JPH05347038A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び光磁気記録方法Info
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- JPH05347038A JPH05347038A JP18172392A JP18172392A JPH05347038A JP H05347038 A JPH05347038 A JP H05347038A JP 18172392 A JP18172392 A JP 18172392A JP 18172392 A JP18172392 A JP 18172392A JP H05347038 A JPH05347038 A JP H05347038A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層膜記録媒体を使用した光強度変調による
オーバーライト方式において初期化磁界を低減し、装置
の小型化、低コスト化を図る。 【構成】 基板１上に記録層２及び補助層３を積層し、
記録層２及び補助層３はそれぞれ希土類及び鉄族遷移金
属を主成分とするアモルファス合金からなる垂直磁化膜
からなり、かつ下記の磁気特性を持つものを使用する。
即ち、両層２、３間には交換結合力が働き、室温におけ
る保磁力は補助層３の方が大きく、キュリー温度は補助
層３の方が高く、更に記録層２の保磁力が最大となる温
度が記録層２のキュリー温度近傍にある。
オーバーライト方式において初期化磁界を低減し、装置
の小型化、低コスト化を図る。 【構成】 基板１上に記録層２及び補助層３を積層し、
記録層２及び補助層３はそれぞれ希土類及び鉄族遷移金
属を主成分とするアモルファス合金からなる垂直磁化膜
からなり、かつ下記の磁気特性を持つものを使用する。
即ち、両層２、３間には交換結合力が働き、室温におけ
る保磁力は補助層３の方が大きく、キュリー温度は補助
層３の方が高く、更に記録層２の保磁力が最大となる温
度が記録層２のキュリー温度近傍にある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はダイレクトオーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録方
法に関する。
ト可能な光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光磁気記録は従来の磁気記録に比
べて大容量であり、しかも情報の書き換えが可能である
ことから活発な開発がなされており、一部では既に市販
されてもいる。しかしながら現在市販されている光磁気
記録装置の多くは、情報を書き換える際に元の情報を予
め消去しその後に新しい情報を書く、という行程を踏む
必要があるため消去操作に時間がかかり時間的なロスと
なっている。またオーバーライトを可能とする光磁気記
録方法も種々提案されているが問題点が多く実用化には
至っていない。
べて大容量であり、しかも情報の書き換えが可能である
ことから活発な開発がなされており、一部では既に市販
されてもいる。しかしながら現在市販されている光磁気
記録装置の多くは、情報を書き換える際に元の情報を予
め消去しその後に新しい情報を書く、という行程を踏む
必要があるため消去操作に時間がかかり時間的なロスと
なっている。またオーバーライトを可能とする光磁気記
録方法も種々提案されているが問題点が多く実用化には
至っていない。
【０００３】ここで従来の光磁気記録方法としては以下
のものが知られている。 一般的光変調方式（例えば応用磁気学会誌Vol.8、No.
5(1984)等）。 固定磁石による磁界変調方式（電気学会マグネティッ
クス研究会資料MAG-86-95(1986)等）。 浮上ヘッドによる磁界変調方式（電気学会マグネティ
ックス研究会資料MAG-86-95(1986)等）。 共振回路を持つ磁気ヘッド及びパルス状レーザを使用
したオーバーライト方式(IEEE Trans.Magn.24,P.666(19
88)、特開昭６３−３７８４２号公報）。 ２層膜を使用した光強度変化によるオーバーライト方
式（J.J. of Appl. Phys., Vol.28(1989),P367、Y. Mut
oh et. al.:第14回応用磁気学会学術講演概要集(1990)3
76)
のものが知られている。 一般的光変調方式（例えば応用磁気学会誌Vol.8、No.
5(1984)等）。 固定磁石による磁界変調方式（電気学会マグネティッ
クス研究会資料MAG-86-95(1986)等）。 浮上ヘッドによる磁界変調方式（電気学会マグネティ
ックス研究会資料MAG-86-95(1986)等）。 共振回路を持つ磁気ヘッド及びパルス状レーザを使用
したオーバーライト方式(IEEE Trans.Magn.24,P.666(19
88)、特開昭６３−３７８４２号公報）。 ２層膜を使用した光強度変化によるオーバーライト方
式（J.J. of Appl. Phys., Vol.28(1989),P367、Y. Mut
oh et. al.:第14回応用磁気学会学術講演概要集(1990)3
76)
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の光磁気記録
方法のうちの光変調方式は一般にオーバーライトがで
きないために消去動作を必要とし、書き換えに時間がか
かるという欠点がある。
方法のうちの光変調方式は一般にオーバーライトがで
きないために消去動作を必要とし、書き換えに時間がか
かるという欠点がある。
【０００５】またの固定磁石による磁界変調方式で
は、磁石にある程度の大きさのものが必要となり消費電
力が大きくなる。また高速化が非常に困難で１ＭＨｚ程
度のデジタル記録が限界と思われる。
は、磁石にある程度の大きさのものが必要となり消費電
力が大きくなる。また高速化が非常に困難で１ＭＨｚ程
度のデジタル記録が限界と思われる。
【０００６】またの浮上磁気ヘッドによる磁界変調方
式では磁気ヘッドを媒体にほぼ接触させる形となり、光
ディスクの非接触というメリットがなくなる。また単板
にする必要があり、記憶容量、基板のそり及び磁性膜の
保護の点で問題がある。
式では磁気ヘッドを媒体にほぼ接触させる形となり、光
ディスクの非接触というメリットがなくなる。また単板
にする必要があり、記憶容量、基板のそり及び磁性膜の
保護の点で問題がある。
【０００７】またの共振回路を持つ磁気ヘッド及びパ
ルス状レーザを使用する方式では、上記の方式よりは
よいが同じ課題を持つ。
ルス状レーザを使用する方式では、上記の方式よりは
よいが同じ課題を持つ。
【０００８】またの２層膜を使用した光強度変化によ
るオーバーライト方式では、２層間の交換結合の調整が
微妙で難しく、また大きな初期化磁界を必要とし、初期
化用磁石のコスト高、装置の大型化の問題がある。
るオーバーライト方式では、２層間の交換結合の調整が
微妙で難しく、また大きな初期化磁界を必要とし、初期
化用磁石のコスト高、装置の大型化の問題がある。
【０００９】本発明はこのような従来技術の実情に鑑み
てなされたもので下記のことを目的とする。 (1) 上記の方式において初期化磁界の低減を図る。 (2) 記録時のバイアス磁界による初期化を可能にし、特
別な初期化用磁石を用いずにオーバーライトを可能とす
る。 (3) ２層間の交換結合の程度によるオーバーライト特性
への影響を小さくし、記録媒体の作製を容易にする。
てなされたもので下記のことを目的とする。 (1) 上記の方式において初期化磁界の低減を図る。 (2) 記録時のバイアス磁界による初期化を可能にし、特
別な初期化用磁石を用いずにオーバーライトを可能とす
る。 (3) ２層間の交換結合の程度によるオーバーライト特性
への影響を小さくし、記録媒体の作製を容易にする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、２層以上の希土類及び鉄族遷移金
属を主成分とするアモルファス合金からなる磁性体層を
積層してなり、そのうち少なくとも２層は垂直磁化膜で
あり、この２層を光の入射方向から第１磁性体層、第２
磁性体層とした場合に、第１磁性体層と第２磁性体層は
交換結合しており、室温における保磁力は第２磁性体層
の方が大きく、キュリー温度は第２磁性体層の方が高
く、第１磁性体層の保磁力が最大となる温度が第１磁性
体層のキュリー温度近傍にあることを特徴とする光磁気
記録媒体が提供される。
め、本発明によれば、２層以上の希土類及び鉄族遷移金
属を主成分とするアモルファス合金からなる磁性体層を
積層してなり、そのうち少なくとも２層は垂直磁化膜で
あり、この２層を光の入射方向から第１磁性体層、第２
磁性体層とした場合に、第１磁性体層と第２磁性体層は
交換結合しており、室温における保磁力は第２磁性体層
の方が大きく、キュリー温度は第２磁性体層の方が高
く、第１磁性体層の保磁力が最大となる温度が第１磁性
体層のキュリー温度近傍にあることを特徴とする光磁気
記録媒体が提供される。
【００１１】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１磁性体層の保磁力が最大となる温度が第１磁性
体層のキュリー温度とキュリー温度−６０℃の間にある
ことを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
て、第１磁性体層の保磁力が最大となる温度が第１磁性
体層のキュリー温度とキュリー温度−６０℃の間にある
ことを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【００１２】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１磁性体層と第２磁性体層の間に両層間に働く交
換結合力を減少させるための第３の磁性体層を設けたこ
とを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
て、第１磁性体層と第２磁性体層の間に両層間に働く交
換結合力を減少させるための第３の磁性体層を設けたこ
とを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
【００１３】また、本発明によれば、上記構成におい
て、第３磁性体層が希土類及び鉄族遷移金属を主成分と
するアモルファス合金からなり、第３磁性体層のキュリ
ー温度は第１磁性体層のキュリー温度より高く、その保
磁力が最大となる温度が第１磁性体層のキュリー温度近
傍にあることを特徴とする光磁気記録媒体が提供され
る。
て、第３磁性体層が希土類及び鉄族遷移金属を主成分と
するアモルファス合金からなり、第３磁性体層のキュリ
ー温度は第１磁性体層のキュリー温度より高く、その保
磁力が最大となる温度が第１磁性体層のキュリー温度近
傍にあることを特徴とする光磁気記録媒体が提供され
る。
【００１４】また、本発明によれば、上記のいずれかの
光磁気記録媒体のうち第２磁性体層の補償温度が室温以
下にあるもの又は補償温度が存在しないものを使用し、
記録を行う前に比較的弱い磁界により第２磁性体層の磁
化を同一方向に揃え、その後、前記磁界よりは弱く方向
が逆である磁界を印加しながら光強度又はパルス幅又は
デユーディー比の異なる２種類のレーザーパルスを照射
してダイレクトオーバーライトを行うことを特徴とする
光磁気記録方法が提供される。
光磁気記録媒体のうち第２磁性体層の補償温度が室温以
下にあるもの又は補償温度が存在しないものを使用し、
記録を行う前に比較的弱い磁界により第２磁性体層の磁
化を同一方向に揃え、その後、前記磁界よりは弱く方向
が逆である磁界を印加しながら光強度又はパルス幅又は
デユーディー比の異なる２種類のレーザーパルスを照射
してダイレクトオーバーライトを行うことを特徴とする
光磁気記録方法が提供される。
【００１５】また、本発明によれば、上記のいずれかの
光磁気記録媒体のうち第２磁性体層の補償温度が室温と
キュリー温度の間にあるものを使用し、記録を行う前に
比較的弱い磁界により第２磁性体層の磁化を同一方向に
揃え、その後、前記磁界よりは弱く方向が同一である磁
界を印加しながら光強度又はパルス幅又はデューディー
比の異なる２種類のレーザーパルスを照射してダイレク
トオーバーライトを行うことを特徴とする光磁気記録方
法が提供される。
光磁気記録媒体のうち第２磁性体層の補償温度が室温と
キュリー温度の間にあるものを使用し、記録を行う前に
比較的弱い磁界により第２磁性体層の磁化を同一方向に
揃え、その後、前記磁界よりは弱く方向が同一である磁
界を印加しながら光強度又はパルス幅又はデューディー
比の異なる２種類のレーザーパルスを照射してダイレク
トオーバーライトを行うことを特徴とする光磁気記録方
法が提供される。
【００１６】さらに、本発明によれば、上記のいずれか
の光磁気記録媒体のうち第２磁性体層の補償温度が室温
とキュリー温度の間にあるものを使用し、室温において
第２磁性体層の磁化が同一方向に揃うだけの強度の磁界
を印加しながら光強度又はパルス幅又はデューティー比
の異なる２種類のレーザーパルスを照射してダイレクト
オーバーライトを行うことを特徴とする光磁気記録方法
が提供される。
の光磁気記録媒体のうち第２磁性体層の補償温度が室温
とキュリー温度の間にあるものを使用し、室温において
第２磁性体層の磁化が同一方向に揃うだけの強度の磁界
を印加しながら光強度又はパルス幅又はデューティー比
の異なる２種類のレーザーパルスを照射してダイレクト
オーバーライトを行うことを特徴とする光磁気記録方法
が提供される。
【００１７】
【実施例】以下本発明による光磁気記録媒体について詳
述する。図１は本発明に係る光磁気記録媒体の最も基本
的な層構成を模式的に示す断面図であり、基板１上に記
録層２及び補助層３を積層してなり、記録再生用レーザ
光は基板１側から入射されるようになっている。記録層
２及び補助層３はそれぞれ希土類金属（Ｄｙ，Ｔｂ，Ｇ
ｄ，Ｎｄ等）と鉄族遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）を主
成分とするアモルファス合金からなる垂直磁化膜で構成
され、両層２，３間には交換結合力が働いている。そし
て両層の磁気特性は図２（ａ）〜（ｄ）に示すようにな
っている。図示の如く、これら磁性膜の磁気特性は、記
録層２と補助層３の保磁力をそれぞれＨｃ1、Ｈｃ2、キ
ュリー温度をそれぞれ室温（ＲＴ）においてＨｃ1＞Ｈ
ｃ2であり、また、Ｔｃ1、Ｔｃ2としたとき、Ｔｃ1＜Ｔ
ｃ2である。室温（ＲＴ）においてＨｃ1は１ｋＯｅ以
上、Ｈｃ2は２ｋＯｅ以下が好ましく、Ｔｃ1は１２０〜
２００℃程度、Ｔｃ2は１８０〜３００℃程度が好まし
い。さらに、記録層２の保磁力Ｈｃ1 が最大となる温度
がそのキュリー温度Ｔｃ1近傍にあるのが好ましい。詳
しくは記録層２に補償温度Ｔcomp1 が存在する場合はそ
の補償温度Ｔcomp1 が、補償温度Ｔcomp1 が存在しない
場合は保磁力Ｈｃ1が最大となる温度が、Ｔｃ1 −６０
℃〜Ｔｃ1 の間にあるのが好ましい。
述する。図１は本発明に係る光磁気記録媒体の最も基本
的な層構成を模式的に示す断面図であり、基板１上に記
録層２及び補助層３を積層してなり、記録再生用レーザ
光は基板１側から入射されるようになっている。記録層
２及び補助層３はそれぞれ希土類金属（Ｄｙ，Ｔｂ，Ｇ
ｄ，Ｎｄ等）と鉄族遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）を主
成分とするアモルファス合金からなる垂直磁化膜で構成
され、両層２，３間には交換結合力が働いている。そし
て両層の磁気特性は図２（ａ）〜（ｄ）に示すようにな
っている。図示の如く、これら磁性膜の磁気特性は、記
録層２と補助層３の保磁力をそれぞれＨｃ1、Ｈｃ2、キ
ュリー温度をそれぞれ室温（ＲＴ）においてＨｃ1＞Ｈ
ｃ2であり、また、Ｔｃ1、Ｔｃ2としたとき、Ｔｃ1＜Ｔ
ｃ2である。室温（ＲＴ）においてＨｃ1は１ｋＯｅ以
上、Ｈｃ2は２ｋＯｅ以下が好ましく、Ｔｃ1は１２０〜
２００℃程度、Ｔｃ2は１８０〜３００℃程度が好まし
い。さらに、記録層２の保磁力Ｈｃ1 が最大となる温度
がそのキュリー温度Ｔｃ1近傍にあるのが好ましい。詳
しくは記録層２に補償温度Ｔcomp1 が存在する場合はそ
の補償温度Ｔcomp1 が、補償温度Ｔcomp1 が存在しない
場合は保磁力Ｈｃ1が最大となる温度が、Ｔｃ1 −６０
℃〜Ｔｃ1 の間にあるのが好ましい。
【００１８】上記のような条件を満足する記録層２と補
助層３の材料の組合せとしては、例えば、ＴｂＦｅとＴ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏとＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏとＴｂＦ
ｅＣｏ、ＴｂＮｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅと
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏとＧｄＴｂＦｅ、Ｄｙ
ＦｅＣｏとＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＮｄＦｅＣｏとＧｄＴｂ
Ｆｅ等が挙げられる。
助層３の材料の組合せとしては、例えば、ＴｂＦｅとＴ
ｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏとＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏとＴｂＦ
ｅＣｏ、ＴｂＮｄＦｅＣｏとＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅと
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏとＧｄＴｂＦｅ、Ｄｙ
ＦｅＣｏとＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＮｄＦｅＣｏとＧｄＴｂ
Ｆｅ等が挙げられる。
【００１９】本発明の光磁気記録媒体においては、記録
層２と補助層３との間に両層間の交換結合力（両層間に
界面磁壁が存在する場合はその界面磁壁エネルギー）を
調整するための中間層を設けてもよい。中間層は、記録
層、補助層と同様希土類−鉄族遷移金属を主成分とする
アモルファス合金膜からなるのが好ましく、他の２層と
比較し、垂直磁気異方性定数及び／又は交換定数が小さ
く、キュリー温度Ｔｃ3が記録層２のキュリー温度Ｔｃ1
より大きく、その保磁力Ｈｃ3が最大となる温度が記録
層２のキュリー温度Ｔｃ1の近傍詳しくはＴｃ1±６０℃
の間にあるのが好ましい。この場合、Ｔｃ2とＴｃ3の関
係には特に制約はない。垂直磁気異方性を小さくするた
めには合金膜を構成する希土類金属としてＧｄ、Ｎｄ等
を使用すると良い。交換定数を小さくするには非磁性元
素を混入させるのが効果的である。又、記録層２と補助
層３の間に働く交換結合力の強さは中間層の膜厚を変化
させる事により容易に調整する事ができる。膜厚は２〜
５０ｎｍ程度が適当である。中間層に使用される材料を
例示すると、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ、ＮｄＦｅ、ＮｄＣ
ｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＣｏ、更にＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等に非磁性元素を混入させたも
の等が挙げられる。
層２と補助層３との間に両層間の交換結合力（両層間に
界面磁壁が存在する場合はその界面磁壁エネルギー）を
調整するための中間層を設けてもよい。中間層は、記録
層、補助層と同様希土類−鉄族遷移金属を主成分とする
アモルファス合金膜からなるのが好ましく、他の２層と
比較し、垂直磁気異方性定数及び／又は交換定数が小さ
く、キュリー温度Ｔｃ3が記録層２のキュリー温度Ｔｃ1
より大きく、その保磁力Ｈｃ3が最大となる温度が記録
層２のキュリー温度Ｔｃ1の近傍詳しくはＴｃ1±６０℃
の間にあるのが好ましい。この場合、Ｔｃ2とＴｃ3の関
係には特に制約はない。垂直磁気異方性を小さくするた
めには合金膜を構成する希土類金属としてＧｄ、Ｎｄ等
を使用すると良い。交換定数を小さくするには非磁性元
素を混入させるのが効果的である。又、記録層２と補助
層３の間に働く交換結合力の強さは中間層の膜厚を変化
させる事により容易に調整する事ができる。膜厚は２〜
５０ｎｍ程度が適当である。中間層に使用される材料を
例示すると、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ、ＮｄＦｅ、ＮｄＣ
ｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＣｏ、更にＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
Ｆｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等に非磁性元素を混入させたも
の等が挙げられる。
【００２０】基板１としては、ガラス、紫外線硬化樹脂
によるガイドトラックを設けたガラス、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、エポキシ系樹脂等を用
いることができる。
によるガイドトラックを設けたガラス、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、エポキシ系樹脂等を用
いることができる。
【００２１】また、層構成としては図１に示すもののほ
か、図３に例示するように、中間層、保護層、反射層、
誘電体層、ガイドトラック層、保護基板等を適宜の組合
せで設けてもよいし、第３磁性層、第４磁性層…等を設
けてもよい。更に、これらの構造のものを２枚貼り合わ
せ、両面記録可能な媒体としてもよい。
か、図３に例示するように、中間層、保護層、反射層、
誘電体層、ガイドトラック層、保護基板等を適宜の組合
せで設けてもよいし、第３磁性層、第４磁性層…等を設
けてもよい。更に、これらの構造のものを２枚貼り合わ
せ、両面記録可能な媒体としてもよい。
【００２２】次に上記構成の光磁気記録媒体を用いた場
合の記録プロセスを図３を参照して説明する。図中、層
内の矢印は遷移金属の副格子磁気モーメントの方向を示
す。初期化磁界Ｈini及び記録バイアス磁界Ｈbは印加時
(ＲＴ又はＴｃ2）において補助層３の磁化が希土類リッ
チである場合は逆向き、それ以外は同じ向きに印加す
る。即ち、図２の（ａ）、（ｂ）の場合とＴcomp2がな
い場合はＨiniとＨbは逆向きにする必要がある。また、
ＨbはＬプロセスの間、補助層３の磁化反転が起こらな
いよう小さめに設定する必要がある。なお図中、記録層
２と補助層３の境界を破線で表わしてあるものは界面磁
壁が存在しないことを示し、実線で表わしてあるものは
界面磁壁が存在することを示す。
合の記録プロセスを図３を参照して説明する。図中、層
内の矢印は遷移金属の副格子磁気モーメントの方向を示
す。初期化磁界Ｈini及び記録バイアス磁界Ｈbは印加時
(ＲＴ又はＴｃ2）において補助層３の磁化が希土類リッ
チである場合は逆向き、それ以外は同じ向きに印加す
る。即ち、図２の（ａ）、（ｂ）の場合とＴcomp2がな
い場合はＨiniとＨbは逆向きにする必要がある。また、
ＨbはＬプロセスの間、補助層３の磁化反転が起こらな
いよう小さめに設定する必要がある。なお図中、記録層
２と補助層３の境界を破線で表わしてあるものは界面磁
壁が存在しないことを示し、実線で表わしてあるものは
界面磁壁が存在することを示す。
【００２３】記録時には、図４（ａ）〜（ｃ）に示すよ
うに記録信号に対応させて少なくともレーザパワー又は
パルス幅又は連続パルスのデューティ比を変化させてレ
ーザ光を照射する。ここでは、レーザパワーを変化させ
る場合につき述べるが、パルス幅又は連続パルスのデュ
ーティ比を変化させる場合も同様である。
うに記録信号に対応させて少なくともレーザパワー又は
パルス幅又は連続パルスのデューティ比を変化させてレ
ーザ光を照射する。ここでは、レーザパワーを変化させ
る場合につき述べるが、パルス幅又は連続パルスのデュ
ーティ比を変化させる場合も同様である。
【００２４】先ず、図２の（ａ）、（ｂ）のような磁気
特性を有する媒体、即ち補助層３の補償温度Ｔcomp2 が
室温ＲＴ以下にあるもの又は補償温度Ｔcomp2 が存在し
ないものを用いた場合のＬプロセス（低パワーＰａのレ
ーザ照射）について述べる。この場合、Ｈini ，Ｈb の
方向は逆向きとする。記録を行う前に、図３の（イ）あ
るいは（ニ）の状態であるビットに比較的強い磁界（５
００Ｏｅ〜３ｋＯｅ程度）Ｈini を印加し、補助層３の
磁化の向きをその磁界方向に揃える。次いでＨini とは
逆向きにそれよりは弱いバイアス磁界Ｈb （５０Ｏｅ〜
１ｋＯｅ程度）を印加し、低パワーＰb のレーザ照射に
より磁性膜の温度をＴｃ1 近傍まで上昇させた後、冷却
させる。この過程により、（ロ）の状態であったものは
バイアス磁界Ｈb が補助層３の磁界を反転させない大き
さに設定されているので、そのままの状態（ハ）とな
る。また、（ホ）の状態にあったものは補助層３からの
交換結合力が大きいため記録バイアス磁界Ｈb とは反対
向きとなり、（ハ）の状態となる。
特性を有する媒体、即ち補助層３の補償温度Ｔcomp2 が
室温ＲＴ以下にあるもの又は補償温度Ｔcomp2 が存在し
ないものを用いた場合のＬプロセス（低パワーＰａのレ
ーザ照射）について述べる。この場合、Ｈini ，Ｈb の
方向は逆向きとする。記録を行う前に、図３の（イ）あ
るいは（ニ）の状態であるビットに比較的強い磁界（５
００Ｏｅ〜３ｋＯｅ程度）Ｈini を印加し、補助層３の
磁化の向きをその磁界方向に揃える。次いでＨini とは
逆向きにそれよりは弱いバイアス磁界Ｈb （５０Ｏｅ〜
１ｋＯｅ程度）を印加し、低パワーＰb のレーザ照射に
より磁性膜の温度をＴｃ1 近傍まで上昇させた後、冷却
させる。この過程により、（ロ）の状態であったものは
バイアス磁界Ｈb が補助層３の磁界を反転させない大き
さに設定されているので、そのままの状態（ハ）とな
る。また、（ホ）の状態にあったものは補助層３からの
交換結合力が大きいため記録バイアス磁界Ｈb とは反対
向きとなり、（ハ）の状態となる。
【００２５】また、上記の媒体を用いた場合のＨプロセ
スについて述べると、この場合も記録を行う前に、図３
の（イ）あるいは（ニ）のビットにＨini を印加し、補
助層３の磁化の向きをその磁界方向に揃える。次いでＨ
ini とは逆向きにそれよりは弱いバイアス磁界Ｈbを印
加し、高パワーＰa のレーザ照射により磁性膜の温度を
Ｔｃ2 近傍あるいはそれ以上の温度まで上昇させた後、
冷却させる。この過程により、（ロ）、（ホ）の状態で
あったものは記録層２及び補助層３のいずれの磁化もほ
ぼ零となった状態からバイアス磁界Ｈb のもとで冷却さ
れるので、（ヘ）のように補助層３の磁化がバイアス磁
界Ｈb と同じ向きとなった後、補助層３の交換結合力に
より記録層２の磁化の方向もそれに揃い、（ト）の状態
となる。
スについて述べると、この場合も記録を行う前に、図３
の（イ）あるいは（ニ）のビットにＨini を印加し、補
助層３の磁化の向きをその磁界方向に揃える。次いでＨ
ini とは逆向きにそれよりは弱いバイアス磁界Ｈbを印
加し、高パワーＰa のレーザ照射により磁性膜の温度を
Ｔｃ2 近傍あるいはそれ以上の温度まで上昇させた後、
冷却させる。この過程により、（ロ）、（ホ）の状態で
あったものは記録層２及び補助層３のいずれの磁化もほ
ぼ零となった状態からバイアス磁界Ｈb のもとで冷却さ
れるので、（ヘ）のように補助層３の磁化がバイアス磁
界Ｈb と同じ向きとなった後、補助層３の交換結合力に
より記録層２の磁化の方向もそれに揃い、（ト）の状態
となる。
【００２６】以上は図２の（ａ）、（ｂ）のような磁気
特性を有する媒体、即ち補助層３の補償温度Ｔcomp2 が
室温ＲＴ以下にあるもの又は補償温度Ｔcomp2 が存在し
ないものを用いた場合であったが、図２の（ｃ）、
（ｄ）のような磁気特性を有する媒体、即ち補助層３の
補償温度Ｔcomp2 がキュリー温度Ｔｃ2 と室温ＲＴの間
にある場合も、Ｈini ，Ｈb を同じ向きにすれば同様の
原理によりオーバーライトが可能となる。また、室温Ｒ
Ｔでの補助層３の保磁力Ｈｃ2 が小さい場合にはＨini
をＨb で兼ねることも可能である。
特性を有する媒体、即ち補助層３の補償温度Ｔcomp2 が
室温ＲＴ以下にあるもの又は補償温度Ｔcomp2 が存在し
ないものを用いた場合であったが、図２の（ｃ）、
（ｄ）のような磁気特性を有する媒体、即ち補助層３の
補償温度Ｔcomp2 がキュリー温度Ｔｃ2 と室温ＲＴの間
にある場合も、Ｈini ，Ｈb を同じ向きにすれば同様の
原理によりオーバーライトが可能となる。また、室温Ｒ
Ｔでの補助層３の保磁力Ｈｃ2 が小さい場合にはＨini
をＨb で兼ねることも可能である。
【００２７】
【発明の効果】請求項１、２、５〜７の発明によれば、
以下のような効果が得られる。従来技術で示したの方
式では記録時に記録層（第１磁性体層）がバイアス磁界
の方向を向くモードと逆を向くモードがある。そこで、
逆を向かせる場合には補助層（第２磁性体層）からの交
換結合力はこの記録層が磁界の方向を向こうとする力よ
りも大きい必要がある。従って２層間の交換結合力はあ
る程度の大きさを必要とする。この交換結合力は室温で
は更に大きくなるため、大きな初期化磁界が必要となっ
ている。これに対し、これら請求項の発明では、記録時
に第１磁性体層の保磁力Ｈｃ1 が大きくなるようにして
あるので、第１磁性体層が磁界の影響を受けにくく、２
層間の交換結合力が小さくても磁界の影響を受けずに安
定にオーバーライトが可能となる。これにより初期化機
構の小型化又は省略ができ、装置の小型化、コストダウ
ンにつながる。又、微妙な２層間の交換結合力の調整が
不要となり、媒体作製も容易となりコストダウンにつな
がる。請求項３の発明によれば、上記効果に加え、２層
間の交換結合力を減少させ、初期化磁界の低減が可能に
なる。請求項４の発明によれば、第３磁性体層を介在さ
せることにより、記録時の第３磁性体層を介した磁界の
影響が軽減されるため、上記効果がより確実なものとな
る。
以下のような効果が得られる。従来技術で示したの方
式では記録時に記録層（第１磁性体層）がバイアス磁界
の方向を向くモードと逆を向くモードがある。そこで、
逆を向かせる場合には補助層（第２磁性体層）からの交
換結合力はこの記録層が磁界の方向を向こうとする力よ
りも大きい必要がある。従って２層間の交換結合力はあ
る程度の大きさを必要とする。この交換結合力は室温で
は更に大きくなるため、大きな初期化磁界が必要となっ
ている。これに対し、これら請求項の発明では、記録時
に第１磁性体層の保磁力Ｈｃ1 が大きくなるようにして
あるので、第１磁性体層が磁界の影響を受けにくく、２
層間の交換結合力が小さくても磁界の影響を受けずに安
定にオーバーライトが可能となる。これにより初期化機
構の小型化又は省略ができ、装置の小型化、コストダウ
ンにつながる。又、微妙な２層間の交換結合力の調整が
不要となり、媒体作製も容易となりコストダウンにつな
がる。請求項３の発明によれば、上記効果に加え、２層
間の交換結合力を減少させ、初期化磁界の低減が可能に
なる。請求項４の発明によれば、第３磁性体層を介在さ
せることにより、記録時の第３磁性体層を介した磁界の
影響が軽減されるため、上記効果がより確実なものとな
る。
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の基本的な層構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は図１の光磁気記録媒体の記録
層及び補助層の磁気特性を示す図である。
層及び補助層の磁気特性を示す図である。
【図３】本発明で使用しうる光磁気記録媒体の別の層構
成例を示す断面図である。
成例を示す断面図である。
【図４】図２の光磁気記録媒体を用いた場合の記録プロ
セスの説明図である。
セスの説明図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）はレーザ照射方法の例を示す図
である。
である。
１ 基板 ２ 記録層（第１磁性体層） ３ 補助層（第２磁性体層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 野々山 治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田中 元治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (7)
- 【請求項１】 ２層以上の希土類及び鉄族遷移金属を主
成分とするアモルファス合金からなる磁性体層を積層し
てなり、 そのうち少なくとも２層は垂直磁化膜であり、 この２層を光の入射方向から第１磁性体層、第２磁性体
層とした場合に、第１磁性体層と第２磁性体層は交換結
合しており、 室温における保磁力は第２磁性体層の方が大きく、 キュリー温度は第２磁性体層の方が高く、 第１磁性体層の保磁力が最大となる温度が第１磁性体層
のキュリー温度近傍にあることを特徴とする光磁気記録
媒体。 - 【請求項２】 第１磁性体層の保磁力が最大となる温度
が第１磁性体層のキュリー温度とキュリー温度−６０℃
の間にあることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項３】 第１磁性体層と第２磁性体層の間に両層
間に働く交換結合力を減少させるための第３の磁性体層
を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項４】 第３磁性体層が希土類及び鉄族遷移金属
を主成分とするアモルファス合金からなり、 第３磁性体層のキュリー温度は第１磁性体層のキュリー
温度より高く、 その保磁力が最大となる温度が第１磁性体層のキュリー
温度近傍にあることを特徴とする請求項３に記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかの光磁気記録媒
体のうち第２磁性体層の補償温度が室温以下にあるもの
又は補償温度が存在しないものを使用し、 記録を行う前に比較的弱い磁界により第２磁性体層の磁
化を同一方向に揃え、 その後、前記磁界よりは弱く方向が逆である磁界を印加
しながら光強度又はパルス幅又はデユーディー比の異な
る２種類のレーザーパルスを照射してダイレクトオーバ
ーライトを行うことを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかの光磁気記録媒
体のうち第２磁性体層の補償温度が室温とキュリー温度
の間にあるものを使用し、 記録を行う前に比較的弱い磁界により第２磁性体層の磁
化を同一方向に揃え、 その後、前記磁界よりは弱く方向が同一である磁界を印
加しながら光強度又はパルス幅又はデューディー比の異
なる２種類のレーザーパルスを照射してダイレクトオー
バーライトを行うことを特徴とする光磁気記録方法。 - 【請求項７】 請求項１〜４のいずれかの光磁気記録媒
体のうち第２磁性体層の補償温度が室温とキュリー温度
の間にあるものを使用し、 室温において第２磁性体層の磁化が同一方向に揃うだけ
の強度の磁界を印加しながら光強度又はパルス幅又はデ
ューティー比の異なる２種類のレーザーパルスを照射し
てダイレクトオーバーライトを行うことを特徴とする光
磁気記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18172392A JPH05347038A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18172392A JPH05347038A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347038A true JPH05347038A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=16105756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18172392A Pending JPH05347038A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347038A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998036409A1 (en) * | 1997-02-17 | 1998-08-20 | Seiko Epson Corporation | Magnetic recording method |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP18172392A patent/JPH05347038A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998036409A1 (en) * | 1997-02-17 | 1998-08-20 | Seiko Epson Corporation | Magnetic recording method |
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