JPH06187683A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH06187683A JPH06187683A JP43A JP35578792A JPH06187683A JP H06187683 A JPH06187683 A JP H06187683A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 35578792 A JP35578792 A JP 35578792A JP H06187683 A JPH06187683 A JP H06187683A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 組成制御が容易でかつ安価な材料を使用した
交換結合３層膜の構成、特に中間層の構成に着目した光
磁気記録媒体を提供する。 【構成】 本発明の光磁気記録媒体は交換結合３層膜の
真中の磁性層を遷移金属又はその合金で構成したことを
特徴とする。
交換結合３層膜の構成、特に中間層の構成に着目した光
磁気記録媒体を提供する。 【構成】 本発明の光磁気記録媒体は交換結合３層膜の
真中の磁性層を遷移金属又はその合金で構成したことを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光変調方式によるオーバ
ーライト（重ね書き）を可能とした光磁気記録媒体に関
する。
ーライト（重ね書き）を可能とした光磁気記録媒体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、書き換え可能な光記録媒体とし
て、磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体が精力的に
研究開発され、既に実用化されるに至っている。この光
磁気記録媒体は大容量高密度記録、非接触記録再生、ア
クセスの容易さ等の利点に加え、書き換えが可能という
点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気
記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能
を持った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課
題があり、その中の主要なものの１つにオーバーライト
技術がある。現在提案されているオーバーライト技術
は、記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マル
チビーム方式、２層膜方式等）に大別される。
て、磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体が精力的に
研究開発され、既に実用化されるに至っている。この光
磁気記録媒体は大容量高密度記録、非接触記録再生、ア
クセスの容易さ等の利点に加え、書き換えが可能という
点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気
記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能
を持った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課
題があり、その中の主要なものの１つにオーバーライト
技術がある。現在提案されているオーバーライト技術
は、記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マル
チビーム方式、２層膜方式等）に大別される。
【０００３】磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界
の極性を反転させて記録を行なう方式である。この方式
では、磁界の反転を高速で行なわなくてはならないた
め、浮上タイプの磁気ヘッドを用いる等の処置を施す必
要があり、光磁気記録媒体を構成する最表面層（保護
層）に十分な強度と潤滑性をもたせるように特に配慮
し、設計しなければならない。また、構造上、媒体の両
面に記録層を配置することができず、両面記録可能な光
変調記録媒体に比べて記憶容量が半減する。
の極性を反転させて記録を行なう方式である。この方式
では、磁界の反転を高速で行なわなくてはならないた
め、浮上タイプの磁気ヘッドを用いる等の処置を施す必
要があり、光磁気記録媒体を構成する最表面層（保護
層）に十分な強度と潤滑性をもたせるように特に配慮
し、設計しなければならない。また、構造上、媒体の両
面に記録層を配置することができず、両面記録可能な光
変調記録媒体に比べて記憶容量が半減する。
【０００４】一方、光変調方式は記録情報に応じて照射
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行なう方式である。また、２層膜方式は光磁気記録媒
体の記録層を２層膜とし、オーバーライトを達成しよう
とするもので、例えば特開昭６２−１７５９４８号公報
等に開示されている。この公報に記載されている方式
は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層とＴｂＦｅＣｏか
らなる補助層との２層膜の記録層を備えた光磁気記録媒
体を用い、初期化を行なった後、外部磁界の印加とパワ
ーの異なるレーザビームの照射によりオーバーライトを
実現しようとするものである。すなわち、この方式で
は、記録に先立ち予め初期化用磁界により補助層の磁化
を一方向に揃え、高出力レーザビーム（Ｐ1）を照射し
て光磁気記録媒体の温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補助層
のキュリー温度）なる温度まで昇温させ、記録用磁界
（初期化用磁界と反対方向）を印加して補助層の磁化を
反転させ、光磁気記録媒体が冷却される際にその磁化を
メモリ層に転写させることにより記録を行ない、また、
低出力レーザビーム（Ｐ2）を照射して光磁気記録媒体
の温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1はメモリ層のキュリ
ー温度）なる温度まで昇温させ、補助層の磁化方向をメ
モリ層に転写させることにより消去を行なうというもの
である。そのため、この方式では、初期化用磁石が必要
になる、Ｔｃ1、Ｔｃ2付近の温度を記録、消去に用いる
ので記録感度が悪くなるなどの問題があった。
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
を行なう方式である。また、２層膜方式は光磁気記録媒
体の記録層を２層膜とし、オーバーライトを達成しよう
とするもので、例えば特開昭６２−１７５９４８号公報
等に開示されている。この公報に記載されている方式
は、例えばＴｂＦｅからなるメモリ層とＴｂＦｅＣｏか
らなる補助層との２層膜の記録層を備えた光磁気記録媒
体を用い、初期化を行なった後、外部磁界の印加とパワ
ーの異なるレーザビームの照射によりオーバーライトを
実現しようとするものである。すなわち、この方式で
は、記録に先立ち予め初期化用磁界により補助層の磁化
を一方向に揃え、高出力レーザビーム（Ｐ1）を照射し
て光磁気記録媒体の温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補助層
のキュリー温度）なる温度まで昇温させ、記録用磁界
（初期化用磁界と反対方向）を印加して補助層の磁化を
反転させ、光磁気記録媒体が冷却される際にその磁化を
メモリ層に転写させることにより記録を行ない、また、
低出力レーザビーム（Ｐ2）を照射して光磁気記録媒体
の温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1はメモリ層のキュリ
ー温度）なる温度まで昇温させ、補助層の磁化方向をメ
モリ層に転写させることにより消去を行なうというもの
である。そのため、この方式では、初期化用磁石が必要
になる、Ｔｃ1、Ｔｃ2付近の温度を記録、消去に用いる
ので記録感度が悪くなるなどの問題があった。
【０００５】また、反磁界を利用してオーバーライトを
行う方式も提案されている（Han-Ping D. Sheih and Ma
rk H. Kryder;Appl. Phys. Lett. 49(1986)473, Han-Pi
ng D. Shieh and Mark H. Kryder;IEEE Trans. Magh. V
ol.MAG-23(1987)171, M. D.Schultz, H-P D. Shieh, an
d M. H. Kryder;J. Appl. Phys. 63(1988)3844）。とこ
ろが、この方式では、以前に記録されていたビットと同
じ場所にレーザパルスを照射する必要があるためレーザ
パルス照射位置の制御が困難であり、またビットポジシ
ョン記録しかできない等の問題がある。
行う方式も提案されている（Han-Ping D. Sheih and Ma
rk H. Kryder;Appl. Phys. Lett. 49(1986)473, Han-Pi
ng D. Shieh and Mark H. Kryder;IEEE Trans. Magh. V
ol.MAG-23(1987)171, M. D.Schultz, H-P D. Shieh, an
d M. H. Kryder;J. Appl. Phys. 63(1988)3844）。とこ
ろが、この方式では、以前に記録されていたビットと同
じ場所にレーザパルスを照射する必要があるためレーザ
パルス照射位置の制御が困難であり、またビットポジシ
ョン記録しかできない等の問題がある。
【０００６】最近では、こうした諸々の問題を配慮した
うえで、これらの方式及び積層された磁性層の優れた点
に着目して、光変調オーバーライトに適した光磁気記録
媒体に記録層（メモリ層）、中間層、補助層の３層の磁
性層を積層して構成した、いわゆる交換結合３層膜が提
案され、現在ではそれが主流をなしている。そして、こ
の交換結合層膜における各層はそれぞれ希土類（ＲＥ）
−遷移金属（ＴＭ）系のアモルファス膜が用いられるこ
とが多く、各層ごとにキュリー温度、保磁力、飽和磁
化、界面磁壁エネルギーが適当な値を持つように構成元
素、組成、膜厚等が決定されるのが普通である。
うえで、これらの方式及び積層された磁性層の優れた点
に着目して、光変調オーバーライトに適した光磁気記録
媒体に記録層（メモリ層）、中間層、補助層の３層の磁
性層を積層して構成した、いわゆる交換結合３層膜が提
案され、現在ではそれが主流をなしている。そして、こ
の交換結合層膜における各層はそれぞれ希土類（ＲＥ）
−遷移金属（ＴＭ）系のアモルファス膜が用いられるこ
とが多く、各層ごとにキュリー温度、保磁力、飽和磁
化、界面磁壁エネルギーが適当な値を持つように構成元
素、組成、膜厚等が決定されるのが普通である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
交換結合３層膜又は光磁気記録媒体を実際に製膜又は作
製するうえにおいては、交換結合３層膜の各層の構成元
素はより少ない方が組成制御の点から好ましく、またで
きるだけ安価な材料を選ぶべきであるが、現状では上記
の通り構成元素の数も多く、さらに高価な希土類金属を
多用している。更にまた後述するように、磁気特性の温
度変化の点からも改善が求められている。
交換結合３層膜又は光磁気記録媒体を実際に製膜又は作
製するうえにおいては、交換結合３層膜の各層の構成元
素はより少ない方が組成制御の点から好ましく、またで
きるだけ安価な材料を選ぶべきであるが、現状では上記
の通り構成元素の数も多く、さらに高価な希土類金属を
多用している。更にまた後述するように、磁気特性の温
度変化の点からも改善が求められている。
【０００８】本発明の目的は、かかる不都合な点を解消
し、交換結合３層膜の構成元素（特に真中に位置する層
の構成元素）の組成制御が容易な光磁気記録媒体を提供
するものである。
し、交換結合３層膜の構成元素（特に真中に位置する層
の構成元素）の組成制御が容易な光磁気記録媒体を提供
するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、前記交換結合３層膜の真中に位置する層（以降「中
間層」と称する）を１種類の遷移金属により、遷移
金属どうしの合金により、特にＦｅにより、又はＦ
ｅＣｏ合金（Ｆｅ含有量４０ａｔｍ％以上）により構成
することを特徴としている。ここで、前記又はにお
いては遷移金属が中間層以外の２つの磁性層のいずれか
或いはそれら２つの磁性層に含まれる元素であってもか
まわない。
は、前記交換結合３層膜の真中に位置する層（以降「中
間層」と称する）を１種類の遷移金属により、遷移
金属どうしの合金により、特にＦｅにより、又はＦ
ｅＣｏ合金（Ｆｅ含有量４０ａｔｍ％以上）により構成
することを特徴としている。ここで、前記又はにお
いては遷移金属が中間層以外の２つの磁性層のいずれか
或いはそれら２つの磁性層に含まれる元素であってもか
まわない。
【００１０】以下に本発明をさらに詳細に説明するが、
それに先だってまずはじめに中間層の役割について簡単
に述べる。中間層は記録層と補助層の間に働く界面磁性
エネルギーの大きさを制御するために設けられたもので
あって、室温時には初期化磁界により補助層が容易に初
期化されるように、また、Ｌプロセス（初期化磁界によ
り揃えられた補助層の磁化の方向に記録層の磁化を揃え
るプロセス）が行われる温度では記録層の磁化が補助層
の磁化方向に確実に揃うように設定される。
それに先だってまずはじめに中間層の役割について簡単
に述べる。中間層は記録層と補助層の間に働く界面磁性
エネルギーの大きさを制御するために設けられたもので
あって、室温時には初期化磁界により補助層が容易に初
期化されるように、また、Ｌプロセス（初期化磁界によ
り揃えられた補助層の磁化の方向に記録層の磁化を揃え
るプロセス）が行われる温度では記録層の磁化が補助層
の磁化方向に確実に揃うように設定される。
【００１１】そのために、中間層に必要な条件として
は、室温においては界面磁壁エネルギー（σｗ）をでき
るだけ小さく抑え高温時には逆にある程度大きな値とな
る磁気特性の温度依存性を持つことであるが、界面磁壁
エネルギー自体は温度に対し単調に減少するので、結局
はその減少の度合いを記録層の保磁力の温度変化と比較
してなるべく小さく抑え、室温時と高温時とで界面磁壁
エネルギーの差があまりないようにするのが有効なもの
となる。
は、室温においては界面磁壁エネルギー（σｗ）をでき
るだけ小さく抑え高温時には逆にある程度大きな値とな
る磁気特性の温度依存性を持つことであるが、界面磁壁
エネルギー自体は温度に対し単調に減少するので、結局
はその減少の度合いを記録層の保磁力の温度変化と比較
してなるべく小さく抑え、室温時と高温時とで界面磁壁
エネルギーの差があまりないようにするのが有効なもの
となる。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体は透明基板上に記
録層、中間層、補助層を順次形成させた磁性膜から構成
されたものでもよいが、望ましくは、透明基板と記録層
との間に下地層及び／又は補助層上にそれぞれ保護層を
形成させる。更に、保護層上にＡｌなどの反射層を設け
てもよい。
録層、中間層、補助層を順次形成させた磁性膜から構成
されたものでもよいが、望ましくは、透明基板と記録層
との間に下地層及び／又は補助層上にそれぞれ保護層を
形成させる。更に、保護層上にＡｌなどの反射層を設け
てもよい。
【００１３】本発明の光磁気記録媒体の透明基板にはガ
ラス、プラスチック、セラミックなどが用いられる。下
地層（膜厚１００〜５０００Å）にはＳｉＯ2、Ｓｉ
Ｏ、Ｓｉ3Ｎ4などが用いられる。記録層（膜厚１００〜
５０００Å）にはＴｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ
−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔ
ｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ
−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類−遷移金属系アモルフ
ァス膜、Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒなどの多結晶膜などが
用いられる。
ラス、プラスチック、セラミックなどが用いられる。下
地層（膜厚１００〜５０００Å）にはＳｉＯ2、Ｓｉ
Ｏ、Ｓｉ3Ｎ4などが用いられる。記録層（膜厚１００〜
５０００Å）にはＴｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ
−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔ
ｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ
−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類−遷移金属系アモルフ
ァス膜、Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒなどの多結晶膜などが
用いられる。
【００１４】中間層については先に触れよたように、そ
の構成はＲＥ−ＴＭ系アモルファス膜が多かったのであ
るが、これらの膜は構成元素の数が多く高価な希土類金
属を用いているという欠点があり、さらに磁気特性の点
からいえばキュリー温度（Ｔｃ）が記録層、補助層と比
較してもそれほど大きな値に設定できないので、界面磁
壁エネルギーの温度変化と記録層の保磁力の温度変化に
歴然とした差をつけるのが難しく、誤動作の原因の１つ
になっている。そこで、本発明ではこれらの不都合を解
消するために、中間層として希土類を含まない遷移金属
の単体（特にＦｅが好ましい）あるいは合金が用いられ
る。中間層の厚さは１〜１５ｎｍ好ましくは５〜１０ｎ
ｍである。
の構成はＲＥ−ＴＭ系アモルファス膜が多かったのであ
るが、これらの膜は構成元素の数が多く高価な希土類金
属を用いているという欠点があり、さらに磁気特性の点
からいえばキュリー温度（Ｔｃ）が記録層、補助層と比
較してもそれほど大きな値に設定できないので、界面磁
壁エネルギーの温度変化と記録層の保磁力の温度変化に
歴然とした差をつけるのが難しく、誤動作の原因の１つ
になっている。そこで、本発明ではこれらの不都合を解
消するために、中間層として希土類を含まない遷移金属
の単体（特にＦｅが好ましい）あるいは合金が用いられ
る。中間層の厚さは１〜１５ｎｍ好ましくは５〜１０ｎ
ｍである。
【００１５】補助層（膜厚１００〜５０００Å）にはＴ
ｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類−遷移金属系アモルファス
膜、Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒなどの多結晶膜などが用い
られる。保護層（膜厚１００〜５０００Å）にはＳｉＯ
2，ＳｉＯ，Ｓｉ2Ｎ4などが用いられる。
ｂ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ
ｅ，Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−
Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｄ
ｙ−Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類−遷移金属系アモルファス
膜、Ｃｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒなどの多結晶膜などが用い
られる。保護層（膜厚１００〜５０００Å）にはＳｉＯ
2，ＳｉＯ，Ｓｉ2Ｎ4などが用いられる。
【００１６】これら各層はスパッタ法、蒸着法、イオン
プレーティング法などによって形成することができる。
プレーティング法などによって形成することができる。
【００１７】
【実施例】次に実施例を示すが、本発明はこれらに限定
されるものではない。
されるものではない。
【００１８】実施例１ 遷移金属のうちでＦｅを中間層として用いた場合、Ｆｅ
のＴｃが７６９℃であることから、界面磁壁エネルギー
の温度変化は記録層の保磁力の温度変化に比べてはるか
に減少の度合いが少なく高温時においても大きな界面磁
壁エネルギーを保持している。図１は飽和磁化の温度変
化をＴｂＦｅＣｏの場合とＦｅの場合とについて示した
ものである。また室温時においては構成元素にＲＥを含
まないために交換力が弱く界面磁壁エネルギーの値が小
さく抑えられる。
のＴｃが７６９℃であることから、界面磁壁エネルギー
の温度変化は記録層の保磁力の温度変化に比べてはるか
に減少の度合いが少なく高温時においても大きな界面磁
壁エネルギーを保持している。図１は飽和磁化の温度変
化をＴｂＦｅＣｏの場合とＦｅの場合とについて示した
ものである。また室温時においては構成元素にＲＥを含
まないために交換力が弱く界面磁壁エネルギーの値が小
さく抑えられる。
【００１９】実施例２ スライドガラス基板およびガラスディスク上に下地層、
記録層、中間層、補助層、保護層をこの順番にスパッタ
リング装置により形成し交換結合３層膜を有した光磁気
記録媒体を作製した。ガラスディスクは直径９０ｍｍで
トラックピッチ約１．６μｍのものを用いた。下地層及
び保護層にはＳｉＮ（約５０ｎｍ厚）、記録層にはＴｂ
ＦｅＣｏ膜（約５０ｎｍ厚）、補助層にはＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ膜（約１５０ｎｍ厚）でそれぞれ形成し、中間層は
Ｆｅで表１に示した膜厚に設定した。ＯＷ（光変調オー
バーライト）実験は、ディスク回転数１８００ｒｐ
ｍ．、初期化磁界３．５ｋＯｅ、記録時外部磁界５００
Ｏｅ、Ｐ1は１２．５ｍＷ、Ｐ2は７ｍＷ、ＯＷ前信号周
波数３．３ＭＨｚ、ＯＷ時信号周波数３．７ＭＨｚにて
行ない、Ｃ／Ｎ４５ｄＢ以上で消去比３０ｄＢ以上をＯ
Ｗ可の条件とした。
記録層、中間層、補助層、保護層をこの順番にスパッタ
リング装置により形成し交換結合３層膜を有した光磁気
記録媒体を作製した。ガラスディスクは直径９０ｍｍで
トラックピッチ約１．６μｍのものを用いた。下地層及
び保護層にはＳｉＮ（約５０ｎｍ厚）、記録層にはＴｂ
ＦｅＣｏ膜（約５０ｎｍ厚）、補助層にはＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ膜（約１５０ｎｍ厚）でそれぞれ形成し、中間層は
Ｆｅで表１に示した膜厚に設定した。ＯＷ（光変調オー
バーライト）実験は、ディスク回転数１８００ｒｐ
ｍ．、初期化磁界３．５ｋＯｅ、記録時外部磁界５００
Ｏｅ、Ｐ1は１２．５ｍＷ、Ｐ2は７ｍＷ、ＯＷ前信号周
波数３．３ＭＨｚ、ＯＷ時信号周波数３．７ＭＨｚにて
行ない、Ｃ／Ｎ４５ｄＢ以上で消去比３０ｄＢ以上をＯ
Ｗ可の条件とした。
【００２０】
【表１】 注１）σｗ（界面磁壁エネルギー）のその測定方法は、
各試料毎に振動試料型磁力計（ＶＳＭ）にてヒステリシ
スループ（メジャーループ、マイナーループ）を測定し
て、マイナーループから補助層の保磁力を得、これとメ
ジャーループから界面磁壁エネルギー／（膜厚・飽和磁
化）の値を得て、この試料にさかのぼり作製した補助層
単層のデータより得られる補助層の膜厚、飽和磁化の値
から算出した。 注２）〇は可、×は不可、である。
各試料毎に振動試料型磁力計（ＶＳＭ）にてヒステリシ
スループ（メジャーループ、マイナーループ）を測定し
て、マイナーループから補助層の保磁力を得、これとメ
ジャーループから界面磁壁エネルギー／（膜厚・飽和磁
化）の値を得て、この試料にさかのぼり作製した補助層
単層のデータより得られる補助層の膜厚、飽和磁化の値
から算出した。 注２）〇は可、×は不可、である。
【００２１】表１から分かるとおり、中間層の膜厚が１
５ｎｍ以上になると界面磁壁エネルギー値は極めて小さ
くなってしまう。また、１ｎｍの場合にＯＷができない
のは、界面磁壁エネルギーが大きすぎて初期化後すぐに
記録層が補助層の磁化方向に磁化を揃えてしまうためで
あると思われる。
５ｎｍ以上になると界面磁壁エネルギー値は極めて小さ
くなってしまう。また、１ｎｍの場合にＯＷができない
のは、界面磁壁エネルギーが大きすぎて初期化後すぐに
記録層が補助層の磁化方向に磁化を揃えてしまうためで
あると思われる。
【００２２】実施例３ Ｆｅの代りに図２に示す特性をもつＦｅＣｏ合金を用い
て中間層（厚さは約５ｎｍとした）を形成した以外は実
施例２と同様にしてＯＷ実験を行った。その結果、Ｆｅ
が４０ａｔｍ％以下では良好なＯＷ特性が得られず、Ｆ
ｅの含有量は４０ａｔｍ％以上あるのが好ましいことが
わかった。また、Ｆｅの代りにＦｅＣｏを用いれば図１
に示すような磁気特性の変化をもたせることが可能とな
った。これらのことから中間層は遷移金属単体好ましく
はＦｅ、あるいは遷移金属同士の合金好ましくはＦｅＣ
ｏ合金でＦｅが４０ａｔｍ％以上が適しているといえ
る。また、中間層膜厚は１５ｎｍ以下に設定するのがよ
いことがわかった。
て中間層（厚さは約５ｎｍとした）を形成した以外は実
施例２と同様にしてＯＷ実験を行った。その結果、Ｆｅ
が４０ａｔｍ％以下では良好なＯＷ特性が得られず、Ｆ
ｅの含有量は４０ａｔｍ％以上あるのが好ましいことが
わかった。また、Ｆｅの代りにＦｅＣｏを用いれば図１
に示すような磁気特性の変化をもたせることが可能とな
った。これらのことから中間層は遷移金属単体好ましく
はＦｅ、あるいは遷移金属同士の合金好ましくはＦｅＣ
ｏ合金でＦｅが４０ａｔｍ％以上が適しているといえ
る。また、中間層膜厚は１５ｎｍ以下に設定するのがよ
いことがわかった。
【００２３】
【発明の効果】請求項１及び４の発明によれば良好な光
磁気記録媒体が得られる。請求項２、５及び６の発明に
よれば、より良好な光磁気記録媒体が得られる。
磁気記録媒体が得られる。請求項２、５及び６の発明に
よれば、より良好な光磁気記録媒体が得られる。
【図１】 Ｆｅ及びＴｂＦｅＣｏの、温度に対する飽和
磁化の関係を表わしたグラフである。
磁化の関係を表わしたグラフである。
【図２】 ＦｅＣｏ合金の、Ｃｏ重量比に対する飽和磁
化の関係を表わしたグラフである。
化の関係を表わしたグラフである。
フロントページの続き (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 黒沢 美子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (6)
- 【請求項１】 磁性層を３層に積層した磁性膜を有する
光磁気記録媒体において、該磁性膜の真中に位置する層
が１種類の遷移金属よりなることを特徴とする光磁気記
録媒体。 - 【請求項２】 磁性層を３層に積層した磁性膜を有する
光磁気記録媒体において、該磁性膜の真中に位置する層
が遷移金属同士の合金よりなることを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１又は２に示す遷移金属が、前記
真中に位置する磁性層以外の２つの磁性層のいずれか或
いはそれら２つの磁性層に含まれる元素である光磁気記
録媒体。 - 【請求項４】 磁性層を３層に積層した磁性膜を有する
光磁気記録媒体において、該磁性膜真中に位置する層が
Ｆｅよりなることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 磁性膜を３層に積層した磁性膜を有する
光磁気記録媒体において、該磁性膜の真中に位置する層
がＦｅＣｏ合金よりなりかつそのＦｅ含有量が４０ａｔ
ｍ％以上であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１〜５に示す光磁気記録媒体にお
いて、前記真中に位置する磁性層の膜厚が１〜１５ｎｍ
の範囲である光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06187683A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06187683A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06187683A true JPH06187683A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18445754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06187683A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06187683A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6752952B2 (en) | 1999-02-12 | 2004-06-22 | General Electric Company | Embossing methods |
| US7179551B2 (en) | 1999-02-12 | 2007-02-20 | General Electric Company | Poly(arylene ether) data storage media |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP43A patent/JPH06187683A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6752952B2 (en) | 1999-02-12 | 2004-06-22 | General Electric Company | Embossing methods |
| US7087290B2 (en) | 1999-02-12 | 2006-08-08 | General Electric | Data storage media utilizing a substrate including a plastic resin layer, and method thereof |
| US7179551B2 (en) | 1999-02-12 | 2007-02-20 | General Electric Company | Poly(arylene ether) data storage media |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |