JPH0534726A - アクテイブマトリツクス方式液晶装置のコンデンサ構造 - Google Patents
アクテイブマトリツクス方式液晶装置のコンデンサ構造Info
- Publication number
- JPH0534726A JPH0534726A JP20864291A JP20864291A JPH0534726A JP H0534726 A JPH0534726 A JP H0534726A JP 20864291 A JP20864291 A JP 20864291A JP 20864291 A JP20864291 A JP 20864291A JP H0534726 A JPH0534726 A JP H0534726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- active matrix
- liquid crystal
- ito
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 63
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、アクティブマトリックス方式ＴＦ
Ｔ−ＬＣＤ（薄膜トランジスタ液晶）の小型高細精化す
るためのコンデンサ構造を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に形成したＩＴＯ膜２を覆う
ように、基板上に窒化物絶縁膜１１を形成し、その上に
Ｔａ2Ｏ5酸化物誘電体膜１２を形成し、この誘電体膜１
２上に窒化物絶縁膜１３を形成し、その中に画素電極用
ＩＴＯ膜４を設ける。 【効果】 酸化物誘電体膜１２とＩＴＯ膜２，４との間
に、窒化物絶縁膜１１，１３をバッファー層として設け
ているので、ＩＴＯ膜の黒化を防ぐことができる。ま
た、酸化物誘電体膜に用いたＴａ2Ｏ5の誘電率はＳｉＯ
2の６倍近くあるので、膜厚が等しい場合、Ｔａ2Ｏ5を
用いることにより、面積を１／６にすることができ、し
たがって簡単に小型高細精化ＴＦＴ−ＬＣＤを作成する
ことができる。
Ｔ−ＬＣＤ（薄膜トランジスタ液晶）の小型高細精化す
るためのコンデンサ構造を提供する。 【構成】 ガラス基板１上に形成したＩＴＯ膜２を覆う
ように、基板上に窒化物絶縁膜１１を形成し、その上に
Ｔａ2Ｏ5酸化物誘電体膜１２を形成し、この誘電体膜１
２上に窒化物絶縁膜１３を形成し、その中に画素電極用
ＩＴＯ膜４を設ける。 【効果】 酸化物誘電体膜１２とＩＴＯ膜２，４との間
に、窒化物絶縁膜１１，１３をバッファー層として設け
ているので、ＩＴＯ膜の黒化を防ぐことができる。ま
た、酸化物誘電体膜に用いたＴａ2Ｏ5の誘電率はＳｉＯ
2の６倍近くあるので、膜厚が等しい場合、Ｔａ2Ｏ5を
用いることにより、面積を１／６にすることができ、し
たがって簡単に小型高細精化ＴＦＴ−ＬＣＤを作成する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス方式液晶装置のコンデンサ構造の改良に関する。
ス方式液晶装置のコンデンサ構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】現今の高度情報化社会において、情報の
端末であるディスプレイ装置は、人間−機械を結ぶイン
ターフェイスの重要な位置を占めている。通常、ディス
プレイ装置、とくに近年普及の著しいパーソナルコンピ
ュータ用として使用されているのは、ＣＲＴすなわち従
来のブラウン管である。他方、パーソナルコンピュータ
におけるラップトップ型の普及にみられるように、近年
は可搬形の端末装置の需要も増大している。この目的に
は、重量が大きく更にスペースの大きな従来のＣＲＴは
不適切で、これに代るような薄型で軽量、更に大容量表
示が可能なフラットディスプレイが望まれている。ま
た、可搬形コンピュータに限らず、家庭用、車載用にお
いても、薄型、軽量化の需要は非常に大きいものであ
る。
端末であるディスプレイ装置は、人間−機械を結ぶイン
ターフェイスの重要な位置を占めている。通常、ディス
プレイ装置、とくに近年普及の著しいパーソナルコンピ
ュータ用として使用されているのは、ＣＲＴすなわち従
来のブラウン管である。他方、パーソナルコンピュータ
におけるラップトップ型の普及にみられるように、近年
は可搬形の端末装置の需要も増大している。この目的に
は、重量が大きく更にスペースの大きな従来のＣＲＴは
不適切で、これに代るような薄型で軽量、更に大容量表
示が可能なフラットディスプレイが望まれている。ま
た、可搬形コンピュータに限らず、家庭用、車載用にお
いても、薄型、軽量化の需要は非常に大きいものであ
る。
【０００３】フラットディスプレイには、プラズマディ
スプレイ（ＰＯＰ）、液晶（ＬＣＤ）、蛍光表示管（Ｖ
ＦＤ）、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）などの多くの
種類があり、その特徴に合わせて、各所で実用化されて
いる。この中で、ＬＣＤは低消費電力という特徴から、
パーソナルコンピュータのラップトップ型や小型ＴＶに
広く用いられている。
スプレイ（ＰＯＰ）、液晶（ＬＣＤ）、蛍光表示管（Ｖ
ＦＤ）、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）などの多くの
種類があり、その特徴に合わせて、各所で実用化されて
いる。この中で、ＬＣＤは低消費電力という特徴から、
パーソナルコンピュータのラップトップ型や小型ＴＶに
広く用いられている。
【０００４】ＬＣＤの表示方式には、単純マトリックス
方式とアクティブマトリックス方式の２つに大きく分け
ることができる。
方式とアクティブマトリックス方式の２つに大きく分け
ることができる。
【０００５】単純マトリックス方式は構造が簡単なた
め、生産面で有利であるが、画面の高細精化を図ると走
査線数が増加することにより、液晶に印加される実効電
圧の低下により、コントラストや応答速度の低下、さら
に視覚範囲も狭くなるという欠点がある。
め、生産面で有利であるが、画面の高細精化を図ると走
査線数が増加することにより、液晶に印加される実効電
圧の低下により、コントラストや応答速度の低下、さら
に視覚範囲も狭くなるという欠点がある。
【０００６】一方、アクティブマトリックス方式は、コ
ントラストや視覚範囲、応答速度に優れているが、液晶
と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）
を組み合わせているため、構造ならびに製造プロセスが
複雑となり、コストが高くなるという欠点がある。この
ため、２つの方式を用途によって使い分けることになる
が、画質の点からもアクティブマトリックス方式の魅力
は大きい。
ントラストや視覚範囲、応答速度に優れているが、液晶
と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）
を組み合わせているため、構造ならびに製造プロセスが
複雑となり、コストが高くなるという欠点がある。この
ため、２つの方式を用途によって使い分けることになる
が、画質の点からもアクティブマトリックス方式の魅力
は大きい。
【０００７】現在、パーソナルコンピュータの分野にお
いて、ＣＰＵが１６ビットから３２ビットへと高速化、
高機能化するにともない、ディスプレイに対しても高速
化、高機能化が要求されている。そこで、アクティブマ
トリックス方式ＬＣＤの高型高細精化を進める必要があ
る。一般に用いられているアクティブマトリックス方式
ＴＦＴ−ＬＣＤの構造を図２に示し、その等価回路を図
３に示す。
いて、ＣＰＵが１６ビットから３２ビットへと高速化、
高機能化するにともない、ディスプレイに対しても高速
化、高機能化が要求されている。そこで、アクティブマ
トリックス方式ＬＣＤの高型高細精化を進める必要があ
る。一般に用いられているアクティブマトリックス方式
ＴＦＴ−ＬＣＤの構造を図２に示し、その等価回路を図
３に示す。
【０００８】図２において、１はガラス基板、２はＩＴ
Ｏ膜、３はＳｉＯ2層間絶縁膜、４は画素電極用ＩＴＯ
膜、５はＳｉＮαゲート絶縁膜、６はＣｒゲート電極、
７は半導体膜、８はＳｉＮαパッシベーション膜、９は
ソース電極、１０はドレイン電極である。
Ｏ膜、３はＳｉＯ2層間絶縁膜、４は画素電極用ＩＴＯ
膜、５はＳｉＮαゲート絶縁膜、６はＣｒゲート電極、
７は半導体膜、８はＳｉＮαパッシベーション膜、９は
ソース電極、１０はドレイン電極である。
【０００９】図３において、Ｔｒは薄膜トランジスタ、
Ｃはコンデンサ、ＬＣは液晶を示す。前記ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの動作は次のようにして行なわれる。選択された走査
電極に接続された薄膜トランジスタＴｒのゲートに走査
信号を印加してオンにし、これに同期して信号電極から
映像信号によって振幅変調されたパルスが薄膜トランジ
スタＴｒのドレインから液晶ＬＣに印加される。走査信
号がオンになっても、コンデンサに蓄積された電荷によ
って液晶ＬＣに電圧が印加され続ける。
Ｃはコンデンサ、ＬＣは液晶を示す。前記ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの動作は次のようにして行なわれる。選択された走査
電極に接続された薄膜トランジスタＴｒのゲートに走査
信号を印加してオンにし、これに同期して信号電極から
映像信号によって振幅変調されたパルスが薄膜トランジ
スタＴｒのドレインから液晶ＬＣに印加される。走査信
号がオンになっても、コンデンサに蓄積された電荷によ
って液晶ＬＣに電圧が印加され続ける。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したことから、ア
クティブマトリックス方式ＬＣＤを小型高細精化するた
めには、コンデンサの容量を変えずに面積を小さくする
必要がある。そのためには誘電率の大きな材料をコンデ
ンサに用いなければならないが、ＩＴＯとの相性により
使用できる材料が限られてしまう。これは、コンデンサ
として酸化物誘電体を酸素雰囲気中でスパッタ法でＩＴ
Ｏ膜上に作成すると、ＩＴＯ膜が黒化する現象が知られ
ており、結果として透明な膜が得られないことから、こ
の方法では良好な素子を作成できないということであ
る。
クティブマトリックス方式ＬＣＤを小型高細精化するた
めには、コンデンサの容量を変えずに面積を小さくする
必要がある。そのためには誘電率の大きな材料をコンデ
ンサに用いなければならないが、ＩＴＯとの相性により
使用できる材料が限られてしまう。これは、コンデンサ
として酸化物誘電体を酸素雰囲気中でスパッタ法でＩＴ
Ｏ膜上に作成すると、ＩＴＯ膜が黒化する現象が知られ
ており、結果として透明な膜が得られないことから、こ
の方法では良好な素子を作成できないということであ
る。
【００１１】しかしながら、今後ＴＦＴ−ＬＣＤの小型
高細精化を行なうためには、誘電率の高いものを用いる
必要がある。しかしながら、誘電率の高いものに酸化物
が多いため、この問題を解決することが必要である。
高細精化を行なうためには、誘電率の高いものを用いる
必要がある。しかしながら、誘電率の高いものに酸化物
が多いため、この問題を解決することが必要である。
【００１２】
【発明の目的】本発明は、アクティブマトリックス方式
ＴＦＴ−ＬＣＤの小型高細精化するためのコンデンサ構
造を提供するものである。
ＴＦＴ−ＬＣＤの小型高細精化するためのコンデンサ構
造を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、アクティブマ
トリックス方式液晶装置のコンデンサ構造において、ガ
ラス基板上に形成された第１のＩＴＯ膜と、前記第１の
ＩＴＯ膜を覆うように前記ガラス基板上に形成された第
１の窒化物絶縁膜と、前記第１の窒化物絶縁膜上に形成
された酸化物誘電体膜と、前記酸化物誘電体膜上に形成
された第２の窒化物絶縁膜と、前記第２の窒化物絶縁膜
中または上面に形成された第２のＩＴＯ膜とより成るこ
とを要旨としている。
トリックス方式液晶装置のコンデンサ構造において、ガ
ラス基板上に形成された第１のＩＴＯ膜と、前記第１の
ＩＴＯ膜を覆うように前記ガラス基板上に形成された第
１の窒化物絶縁膜と、前記第１の窒化物絶縁膜上に形成
された酸化物誘電体膜と、前記酸化物誘電体膜上に形成
された第２の窒化物絶縁膜と、前記第２の窒化物絶縁膜
中または上面に形成された第２のＩＴＯ膜とより成るこ
とを要旨としている。
【００１４】
【作用】上記構成によれば、コンデンサの誘電体膜に酸
化物誘電体膜を用いても、その酸化物誘電体膜とＩＴＯ
膜との間に設けた窒化物絶縁膜がバッファー層として作
用するので、ＩＴＯ膜の黒化を防ぐことができる。
化物誘電体膜を用いても、その酸化物誘電体膜とＩＴＯ
膜との間に設けた窒化物絶縁膜がバッファー層として作
用するので、ＩＴＯ膜の黒化を防ぐことができる。
【００１５】
【実施例】図１に、本発明の一実施例を示す。同図にお
いて、図２と同一または類似する部材には同じ符号を付
している。図１において、１はガラス基板、２は基板上
に形成されたＩＴＯ膜であり、このＩＴＯ膜２を覆うよ
うに、基板上に窒化物絶縁膜１１が形成され、その上に
Ｔａ2Ｏ5酸化物誘電体膜１２が形成され、この誘電体膜
１２上に窒化物絶縁膜１３が形成されている。画素電極
用ＩＴＯ膜４は前記窒化物絶縁膜１３の中に設けられて
いる。本例は、酸素雰囲気中でスパッタ法により作成し
たＴａ2Ｏ5膜を使用した場合の例である。なお、前記Ｉ
ＴＯ膜４は窒化物絶縁膜１３の上面に設けてもよい。
いて、図２と同一または類似する部材には同じ符号を付
している。図１において、１はガラス基板、２は基板上
に形成されたＩＴＯ膜であり、このＩＴＯ膜２を覆うよ
うに、基板上に窒化物絶縁膜１１が形成され、その上に
Ｔａ2Ｏ5酸化物誘電体膜１２が形成され、この誘電体膜
１２上に窒化物絶縁膜１３が形成されている。画素電極
用ＩＴＯ膜４は前記窒化物絶縁膜１３の中に設けられて
いる。本例は、酸素雰囲気中でスパッタ法により作成し
たＴａ2Ｏ5膜を使用した場合の例である。なお、前記Ｉ
ＴＯ膜４は窒化物絶縁膜１３の上面に設けてもよい。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、酸化物誘電体膜とＩＴ
Ｏ膜との間に窒化物絶縁膜をバッファー層として設けて
いるので、ＩＴＯ膜の黒化を解決することができる。実
施例に用いたＴａ2Ｏ5は誘電率がＳｉＯ2の６倍近くあ
るため、膜厚が等しい場合、Ｔａ2Ｏ5を用いることによ
り、面積を１／６にすることができ、簡単に小型高細精
化ＴＦＴ−ＬＣＤを作成できる。
Ｏ膜との間に窒化物絶縁膜をバッファー層として設けて
いるので、ＩＴＯ膜の黒化を解決することができる。実
施例に用いたＴａ2Ｏ5は誘電率がＳｉＯ2の６倍近くあ
るため、膜厚が等しい場合、Ｔａ2Ｏ5を用いることによ
り、面積を１／６にすることができ、簡単に小型高細精
化ＴＦＴ−ＬＣＤを作成できる。
【図１】本発明の一実施例を示すアクティブマトリック
ス方式ＴＦＴ−ＬＣＤ構造の断面図である。
ス方式ＴＦＴ−ＬＣＤ構造の断面図である。
【図２】従来のアクティブマトリックス方式ＴＦＴ−Ｌ
ＣＤ構造の断面図である。
ＣＤ構造の断面図である。
【図３】従来のアクティブマトリックス方式ＴＦＴ−Ｌ
ＣＤの等価回路図である。
ＣＤの等価回路図である。
１ ガラス基板 ２ ＩＴＯ膜 ３ 層間絶縁膜 ４ 画素電極用ＩＴＯ膜 ５ ゲート絶縁膜 ６ ゲート電極 ７ 半導体膜 ８ パッシベーション膜 ９ ソース電極 １０ ドレイン電極 １１ 窒化物絶縁膜 １２ 酸化物誘電体膜 １３ 窒化物絶縁膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 アクティブマトリックス方式液晶装置の
コンデンサ構造において、ガラス基板上に形成された第
１のＩＴＯ膜と、前記第１のＩＴＯ膜を前記ガラス基板
上に形成された第１の窒化物絶縁膜と、前記第１の窒化
物絶縁膜上に形成された酸化物誘電体膜と、前記酸化物
誘電体膜上に形成された第２の窒化物絶縁膜と、前記第
２の窒化物絶縁膜中または上面に形成された第２のＩＴ
Ｏ膜とより成ることを特徴とするアクティブマトリック
ス方式液晶装置のコンデンサ構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20864291A JPH0534726A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | アクテイブマトリツクス方式液晶装置のコンデンサ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20864291A JPH0534726A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | アクテイブマトリツクス方式液晶装置のコンデンサ構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534726A true JPH0534726A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16559626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20864291A Pending JPH0534726A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | アクテイブマトリツクス方式液晶装置のコンデンサ構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0534726A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000027498A (ko) * | 1998-10-28 | 2000-05-15 | 김영환 | 액정 표시 소자의 제조방법 |
| KR20020077278A (ko) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 액티브 매트릭스형 표시 장치 |
| KR100754128B1 (ko) * | 2005-11-23 | 2007-08-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법 |
| KR100797374B1 (ko) * | 2001-06-05 | 2008-01-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100831294B1 (ko) * | 2001-03-10 | 2008-05-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100878263B1 (ko) * | 2001-06-13 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| US7868662B2 (en) | 2006-10-10 | 2011-01-11 | Panasonic Corporation | Spike noise eliminating circuit, digital system using the same, and IIC bus |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP20864291A patent/JPH0534726A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000027498A (ko) * | 1998-10-28 | 2000-05-15 | 김영환 | 액정 표시 소자의 제조방법 |
| KR100831294B1 (ko) * | 2001-03-10 | 2008-05-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20020077278A (ko) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 액티브 매트릭스형 표시 장치 |
| KR100797374B1 (ko) * | 2001-06-05 | 2008-01-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100878263B1 (ko) * | 2001-06-13 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100754128B1 (ko) * | 2005-11-23 | 2007-08-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법 |
| US7868662B2 (en) | 2006-10-10 | 2011-01-11 | Panasonic Corporation | Spike noise eliminating circuit, digital system using the same, and IIC bus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8362491B2 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| JP6921905B2 (ja) | 表示装置 | |
| US6313481B1 (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
| JP2637079B2 (ja) | 能動マトリクス液晶表示装置内の薄膜電界効果トランジスタを製造する方法 | |
| US4778258A (en) | Protective tab structure for use in the fabrication of matrix addressed thin film transistor liquid crystal displays | |
| US6999136B2 (en) | Liquid crystal display and fabricating method thereof | |
| US7515217B2 (en) | Fabricating method of a pixel structure having electrical field shielding layer and storage capacitor with three transparent electrodes | |
| JP3402909B2 (ja) | 薄膜トランジスタ装置及び液晶表示装置 | |
| JPH1031235A (ja) | 液晶表示装置 | |
| CN106483728A (zh) | 像素结构、阵列基板和显示装置 | |
| US5210045A (en) | Dual dielectric field effect transistors for protected gate structures for improved yield and performance in thin film transistor matrix addressed liquid crystal displays | |
| US20130161612A1 (en) | Display device and image display system employing the same | |
| US5148248A (en) | Dual dielectric field effect transistors for protected gate structures for improved yield and performance in thin film transistor matrix addressed liquid crystal displays | |
| JPH07191348A (ja) | 液晶表示装置の製法 | |
| JPH04336530A (ja) | 液晶ディスプレイ | |
| JPH0843860A (ja) | 低電圧駆動アクティブ・マトリックス液晶ディスプレイにおける電気的に分離されたピクセル・エレメント | |
| JPH0713196A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| US20040245523A1 (en) | Circular thin film transistor structure | |
| JP3162220B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2007156442A (ja) | 低温ポリシリコン薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ装置に用いられる積層蓄積容量構造 | |
| KR940004237B1 (ko) | 액정표시 장치 및 그 제조방법 | |
| US7045373B2 (en) | Manufacturing method for in-plane switching mode LCD unit with fewer masking process | |
| JPH07199215A (ja) | 表示装置及び液晶ディスプレイ | |
| KR100713878B1 (ko) | 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법 | |
| TW200532284A (en) | Transmissive liquid crystal display |