JPH05347254A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH05347254A JPH05347254A JP8418391A JP8418391A JPH05347254A JP H05347254 A JPH05347254 A JP H05347254A JP 8418391 A JP8418391 A JP 8418391A JP 8418391 A JP8418391 A JP 8418391A JP H05347254 A JPH05347254 A JP H05347254A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
反応ガスを分解させて基板上に膜を気相成長させる薄膜
形成装置において成膜速度を上げて生産レベルの装置を
実現させるために、反応槽内に配置された基板の両側に
おいて反応ガスの流れに沿って反応ガスを基板の近傍に
限定的に保持させる遮蔽部材を設けることを特徴とす
る。
形成装置において成膜速度を上げて生産レベルの装置を
実現させるために、反応槽内に配置された基板の両側に
おいて反応ガスの流れに沿って反応ガスを基板の近傍に
限定的に保持させる遮蔽部材を設けることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成装置に、そし
て特に紫外光または真空紫外光を反応槽内に照射するこ
とにより反応槽内に導入された反応ガスを励起し化学反
応を促進させて膜形成を行う光化学気相成長装置（以
下、単に光ＣＶＤ装置と記載する）に関するものであ
る。
て特に紫外光または真空紫外光を反応槽内に照射するこ
とにより反応槽内に導入された反応ガスを励起し化学反
応を促進させて膜形成を行う光化学気相成長装置（以
下、単に光ＣＶＤ装置と記載する）に関するものであ
る。
【０００２】［従来の技術］この種の光ＣＶＤ装置とし
て同日出願の特願平３−８４０４３号において、添付図
面の図６及び図７に示すように、反応槽Ａ内に温度可変
のサセプタＢを配置し、このサセプタＢに成膜すべき基
板Ｃを装着し、反応槽Ａの側壁部には基板Ｃ上に反応ガ
スを導入する薄いスリット状の開口Ｄを備えたノズルＥ
を設け、反応槽Ａの底壁部の端部分には反応ガスを排出
させる排気口Ｆを設け、また反応槽Ａの上部には紫外光
または真空紫外光を放射する光源Ｇと光源Ｇから放射さ
れた光の損失を防ぐため反射板Ｈとを収容した光源室Ｉ
を設け、この光源室Ｉと反応槽Ａとの間を合成石英から
成る光透過窓Ｊで仕切り、さらに、反応槽Ａ内において
サセプタＢの上方には多数の小孔を備えた合成石英製の
不活性ガス噴出板Ｋ及びフローガード枠体Ｌに合成石英
製の多数のフローガードプレートＭを一定間隔に配列し
たフローガード部材が反応槽Ａの上壁部に固定したもの
を提案した。そしてこの装置では、反応槽Ａの上壁部を
通して設けられた導管Ｎから導入される不活性ガスを光
透過窓Ｊと不活性ガス噴出板Ｋとの間の隙間、不活性ガ
ス噴出板Ｋの各小孔、及びフローガード部材の各フロー
ガードプレートＭ間を通ってシャワー状に噴出させるこ
とにより、ノズルＥから導入される反応ガスを基板の近
傍に集中させると共に光源室Ｉと反応槽Ａとを仕切って
いる光透過窓Ｊに膜が付着して光強度が低下しないよう
にしている。反応ガスは、ノズルＥのスリット状の開口
Ｄからシート状に噴出し、基板Ｃの装着されているサセ
プタＢやサセプタＢの周辺に設けられた基板ステージＢ
´上を通過し、そして排気口Ｆから排気される。
て同日出願の特願平３−８４０４３号において、添付図
面の図６及び図７に示すように、反応槽Ａ内に温度可変
のサセプタＢを配置し、このサセプタＢに成膜すべき基
板Ｃを装着し、反応槽Ａの側壁部には基板Ｃ上に反応ガ
スを導入する薄いスリット状の開口Ｄを備えたノズルＥ
を設け、反応槽Ａの底壁部の端部分には反応ガスを排出
させる排気口Ｆを設け、また反応槽Ａの上部には紫外光
または真空紫外光を放射する光源Ｇと光源Ｇから放射さ
れた光の損失を防ぐため反射板Ｈとを収容した光源室Ｉ
を設け、この光源室Ｉと反応槽Ａとの間を合成石英から
成る光透過窓Ｊで仕切り、さらに、反応槽Ａ内において
サセプタＢの上方には多数の小孔を備えた合成石英製の
不活性ガス噴出板Ｋ及びフローガード枠体Ｌに合成石英
製の多数のフローガードプレートＭを一定間隔に配列し
たフローガード部材が反応槽Ａの上壁部に固定したもの
を提案した。そしてこの装置では、反応槽Ａの上壁部を
通して設けられた導管Ｎから導入される不活性ガスを光
透過窓Ｊと不活性ガス噴出板Ｋとの間の隙間、不活性ガ
ス噴出板Ｋの各小孔、及びフローガード部材の各フロー
ガードプレートＭ間を通ってシャワー状に噴出させるこ
とにより、ノズルＥから導入される反応ガスを基板の近
傍に集中させると共に光源室Ｉと反応槽Ａとを仕切って
いる光透過窓Ｊに膜が付着して光強度が低下しないよう
にしている。反応ガスは、ノズルＥのスリット状の開口
Ｄからシート状に噴出し、基板Ｃの装着されているサセ
プタＢやサセプタＢの周辺に設けられた基板ステージＢ
´上を通過し、そして排気口Ｆから排気される。
【０００３】このような光ＣＶＤ装置を用いて膜を形成
する際、まず、流量調節した不活性ガスを不活性ガス噴
出板Ｋを通して、また流量調節した反応ガスをノズルＥ
から反応槽Ａ内に導入する。一方サセプタＢ上に装着し
た成膜すべき基板Ｃは予め所望の温度まで加熱され、反
応ガス及び不活性ガスの流れが定常状態となったところ
で、導入された反応ガスを分解させるため光源Ｇを点灯
して光透過窓Ｊ及び光透過性の不活性ガス噴出板Ｋを通
して反応槽Ａ内に紫外光または真空紫外光を照射させ
る。
する際、まず、流量調節した不活性ガスを不活性ガス噴
出板Ｋを通して、また流量調節した反応ガスをノズルＥ
から反応槽Ａ内に導入する。一方サセプタＢ上に装着し
た成膜すべき基板Ｃは予め所望の温度まで加熱され、反
応ガス及び不活性ガスの流れが定常状態となったところ
で、導入された反応ガスを分解させるため光源Ｇを点灯
して光透過窓Ｊ及び光透過性の不活性ガス噴出板Ｋを通
して反応槽Ａ内に紫外光または真空紫外光を照射させ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのような光
ＣＶＤ装置等の薄膜形成装置では、ノズルのスリット状
の開口から噴出した反応ガスは、不活性ガス噴出板を通
して噴出される不活性ガスによって基板近傍に押さえ付
けられるため、光透過窓に膜が付着しないという点では
非常に有効な手段であった。
ＣＶＤ装置等の薄膜形成装置では、ノズルのスリット状
の開口から噴出した反応ガスは、不活性ガス噴出板を通
して噴出される不活性ガスによって基板近傍に押さえ付
けられるため、光透過窓に膜が付着しないという点では
非常に有効な手段であった。
【０００５】しかしながら、導入された反応ガスは不活
性ガスにより押え込まれると同時に不活性ガス噴出板を
通して噴出される不活性ガスによって膜を堆積させるべ
き基板以外の領域にまで吹き飛ばされ、その結果、実際
に基板上に堆積される膜は実際光によって分解された反
応ガスの全体量に比べて少ないものとなっている。一般
に、光ＣＶＤ法は、その原理に起因する要因と高強度の
光を放射できる光源が存在しないという要因により成膜
速度が低いという欠点がある。そのためにスループット
を向上させることが難しく、従って光ＣＶＤ装置そのも
のは研究レベルの段階では盛んに利用されているもの
の、生産レベルにおいて導入するまでに至っていないの
が現状である。
性ガスにより押え込まれると同時に不活性ガス噴出板を
通して噴出される不活性ガスによって膜を堆積させるべ
き基板以外の領域にまで吹き飛ばされ、その結果、実際
に基板上に堆積される膜は実際光によって分解された反
応ガスの全体量に比べて少ないものとなっている。一般
に、光ＣＶＤ法は、その原理に起因する要因と高強度の
光を放射できる光源が存在しないという要因により成膜
速度が低いという欠点がある。そのためにスループット
を向上させることが難しく、従って光ＣＶＤ装置そのも
のは研究レベルの段階では盛んに利用されているもの
の、生産レベルにおいて導入するまでに至っていないの
が現状である。
【０００６】従って、本発明は、この種の従来の薄膜形
成装置に伴う問題点を解決して、同じ成膜条件のもとで
成膜速度を向上させることのできる薄膜形成装置を提供
することを目的としている。また本発明の別の目的は、
生産レベルまで成膜速度を上げることのできる光ＣＶＤ
装置を提供することにある。
成装置に伴う問題点を解決して、同じ成膜条件のもとで
成膜速度を向上させることのできる薄膜形成装置を提供
することを目的としている。また本発明の別の目的は、
生産レベルまで成膜速度を上げることのできる光ＣＶＤ
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の発明による薄膜形成装置は、反応
ガスを導入する反応ガス導入口を備えた反応槽と、この
反応槽内に配置された基板ホルダー上に支持され、反応
ガス導入口を通して反応槽内に導入された反応ガスの分
解により膜が堆積される基板と、反応ガス導入口からの
反応ガスの流れの方向に沿って基板の両側に設けられ、
導入された反応ガスを基板の近傍に限定的に保持する遮
蔽部材とを有することを特徴としている。
めに、本発明の第１の発明による薄膜形成装置は、反応
ガスを導入する反応ガス導入口を備えた反応槽と、この
反応槽内に配置された基板ホルダー上に支持され、反応
ガス導入口を通して反応槽内に導入された反応ガスの分
解により膜が堆積される基板と、反応ガス導入口からの
反応ガスの流れの方向に沿って基板の両側に設けられ、
導入された反応ガスを基板の近傍に限定的に保持する遮
蔽部材とを有することを特徴としている。
【０００８】また上記の別の目的を達成するために、本
発明の第２の発明によれば、反応ガスを導入する反応ガ
ス導入口及び光透過窓を備えた反応槽と、この反応槽内
に配置された基板ホルダーと、光透過窓を通して紫外光
または真空紫外光を反応槽内へ照射し導入された反応ガ
スを分解させて基板ホルダーに装着された基板上に膜を
堆積させる光源と、反応ガス導入口からの反応ガスの流
れの方向に沿って基板の両側に設けられた遮蔽部材とを
有することを特徴とする薄膜形成装置が提供される。こ
の第２の発明においては、好ましくは基板の両側に設け
られた遮蔽部材は、基板ホルダーと光透過窓との間にの
びるように構成され得る。
発明の第２の発明によれば、反応ガスを導入する反応ガ
ス導入口及び光透過窓を備えた反応槽と、この反応槽内
に配置された基板ホルダーと、光透過窓を通して紫外光
または真空紫外光を反応槽内へ照射し導入された反応ガ
スを分解させて基板ホルダーに装着された基板上に膜を
堆積させる光源と、反応ガス導入口からの反応ガスの流
れの方向に沿って基板の両側に設けられた遮蔽部材とを
有することを特徴とする薄膜形成装置が提供される。こ
の第２の発明においては、好ましくは基板の両側に設け
られた遮蔽部材は、基板ホルダーと光透過窓との間にの
びるように構成され得る。
【０００９】
【作用】このように構成した本発明の装置においては、
遮蔽部材で基板の両側を囲っているため、反応ガスは反
応ガス導入口から排気口へ至るまで遮蔽部材で囲まれた
光の照射される領域のみを通過することになる。従っ
て、反応ガスは基板付近以外の部分に逃げることがなく
なり、基板近傍に効率よく保持される。その結果、同じ
成膜条件で成膜を行なう場合に遮蔽部材を設けない場合
に比べて成膜速度を大きくとることができる。
遮蔽部材で基板の両側を囲っているため、反応ガスは反
応ガス導入口から排気口へ至るまで遮蔽部材で囲まれた
光の照射される領域のみを通過することになる。従っ
て、反応ガスは基板付近以外の部分に逃げることがなく
なり、基板近傍に効率よく保持される。その結果、同じ
成膜条件で成膜を行なう場合に遮蔽部材を設けない場合
に比べて成膜速度を大きくとることができる。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面の図１〜図５を参照して本発
明の実施例について説明する。図１及び図２には、本発
明の光ＣＶＤ装置の一実施例が示されている。図示光Ｃ
ＶＤ装置において、１は真空槽すなわち反応槽で、その
内部には温度可変のサセプタ２が設けられ、このサセプ
タ２は図２に示すように円形を成しその外周は基板ステ
ージ２´で囲まれている。サセプタ２上に膜成長の行わ
れる基板３が装着されている。真空槽１の側壁には反応
性ガスを導入するための薄いスリット状の開口４をもつ
ノズル５が設けられ、このノズル５は外部導管６を介し
て図示してない反応ガス供給源に結合されている。ノズ
ル５はサセプタ２上の基板３の表面上にほぼ平行に反応
ガスを導入できるように位置決めされている。また真空
槽１の上壁には、基板３に対向した位置に合成石英から
成る光透過窓７が設けられ、その外側には紫外光または
真空紫外光を放射する光源８と光源８からの紫外光また
は真空紫外光を反射させて光透過窓７を介して基板３上
へ指向させ、光の損失を防ぐ反射板９とを収容した光源
室10が取付けられている。
明の実施例について説明する。図１及び図２には、本発
明の光ＣＶＤ装置の一実施例が示されている。図示光Ｃ
ＶＤ装置において、１は真空槽すなわち反応槽で、その
内部には温度可変のサセプタ２が設けられ、このサセプ
タ２は図２に示すように円形を成しその外周は基板ステ
ージ２´で囲まれている。サセプタ２上に膜成長の行わ
れる基板３が装着されている。真空槽１の側壁には反応
性ガスを導入するための薄いスリット状の開口４をもつ
ノズル５が設けられ、このノズル５は外部導管６を介し
て図示してない反応ガス供給源に結合されている。ノズ
ル５はサセプタ２上の基板３の表面上にほぼ平行に反応
ガスを導入できるように位置決めされている。また真空
槽１の上壁には、基板３に対向した位置に合成石英から
成る光透過窓７が設けられ、その外側には紫外光または
真空紫外光を放射する光源８と光源８からの紫外光また
は真空紫外光を反射させて光透過窓７を介して基板３上
へ指向させ、光の損失を防ぐ反射板９とを収容した光源
室10が取付けられている。
【００１１】光透過窓７の内側表面上には、この光透過
窓７の内側表面との間に若干隙間をあけて、合成石英か
ら成り、多数の小さなガス噴出孔を備えた不活性ガス導
入用の噴出部11が設けられ、この噴出部11と光透過窓７
の内側表面との間の隙間は真空槽１の上壁の外側に取付
けられた導管12を介して不活性ガス供給源（図示してな
い）に結合されている。不活性ガス噴出部11の下側には
フローガード部材13が取付けられている。このフローガ
ード部材13はフローガード枠体14内に薄い合成石英板か
ら成るフローガードプレート15を一定の間隔をおいて取
付けて構成されており、各フローガードプレート15はノ
ズル５からの反応ガスの流れ方向を横切る方向にのびし
かも不活性ガス噴出部11から噴出される不活性ガスをサ
セプタ２上の基板３に向って下向きに指向させるように
方向決めされている。真空槽１と光源室10と間に位置す
る光透過窓７は不活性ガス噴出部11から噴出される不活
性ガスの流れにより膜の付着を防止して真空槽１内へ照
射される光の強度が低下しないようにしている。フロー
ガードプレート15の高さは真空槽１の内寸等に応じて任
意に設定することができる。フローガード部材13は不活
性ガス噴出部11と共に真空槽１の上壁の内側に固定され
ている。尚、真空槽１の底壁の一端近くには図示したよ
うに排気口16が設けられている。
窓７の内側表面との間に若干隙間をあけて、合成石英か
ら成り、多数の小さなガス噴出孔を備えた不活性ガス導
入用の噴出部11が設けられ、この噴出部11と光透過窓７
の内側表面との間の隙間は真空槽１の上壁の外側に取付
けられた導管12を介して不活性ガス供給源（図示してな
い）に結合されている。不活性ガス噴出部11の下側には
フローガード部材13が取付けられている。このフローガ
ード部材13はフローガード枠体14内に薄い合成石英板か
ら成るフローガードプレート15を一定の間隔をおいて取
付けて構成されており、各フローガードプレート15はノ
ズル５からの反応ガスの流れ方向を横切る方向にのびし
かも不活性ガス噴出部11から噴出される不活性ガスをサ
セプタ２上の基板３に向って下向きに指向させるように
方向決めされている。真空槽１と光源室10と間に位置す
る光透過窓７は不活性ガス噴出部11から噴出される不活
性ガスの流れにより膜の付着を防止して真空槽１内へ照
射される光の強度が低下しないようにしている。フロー
ガードプレート15の高さは真空槽１の内寸等に応じて任
意に設定することができる。フローガード部材13は不活
性ガス噴出部11と共に真空槽１の上壁の内側に固定され
ている。尚、真空槽１の底壁の一端近くには図示したよ
うに排気口16が設けられている。
【００１２】さらに、真空槽１内にはノズル５の薄いス
リット状の開口４から排気口16へ向って流れる反応ガス
の流れ方向に沿って図２に見られるようにノズル５の幅
とほぼ同じ間隔で互いに向かい合って基板３の両側に遮
蔽部材を成す二枚の平板状の遮蔽フェンス17が設けられ
ている。各遮蔽フェンス17は図示実施例では基板ステー
ジ２´上に取付けられ、そしてその上縁端は図１に示す
ように真空槽１の上壁の内側に固定されているフローガ
ード部材13の下縁部に接触している。
リット状の開口４から排気口16へ向って流れる反応ガス
の流れ方向に沿って図２に見られるようにノズル５の幅
とほぼ同じ間隔で互いに向かい合って基板３の両側に遮
蔽部材を成す二枚の平板状の遮蔽フェンス17が設けられ
ている。各遮蔽フェンス17は図示実施例では基板ステー
ジ２´上に取付けられ、そしてその上縁端は図１に示す
ように真空槽１の上壁の内側に固定されているフローガ
ード部材13の下縁部に接触している。
【００１３】このように構成した図示装置の動作につい
て以下説明する。外部導管６からノズル５の薄いスリッ
ト状の開口４を介して基板３の表面にほぼ平行にシート
状に導入された反応ガスは、不活性ガス噴出部11から下
向きに導入される不活性ガスの作用で不活性ガス噴出部
11へ向って舞い上がったり拡散していくのが抑えられ
る。また遮蔽フェンス17は基板３の両側に沿って実質的
に基板ステージ２´とフローガード部材13との間の空間
を囲っており、導入された反応ガスが真空槽１内で反応
ガスの流れ方向を横切る方向に逃げていくのを防止して
いる。従って、導入された反応ガスは不活性ガス噴出部
11から下向きに導入される不活性ガス及び遮蔽フェンス
17の働きで遮蔽フェンス17で囲まれた基板ステージ２´
上のみを通過していくことになる。その結果、光源８か
ら放射される光によって分解される反応ガスは真空槽１
の内壁やその他の部位へ向って吹き飛ばされずに基板ス
テージ２´上に限定、保持された状態で排気口16へ向っ
て流れ、排出されることになる。このようにして図示装
置では、光源８から光透過窓７を介して真空槽１内に照
射される紫外光または真空紫外光により、反応ガスは分
解され、基板３上に効率よく反応生成物が堆積され、比
較的高い成膜速度で膜形成が行われる。
て以下説明する。外部導管６からノズル５の薄いスリッ
ト状の開口４を介して基板３の表面にほぼ平行にシート
状に導入された反応ガスは、不活性ガス噴出部11から下
向きに導入される不活性ガスの作用で不活性ガス噴出部
11へ向って舞い上がったり拡散していくのが抑えられ
る。また遮蔽フェンス17は基板３の両側に沿って実質的
に基板ステージ２´とフローガード部材13との間の空間
を囲っており、導入された反応ガスが真空槽１内で反応
ガスの流れ方向を横切る方向に逃げていくのを防止して
いる。従って、導入された反応ガスは不活性ガス噴出部
11から下向きに導入される不活性ガス及び遮蔽フェンス
17の働きで遮蔽フェンス17で囲まれた基板ステージ２´
上のみを通過していくことになる。その結果、光源８か
ら放射される光によって分解される反応ガスは真空槽１
の内壁やその他の部位へ向って吹き飛ばされずに基板ス
テージ２´上に限定、保持された状態で排気口16へ向っ
て流れ、排出されることになる。このようにして図示装
置では、光源８から光透過窓７を介して真空槽１内に照
射される紫外光または真空紫外光により、反応ガスは分
解され、基板３上に効率よく反応生成物が堆積され、比
較的高い成膜速度で膜形成が行われる。
【００１４】図３は図示装置による成膜特性を示すグラ
フであり、このグラフは、同じ成膜条件のもとでSiＨ4
の光分解によりａ−Si：Ｈ（水素化アモルファスシリコ
ン）膜を成膜させた場合に図示装置と従来の方法とで成
膜速度がどの程度相違するかを示している。このグラフ
において横軸はノズル５の薄いスリット状の開口４から
反応ガスと共に供給されるキャリアガスの流量を表し、
縦軸は従来の方法での成膜速度を1.0 にした時の相対成
膜速度を表している。このグラフから判るように、従来
の方法に比べて本発明による図示装置を使用して成膜を
行なった場合には、成膜速度は1.5 〜3.3 倍に増加す
る。これは、明らかに遮蔽フェンス17の働きで反応ガス
が基板近傍に限定的に保持されるためである。
フであり、このグラフは、同じ成膜条件のもとでSiＨ4
の光分解によりａ−Si：Ｈ（水素化アモルファスシリコ
ン）膜を成膜させた場合に図示装置と従来の方法とで成
膜速度がどの程度相違するかを示している。このグラフ
において横軸はノズル５の薄いスリット状の開口４から
反応ガスと共に供給されるキャリアガスの流量を表し、
縦軸は従来の方法での成膜速度を1.0 にした時の相対成
膜速度を表している。このグラフから判るように、従来
の方法に比べて本発明による図示装置を使用して成膜を
行なった場合には、成膜速度は1.5 〜3.3 倍に増加す
る。これは、明らかに遮蔽フェンス17の働きで反応ガス
が基板近傍に限定的に保持されるためである。
【００１５】ところで、図示実施例では、遮蔽部材とし
て板状の遮蔽フェンスを使用しているが、必ず板状であ
る必要はない。反応ガスと共にノズル５を通って供給さ
れるキャリアガスの流量や不活性ガス噴出部11から噴出
される不活性ガスの流量により基板３に堆積する膜の膜
厚分布が変動するため、遮蔽部材はその時の条件に応じ
て例えば図４または図５に符号18及び19で示すように円
弧状または湾曲した形状に構成することができる。
て板状の遮蔽フェンスを使用しているが、必ず板状であ
る必要はない。反応ガスと共にノズル５を通って供給さ
れるキャリアガスの流量や不活性ガス噴出部11から噴出
される不活性ガスの流量により基板３に堆積する膜の膜
厚分布が変動するため、遮蔽部材はその時の条件に応じ
て例えば図４または図５に符号18及び19で示すように円
弧状または湾曲した形状に構成することができる。
【００１６】また、本発明を光ＣＶＤ装置に実施した場
合について説明してきたが、本発明は光ＣＶＤ装置に限
定されるものではなく、例えば熱ＣＶＤ装置のような他
の薄膜形成装置にも等しく適用することができる。
合について説明してきたが、本発明は光ＣＶＤ装置に限
定されるものではなく、例えば熱ＣＶＤ装置のような他
の薄膜形成装置にも等しく適用することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
薄膜形成装置においては、基板を囲んで反応ガスの流れ
に沿って両側に遮蔽部材を設けているので、反応ガスを
基板の近傍以外の部位へ逃すことがなく、基板の近傍に
限定的に保持することができ、反応ガスによる反応生成
物を基板上に効率よく堆積させることができ、それによ
り同じ成膜条件で従来法と比較して成膜速度を２〜３倍
程度に上げることができる。従って、本発明を適用する
ことにより光ＣＶＤの生産装置を実現することができ、
光ＣＶＤを用いた多くのデバイスを製作に有用なものと
なることが期待される。
薄膜形成装置においては、基板を囲んで反応ガスの流れ
に沿って両側に遮蔽部材を設けているので、反応ガスを
基板の近傍以外の部位へ逃すことがなく、基板の近傍に
限定的に保持することができ、反応ガスによる反応生成
物を基板上に効率よく堆積させることができ、それによ
り同じ成膜条件で従来法と比較して成膜速度を２〜３倍
程度に上げることができる。従って、本発明を適用する
ことにより光ＣＶＤの生産装置を実現することができ、
光ＣＶＤを用いた多くのデバイスを製作に有用なものと
なることが期待される。
【図１】 本発明の一実施例を示す概略断面図。
【図２】 図１の装置の矢印Ｘ−Ｘに沿った概略断面
図。
図。
【図３】 図１に示す装置の成膜特性を従来法と比較し
て示すグラフ。
て示すグラフ。
【図４】 本発明の変形実施例を示す図２と同様な概略
断面図。
断面図。
【図５】 本発明の別の変形実施例を示す図２と同様な
概略断面図。
概略断面図。
【図６】 先行技術の一例として出願中の光ＣＶＤ装置
を示す概略断面図。
を示す概略断面図。
【図７】 図１の装置の矢印Ｙ−Ｙに沿った概略断面
図。
図。
１：反応槽 ３：基板 ５：反応ガス導入用ノズル ７：光透過窓 ８：光源 17：遮蔽部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 章敏 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 中山 泉 神奈川県茅ケ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】反応ガスを導入する反応ガス導入口を備え
た反応槽と、この反応槽内に配置された基板ホルダー上
に支持され、反応ガス導入口を通して反応槽内に導入さ
れた反応ガスの分解により膜が堆積される基板と、反応
ガス導入口からの反応ガスの流れの方向に沿って基板の
両側に設けられ、導入された反応ガスを基板の近傍に限
定的に保持する遮蔽部材とを有することを特徴とする薄
膜形成装置。 - 【請求項２】反応ガスを導入する反応ガス導入口及び光
透過窓を備えた反応槽と、この反応槽内に配置された基
板ホルダーと、光透過窓を通して紫外光または真空紫外
光を反応槽内へ照射し導入された反応ガスを分解させて
基板ホルダーに装着された基板上に膜を堆積させる光源
と、上記反応ガス導入口からの反応ガスの流れの方向に
沿って基板の両側に設けられた遮蔽部材とを有すること
を特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項３】基板の両側に設けられた遮蔽部材が基板ホ
ルダーと光透過窓との間にのびている請求項２に記載の
薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08418391A JP3224238B2 (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08418391A JP3224238B2 (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347254A true JPH05347254A (ja) | 1993-12-27 |
| JP3224238B2 JP3224238B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=13823371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08418391A Expired - Lifetime JP3224238B2 (ja) | 1991-04-16 | 1991-04-16 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3224238B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH104064A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Toshiba Mach Co Ltd | 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 |
| KR100408519B1 (ko) * | 2001-05-03 | 2003-12-06 | 삼성전자주식회사 | 원자층 형성용 반응챔버 |
| KR100688484B1 (ko) * | 2000-11-30 | 2007-02-28 | 삼성전자주식회사 | 활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 그 방법 |
| JP2007515059A (ja) * | 2003-11-24 | 2007-06-07 | コニック システムズ コーポレーション | 急速熱処理装置 |
| CN104718602A (zh) * | 2012-08-28 | 2015-06-17 | 株式会社Eugene科技 | 基板处理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526039B2 (ja) | 1986-07-18 | 1996-08-21 | 日本真空技術株式会社 | Ｃｖｄ法 |
-
1991
- 1991-04-16 JP JP08418391A patent/JP3224238B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH104064A (ja) * | 1996-06-17 | 1998-01-06 | Toshiba Mach Co Ltd | 枚葉式減圧ｃｖｄ装置 |
| KR100688484B1 (ko) * | 2000-11-30 | 2007-02-28 | 삼성전자주식회사 | 활성화 산소를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 그 방법 |
| KR100408519B1 (ko) * | 2001-05-03 | 2003-12-06 | 삼성전자주식회사 | 원자층 형성용 반응챔버 |
| JP2007515059A (ja) * | 2003-11-24 | 2007-06-07 | コニック システムズ コーポレーション | 急速熱処理装置 |
| CN104718602A (zh) * | 2012-08-28 | 2015-06-17 | 株式会社Eugene科技 | 基板处理装置 |
| JP2015531171A (ja) * | 2012-08-28 | 2015-10-29 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理装置 |
| CN104718602B (zh) * | 2012-08-28 | 2017-04-26 | 株式会社Eugene科技 | 基板处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3224238B2 (ja) | 2001-10-29 |
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