JPH07105350B2 - 光反応装置 - Google Patents
光反応装置Info
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- JPH07105350B2 JPH07105350B2 JP62071349A JP7134987A JPH07105350B2 JP H07105350 B2 JPH07105350 B2 JP H07105350B2 JP 62071349 A JP62071349 A JP 62071349A JP 7134987 A JP7134987 A JP 7134987A JP H07105350 B2 JPH07105350 B2 JP H07105350B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、LSI（大規模集積回路）の製造工程におい
て、基板上に薄膜を堆積したり、基板の固体表面をエッ
チングする光反応装置に関する。
て、基板上に薄膜を堆積したり、基板の固体表面をエッ
チングする光反応装置に関する。
第２図は、従来の光反応装置の一例を示す概略図であ
る。
る。
図において、１は反応チャンバ、２は光透過性窓、３は
反応ガスの導入パイプ、４は処理すべき基板、５は基板
ホルダ、６は基板ホルダ５を加熱して基板４を加熱する
ためのヒータ、Ｌはレーザ光である。
反応ガスの導入パイプ、４は処理すべき基板、５は基板
ホルダ、６は基板ホルダ５を加熱して基板４を加熱する
ためのヒータ、Ｌはレーザ光である。
すなわち、まず、導入パイプ３から反応ガスを導入し
て、反応チャンバ１内に反応ガスを満たし、透過性窓２
を通してレーザ光Ｌを照射し、ヒータ６により加熱され
た基板ホルダ５上に載置された基板４上に、所望の薄膜
を堆積したり、基板４の表面のエッチングを行なう。
て、反応チャンバ１内に反応ガスを満たし、透過性窓２
を通してレーザ光Ｌを照射し、ヒータ６により加熱され
た基板ホルダ５上に載置された基板４上に、所望の薄膜
を堆積したり、基板４の表面のエッチングを行なう。
なお、第２図に示す従来例では、レーザ光Ｌを基板４に
対して平行方向に入射する構成となっているが、反応チ
ャンバ１の上方から基板４に対して垂直に入射する構成
のものもある。
対して平行方向に入射する構成となっているが、反応チ
ャンバ１の上方から基板４に対して垂直に入射する構成
のものもある。
しかし、従来技術による光反応容器においては、 １）使用する光の波長が赤外、可視あるいは紫外光であ
るため、光子のエネルギーが小さく、これによって分解
できる反応ガス分子が限定されてしまう。例えば、半導
体プロセスにおいて重要なシラン（SiH4）やCF4などの
大半のガスは分解することができない。
るため、光子のエネルギーが小さく、これによって分解
できる反応ガス分子が限定されてしまう。例えば、半導
体プロセスにおいて重要なシラン（SiH4）やCF4などの
大半のガスは分解することができない。
２）比較的エネルギーの高い紫外レーザ（エキシマレー
ザなど）を用いる場合は、パルスの幅が短く、かつ繰り
返し数が少ないため、光によって分解し、生成した活性
種が気相において再結合してしまうため、膜質低下の原
因となる、 などの問題点があった。
ザなど）を用いる場合は、パルスの幅が短く、かつ繰り
返し数が少ないため、光によって分解し、生成した活性
種が気相において再結合してしまうため、膜質低下の原
因となる、 などの問題点があった。
本発明の目的は、上記の従来技術の問題点を解決し、半
導体プロセスにおいて重要なすべての反応ガスを分解し
得る、真空紫外光を光源として用いる光反応装置を提供
することにある。
導体プロセスにおいて重要なすべての反応ガスを分解し
得る、真空紫外光を光源として用いる光反応装置を提供
することにある。
本発明の光反応装置は、上記の目的を達成するため、以
下のような点を主要な特徴とする。
下のような点を主要な特徴とする。
１）光源として真空紫外光を用いることにより、半導体
プロセスにおいて重要なすべての反応ガスを分解するこ
とができる。
プロセスにおいて重要なすべての反応ガスを分解するこ
とができる。
２）真空紫外光を用いる場合は、光の入射部に窓を設け
ないか、あるいは窓を取り付けたとしても極薄膜でなく
てはならないため、真空チャンバ内の反応ガスの圧力
を、上げることができない。この問題点を解決するた
め、本発明では、ガスノズルから反応ガスを噴出させ、
真空チャンバ全体の平均的ガスを十分に低く保ちながら
基板表面部の圧力を局所的に高いものとする構成として
いる。さらに、この構成により反応ガスを励起し、表面
への付着係数の大きなラジカルあるいはイオンに分解す
ることにより基板表面に吸着を形成し、この吸着層によ
り真空紫外光を照射して光反応を起こさせることによ
り、真空チャンバ内の圧力が低くても高い反応速度を実
現できる。
ないか、あるいは窓を取り付けたとしても極薄膜でなく
てはならないため、真空チャンバ内の反応ガスの圧力
を、上げることができない。この問題点を解決するた
め、本発明では、ガスノズルから反応ガスを噴出させ、
真空チャンバ全体の平均的ガスを十分に低く保ちながら
基板表面部の圧力を局所的に高いものとする構成として
いる。さらに、この構成により反応ガスを励起し、表面
への付着係数の大きなラジカルあるいはイオンに分解す
ることにより基板表面に吸着を形成し、この吸着層によ
り真空紫外光を照射して光反応を起こさせることによ
り、真空チャンバ内の圧力が低くても高い反応速度を実
現できる。
３）基板表面において面内で均一な反応を起こさせるた
めに、光の照射中に基板を往復、回転あるいは両方の運
動をさせる。
めに、光の照射中に基板を往復、回転あるいは両方の運
動をさせる。
４）さらに、真空紫外光源は、通常連続波長であるた
め、これを分光素子により所定の波長成分の光を選択し
て反応に用いる。これにより、反応ガスの特性に応じて
最適な波長の光を選択できる。
め、これを分光素子により所定の波長成分の光を選択し
て反応に用いる。これにより、反応ガスの特性に応じて
最適な波長の光を選択できる。
５）真空紫外光源として、指向性が良く、強度の強い電
子シンクロトロン放射光を用いる。
子シンクロトロン放射光を用いる。
６）複数の真空チャンバを光ビームの光路上に直列に連
結することにより、異なる種類の反応ガスを用いる複数
の反応を１本の光ビームにより、順番に行なうことがで
きる。
結することにより、異なる種類の反応ガスを用いる複数
の反応を１本の光ビームにより、順番に行なうことがで
きる。
第１図は、本発明の第１の実施例の光反応装置を示す概
略図である。図において、７は真空チャンバ、８は真空
紫外光源である電子シンクロトロン放射装置、９は電子
シンクロトロン放射装置８から発生される光を真空チャ
ンバ７に伝搬するための真空パイプ、10、11は反射ミラ
ー、12は基板ホルダ、13は処理すべき基板、14は基板加
熱用のヒータ、15、16はガスノズル、17、18はそれぞれ
ノズル15、16に取り付けられた真空バルブ、19はノズル
15に取り付けられた高周波放電電極、20は高周波放電電
源である 本実施例による光反応装置を薄膜堆積装置として用いる
場合を例として以下説明する。反応ガスを流さない状態
において、電子シンクロトロン放射装置８および真空チ
ャンバ７の内部の真空度は10-9〜10-11Torrである。反
応ガスとしては、例えばシラン（SiH4）またはジシラン
（Si2H6）をノズル15または16から真空チャンバ７内に
噴出させる。ノズル15の方は、高周波放電電源20により
高周波電界が印加される高周波放電電極19を具備するの
で、ノズル15の先端と電極19の間で放電が誘起される
（詳細は第３図を用いて後述する）。
略図である。図において、７は真空チャンバ、８は真空
紫外光源である電子シンクロトロン放射装置、９は電子
シンクロトロン放射装置８から発生される光を真空チャ
ンバ７に伝搬するための真空パイプ、10、11は反射ミラ
ー、12は基板ホルダ、13は処理すべき基板、14は基板加
熱用のヒータ、15、16はガスノズル、17、18はそれぞれ
ノズル15、16に取り付けられた真空バルブ、19はノズル
15に取り付けられた高周波放電電極、20は高周波放電電
源である 本実施例による光反応装置を薄膜堆積装置として用いる
場合を例として以下説明する。反応ガスを流さない状態
において、電子シンクロトロン放射装置８および真空チ
ャンバ７の内部の真空度は10-9〜10-11Torrである。反
応ガスとしては、例えばシラン（SiH4）またはジシラン
（Si2H6）をノズル15または16から真空チャンバ７内に
噴出させる。ノズル15の方は、高周波放電電源20により
高周波電界が印加される高周波放電電極19を具備するの
で、ノズル15の先端と電極19の間で放電が誘起される
（詳細は第３図を用いて後述する）。
反応ガスがノズル16から導入される場合は、基板（ガラ
ス、シリコン、あるいはシリコン基板上にSiO2膜をコー
トしたものなど）13の表面にSiH4が吸着する。一方、反
応ガスがノズル15から導入される場合は、放電によりS
i、SiH、SiH2、SiH3などの原子、ラジカルおよびイオン
が生成され、基板上に吸着する。基板温度を所定の値に
設定し、電子シンクロトロン放射光源からの光を基板に
放射すると、基板上にアモルファスシリコン膜や単結晶
シリコン膜が堆積する。
ス、シリコン、あるいはシリコン基板上にSiO2膜をコー
トしたものなど）13の表面にSiH4が吸着する。一方、反
応ガスがノズル15から導入される場合は、放電によりS
i、SiH、SiH2、SiH3などの原子、ラジカルおよびイオン
が生成され、基板上に吸着する。基板温度を所定の値に
設定し、電子シンクロトロン放射光源からの光を基板に
放射すると、基板上にアモルファスシリコン膜や単結晶
シリコン膜が堆積する。
反応ガスとして、前述のSiH4やSiH6に、さらにN2ガスを
加えると水素を含んだシリコン窒化膜が堆積する。
加えると水素を含んだシリコン窒化膜が堆積する。
また、ガスを噴射しながら光を照射する場合は、吸着分
子が光により分解して、薄膜堆積が起こる以外に、気相
の分子が光により分解して、分解生成物が基板上に堆積
するメカニズムも加わる。電極19に高周波電界を印加し
て放電を開始すると、ラジカルやイオンの基板への付着
確率は、安定分子の値より大きいため、吸着相の吸着分
子数を増加できる。したがって、堆積速度を大きくする
ことが可能である。
子が光により分解して、薄膜堆積が起こる以外に、気相
の分子が光により分解して、分解生成物が基板上に堆積
するメカニズムも加わる。電極19に高周波電界を印加し
て放電を開始すると、ラジカルやイオンの基板への付着
確率は、安定分子の値より大きいため、吸着相の吸着分
子数を増加できる。したがって、堆積速度を大きくする
ことが可能である。
第３図は、高周波放電電極を取り付けたガスノズルの一
例を示す図である。反応ガスがノズル15から噴出してい
る状態において、高周波放電電極19に高周波電界を印加
すると、ノズル15のアース電極15′との間に放電が生ず
る。
例を示す図である。反応ガスがノズル15から噴出してい
る状態において、高周波放電電極19に高周波電界を印加
すると、ノズル15のアース電極15′との間に放電が生ず
る。
第４図は、本発明の第２の実施例の光反応装置を示す概
略図である。図において、第１図と同一符号のものは、
同一の部材を示す。
略図である。図において、第１図と同一符号のものは、
同一の部材を示す。
本実施例は、第１図に示した第１の実施例と基本原理は
同一である。第１の実施例と違う点は、ミラー11によ
り光を集光し、真空チャンバ７と真空パイプ９との接続
部近傍の該真空パイプ９内に、真空のコンダクタンスを
低下させるスリット21が設置してあること、基板ホル
ダ24が基板駆動装置23により、薄膜堆積中に上下方向に
往復運動するようになっていること、基板13をレーザ
光により加熱するためのレーザ22が設置されているこ
と、および、第２の真空チャンバ26が設置されてお
り、第１の真空チャンバ７と第２の真空チャンバ26とが
真空紫外光の照射方向に沿って互いに、バルブ25を有す
る真空パイプ９′で連結されており、この第２の真空チ
ャンバ26に高周波放電電極を有するガスノズル29が設置
されていることなどである。
同一である。第１の実施例と違う点は、ミラー11によ
り光を集光し、真空チャンバ７と真空パイプ９との接続
部近傍の該真空パイプ９内に、真空のコンダクタンスを
低下させるスリット21が設置してあること、基板ホル
ダ24が基板駆動装置23により、薄膜堆積中に上下方向に
往復運動するようになっていること、基板13をレーザ
光により加熱するためのレーザ22が設置されているこ
と、および、第２の真空チャンバ26が設置されてお
り、第１の真空チャンバ７と第２の真空チャンバ26とが
真空紫外光の照射方向に沿って互いに、バルブ25を有す
る真空パイプ９′で連結されており、この第２の真空チ
ャンバ26に高周波放電電極を有するガスノズル29が設置
されていることなどである。
本実施例の装置の場合、スリット21により真空チャンバ
７と真空パイプ９との間の真空度差を大きくできるの
で、第１図の装置と比較して真空チャンバ内の圧力をよ
り高くすることができる。また、光を絞って照射するた
め、薄膜の堆積面積を広くし、かつ堆積膜厚を面内で均
一にするため、基板13を基板ホルダ24と一緒に上下に往
復運動させる。また、真空チャンバが２つあるため（７
と26）、最初に真空チャンバ26の方に基板を設置し、バ
ルブ25を開けて光を基板に照射し、かつ所定の反応ガス
を流して第１の光反応を行なわせた後、次に、この基板
を真空チャンバ７の方に移し、同様にこの基板に所定の
反応ガスを流しながら光を照射し、第２の光反応を起こ
させることができる。基板を真空チャンバ26から７へ移
すための輸送機構27が取り付けられている。
７と真空パイプ９との間の真空度差を大きくできるの
で、第１図の装置と比較して真空チャンバ内の圧力をよ
り高くすることができる。また、光を絞って照射するた
め、薄膜の堆積面積を広くし、かつ堆積膜厚を面内で均
一にするため、基板13を基板ホルダ24と一緒に上下に往
復運動させる。また、真空チャンバが２つあるため（７
と26）、最初に真空チャンバ26の方に基板を設置し、バ
ルブ25を開けて光を基板に照射し、かつ所定の反応ガス
を流して第１の光反応を行なわせた後、次に、この基板
を真空チャンバ７の方に移し、同様にこの基板に所定の
反応ガスを流しながら光を照射し、第２の光反応を起こ
させることができる。基板を真空チャンバ26から７へ移
すための輸送機構27が取り付けられている。
なお、第４図において真空チャンバの数は２つとした
が、さらに、第３、第４の真空チャンバを連結して、多
種類の光反応を逐次行なわせることができる。
が、さらに、第３、第４の真空チャンバを連結して、多
種類の光反応を逐次行なわせることができる。
また、上記の実施例においては、反応ガスとしてSiH4や
Si2H6やN2を用いることとしたが、これ以外に、Cl2、CF
4、XeF2、NF3、SF6などのエッチングガスを用いること
により基板表面の光エッチングを行なわせることができ
る。
Si2H6やN2を用いることとしたが、これ以外に、Cl2、CF
4、XeF2、NF3、SF6などのエッチングガスを用いること
により基板表面の光エッチングを行なわせることができ
る。
なお、上記実施例において、ノズルから噴出する反応ガ
スを励起するために、高周波放電を用いるものとした
が、直流放電励起電子ビーム励起（例えば、文献の例と
して、ケー・ミツケ、ティー・クチツによるフォーメイ
ション オブ ナガティヴ クラスター イオンズ イ
ン コリジョン オブSF6クラスター ウイズクリプト
ン リドベリー アトムズ ジャーナル オブ フィジ
カル ケミストリー90巻1552〜1556頁1985年（K.Mitsuk
e.T.Kuchitsu Formaion of Negative Cluster Ions in
Collision of SF6 Clusters with Krypton Rydbery Ato
ms,J.Phys.Chem.vol.90,1552〜1556頁1985）参照。）に
よっても同様に付着確立の高いラジカルやイオンを形成
することができる。
スを励起するために、高周波放電を用いるものとした
が、直流放電励起電子ビーム励起（例えば、文献の例と
して、ケー・ミツケ、ティー・クチツによるフォーメイ
ション オブ ナガティヴ クラスター イオンズ イ
ン コリジョン オブSF6クラスター ウイズクリプト
ン リドベリー アトムズ ジャーナル オブ フィジ
カル ケミストリー90巻1552〜1556頁1985年（K.Mitsuk
e.T.Kuchitsu Formaion of Negative Cluster Ions in
Collision of SF6 Clusters with Krypton Rydbery Ato
ms,J.Phys.Chem.vol.90,1552〜1556頁1985）参照。）に
よっても同様に付着確立の高いラジカルやイオンを形成
することができる。
上記の第１図および第４図に示した実施例の光反応装置
においては、反射ミラー10、11は、PtやSiCなどの表面
を有する通常使用される斜入射ミラーを用いるが、この
ミラーはその入斜角に応じて電子シンクロトロン放射光
の短波長成分をカットし、真空紫外光のみを反射させる
働きがある。この反射ミラー10または11の代わりに分光
素子として多層膜ミラーを用いると、ブラッグ（Brag
g）の反射条件を満たす波長の光のみを反射させること
ができる。しかも、その波長は入射角度を変えることに
よって連続的に変えることができる。また、多層膜ミラ
ーで真空紫外光を分光すると、比較的半値幅の広い光を
得ることができ、この半値幅も所定の幅とすることが可
能である。このような多層膜ミラーを分光素子として用
い、反応ガスを分解するに当たって、選択された波長の
光を照射すれば、特定の光反応のみを起こすことが可能
となるので、膜堆積やエッチングにおいて特異な特性の
出現が期待できる。分光素子として多層膜ミラー以外で
は回析格子分光器等があるが、集光等を行なって強度を
確保すれば、多層膜ミラーの代わりに用いることができ
る。なお、分光素子は光源と反応チャンバ間のどの位置
に設置しても良い。
においては、反射ミラー10、11は、PtやSiCなどの表面
を有する通常使用される斜入射ミラーを用いるが、この
ミラーはその入斜角に応じて電子シンクロトロン放射光
の短波長成分をカットし、真空紫外光のみを反射させる
働きがある。この反射ミラー10または11の代わりに分光
素子として多層膜ミラーを用いると、ブラッグ（Brag
g）の反射条件を満たす波長の光のみを反射させること
ができる。しかも、その波長は入射角度を変えることに
よって連続的に変えることができる。また、多層膜ミラ
ーで真空紫外光を分光すると、比較的半値幅の広い光を
得ることができ、この半値幅も所定の幅とすることが可
能である。このような多層膜ミラーを分光素子として用
い、反応ガスを分解するに当たって、選択された波長の
光を照射すれば、特定の光反応のみを起こすことが可能
となるので、膜堆積やエッチングにおいて特異な特性の
出現が期待できる。分光素子として多層膜ミラー以外で
は回析格子分光器等があるが、集光等を行なって強度を
確保すれば、多層膜ミラーの代わりに用いることができ
る。なお、分光素子は光源と反応チャンバ間のどの位置
に設置しても良い。
以上説明したように本発明による光反応装置において
は、励起光波として、電子シンクロトロン放射光などの
真空紫外光を用いるので、任意のガス分子を分解でき、
反応ガスとして用いることができる。また、電子シンク
ロトロン放射光は、繰り返しが極めて大きい（10MHz以
上）ので、ほぼ連続光源とみなせ、活性種の内面分布を
均一にでき、再結合の影響を受けないという効果があ
る。
は、励起光波として、電子シンクロトロン放射光などの
真空紫外光を用いるので、任意のガス分子を分解でき、
反応ガスとして用いることができる。また、電子シンク
ロトロン放射光は、繰り返しが極めて大きい（10MHz以
上）ので、ほぼ連続光源とみなせ、活性種の内面分布を
均一にでき、再結合の影響を受けないという効果があ
る。
また、処理すべき基板表面に吸着層を形成し、これに光
を照射して吸着層内での光反応を利用するので、膜質を
高精度に制御できるほか、真空チャンバ内の反応ガスの
圧力が低くても、吸着層の分子密度を高くでき、大きな
反応速度を実現できる効果がある。
を照射して吸着層内での光反応を利用するので、膜質を
高精度に制御できるほか、真空チャンバ内の反応ガスの
圧力が低くても、吸着層の分子密度を高くでき、大きな
反応速度を実現できる効果がある。
また、光により分子を分解するため、低温（100℃〜500
℃）で薄膜堆積やエッチングができ、超薄膜や変調ドー
ビング超格子結晶などを高精度に形成できる効果があ
る。
℃）で薄膜堆積やエッチングができ、超薄膜や変調ドー
ビング超格子結晶などを高精度に形成できる効果があ
る。
第１図は、本発明の第１の実施例の光反応装置の概略
図、第２図は、従来の光反応装置の一例の概略図、第３
図は、本発明の装置に用いる高周波放電励起方式のノズ
ルを示す図、第４図は、本発明の第２の実施例の光反応
装置の概略図である。 １……反応チャンバ ２……光透過性窓 ３……反応ガス導入パイプ ４、13……基板 ５、12、24……基板ホルダ ６、14……ヒータ ７、26……真空チャンバ ８……電子シンクロトロン放射光装置 ９、９′……真空パイプ 10、11……ミラー 15、16、29……ガスノズル 15′……アース電極 17、18、30……真空バルブ 19、28……高周波放電電極 20、31……高周波放電電源 21……スリット 22……レーザ 23……基板駆動装置 25……バルブ 27……ウェハ移動機構
図、第２図は、従来の光反応装置の一例の概略図、第３
図は、本発明の装置に用いる高周波放電励起方式のノズ
ルを示す図、第４図は、本発明の第２の実施例の光反応
装置の概略図である。 １……反応チャンバ ２……光透過性窓 ３……反応ガス導入パイプ ４、13……基板 ５、12、24……基板ホルダ ６、14……ヒータ ７、26……真空チャンバ ８……電子シンクロトロン放射光装置 ９、９′……真空パイプ 10、11……ミラー 15、16、29……ガスノズル 15′……アース電極 17、18、30……真空バルブ 19、28……高周波放電電極 20、31……高周波放電電源 21……スリット 22……レーザ 23……基板駆動装置 25……バルブ 27……ウェハ移動機構
Claims (4)
- 【請求項１】真空チャンバと真空紫外光源とを有し、両
方を互いに連結する真空パイプを通して上記真空紫外光
源から真空紫外光が、上記真空チャンバに入射するよう
になされており、該真空チャンバ内に基板ホルダを設置
し、その上に絶縁物、半導体もしくは金属の基板を載
せ、該真空チャンバの所定の位置に、上記基板表面に反
応ガスを吹き付けるガスノズルが取り付けられており、
該ガスノズルから反応ガスが上記基板に吹き付けられて
いる状態において、上記真空紫外光が上記基板を照射可
能となっており、かつ、上記真空チャンバが複数設けら
れ、複数の該真空チャンバが互いにバルブを有する真空
パイプで連結され、１つの上記真空チャンバ内におい
て、所定の光反応を終了した上記基板を別の上記真空チ
ャンバ内に移動した後、別の光反応を引き続いて行なう
ことができるように上記真空紫外光の照射方向に沿って
複数の上記真空チャンバが連結されていることを特徴と
する光反応装置。 - 【請求項２】真空チャンバと真空紫外光源とを有し、両
方を互いに連結する真空パイプを通して上記真空紫外光
源から真空紫外光が、上記真空チャンバに入射するよう
になされており、該真空チャンバ内に基板ホルダを設置
し、その上に絶縁物、半導体もしくは金属の基板を載
せ、該真空チャンバの所定の位置に、上記基板表面に反
応ガスを吹き付けるガスノズルが取り付けられており、
該ガスノズルから反応ガスが上記基板に吹き付けられて
いる状態において、上記真空紫外光が上記基板を照射可
能となっており、かつ、上記ガスノズルの所定の位置
に、直流放電、高周波放電、マイクロ波放電、電子ビー
ム励起あるいはレーザプラズマ励起により、上記ガスノ
ズルから上記真空チャンバに噴出される間に反応ガスを
励起する励起装置が設置され、該励起装置により上記反
応ガスがラジカルあるいはイオンに分解されて、上記基
板表面に吹き付けられるようになっていることを特徴と
する光反応装置。 - 【請求項３】真空チャンバと真空紫外光源とを有し、両
方を互いに連結する真空パイプを通して上記真空紫外光
源から真空紫外光が、上記真空チャンバに入射するよう
になされており、該真空チャンバ内に基板ホルダを設置
し、その上に絶縁物、半導体もしくは金属の基板を載
せ、該真空チャンバの所定の位置に、上記基板表面に反
応ガスを吹き付けるガスノズルが取り付けられており、
該ガスノズルから反応ガスが上記基板に吹き付けられて
いる状態において、上記真空紫外光が上記基板を照射可
能となっており、かつ、上記ガスノズルの所定の位置
に、直流放電、高周波放電、マイクロ波放電、電子ビー
ム励起あるいはレーザプラズマ励起による励起装置が設
置され、該励起装置により上記反応ガスがラジカルある
いはイオンに分解されて、上記基板表面に吹き付けられ
るようになっており、さらに、上記真空チャンバが複数
設けられ、複数の該真空チャンバが互いにバルブを有す
る真空パイプで連結され、１つの上記真空チャンバ内に
おいて、所定の光反応を終了した上記基板を別の上記真
空チャンバ内に移動した後、別の光反応を引き続いて行
なうことができるように上記真空紫外光の照射方向に沿
って複数の上記真空チャンバが連結されていることを特
徴とする光反応装置。 - 【請求項４】上記真空紫外光源として、電子シンクロト
ロン放射光源が用いられていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項、第２項、第３項のいずれかに記載の光
反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071349A JPH07105350B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071349A JPH07105350B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239811A JPS63239811A (ja) | 1988-10-05 |
| JPH07105350B2 true JPH07105350B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=13457930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071349A Expired - Fee Related JPH07105350B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 光反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105350B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
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-
1987
- 1987-03-27 JP JP62071349A patent/JPH07105350B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63239811A (ja) | 1988-10-05 |
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