JPH05347202A - 電子部品及び電子部品の抵抗値調整方法 - Google Patents
電子部品及び電子部品の抵抗値調整方法Info
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- JPH05347202A JPH05347202A JP4155019A JP15501992A JPH05347202A JP H05347202 A JPH05347202 A JP H05347202A JP 4155019 A JP4155019 A JP 4155019A JP 15501992 A JP15501992 A JP 15501992A JP H05347202 A JPH05347202 A JP H05347202A
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- Japan
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- resistance value
- resistance
- extraction electrode
- pattern
- electronic component
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プローブ接触位置の変動等による測定抵抗値
の変化の無い高精度の抵抗値調整を行う。 【構成】 電子部品の抵抗値調整用パターンを含む抵抗
パターンと取出電極とを複数の並列経路により接続し、
取出電極に抵抗値測定器と接続したプローブを接触さ
せ、抵抗値を直読しながら抵抗値調整用パターンを切断
することにより抵抗値を調整する。
の変化の無い高精度の抵抗値調整を行う。 【構成】 電子部品の抵抗値調整用パターンを含む抵抗
パターンと取出電極とを複数の並列経路により接続し、
取出電極に抵抗値測定器と接続したプローブを接触さ
せ、抵抗値を直読しながら抵抗値調整用パターンを切断
することにより抵抗値を調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品、特に薄膜・
厚膜・金属箔抵抗体を使用した電子部品、及びこれらの
電子部品の抵抗値調整方法に係るものである。
厚膜・金属箔抵抗体を使用した電子部品、及びこれらの
電子部品の抵抗値調整方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】チップ抵抗器・精密抵抗器・ネットワー
ク抵抗器・高圧抵抗器等の抵抗器、測温抵抗体・感温抵
抗器等の温度センサ及びハイブリットＩＣとその複合モ
ジュール製品等の電子部品には薄膜抵抗体、厚膜抵抗体
あるいは金属箔抵抗体を使用した抵抗素子が用いられて
いる。
ク抵抗器・高圧抵抗器等の抵抗器、測温抵抗体・感温抵
抗器等の温度センサ及びハイブリットＩＣとその複合モ
ジュール製品等の電子部品には薄膜抵抗体、厚膜抵抗体
あるいは金属箔抵抗体を使用した抵抗素子が用いられて
いる。
【０００３】図４に、従来例として薄膜抵抗器を示す
が、この図において、１１は薄膜抵抗素子、１２は絶縁
基板、１３は抵抗薄膜、１４は取出電極、１５は接続
部、１６はリード線、１７は緩衝体、１８は外装体であ
る。
が、この図において、１１は薄膜抵抗素子、１２は絶縁
基板、１３は抵抗薄膜、１４は取出電極、１５は接続
部、１６はリード線、１７は緩衝体、１８は外装体であ
る。
【０００４】これらの各々の部材は、絶縁基板１２はセ
ラミック、抵抗薄膜１３はＮｉ−ＣｒあるいはＴａＮ、
取出電極１４はＣｕあるいはＮｉ等、リード線１６はリ
ード線材あるいはリードフレームから形成された線状部
材、緩衝体１７はシリコーン樹脂、外装体１８はモール
ド用樹脂あるいは粉体樹脂からなっている。
ラミック、抵抗薄膜１３はＮｉ−ＣｒあるいはＴａＮ、
取出電極１４はＣｕあるいはＮｉ等、リード線１６はリ
ード線材あるいはリードフレームから形成された線状部
材、緩衝体１７はシリコーン樹脂、外装体１８はモール
ド用樹脂あるいは粉体樹脂からなっている。
【０００５】リード線１６の一端部は接続部１５におい
て取出電極１４にスポット溶接、ワイヤボンディングあ
るいは半田付け等の手段によって接続され、他端部はそ
のまま薄膜抵抗器の外部に延出されプリント基板に挿入
するための自由端となっている。
て取出電極１４にスポット溶接、ワイヤボンディングあ
るいは半田付け等の手段によって接続され、他端部はそ
のまま薄膜抵抗器の外部に延出されプリント基板に挿入
するための自由端となっている。
【０００６】この薄膜抵抗器は、次のような工程によっ
て製造される。 絶縁基板上全面にＮｉ−ＣｒやＴａＮ等の薄膜抵抗材
料とＣｕ，Ｎｉ等の電極材料をスパッタ法あるいは蒸着
法等により被着する。 次にフォトレジスト膜を塗布して、電極パターン、抵
抗パターンを焼き付け、不要個所をエッチングにより除
去して電極パターン及び抵抗値調整用パターンを含む抵
抗パターンを形成する。 抵抗パターンを形成した後、抵抗薄膜の安定化のため
に数時間熱処理する。 外部接続電極を除く抵抗パターンを絶縁性保護膜で被
覆する。 抵抗値調整用抵抗パターンを、レーザビーム加工ある
いはサンドブラスト加工等により切断して抵抗パターン
の抵抗値を調整（トリミング）する。 素子単位に切離し、リード線等の外部接続端子を取り
付け、外装体で被覆する。
て製造される。 絶縁基板上全面にＮｉ−ＣｒやＴａＮ等の薄膜抵抗材
料とＣｕ，Ｎｉ等の電極材料をスパッタ法あるいは蒸着
法等により被着する。 次にフォトレジスト膜を塗布して、電極パターン、抵
抗パターンを焼き付け、不要個所をエッチングにより除
去して電極パターン及び抵抗値調整用パターンを含む抵
抗パターンを形成する。 抵抗パターンを形成した後、抵抗薄膜の安定化のため
に数時間熱処理する。 外部接続電極を除く抵抗パターンを絶縁性保護膜で被
覆する。 抵抗値調整用抵抗パターンを、レーザビーム加工ある
いはサンドブラスト加工等により切断して抵抗パターン
の抵抗値を調整（トリミング）する。 素子単位に切離し、リード線等の外部接続端子を取り
付け、外装体で被覆する。
【０００７】この抵抗値調整は、プローブを抵抗パター
ンの取出電極に接触させ、抵抗値を測定しながら行う。
ンの取出電極に接触させ、抵抗値を測定しながら行う。
【０００８】図５（ａ），（ｂ）に示すのは、上記従来
の電子部品における抵抗値の測定を行う方法を説明する
ために取出電極部分を部分的に拡大した模式図である。
この図において、１４は取出電極であり、この取出電極
は抵抗薄膜からなる抵抗パターン１９に単一の接続個所
で接続している。また、Ｐ3 及びＰ4 はプローブの接触
位置である。
の電子部品における抵抗値の測定を行う方法を説明する
ために取出電極部分を部分的に拡大した模式図である。
この図において、１４は取出電極であり、この取出電極
は抵抗薄膜からなる抵抗パターン１９に単一の接続個所
で接続している。また、Ｐ3 及びＰ4 はプローブの接触
位置である。
【０００９】（ａ）に示す場合、プローブは取出電極１
４の中心に接触しており、このときの取出電極の固有抵
抗による抵抗はｒd である。これに対して、（ｂ）に示
す場合、プローブは取出電極の中心から外れた位置に接
触しており、このときの取出電極の固有抵抗による抵抗
はｒd ＋ｒe である。
４の中心に接触しており、このときの取出電極の固有抵
抗による抵抗はｒd である。これに対して、（ｂ）に示
す場合、プローブは取出電極の中心から外れた位置に接
触しており、このときの取出電極の固有抵抗による抵抗
はｒd ＋ｒe である。
【００１０】このように、取出電極が抵抗パターンに単
一の接続個所で接続している場合には、プローブ接触位
置が変化することにより、抵抗値が変動する。そして、
このプローブの接触位置の精度は、プローブが多数配列
されたプローブカードの精度、トリミングシステムの精
度、プローブ先端の摩耗及び弾力性の変化等に大きく依
存し不安定である。また、溶接時の溶接面積、半田付け
時の半田面積の不均一性、不再現性や、前記プローブ位
置と接合位置両者間の位置ズレにより、同様の抵抗値変
動を生じる。
一の接続個所で接続している場合には、プローブ接触位
置が変化することにより、抵抗値が変動する。そして、
このプローブの接触位置の精度は、プローブが多数配列
されたプローブカードの精度、トリミングシステムの精
度、プローブ先端の摩耗及び弾力性の変化等に大きく依
存し不安定である。また、溶接時の溶接面積、半田付け
時の半田面積の不均一性、不再現性や、前記プローブ位
置と接合位置両者間の位置ズレにより、同様の抵抗値変
動を生じる。
【００１１】このように従来の電子部品においては、プ
ローブ接触位置と取出電極の固有抵抗による測定抵抗値
の変動、取出電極とリード端子が接続される接続部の不
均一性、取出電極のパターン欠陥、プローブ接触時の機
械的損傷、プローブカードに多数配列されたプローブの
位置精度等の問題により、高精度の抵抗値調整を行うこ
とは困難である。
ローブ接触位置と取出電極の固有抵抗による測定抵抗値
の変動、取出電極とリード端子が接続される接続部の不
均一性、取出電極のパターン欠陥、プローブ接触時の機
械的損傷、プローブカードに多数配列されたプローブの
位置精度等の問題により、高精度の抵抗値調整を行うこ
とは困難である。
【００１２】この他に、リード線を接続した後あるいは
電子部品を基板に実装した後に抵抗値を調整する方法も
あるが、単体処理となるため量産に適さない。
電子部品を基板に実装した後に抵抗値を調整する方法も
あるが、単体処理となるため量産に適さない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本願発明は、上記従来
の技術が有する問題点すなわち、プローブ接触位置と取
出電極の固有抵抗による測定抵抗値の変動、取出電極と
リード端子が接続される接続部の不均一性、取出電極の
パターン欠陥、プローブ接触時の機械的損傷、プローブ
カードに多数配列されたプローブの位置精度等の問題に
より、従来の技術によっては高精度の抵抗値調整を行う
ことは困難であるとの問題を解決することが可能な、電
子部品及び電子部品の抵抗値調整方法の発明を提供する
ことを課題とする。
の技術が有する問題点すなわち、プローブ接触位置と取
出電極の固有抵抗による測定抵抗値の変動、取出電極と
リード端子が接続される接続部の不均一性、取出電極の
パターン欠陥、プローブ接触時の機械的損傷、プローブ
カードに多数配列されたプローブの位置精度等の問題に
より、従来の技術によっては高精度の抵抗値調整を行う
ことは困難であるとの問題を解決することが可能な、電
子部品及び電子部品の抵抗値調整方法の発明を提供する
ことを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願においては抵抗値調整用パターンを含む抵抗パ
ターンと取出電極とが複数の並列経路により接続された
電子部品、すなわち「絶縁基板上に抵抗値調整用パター
ンを含む抵抗パターンと取出電極が形成され、抵抗パタ
ーンと取出電極とが複数の並列経路により接続されてい
る」ことを特徴とする電子部品の発明、及び抵抗値調整
用パターンを含む抵抗パターンと取出電極とが複数の並
列経路により接続された電子部品の抵抗値を直読しなが
ら抵抗値調整用パターンを切断する電子部品の抵抗値調
整方法、すなわち「絶縁基板上に抵抗値調整用パターン
を含む抵抗パターンと取出電極が形成され、抵抗パター
ンと取出電極とが複数の並列経路により接続された電子
部品の取出電極に抵抗値測定器と接続したプローブを接
触させ、抵抗値を直読しながら抵抗値調整用パターンを
切断することにより抵抗値を調整する」ことを特徴とす
る電子部品の抵抗値調整方法の発明を提供する。
に、本願においては抵抗値調整用パターンを含む抵抗パ
ターンと取出電極とが複数の並列経路により接続された
電子部品、すなわち「絶縁基板上に抵抗値調整用パター
ンを含む抵抗パターンと取出電極が形成され、抵抗パタ
ーンと取出電極とが複数の並列経路により接続されてい
る」ことを特徴とする電子部品の発明、及び抵抗値調整
用パターンを含む抵抗パターンと取出電極とが複数の並
列経路により接続された電子部品の抵抗値を直読しなが
ら抵抗値調整用パターンを切断する電子部品の抵抗値調
整方法、すなわち「絶縁基板上に抵抗値調整用パターン
を含む抵抗パターンと取出電極が形成され、抵抗パター
ンと取出電極とが複数の並列経路により接続された電子
部品の取出電極に抵抗値測定器と接続したプローブを接
触させ、抵抗値を直読しながら抵抗値調整用パターンを
切断することにより抵抗値を調整する」ことを特徴とす
る電子部品の抵抗値調整方法の発明を提供する。
【００１５】
【作用】上記構成を有する本願発明においては、抵抗パ
ターンと取出電極が複数の並列経路により接続されてい
るため、プローブ接触位置による抵抗値変動を最小限に
抑えることができる。
ターンと取出電極が複数の並列経路により接続されてい
るため、プローブ接触位置による抵抗値変動を最小限に
抑えることができる。
【００１６】
【実施例】本発明の電子部品及び電子部品の抵抗値調整
方法の実施例を金属箔抵抗器を例にとって説明する。金
属箔抵抗器の製造にあたっては初めにセラミック絶縁基
板上に、Ｎｉ−Ｃｒ合金系、Ｃｕ系、Ｎｉ系の厚さ１〜
１０μｍの圧延箔を、厚さ０. ５〜１０μｍエポキシ系
又はポリイミド系の熱硬化性樹脂により接着する。
方法の実施例を金属箔抵抗器を例にとって説明する。金
属箔抵抗器の製造にあたっては初めにセラミック絶縁基
板上に、Ｎｉ−Ｃｒ合金系、Ｃｕ系、Ｎｉ系の厚さ１〜
１０μｍの圧延箔を、厚さ０. ５〜１０μｍエポキシ系
又はポリイミド系の熱硬化性樹脂により接着する。
【００１７】接着された金属箔全面にフォトレジスト膜
を塗布し、抵抗パターンを露光・現像・エッチングによ
り形成し、絶縁性保護膜を抵抗パターン上に被膜する。
を塗布し、抵抗パターンを露光・現像・エッチングによ
り形成し、絶縁性保護膜を抵抗パターン上に被膜する。
【００１８】プローブを取出電極に接触させ、抵抗値を
測定しながらレーザビーム加工あるいはサンドブラスト
加工により抵抗値調整パターンを切断することにより抵
抗値を調整する。
測定しながらレーザビーム加工あるいはサンドブラスト
加工により抵抗値調整パターンを切断することにより抵
抗値を調整する。
【００１９】絶縁基板を、分割・分離し、取出電極にリ
ード線を、スポット溶接、超音波溶接、半田付け等によ
り接続する。
ード線を、スポット溶接、超音波溶接、半田付け等によ
り接続する。
【００２０】図１に示すのは、抵抗パターンと取出電極
２を接続する経路３及び４を矩形である取出電極の２本
の対向辺部に接続した例の模式図である。この経路３及
び４は金属抵抗箔であって各々抵抗値Ｒ3 及びＲ4 を有
しており、Ｒ3 ＝Ｒ4 ＝Ｒである。また、取出電極２の
経路３−４間の抵抗値はｒa ＝ｒb ＝ｒである。
２を接続する経路３及び４を矩形である取出電極の２本
の対向辺部に接続した例の模式図である。この経路３及
び４は金属抵抗箔であって各々抵抗値Ｒ3 及びＲ4 を有
しており、Ｒ3 ＝Ｒ4 ＝Ｒである。また、取出電極２の
経路３−４間の抵抗値はｒa ＝ｒb ＝ｒである。
【００２１】（ａ）に示すように、取出電極２の中心Ｐ
1 にプローブを接触させたときの接続抵抗は、（Ｒ3 ＋
ｒa ）と（Ｒ4 ＋ｒb ）が並列に接続されたものであ
り、Ｒ3 ＝Ｒ4 ＝Ｒ，ｒa ＝ｒb ＝ｒであるから、（Ｒ
＋ｒ）／２である。
1 にプローブを接触させたときの接続抵抗は、（Ｒ3 ＋
ｒa ）と（Ｒ4 ＋ｒb ）が並列に接続されたものであ
り、Ｒ3 ＝Ｒ4 ＝Ｒ，ｒa ＝ｒb ＝ｒであるから、（Ｒ
＋ｒ）／２である。
【００２２】これに対して、（ｂ）に示すように取出電
極２の中心から外れた位置Ｐ2 にプローブを接触させた
ときの接続抵抗は、（Ｒ3 ＋ｒa ＋ｒc ）と（Ｒ4 ＋ｒ
b −ｒc ）が並列に接続されたものであり、同様にＲ3
＝Ｒ4 ＝Ｒ，ｒa ＝ｒb ＝ｒであるから、 （Ｒ＋ｒ＋ｒc ）×（Ｒ＋ｒ−ｒc ）／（２Ｒ＋２ｒ） ＝｛（Ｒ＋ｒ）2 −ｒc 2 ｝／２（Ｒ＋ｒ） ＝（Ｒ＋ｒ）／２−ｒc 2 ／２（Ｒ＋ｒ） である。
極２の中心から外れた位置Ｐ2 にプローブを接触させた
ときの接続抵抗は、（Ｒ3 ＋ｒa ＋ｒc ）と（Ｒ4 ＋ｒ
b −ｒc ）が並列に接続されたものであり、同様にＲ3
＝Ｒ4 ＝Ｒ，ｒa ＝ｒb ＝ｒであるから、 （Ｒ＋ｒ＋ｒc ）×（Ｒ＋ｒ−ｒc ）／（２Ｒ＋２ｒ） ＝｛（Ｒ＋ｒ）2 −ｒc 2 ｝／２（Ｒ＋ｒ） ＝（Ｒ＋ｒ）／２−ｒc 2 ／２（Ｒ＋ｒ） である。
【００２３】前記したように、取出電極２はＣｕ合金系
あるいはＮｉ合金系等の導電材料で構成されており、経
路３及び４はＮｉ−Ｃｒ合金系の金属箔抵抗材料で構成
されているから、Ｒに対してｒは十分に小さく、プロー
ブの接触位置によって発生するｒc はさらに小さいた
め、「ｒc 2 ／２（Ｒ＋ｒ）」は実用上無視することが
できる。
あるいはＮｉ合金系等の導電材料で構成されており、経
路３及び４はＮｉ−Ｃｒ合金系の金属箔抵抗材料で構成
されているから、Ｒに対してｒは十分に小さく、プロー
ブの接触位置によって発生するｒc はさらに小さいた
め、「ｒc 2 ／２（Ｒ＋ｒ）」は実用上無視することが
できる。
【００２４】したがって、接続抵抗を常に「（Ｒ＋ｒ）
／２」として扱うことができ、プローブの接触位置誤差
によって発生する抵抗値変動が最小限に抑えられるか
ら、高精度の抵抗値調整を行うことができる。
／２」として扱うことができ、プローブの接触位置誤差
によって発生する抵抗値変動が最小限に抑えられるか
ら、高精度の抵抗値調整を行うことができる。
【００２５】並列経路各々の抵抗値を、取出電極の抵抗
値に対し、少なくとも１０倍以上、経路相互間の抵抗値
偏差が１％以内であるようにすればプローブの接触位置
誤差によって発生する抵抗値変動は全く問題にならな
い。
値に対し、少なくとも１０倍以上、経路相互間の抵抗値
偏差が１％以内であるようにすればプローブの接触位置
誤差によって発生する抵抗値変動は全く問題にならな
い。
【００２６】図３により、２本の並列経路による抵抗値
変動の抑止効果を説明する。この図において、２本の並
列回路各々の抵抗値の取出電極の抵抗値に対する倍率を
横軸に、取出電極固有抵抗値に対する最大抵抗値変化率
を縦軸にとった両対数グラフであり、プローブ接触位置
変動による抵抗値変化を取出電極の固有抵抗値に対する
抵抗値変化率で示している。
変動の抑止効果を説明する。この図において、２本の並
列回路各々の抵抗値の取出電極の抵抗値に対する倍率を
横軸に、取出電極固有抵抗値に対する最大抵抗値変化率
を縦軸にとった両対数グラフであり、プローブ接触位置
変動による抵抗値変化を取出電極の固有抵抗値に対する
抵抗値変化率で示している。
【００２７】例えば電極固有抵抗値＝１Ω、単独経路の
抵抗値を１０Ωとした場合、プローブ接触位置ズレによ
る最大変化率は約１％となり、抵抗値変動幅は０. ０１
Ω以下となる。また、接触状態による抵抗値変化を電極
固有抵抗値に対する抵抗値変化率として求めると、例え
ば取出電極固有抵抗値＝１Ω、単独経路の抵抗値を１０
Ωとした場合、接続抵抗の最大変化率は２５％となり、
抵抗値変動は０. ２５Ω以下となる。
抵抗値を１０Ωとした場合、プローブ接触位置ズレによ
る最大変化率は約１％となり、抵抗値変動幅は０. ０１
Ω以下となる。また、接触状態による抵抗値変化を電極
固有抵抗値に対する抵抗値変化率として求めると、例え
ば取出電極固有抵抗値＝１Ω、単独経路の抵抗値を１０
Ωとした場合、接続抵抗の最大変化率は２５％となり、
抵抗値変動は０. ２５Ω以下となる。
【００２８】接続抵抗値の変動は並列経路数の２乗に反
比例するため、並列経路数を増加することにより低減さ
れる。
比例するため、並列経路数を増加することにより低減さ
れる。
【００２９】また、取出電極の固有抵抗値に対する単独
経路の抵抗値を大きくするかあるいは取出電極の固有抵
抗値を小さくすることにより、抵抗値の変動をさらに小
さくすることができる。
経路の抵抗値を大きくするかあるいは取出電極の固有抵
抗値を小さくすることにより、抵抗値の変動をさらに小
さくすることができる。
【００３０】本発明の他の実施例として、矩形の取出電
極２の４隅を経路取出位置とし、４本の並列経路で抵抗
パターンに接続した例の拡大模式図を図２に示す。この
実施例において、５，６，７，８は４本の並列経路であ
り、各々の単独経路の抵抗Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 はＲ
5 ＝Ｒ6 ＝Ｒ7 ＝Ｒ8 なる関係を有するように構成され
ている。
極２の４隅を経路取出位置とし、４本の並列経路で抵抗
パターンに接続した例の拡大模式図を図２に示す。この
実施例において、５，６，７，８は４本の並列経路であ
り、各々の単独経路の抵抗Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 はＲ
5 ＝Ｒ6 ＝Ｒ7 ＝Ｒ8 なる関係を有するように構成され
ている。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
においては抵抗値調整用パターンを含む抵抗パターンと
取出電極とを複数の並列経路により接続することにより
電子部品の抵抗値を調整する場合に取出電極の固有抵抗
がもたらす抵抗値変動を低減することができ、量産性に
適した高精度抵抗値電子部品を得ることができる。
においては抵抗値調整用パターンを含む抵抗パターンと
取出電極とを複数の並列経路により接続することにより
電子部品の抵抗値を調整する場合に取出電極の固有抵抗
がもたらす抵抗値変動を低減することができ、量産性に
適した高精度抵抗値電子部品を得ることができる。
【図１】２本の並列経路を用いた本発明実施例の部分拡
大模式図
大模式図
【図２】４本の並列経路を用いた本発明の他の実施例の
部分拡大模式図
部分拡大模式図
【図３】２本の並列経路を用いた本発明実施例の効果を
説明するグラフ
説明するグラフ
【図４】従来の薄膜抵抗器の部分破断図
【図５】従来の薄膜抵抗器の部分拡大模式図
１ 抵抗パターン ２ 取出電極 ３，４，５，６，７，８ 並列経路 １１ 薄膜抵抗素子 １２ 絶縁基板 １３ 抵抗薄膜 １４ 取出電極 １５ 接続部 １６ リード線 １７ 緩衝体 １８ 外装体 １９ 抵抗パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大須賀 一行 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 佐々木 勇 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 及川 泰伸 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板上に抵抗値調整用パターンを含
む抵抗パターンと取出電極が形成され、前記抵抗パター
ンと前記取出電極とが複数の並列経路によって接続され
ていることを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】 並列経路の抵抗値が取出電極の１０倍以
上かつ偏差が１％以内であることを特徴とする請求項１
記載の電子部品。 - 【請求項３】 絶縁基板上に抵抗値調整用パターンを含
む抵抗パターンと取出電極が形成され、前記抵抗パター
ンと前記取出電極とが複数の並列経路により接続された
電子部品の前記取出電極に抵抗値測定器と接続したプロ
ーブを接触させ、抵抗値を直読しながら前記抵抗値調整
用パターンを切断することにより抵抗値を調整すること
を特徴とする電子部品の抵抗値調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155019A JPH05347202A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 電子部品及び電子部品の抵抗値調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155019A JPH05347202A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 電子部品及び電子部品の抵抗値調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347202A true JPH05347202A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15596899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4155019A Withdrawn JPH05347202A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 電子部品及び電子部品の抵抗値調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347202A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114167A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 |
| WO2022075238A1 (ja) * | 2020-10-06 | 2022-04-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器、及び製造方法 |
| WO2025164036A1 (ja) * | 2024-01-30 | 2025-08-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP4155019A patent/JPH05347202A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114167A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 |
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| JPWO2022075238A1 (ja) * | 2020-10-06 | 2022-04-14 | ||
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