によつて検出された位置信号
が与えられている。偏差増幅器２８は基準信号と
左側の位置信号とを比較して、PID調節器２９に
与える。PID調節器２９は偏差増幅器２８の出力
をPID調節し、制御信号を加算器２５に与えると
ともに、反転器２２を介して加算器２３に与え
る。加算器２３，２５の出力は全波整流器４５，
４６によつて全波整流されて電流増幅器２４，２
６に与えられ、電流増幅された後、制御コイル５
１，６１に供給される。
一方、軸位置基準回路３７は右側の電磁石７，
８の基準位置を示す基準信号を発生して偏差増幅
器３８に与える。偏差増幅器３８には右側の位置
センサ３によつて検出された位置信号が与えられ
ている。偏差増幅器３８は基準信号と位置信号と
を偏差増幅し、PID調節器３９に与える。PID調
節器３９はPID調節した後、制御信号を加算器３
３に与えるとともに、反転器３２を介して加算器
３５に与える。加算器３３，３５の出力は全波整
流器４７，４８によつて全波整流され、電流増幅
器３４，３６によつて電流増幅された後、制御コ
イル７１，８１に供給される。
８の基準位置を示す基準信号を発生して偏差増幅
器３８に与える。偏差増幅器３８には右側の位置
センサ３によつて検出された位置信号が与えられ
ている。偏差増幅器３８は基準信号と位置信号と
を偏差増幅し、PID調節器３９に与える。PID調
節器３９はPID調節した後、制御信号を加算器３
３に与えるとともに、反転器３２を介して加算器
３５に与える。加算器３３，３５の出力は全波整
流器４７，４８によつて全波整流され、電流増幅
器３４，３６によつて電流増幅された後、制御コ
イル７１，８１に供給される。
上述のごとくして、制御コイル５１，６１，７
１，８１には制御電流が供給され、制御コイル５
１，６１，７１，８１にはそれぞれ抵抗５３，６
３，７３，８３が直列接続されている。抵抗６３
と７３の電圧差が反転器２１７と加算器２１８に
よつて検出され、その検出電圧が微分器２１１に
よつて微分される。その後、ゲイン調整回路２１
２でゲイン調整された後、加算器２１６に与えら
れるとともに、反転器２１５を介して加算器２１
３に与えられる。加算器２１３，２１６にはバイ
アス電流指令回路２１９からバイアス電流指令値
が与えられている。加算器２１６および２１３は
バイアス電流指令値に電流検出値を加算および減
算して加算器２３，２５，３３，３５に与える。
従つて、加算器２３，２５，３３，３５は制御電
流にバイアス電流を加算することになる。
１，８１には制御電流が供給され、制御コイル５
１，６１，７１，８１にはそれぞれ抵抗５３，６
３，７３，８３が直列接続されている。抵抗６３
と７３の電圧差が反転器２１７と加算器２１８に
よつて検出され、その検出電圧が微分器２１１に
よつて微分される。その後、ゲイン調整回路２１
２でゲイン調整された後、加算器２１６に与えら
れるとともに、反転器２１５を介して加算器２１
３に与えられる。加算器２１３，２１６にはバイ
アス電流指令回路２１９からバイアス電流指令値
が与えられている。加算器２１６および２１３は
バイアス電流指令値に電流検出値を加算および減
算して加算器２３，２５，３３，３５に与える。
従つて、加算器２３，２５，３３，３５は制御電
流にバイアス電流を加算することになる。
上述のごとく構成することによつて、加算器２
３，２５，３３，３５によつて制御電流にバイア
ス電流が加算されて、制御コイル５１，６１，７
１，８１にはバイアス電流の重畳された制御電流
が供給される。回転軸１の振動によつてオフセツ
トｌが変化すると、制御コイル５１，７１に流れ
る電流が変化し、その変化を相殺するようにバイ
アス電流が制御電流に重畳されるため、回転軸１
の振動に対して減衰を与えることができる。
３，２５，３３，３５によつて制御電流にバイア
ス電流が加算されて、制御コイル５１，６１，７
１，８１にはバイアス電流の重畳された制御電流
が供給される。回転軸１の振動によつてオフセツ
トｌが変化すると、制御コイル５１，７１に流れ
る電流が変化し、その変化を相殺するようにバイ
アス電流が制御電流に重畳されるため、回転軸１
の振動に対して減衰を与えることができる。
第８図はこの考案の一実施例が適用される磁気
軸受の他の例を示す図である。この第８図に示し
た磁気軸受は、ロータ１１，１２を電磁石５ない
し８に対してオフセツトｌだけ有するように内側
に配置したものである。磁気軸受をこのように構
成しても、極性を変えることにより前述の第１図
および第７図に示した実施例を適用することがで
きる。
軸受の他の例を示す図である。この第８図に示し
た磁気軸受は、ロータ１１，１２を電磁石５ない
し８に対してオフセツトｌだけ有するように内側
に配置したものである。磁気軸受をこのように構
成しても、極性を変えることにより前述の第１図
および第７図に示した実施例を適用することがで
きる。
［考案の効果］
以上のように、この考案によれば、電磁石の制
御コイルに流れる電流に応じて、バイアス電流を
制御するようにしたので、回転軸の軸方向への振
動に対して短時間に減衰を与えることができる。
御コイルに流れる電流に応じて、バイアス電流を
制御するようにしたので、回転軸の軸方向への振
動に対して短時間に減衰を与えることができる。
第１図はこの考案の一実施例のブロツク図であ
る。第２図は回転軸とラジアル磁気軸受との関係
を示す図である。第３図はラジアル磁気軸受に流
れる電流と電磁力との関係を示す図である。第４
図はこの考案の一実施例の原理を説明するための
図である。第５図は制御電流と負荷との関係を示
す図である。第６図は制御電流とオフセツトｌと
の関係を示す図である。第７図はこの考案の他の
実施例を示すブロツク図である。第８図はこの考
案が適用される磁気軸受の他の例を示す図であ
る。第９図は従来の磁気軸受を示す図である。 図において、１は回転軸、２，３は位置セン
サ、４は速度センサ、５，６，７，８は電磁石、
１１，１２ロータ、２１はバイアス電流源、２
３，２５，３３，３５，２１３，２１６，２１８
は加算器、２８，３８は偏差増幅器、２９，３９
はPID調節器、２４，２６，３４，３６は電流増
幅器、２７，３７は軸位置基準回路、２１１は微
分器、２１２はゲイン調整回路、５１，６１，７
１，８１は制御コイル、５２，６２はバイアスコ
イル、５３，６３，７３，８３は抵抗を示す。
る。第２図は回転軸とラジアル磁気軸受との関係
を示す図である。第３図はラジアル磁気軸受に流
れる電流と電磁力との関係を示す図である。第４
図はこの考案の一実施例の原理を説明するための
図である。第５図は制御電流と負荷との関係を示
す図である。第６図は制御電流とオフセツトｌと
の関係を示す図である。第７図はこの考案の他の
実施例を示すブロツク図である。第８図はこの考
案が適用される磁気軸受の他の例を示す図であ
る。第９図は従来の磁気軸受を示す図である。 図において、１は回転軸、２，３は位置セン
サ、４は速度センサ、５，６，７，８は電磁石、
１１，１２ロータ、２１はバイアス電流源、２
３，２５，３３，３５，２１３，２１６，２１８
は加算器、２８，３８は偏差増幅器、２９，３９
はPID調節器、２４，２６，３４，３６は電流増
幅器、２７，３７は軸位置基準回路、２１１は微
分器、２１２はゲイン調整回路、５１，６１，７
１，８１は制御コイル、５２，６２はバイアスコ
イル、５３，６３，７３，８３は抵抗を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ２個のロータが軸方向に所定の間隔を有して設
けられた回転軸と、前記２個のロータに対して軸
方向にそれぞれ所定のオフセツトを有するように
配置された２個の電磁石とを備えた磁気軸受の制
御装置であつて、 前記２個の電磁石は、それぞれ制御用コイルと
バイアスコイルとを含み、 前記制御用コイルに流れる電流を検出する電流
検出手段、および 前記電流検出手段の検出出力に応じて、前記２
個の電磁石の吸引力と励磁電流を線形化するため
に前記バイアスコイルに流れるバイアス電流を制
御し、前記回転軸の軸方向への振動に対して減衰
を与えるように制御する制御手段を備えた、磁気
軸受の制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988106645U JPH0534336Y2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988106645U JPH0534336Y2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243523U JPH0243523U (ja) | 1990-03-26 |
| JPH0534336Y2 true JPH0534336Y2 (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=31340343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988106645U Expired - Lifetime JPH0534336Y2 (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0534336Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59113315A (ja) * | 1982-12-18 | 1984-06-30 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 磁気軸受装置の制御方法 |
| JPH0785638B2 (ja) * | 1985-02-13 | 1995-09-13 | 株式会社日立製作所 | 磁気軸受を有する回転電機 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP1988106645U patent/JPH0534336Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0243523U (ja) | 1990-03-26 |
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