JPH05343600A - 半導体装置用スタビライザ／スペーサ - Google Patents
半導体装置用スタビライザ／スペーサInfo
- Publication number
- JPH05343600A JPH05343600A JP5000698A JP69893A JPH05343600A JP H05343600 A JPH05343600 A JP H05343600A JP 5000698 A JP5000698 A JP 5000698A JP 69893 A JP69893 A JP 69893A JP H05343600 A JPH05343600 A JP H05343600A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- leadframe
- stabilizer
- spacer
- lead frame
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
- H10W70/435—Shapes or dispositions of insulating layers on leadframes, e.g. bridging members
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0438—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、リード（１５）の選択され
た領域上にセラミックまたはプラスチック材料をプラズ
マスプレーしてリード（１５）のためのスタビライザ／
スペーサ（３６）を形成させる装置及び方法を提供する
ことである。 【構成】 リードフレームのリード上にスタビライザ／
スペーサを選択的に形成させるために、複数のインデッ
クスホールを有する少なくとも１つのリードフレーム
と、上記少なくとも１つのリードフレーム及びリードフ
レームのストリップを保持し、導くインデックスピンを
有する取付具／ジグと、上記少なくとも１つのリードフ
レーム上の選択された領域を露出させるマスクと、上記
少なくとも１つのリードフレーム上の選択された領域に
スタビライザ／スペーサを付着させるプラズマトーチと
を具備する。
た領域上にセラミックまたはプラスチック材料をプラズ
マスプレーしてリード（１５）のためのスタビライザ／
スペーサ（３６）を形成させる装置及び方法を提供する
ことである。 【構成】 リードフレームのリード上にスタビライザ／
スペーサを選択的に形成させるために、複数のインデッ
クスホールを有する少なくとも１つのリードフレーム
と、上記少なくとも１つのリードフレーム及びリードフ
レームのストリップを保持し、導くインデックスピンを
有する取付具／ジグと、上記少なくとも１つのリードフ
レーム上の選択された領域を露出させるマスクと、上記
少なくとも１つのリードフレーム上の選択された領域に
スタビライザ／スペーサを付着させるプラズマトーチと
を具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、具体
的にはハイピンカウントリードフレームを有する装置の
ためのセラミックまたプラスチックスタビライザ／スペ
ーサに関する。
的にはハイピンカウントリードフレームを有する装置の
ためのセラミックまたプラスチックスタビライザ／スペ
ーサに関する。
【０００２】
【発明の背景】密に間隔をおいた内部リードを有する繊
細なハイピンカウントリードフレームを製造する際に、
リード間の間隔を維持し、且つリードチップの平面性を
安定させるためにポリイミドまたはカプトンテープを接
着させることが多い。この操作は、典型的には、リード
フレームのスタンピングまたはエッチングの後に、また
リードフレームをめっきした後に遂行される。これは、
リードフレームユニットを導いて精密に位置決めし、精
密に切断され位置決めされたポリイミドテープの片に熱
及び圧力を加えてそれをリードフレームに接着させるこ
ととを含む。この操作は高価であり、時間を消費し、そ
して高い価値が付加されためっき済リードフレームに付
加的な機械的処理を行うことを含む。ポリイミドテープ
を接着させたリードフレームにはイオンによる汚染が見
出されることが多い。
細なハイピンカウントリードフレームを製造する際に、
リード間の間隔を維持し、且つリードチップの平面性を
安定させるためにポリイミドまたはカプトンテープを接
着させることが多い。この操作は、典型的には、リード
フレームのスタンピングまたはエッチングの後に、また
リードフレームをめっきした後に遂行される。これは、
リードフレームユニットを導いて精密に位置決めし、精
密に切断され位置決めされたポリイミドテープの片に熱
及び圧力を加えてそれをリードフレームに接着させるこ
ととを含む。この操作は高価であり、時間を消費し、そ
して高い価値が付加されためっき済リードフレームに付
加的な機械的処理を行うことを含む。ポリイミドテープ
を接着させたリードフレームにはイオンによる汚染が見
出されることが多い。
【０００３】
【発明の概要】めっきされているまたはめっきされてい
ない、ある長さに切断されているまたは切断されていな
い、エッチングまたはスタンプされたリードフレームが
ジグ内に固定され、窓を設けた中実マスクがインデック
スピンを使用してリードフレームストリップ上に位置決
めされる。マスクは金属、プラスチック、厚紙、または
他の類似材料であってよい。インデックスピンはマスク
をリードフレームに精密に位置決めし、マスクはリード
と同一平面をなすように定位置に締付けられる。もしリ
ードフレームがオフセットされていれば、オフセットバ
ーパッドを受け入れるためのポケットをジグの中に切
る。マスクには、アルミナまたは類似の高誘電強度材料
のようなプラスチックまたはセラミックをリードフィン
ガー上に、またはそれらの間に沈積させることができる
ような窓が切られている。付着される材料は、リードフ
ィンガーのＸ、Ｙ及びＺ方向の相対位置を固定する。マ
スキング及び安定化材料の沈積は１以上の段階によって
遂行することができ、またリードの何れかの側から、ま
たは両側から遂行することができる。
ない、ある長さに切断されているまたは切断されていな
い、エッチングまたはスタンプされたリードフレームが
ジグ内に固定され、窓を設けた中実マスクがインデック
スピンを使用してリードフレームストリップ上に位置決
めされる。マスクは金属、プラスチック、厚紙、または
他の類似材料であってよい。インデックスピンはマスク
をリードフレームに精密に位置決めし、マスクはリード
と同一平面をなすように定位置に締付けられる。もしリ
ードフレームがオフセットされていれば、オフセットバ
ーパッドを受け入れるためのポケットをジグの中に切
る。マスクには、アルミナまたは類似の高誘電強度材料
のようなプラスチックまたはセラミックをリードフィン
ガー上に、またはそれらの間に沈積させることができる
ような窓が切られている。付着される材料は、リードフ
ィンガーのＸ、Ｙ及びＺ方向の相対位置を固定する。マ
スキング及び安定化材料の沈積は１以上の段階によって
遂行することができ、またリードの何れかの側から、ま
たは両側から遂行することができる。
【０００４】もしリードフレームがめっきされてはいる
が切断されていなければ、スタビライザ／スペーサを付
着させれば、オフセット、切断、及び出荷の準備が整
う。もしリードフレームがめっきされ、オフセットさ
れ、そして切断されていれば、スタビライザ／スペーサ
を付着させれば、出荷の準備が整う。もしリードフレー
ムがめっきされておらず、切断されているかまたは切断
されていなければ、セラミックスタビライザ／スペーサ
を付着させる先行または爾後の段階は、標準化ジグ内に
リードフレームを取付け、銀のような金属をプラズマス
プレーによって選択的に沈積させる領域を限定する窓を
有するマスクを配置することになる。この取付けは、セ
ラミックまたは金属プラズマ被膜の何れに対しても同一
である。マスクだけを変化させるのである。
が切断されていなければ、スタビライザ／スペーサを付
着させれば、オフセット、切断、及び出荷の準備が整
う。もしリードフレームがめっきされ、オフセットさ
れ、そして切断されていれば、スタビライザ／スペーサ
を付着させれば、出荷の準備が整う。もしリードフレー
ムがめっきされておらず、切断されているかまたは切断
されていなければ、セラミックスタビライザ／スペーサ
を付着させる先行または爾後の段階は、標準化ジグ内に
リードフレームを取付け、銀のような金属をプラズマス
プレーによって選択的に沈積させる領域を限定する窓を
有するマスクを配置することになる。この取付けは、セ
ラミックまたは金属プラズマ被膜の何れに対しても同一
である。マスクだけを変化させるのである。
【０００５】本発明により提供される技術的進歩及びそ
の目的は、添付図面に基づく本発明の好ましい実施例の
説明及び特許請求の範囲から明白になるであろう。
の目的は、添付図面に基づく本発明の好ましい実施例の
説明及び特許請求の範囲から明白になるであろう。
【０００６】
【実施例】図１、２、及び３はハイピンカウントリード
フレーム内にリードフレームリードのためのスタビライ
ザ／スペーサを設ける従来の方法を示す。インデックス
ホール１３を有するリードフレーム１０は、リードフレ
ームを定位置に保持するインデックスピン１２を有する
加熱器ブロック１１上に配置される。ダイス穴２０を有
するダイス１７は、ダイス穴２０がリード１５にまたが
るようにリードフレーム１０上に配置される。ポリイミ
ドのシート１８がダイス上に配置され、ダイス１７の穴
２０に対応するポンチ要素１９を有するポンチがポリイ
ミド上に配置される。ポンチ要素１９は、シート１８か
ら小さいポリイミド材料のストリップをリード１５上に
打ち抜く。図２に、シート１８から打ち抜かれた後のリ
ード１５上のポリイミドのストリップ２５を示す。図３
は、ポリイミドストリップ２５及びリード１５の断面図
である。加熱器ブロックは熱を供給してストリップ２５
がリード１５へ付着するのを援助する。
フレーム内にリードフレームリードのためのスタビライ
ザ／スペーサを設ける従来の方法を示す。インデックス
ホール１３を有するリードフレーム１０は、リードフレ
ームを定位置に保持するインデックスピン１２を有する
加熱器ブロック１１上に配置される。ダイス穴２０を有
するダイス１７は、ダイス穴２０がリード１５にまたが
るようにリードフレーム１０上に配置される。ポリイミ
ドのシート１８がダイス上に配置され、ダイス１７の穴
２０に対応するポンチ要素１９を有するポンチがポリイ
ミド上に配置される。ポンチ要素１９は、シート１８か
ら小さいポリイミド材料のストリップをリード１５上に
打ち抜く。図２に、シート１８から打ち抜かれた後のリ
ード１５上のポリイミドのストリップ２５を示す。図３
は、ポリイミドストリップ２５及びリード１５の断面図
である。加熱器ブロックは熱を供給してストリップ２５
がリード１５へ付着するのを援助する。
【０００７】図４は、リードフレームのリード上へセラ
ミックまたはプラスチック材料をプラズマスプレーして
リード上にスタビライザ／スペーサを形成させる本発明
の方法及び装置を示す。図４には、ジグまたは取付具２
１上に取り付けられるリードフレーム１０が示されてい
る。リードフレーム１０はダイス取付けパッド１４と、
ダムバー１６によって定位置に保持されているリード１
５とを含む。ダムバー１６は半導体装置が完成してカプ
セル封じがなされた後に除去される。リードフレーム１
０はジグまたは取付具２１上のインデックスピン１２
と、リードフレーム１０の縁のインデックスホール１３
とによって定位置に保持される。
ミックまたはプラスチック材料をプラズマスプレーして
リード上にスタビライザ／スペーサを形成させる本発明
の方法及び装置を示す。図４には、ジグまたは取付具２
１上に取り付けられるリードフレーム１０が示されてい
る。リードフレーム１０はダイス取付けパッド１４と、
ダムバー１６によって定位置に保持されているリード１
５とを含む。ダムバー１６は半導体装置が完成してカプ
セル封じがなされた後に除去される。リードフレーム１
０はジグまたは取付具２１上のインデックスピン１２
と、リードフレーム１０の縁のインデックスホール１３
とによって定位置に保持される。
【０００８】マスク３０はリードフレーム１０上に配置
される。マスク３０はセラミックで被膜すべきリード１
５上の領域に対応する開口３１のパターンを有してい
る。トーチ３３は炎またはプラズマ３４を有し、その中
へ粉末材料が管３５によってスプレーされる。炎内にス
プレーされた粉末材料は、マスク開口３１を通してリー
ド１５上に溶融した形状で沈積される。セラミックまた
はプラスチック材料の沈積中に、プラズマトーチ３３ま
たはジグまたは取付具２１はＸ−Ｙ方向に運動してマス
ク３０内の開口３１をプラズマトーチの下に配置し、所
望の場所に充分な被膜が得られるようにする。
される。マスク３０はセラミックで被膜すべきリード１
５上の領域に対応する開口３１のパターンを有してい
る。トーチ３３は炎またはプラズマ３４を有し、その中
へ粉末材料が管３５によってスプレーされる。炎内にス
プレーされた粉末材料は、マスク開口３１を通してリー
ド１５上に溶融した形状で沈積される。セラミックまた
はプラスチック材料の沈積中に、プラズマトーチ３３ま
たはジグまたは取付具２１はＸ−Ｙ方向に運動してマス
ク３０内の開口３１をプラズマトーチの下に配置し、所
望の場所に充分な被膜が得られるようにする。
【０００９】図５は、セラミックスタビライザ／スペー
サ３６を沈積させ、サイドレールから取り外した後のリ
ードフレームを示す。スタビライザ／スペーサ３６はリ
ード１５を橋絡し、またリードの間にあってそれらを互
いに離間した関係に保持している。スタビライザ／スペ
ーサ３６は、図示のようにリードの一方の側だけに設け
ても、またはリードの両側に設けてもよい。
サ３６を沈積させ、サイドレールから取り外した後のリ
ードフレームを示す。スタビライザ／スペーサ３６はリ
ード１５を橋絡し、またリードの間にあってそれらを互
いに離間した関係に保持している。スタビライザ／スペ
ーサ３６は、図示のようにリードの一方の側だけに設け
ても、またはリードの両側に設けてもよい。
【００１０】図６は、スタビライザ／スペーサ３６及び
リード１５の断面図であって、リード間のセラミック材
料の流れを示す。セラミック材料は、例えばアルミナま
たはプラスチック材料でよい。ポリイミドの代わりにセ
ラミック材料を使用すると、プラスチックリードフレー
ムパッケージの気密性が改善される。プラスチックモー
ルド組成は、ポリイミドテープまたはリードフレーム素
地よりもセラミックによりよく接着する。ポリフェニル
スルフォンとして知られるようなプラスチック材料を使
用することもできる。
リード１５の断面図であって、リード間のセラミック材
料の流れを示す。セラミック材料は、例えばアルミナま
たはプラスチック材料でよい。ポリイミドの代わりにセ
ラミック材料を使用すると、プラスチックリードフレー
ムパッケージの気密性が改善される。プラスチックモー
ルド組成は、ポリイミドテープまたはリードフレーム素
地よりもセラミックによりよく接着する。ポリフェニル
スルフォンとして知られるようなプラスチック材料を使
用することもできる。
【００１１】セラミックを付着させるのと同じようにし
て、銀のような他の金属をリードフレームの選択された
領域内に選択的に沈積させることができる。金属のこの
選択的沈積は、同一取付具においてセラミックの沈積の
前にでも、または後にでも、異なるマスクを使用し、プ
ラズマ沈積を用いて遂行することができる。図示プロセ
スはリードフレームの切断されたストリップを示してい
るが、連続したリードフレームのストリップを使用する
こともできる。
て、銀のような他の金属をリードフレームの選択された
領域内に選択的に沈積させることができる。金属のこの
選択的沈積は、同一取付具においてセラミックの沈積の
前にでも、または後にでも、異なるマスクを使用し、プ
ラズマ沈積を用いて遂行することができる。図示プロセ
スはリードフレームの切断されたストリップを示してい
るが、連続したリードフレームのストリップを使用する
こともできる。
【００１２】リード上のダイスパッドの周囲にセラミッ
ク材料の連続パターンを沈積させることができる。連続
パターンを使用すると、プラスチックカプセル材料とセ
ラミックとの間に連続シールを生じさせ、パッケージの
周囲によりよいシールが得られる。以上の記載に関連し
て、以下の各項を開示する。 １． 複数のリード及び半導体ダイスパッドを有する半
導体装置リードフレームのリードのためのスタビライザ
／スペーサを得る方法であって、リード上の選択された
領域をマスクする段階と、リード上の選択された領域上
に、及びこれらの領域間に安定化材料をプラズマスプレ
ーする段階と、を具備することを特徴とする方法。 ２． 安定化材料を付着させる前に、リードを選択的に
めっきする段階を含む請求項１に記載の方法。 ３． 安定化材料がセラミック材料である請求項１に記
載の方法。 ４． 安定化材料がプラスチック材料である請求項１に
記載の方法。 ５． セラミック材料を付着させた後に、リードを選択
的にめっきする段階を含む請求項１に記載の方法。 ６． リード上の選択された領域上へのセラミック材料
の沈積中にリードフレームをＸ−Ｙ方向に運動させて選
択された領域をプラズマトーチの下に配置する段階を含
む請求項１に記載の方法。 ７． 上記選択された領域の反対側の上記リード上の第
２の選択された領域上に安定化材料を沈積させる段階を
含む請求項１に記載の方法。 ８． ダイスパッドを取り囲む囲いで仕切ったパターン
内のリードフレームの全てのリードにまたがってセラミ
ック材料をプラズマスプレーする段階を含む請求項１に
記載の方法。 ９． リードフレームのリード上にスタビライザ／スペ
ーサを選択的に形成させる装置であって、複数のインデ
ックスホールを有する少なくとも１つのリードフレーム
と、上記少なくとも１つのリードフレーム及びリードフ
レームのストリップを保持し、導くインデックスピンを
有する取付具／ジグと、上記少なくとも１つのリードフ
レーム上の選択された領域を露出させるマスクと、上記
少なくとも１つのリードフレーム上の選択された領域に
スタビライザ／スペーサを付着させるプラズマトーチ
と、を具備することを特徴とする装置。 １０． スタビライザ／スペーサ材料を上記選択された
領域に付着させる時に上記選択された領域を上記プラズ
マトーチの下に移動させるＸ−Ｙテーブルを含む請求項
９に記載の装置。 １１． リードフレームの連続ストリップ上の選択され
た領域をマスクするように導かれる連続マスクを含む請
求項９に記載の装置。 １２． 上記マスク上で上記プラズマトーチをＸ−Ｙ方
向に移動させる手段を含む請求項９に記載の装置。 １３． 上記スタビライザ／スペーサ材料がセラミック
材料である請求項９に記載の装置。 １４． 上記スタビライザ／スペーサ材料がプラスチッ
ク材料である請求項９に記載の装置。 １５． 本発明はリード（１５）の選択された領域上に
セラミックまたはプラスチック材料をプラズマスプレー
してリード（１５）のためのスタビライザ／スペーサ
（３６）を形成させる装置及び方法に関する。
ク材料の連続パターンを沈積させることができる。連続
パターンを使用すると、プラスチックカプセル材料とセ
ラミックとの間に連続シールを生じさせ、パッケージの
周囲によりよいシールが得られる。以上の記載に関連し
て、以下の各項を開示する。 １． 複数のリード及び半導体ダイスパッドを有する半
導体装置リードフレームのリードのためのスタビライザ
／スペーサを得る方法であって、リード上の選択された
領域をマスクする段階と、リード上の選択された領域上
に、及びこれらの領域間に安定化材料をプラズマスプレ
ーする段階と、を具備することを特徴とする方法。 ２． 安定化材料を付着させる前に、リードを選択的に
めっきする段階を含む請求項１に記載の方法。 ３． 安定化材料がセラミック材料である請求項１に記
載の方法。 ４． 安定化材料がプラスチック材料である請求項１に
記載の方法。 ５． セラミック材料を付着させた後に、リードを選択
的にめっきする段階を含む請求項１に記載の方法。 ６． リード上の選択された領域上へのセラミック材料
の沈積中にリードフレームをＸ−Ｙ方向に運動させて選
択された領域をプラズマトーチの下に配置する段階を含
む請求項１に記載の方法。 ７． 上記選択された領域の反対側の上記リード上の第
２の選択された領域上に安定化材料を沈積させる段階を
含む請求項１に記載の方法。 ８． ダイスパッドを取り囲む囲いで仕切ったパターン
内のリードフレームの全てのリードにまたがってセラミ
ック材料をプラズマスプレーする段階を含む請求項１に
記載の方法。 ９． リードフレームのリード上にスタビライザ／スペ
ーサを選択的に形成させる装置であって、複数のインデ
ックスホールを有する少なくとも１つのリードフレーム
と、上記少なくとも１つのリードフレーム及びリードフ
レームのストリップを保持し、導くインデックスピンを
有する取付具／ジグと、上記少なくとも１つのリードフ
レーム上の選択された領域を露出させるマスクと、上記
少なくとも１つのリードフレーム上の選択された領域に
スタビライザ／スペーサを付着させるプラズマトーチ
と、を具備することを特徴とする装置。 １０． スタビライザ／スペーサ材料を上記選択された
領域に付着させる時に上記選択された領域を上記プラズ
マトーチの下に移動させるＸ−Ｙテーブルを含む請求項
９に記載の装置。 １１． リードフレームの連続ストリップ上の選択され
た領域をマスクするように導かれる連続マスクを含む請
求項９に記載の装置。 １２． 上記マスク上で上記プラズマトーチをＸ−Ｙ方
向に移動させる手段を含む請求項９に記載の装置。 １３． 上記スタビライザ／スペーサ材料がセラミック
材料である請求項９に記載の装置。 １４． 上記スタビライザ／スペーサ材料がプラスチッ
ク材料である請求項９に記載の装置。 １５． 本発明はリード（１５）の選択された領域上に
セラミックまたはプラスチック材料をプラズマスプレー
してリード（１５）のためのスタビライザ／スペーサ
（３６）を形成させる装置及び方法に関する。
【図１】取付具及びリードフレームを示し、従来技術の
ポリイミドテープをリード上に配置するためのポンチ及
びダイスの使用を示す図である。
ポリイミドテープをリード上に配置するためのポンチ及
びダイスの使用を示す図である。
【図２】定位置にポリイミドスタビライザを有する単一
のリードフレームの斜視図である。
のリードフレームの斜視図である。
【図３】図２の３−３矢視断面図であって、リード上の
ポリイミドスタビライザ／スペーサを示す図である。
ポリイミドスタビライザ／スペーサを示す図である。
【図４】本発明によりリードフレーム上に材料の被膜を
付着させ、セラミックまたはプラスチックスタビライザ
／スペーサを形成させる装置を示す図である。
付着させ、セラミックまたはプラスチックスタビライザ
／スペーサを形成させる装置を示す図である。
【図５】本発明によるセラミックスタビライザ／スペー
サを有する単一のリードフレームの斜視図である。
サを有する単一のリードフレームの斜視図である。
【図６】図５の６−６矢視断面図であって、リードフレ
ームのリード上のセラミックスタビライザ／スペーサを
示す図である。
ームのリード上のセラミックスタビライザ／スペーサを
示す図である。
１０ リードフレーム １１ 加熱器ブロック １２ インデックスピン １３ インデックスホール １４ ダイス取付けパッド １５ リード １６ ダムバー １７ ダイス １８ ポリイミドシート １９ ポンチ要素 ２０ ダイス穴 ２１ ジグ（取付具） ２５ ポリイミドストリップ ３０ マスク ３１ 開口 ３３ トーチ ３４ プラズマ（炎） ３５ 管 ３６ スタビライザ／スペーサ
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のリード及び半導体ダイスパッドを
有する半導体装置リードフレームのリードのためのスタ
ビライザ／スペーサを得る方法であって、 リード上の選択された領域をマスクする段階と、 リード上の選択された領域上に、及びこれらの領域間に
安定化材料をプラズマスプレーする段階と、 を具備することを特徴とする方法。 - 【請求項２】 リードフレームのリード上にスタビライ
ザ／スペーサを選択的に形成させる装置であって、 複数のインデックスホールを有する少なくとも１つのリ
ードフレームと、 上記少なくとも１つのリードフレーム及びリードフレー
ムのストリップを保持し、導くインデックスピンを有す
る取付具／ジグと、 上記少なくとも１つのリードフレーム上の選択された領
域を露出させるマスクと、 上記少なくとも１つのリードフレーム上の選択された領
域にスタビライザ／スペーサを付着させるプラズマトー
チと、 を具備することを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/817,712 US5268331A (en) | 1992-01-07 | 1992-01-07 | Stabilizer/spacer for semiconductor device lead frames |
| US07/817712 | 1992-01-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343600A true JPH05343600A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=25223718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5000698A Pending JPH05343600A (ja) | 1992-01-07 | 1993-01-06 | 半導体装置用スタビライザ／スペーサ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5268331A (ja) |
| EP (1) | EP0554563B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05343600A (ja) |
| KR (1) | KR100287828B1 (ja) |
| CA (1) | CA2086444A1 (ja) |
| DE (1) | DE69226349T2 (ja) |
| TW (1) | TW217466B (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352633A (en) * | 1992-06-02 | 1994-10-04 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor lead frame lead stabilization |
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