JPH0534736B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 この発明は、情報の書き換えが可能である光デ
イスクメモリ装置に関する。

「従来の技術」 光デイスクメモリ装置としては、コンパクトデ
イスクに代表されるように、レーザ光の凹凸面で
の反射具合を利用した構成が知られている。

しかしながら、その多くは書換不可能であるた
め書換を可能とする方式が求められている。

書換え可能な方式の代表例として、光磁気メモ
リ装置が知られている。また、カルコゲン系（テ
ルル系）を用いたアモルフアス半導体の光デイス
クメモリ装置も知られている。

「発明が解決しようとする課題」 しかし光磁気メモリを用いたデイスクメモリ装
置はきわめて高価かつ稀少材料を用いており、将
来の多量生産に不安を残す。またカルコゲン系ア
モルフアス半導体を用いた方法は光の強度制御が
きわめて微妙であるという問題がある。

これらのことより、 １ 本来多量生産し得る材料を用いること ２ 光のオン、オフをより容易に行い得ること ３ 不揮発性を有し、メモリをストア（保持）し
続ける時何等の外部エネルギを必要としないこ
と等の機能を有する手段が求められていた。

本発明は上記のような要求を満たす光デイスク
を提供することを目的とする。

「課題を解決するための手段」 本発明は、上記のような要求を満たす光デイス
クとして、 一対の基板間に液晶が充填された構成を有する
液晶を用いた光メモリ装置であつて、 前記一対の基板の内側にはそれぞれ電極が設け
られ、 前記電極の一方または双方にはフローテイング
電荷捕獲中心層が設けられ、 前記電極の一方は反射性を有し、かつ凹凸を有
し、 ていることを要旨とするものである。

また、上記フローテイング電荷捕獲中心層とし
て、導電性または半導体性を有するクラスタ、ま
たは導電性または半導体性を有する薄膜状の層、
または不対結合手を有する層、を用いることを特
徴とするものである。

また、上記フローテイング電荷捕獲中心層とし
て、水素またはハロゲン元素が添加されたSi_x
Ge_1-x（０≦Ｘ≦１）、または水素またはハロゲン
元素が添加されたSi_xC_1-x（０＜Ｘ≦１）、または
水素またはハロゲン元素が添加されたSi₃N_4-x（０
＜Ｘ≦４）を用いることを特徴とするものであ
る。

フローテイング電荷捕獲中心層は、電荷を保持
し、液晶に対して常に電界を印加する作用を有す
るものである。

フローテイング電荷捕獲層とは、電気的に浮い
た状態にある電荷捕獲中心を有する層のことであ
る。例えば、一対の誘電体によつて電荷捕獲中心
を有する層を挟んで構成することによつて、外部
から電気的に浮いた、電荷を捕獲することができ
る層、即ちフローテイング電荷捕獲中心層を得る
ことができる。

本発明を具体化した一例の断面図を第１図に示
す。

図面において透光性基板の３の内側に第１の透
光性電極４が形成されている。他方、反射性導電
性基板３′よりなる第２の電極４′が凹凸を有して
形成されている。

液晶材料６としては電界の向きでスイツチング
を行う液晶のすべての種類を用いることができ
る。

さらに他方の光の入射光側の電極の一方４上
（図面では下向きであるが、形成してゆく順序に
従つて以下上下側と表記する）には第１の誘電体
薄膜５−１とフローテング電荷捕獲中心層５−２
（ここではシリコン半導体をクラスタ状に形成し
た場合を示す）と第２の誘電体膜５−３とが形成
されている。

なお、実際には誘電体膜５−１，５−３が無い
と、５−２は電気的にフローテイングの状態には
ならいが、ここでは用語を統一する意味で５−２
をフローテング電荷捕獲中心層という。

「作用」 以下電気的な等価回路により本発明の原理を示
し、その作用を説明する。

第１図において、電極４、誘電体膜５−１、フ
ローテイング電荷捕獲層５−２とは１つのキヤパ
シタを等価的に構成している。

またこのフローテイング電荷捕獲中心層５−２
と他の電極４′との間には第２の誘電体膜５−３、
液晶６、配向処理層７とが設けられ、等価的に他
のキヤパシタを構成している。第１図に示すよう
に、液晶の配向処理層７は、基板３′の液晶６と
接する側に設けられている。

この第１図に示されている縦断面の電気的等価
回路を第２図に示す。

第１で示される構成を等価回路で示した第２図
において、第１図における第２の誘導体膜５−
３、液晶６、配向処理層７で構成される部分のコ
ンダクタンスをG₂で示し、そのキヤパシタンス
C₂で示す。

又誘電体薄膜５−１のコンダクタンスをG₁で
示し、キヤパシタンスをC₁で示す。

第２図におけるC₁，G₁とC₂，G₂との境界には、
フローテイング電荷捕獲中心層５−２またはこれ
らに起因する半導体の不対結合手が電荷を捕獲及
び放出し得る中心をもつ電荷捕獲中心層として設
けられている。

ここで、両端子４，４′間にV₀の電圧を印加し
た場合を考える。

この時、C₁，G₁に加わるを電圧V₁で表し、C₁
に蓄えられる電荷をQ₁で表し、また、C₂，G₂に
加わる電圧をV₂で表し、C₂に蓄えられる電荷を
Q₂で表すこととする。してみると、 V₀＝V₁＋V₂ V₁＝Q₁／C₁＝C₂／C₁＋C₂V₀ V₂＝Q₂／C₂＝C₁／C₁＋C₂V₀ が成立する。ここで時間のパラメータｔを導入
し、上記の状態をｔ＝０における状態とする。即
ちｔ＝０における状態で上式が成立する状態が実
現されたとする。

すると、フローテイング電荷捕獲中心層へは、
上記式で示される分圧に従つてコンダクタンス
G₁，G₂により電流が注入される。

この注入される電流は互いに逆向きになり、そ
の差によりｔ秒後にＱ（Q₂−Q₁で示される）の電
荷がフローテイング電荷捕獲中心層に蓄積され
る。

このフローテイング電荷捕獲中心層にｔ秒後に
蓄積される電荷量Ｑは次式で与えられる。

Ｑ＝C₂G₁−C₁G₂／G₁＋G₂V₀〔１−exp（−G₁＋G₂／C₁＋C
₂ｔ）〕 また上式よりV₂を求めると、 Ｑ＝Q₂−Q₁ Q₂＝C₂V₂＝Ｑ＋Q₁ C₂V₂＝Ｑ＋C₁（V₀−V₂） だから、 V₂＝C₁／C₁＋C₂V₀＋Ｑ V₂＝C₁／C₁＋C₂V₀＋C₂G₁−C₁G₂／（C₁＋C₂）（G₁＋G₂） V₀〔１−exp（−G₁＋G₂／C₁＋C₂ｔ）〕 ＝Ｇ／G₁＋G₂V₀＋C₂G₁−C₁G₂／（C₁＋C₂）（G₁＋G₂） V₀〔−exp（−G₁＋G₂／C₁＋C₂ｔ）〕 上式において、コンダクタンスG₁を決定する
第１の誘電体膜５−１は、その平均の厚さとして
20〜100Åを有し、コンダクタンスG₂に寄与する
第２の誘電体膜５−２は300〜1000Åの厚さを有
する。

さらにコンダクタンスG₂は、第２の誘電体膜
５−３と液晶６と配向処理層７とによつて決定さ
れるのであるから、この場合明らかG₁＞＞G₂が
成立することになる。

又C₁を決定する第１の誘電体膜５−１の膜厚
は20〜100Åであるのに対して、C₂に寄与する第
２の誘電体膜５−２の膜厚は300〜1000Åを有し、
しかもC₂には液晶６と配向処理層７も寄与する
から、C₁はC₂に比べて十分大きい。即ちC₁＞＞
C₂が成立する。

即ち、第１図に示す構成においては、 G₁＞＞G₂ C₁＞＞C₂ が成立する状況になつている。

この状況において、上記V₂を与える式は近似
的に V₂＝V₀−C₂G₁−C₁G₂／G₁C₁V₀exp（−G₁／C₁ｔ） で与えられる。さらに、 V₁＝V₀−V₂だからV₁は、 V₁＝C₂G₁−C₁G₂／G₁C₁V₀exp（−G₁／C₁ｔ） で与えられる。

ここで、４，４′に電圧V₀を印加してから充分
時間が立つた状態即ちｔが十分大きくなつた状態
を考える。

すると、 C₂G₁−C₁G₂／G₁C₁V₀exp（−G₁／C₁ｔ） の項の値は、ｔが増加するに従つて減少するの
で、充分時間がたつた状態では、 V₁＝０ V₂＝V₀ となる。

即ち、すべての電位が液晶即ちC₂（実際には、
第２の誘電体膜５−３、液晶６、配向膜７を合わ
せた部分に電位V₀が印加されるのであるが、こ
こでは近似的に、液晶６に電位V₀が印加される
のもと考える）の両端に印加されることになる。

こうしてフローテイング電荷捕獲中心層５−２
に所定の種類および量の電荷が蓄積されることに
なる。

この液晶６の両端に印加される電位はフローテ
ング電荷捕獲中心層５−２に捕獲された電荷Ｑに
より作られたものであるため、外部からの印加電
圧V₀を除去してその結果を維持し、液晶がこの
捕獲されている電荷量に従つて所定の向きが保持
される。

従つて、電圧印加を止めた後においても、液晶
が透過または非透過の状態を不揮発に保持するこ
とになる。

以上のように、本発明を用いることにより、液
晶自体がFLC（強誘電性液晶）のようにメモリー
性を有していなくても、フローテイング電荷捕獲
中心層に保持される電荷Ｑに従つて液晶の状態を
維持させることによつて、不揮発のメモリー性を
有せしめることができる。

以上のように本発明は、液晶と直列にフローテ
イング電荷捕獲中心層を存在せしめ、このフロー
テイング電荷捕獲中心層に注入捕獲された電荷の
種類に従つて液晶の反転、非反転を決定すること
をその思想としている。

本発明の発明思想は、従来より公知の２つの面
により安定化して配向せしめるSSFLC（Surface
stabilized FLC）の思想とはまつたく異なる。即
ち従来において、FLCの第１（例えば透過）およ
び第２（例えば非透過）の向きを決めるのはこの
FLCに密接した一対の面であつたが、本発明に
おいては、液晶より離間して設けられたフローテ
イング電荷捕獲中心層に捕獲された正又な負の電
荷であるということが重要である。

以下に実施例に従つて本発明を説明する。

実施例 １ 本実施例は、一対の電極を有する面を内側にし
て対向させて形成された液晶装置の電極間にフロ
ーテイング電荷捕獲中心層を介在せしめた構成を
有する。

特にフローテイング電荷捕獲中心層は、一対の
誘電体膜によつて挟まれて設けられる。

フローテイングで荷捕獲中心層は、SinH_2o+2
（ｎ≧２）の分解よりなる珪素を用いるのが代表
的な例として挙げることができる。

その他フローテイング電荷捕獲中心層を構成す
る材料としては、SixC_1-x（０＜Ｘ≦１）、Si₃N_4-x
（０＜Ｘ≦４）、SiO_2-x（０＜Ｘ＜２）、SixGe_1-x
（０≦Ｘ≦１）を挙げることができる。

フローテイング電荷捕獲中心層は、一方又は双
方の電極上に第１の誘電体膜を介して設け、この
フローテイング電荷捕獲中心層を電気的に電極よ
り分解（フローテイング）した構造に設け、そし
てさらにこのフローテイング電荷捕獲中心層を他
の第２の誘電体膜で覆い液晶からもフローテイン
グとせしめることによつて、電気的にフローテイ
ングした電荷捕獲中心として構成される。

特にこのフローテイング電荷捕獲中心層と充填
された液晶とは互いに直接接しないように第２の
誘電体膜により離間している。このフローテイン
グ電荷捕獲中心層は通常の使用状態（情報の読み
出し状態）では不揮発性メモリ作用を有するもの
である。

例えば液晶としてFLC（強誘電性液晶）を用い
た場合、このフローテイング電荷捕獲中心層に注
入保持されている電荷の種類に従つて、それと離
間して設けられたFLCの向きが決められ、結果
として２つの光学的状態が決められる。

かくして例えばフローテイング電荷捕獲中心層
が１層の場合（一方の光の入射光側の電極側のみ
に作られた場合とする）において、そのフローテ
イング電荷捕獲中心層に正の電荷が捕獲され保持
し続けられると外部電界の印加を中止した後であ
つても、保持され続けている正の電荷により
FLCの負極性側がこのフローテイング電荷捕獲
中心層の方を向き、結果として、系としては、例
えばこのパネルに対し光は「非透過」となる。

また逆に、このフローテイング電荷捕獲中心層
に負の電荷が捕獲され保持し続けると、FLCの
負極性側が電界の印加を中止しても反発すること
になり、逆に「透過」とすることができる。

この透過、非透過のそれぞれの状態はフローテ
イング電荷捕獲中心層に正または負の電荷が捕獲
されている限り不揮発性を有する。

また、正または負の電荷を平等に捕獲させ得る
ため、読み出し光に対してはその透光性を妨げな
い半導体材料を主成分とするクラスタまたは薄膜
状の層によりフローテイング電荷捕獲中心層を構
成させることが好ましい。またフローテイング電
荷捕獲中心層としては、電荷をトラツプする半導
体の不対結合手を有する層であつてもよい。

これらのフローテイング電荷捕獲中心層の存在
により、このフローテイング電荷捕獲中心層を有
さない場合に比べて700〜900nｍの光が30％以上
の減衰をしたい程度にすることが重要である。

そのため、このフローテイング電荷捕獲中心層
を構成するクラスタまたは膜はその平均膜厚が
2000Åまたはそれ以下とする。

即ち記録情報の読み出しに用いられる光は670
〜900nｍであり、一般には770〜820nｍの波長が
用いられる。このための読み出し用の半導体レー
ザ光を十分透過する光学的Egをもつ材料がフロ
ーテイング電荷捕獲中心層を構成する材料として
好ましい。

他方、メモリの書き込みを行う500nｍ以下の
波長例えば400〜500nｍに対しては照射される光
が十分このフローテイング電荷捕獲中心層で吸収
され、フローテイング電荷捕獲中心層で捕獲され
ている電荷を励起することが必要である。

第３図は本実施例の光メモリ装置のメモリ部の
縦断面図である。この第３図の構成を第４図の装
置に配設するには上下をさかさとし、光の入射光
１６を透光性電極３側とする。

図面において、反射型の導体基板３′および透
光性の化学強化ガラス基板３が示されている。

また方の反射性の導体基板３′は凹凸を有する。

本実施例においては、アルミニユームまたはそ
の合金で構成された反射率の大きい基板３′に選
択的に記録用トラツク２７の領域のみ残存させ、
凹凸を有せしめる。かくして、一方は凹部（案内
用トラツク）２６と凸部記録用トラツク２７とを
有せしめた基板３′とする。

他方の透光性を有する化学強化ガラス基板３は
平板とし、厚さは0.7〜0.2mm好ましくは0.3mmとし
た。

また基板３上には、透明導電膜よりなる電極４
−１が例えば酸化インジユーム・スズにより形成
されている。

さらにブロツキング層４−２が約100Åの厚さ
に形成されている。このブロツキング層４−２と
しては、シラン（SinH_2o+2ｎ≧２）を用いたプ
ラズマCVD法により形成される珪素半導体を用
いている。こうして４−１，４−２で構成される
電極４が形成されている。

そして電極４の上面（図では下向き）に電荷が
捕獲される層５が形成されている。

この層５は、電極４の上面に形成された第１の
誘電体薄膜５−１とフローテイング電荷捕獲中心
層５−２と第２の誘電体膜５−３によつて構成さ
れている。

本実施例においては、誘電体膜として窒化珪素
を用いた。この窒化珪素からなる誘電体膜の作製
方法としては、光CVD法を用いた。具体的には、
反応室内において被形成面を350℃に加熱し、シ
ラン（SinH_2o+2ｎ≧２）とアンモニア（NH₃）
とを、NH₃／SiH₄≧50の混合比で混合して導入
し、10torrの反応圧力にした後、185nｍの波長の
光を含む紫外光を照射することによつて窒化珪素
膜を形成した。

具体的な層５の構成としては、10〜200Å例え
ば100Å平均の厚さを有する第１の誘電体膜５−
１と、その上面の珪素半導体よりなるクラスタ状
（平均厚さ20〜200Å）または膜状（平均厚さ100
〜2000Å）のフローテイング電荷捕獲中心層５−
２、さらには300〜2000Å例えば700Åの厚さを有
する第２の誘電体膜５−２を有している。

なお、フローテイング電荷捕獲中心層５−２の
作製も光CVD法によつて行つた。

このフローテイング電荷捕獲中心層５−２を構
成する珪素半導体層は光学的バンド巾（Eg）と
して1.5（水素が添加されていない場合）〜1.7eV
（水素が添加されている場合）を有し、760nｍ以
上の波長の光に対しては透光性を有する。

フローテイング電荷捕獲中心層５−２の平均膜
厚が20〜200Åにおいては、一般に薄膜構造を形
成せず、島状塊即ちクラスタを構成する。一方平
均膜厚が100〜2000Åにおいては薄膜状に形成さ
せることもできる。また反応容器の圧力により平
均厚さが100〜200Åではクラスタと薄膜とが混合
する状態も実現することができる。

このクラスタは平均直径が10Å〜1μｍ程度の
島状を有するものであり、１つのメモリビツトと
隣のメモリビツトとが電気的に第１の誘電対膜５
−１の電気抵抗と同程度またはそれ以上の抵抗性
を有する限りにおいてクロストークをしない。即
ちこの限りにおいて薄膜を形成し得る。

以上のようにして、第３図に示すように一対の
誘電体膜５−１，５−２でフローテイング電荷捕
獲中心層５−２を下側の電極４および液晶６より
電気的に完全に浮いた状態とさせた。

また、他方の電極４′上にはブロツキング層と
なる窒化珪素膜７−１が300Åの平均膜厚に形成
されている。

この窒化珪素膜はガラス、アルミニユーム合金
等からのナトリユーム等の不純物の液晶内への混
入を防ぐために有効であつた。

さらにこの上面に有機物被膜７−２を形成し、
これらにより配向処理層７を構成させた。

本実施例においては、有機樹脂膜７−２を形成
するに当たり、ナイロン６をスピナで塗布し、
120℃、30分で乾燥して形成し、この後この上面
に対してこのデイスクを回転させてラビング処理
を施した。

次に一対の基板３と３′とを張り合わせてセル
を形成し、その周辺部を互いに封止（図示せず）
し、公知の方法にてFLCを充填した。

このFLCは、例えばエステル系とビフエニル
系との１：１のブレンド品を用いた。そしてここ
にアントラキノン系又はアゾ系の２色性色素を添
加したものを用いた。

完成したセルの上下一対の電極間に±30Vの電
圧を加えると、この電圧が加わつても画素はシラ
ンカツプリング材のみを用いた従来の方法では見
られないきわめてきれいなメモリー性を実質的に
有せしめることが可能であつた。

第５図Ｂに、第５図Ａに示されたような電気光
学測定系で測定した結果を示す。第５図Ａにおい
て、半導体レーザ４１より出たレーザ光４２をポ
ーラライザ４９を通し、前述のセルであるサンプ
ル１０に照射する。そして、その光をアナライザ
ー４４を通した後、フオトマル４５に導く。

フオトマル４５では、入射光の強さを電圧に変
換し、その出力をオシロスコープ４７でモニター
する。この場合、フアンクシヨンジエネレート４
６によりサンプルに印加する電圧波形は周波数は
１Hzの±30Vを有する三角波とした。

第５図Ｂにおいて、たて軸はフオトマルの感度
を示し、横軸は印加電圧を示している。図より約
＋10V、−10Vに明確なしきい値が存在すること
が分かる。

この第５図Ｂより明らかな如く、室温で±30V
の電圧を印加すると、曲線４８，４９が得られ
る。そのため、マイナスの電圧を印加して曲線４
９を得ることにより、光メモリ装置の書き消し操
作を実施することができる。

他方、このサンプル１０に対し488nｍのアル
ゴンレーザ４１′を照射し、同時にサンプル１０
に対し正の電圧をVwまでの電圧（即ち室温にお
けるしきい値以下の電圧であつて強光が照射され
た時には十分反転し得る範囲の電圧）を印加する
と曲線４８′が得られる。即ち強光４１′を照射し
た番地のみが選択的に透過となり、デイスクの他
の部分は非透過の初期の状態を保持することが可
能となる。

かかる書き込み操作により曲線４８′が得られ
る。他方、書き消し操作により曲線４９が得られ
る。この操作は何回も繰り返し実施することが可
能となる。

第６図は本発明に用いた光メモリ装置の波長に
対する光の透過率の特性である。単体のガラス板
の透過率を曲線５０に示す。他方、本実施例の構
成を有し、フローテイング電荷捕獲中心層が水素
が添加されたアモルフアスシリコンによつて形成
された光デイスクにおいては、曲線５１で示す特
性が得られた。

またSixGe_1-x（０≦Ｘ≦１）（ｘ＝0.8）をフロ
ーテイング電荷捕獲中心層として採用した場合に
は、曲線５２が得られた。

これらのことより読み出しには領域５４を用
い、十分透光性を有せしめ得、また書き込みは領
域５３を用いることにより照射光を十分フローテ
イング電荷捕獲中心層に吸収させ得ることが有用
であると結論される。

さらにこのフローテイング電荷捕獲中心層を光
照射面側に配設することにより、照射光がフロー
テイング電荷捕獲中心層に吸収され、FLCは残
りの光しか吸収しないためFLC自体が劣化する
可能性をも防ぐことができる。

本実施例の構成においては、基板は薄く、耐衝
撃性のある化学強化硝子基板を用いたため重量が
軽くなり、高速回転する光デイスクメモリーでは
慣性力を小さくおさえることができる。

また衝撃にも強いため、手荒く扱つても破損す
ることはないという特徴を有する。

「効果」 本発明は以上に示す如く、一方または双方の電
極の内側に第１および第２の誘電体薄膜を設け、
該膜の間には該膜より100倍以上の導電性を持つ
フローテイング電荷捕獲中心層を設け、この層に
蓄積された電荷の種類に従つて、より一層正およ
び負のしきい値の明確な液晶メモリ装置を得るこ
とができる。

本発明の光デイスクメモリ装置は、液晶を用い
るため書換回数が比較的多い場合に特に有効であ
る。

また、「書き込み」および「読み出し」が光方
式のため、メモリ容量がきわめて大きいという特
徴を有する。

本発明の実質的応用は単に民生用のコンパクト
デイスクメモリのみならず、大容量のフアイルメ
モリに対しても有効である。またデイスクも円形
状で回転方式ではなく、デイスクを固定し、光路
を移動させる方式等の応用も可能である。

この発明は単に光デイスクメモリのみならずあ
らゆる光メモリ装置（読み出しを光で行うメモリ
装置）に対しても適用でき、スメクチツク液晶の
光学的異方性の適用可能な製品に広く応用できる
ものである。

さらに本発明を一部修正した方式として偏光板
を利用することも可能である。しかしデイスクメ
モリのすべてに２枚の偏光板を設けるため製造コ
スト上昇に繋がる欠点を有する。

さらに本発明の実施例においては、反射光を検
知する方式を示したが、透過型として光の読み出
しを透光する光の有無または大小を比較して識別
する方式としてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を利用した一例の液晶装置の縦
断面図である。第２図は第１図の装置の等価回路
図を示す。第３図は実施例の液晶装置の縦断面図
である。第４図は本発明を利用した光デイスクメ
モリ装置の概要を示す。第５図、第６図は本発明
により得られる光メモリ装置の特性の一例を示
す。 ３……化学強化硝子基板、５……フローテイン
グ電荷捕獲注入層、６……液晶、７……配向処理
層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一対の基板間に液晶が充填された構成を有す
   る液晶を用いた光メモリ装置であつて、 前記一対の基板の内側にはそれぞれ電極が設け
   られ、 前記電極の一方または双方にはフローテイング
   電荷捕獲中心層が設けられ、 前記電極の一方は反射性を有し、かつ凹凸を有
   し、ていることを特徴とする液晶を用いた光メモ
   リ装置。 ２ 一対の基板間に液晶が充填された構成を有す
   る液晶を用いた光メモリ装置であつて、 前記一対の基板の内側にはそれぞれ電極が設け
   られ、 前記電極の一方または双方にはフローテイング
   電荷捕獲中心層が設けられ、 前記電極の一方は反射性を有し、かつ凹凸を有
   し、 前記フローテイング電荷捕獲中心層は、 導電性または半導体性を有するクラスタ、 または導電性または半導体性を有する薄膜状の
   層、 または不対結合手を有する層、 よりなることを特徴とする液晶を用いた光メモリ
   装置。 ３ 一対の基板間に液晶が充填された構成を有す
   る液晶を用いた光メモリ装置であつて、 前記一対の基板の内側にはそれぞれ電極が設け
   られ、 前記電極の一方または双方にはフローテイング
   電荷捕獲中心層が設けられ、 前記電極の一方は反射性を有し、かつ凹凸を有
   し、 前記フローテイング電荷捕獲中心層は、 水素またはハロゲン元素が添加されたSi_xGe_1-x
   （０≦Ｘ≦１）、 または水素またはハロゲン元素が添加された
   Si_xC_1-x（０＜Ｘ≦１）、 または水素またはハロゲン元素が添加された
   Si₃N_4-x（０＜Ｘ≦４）、 よりなることを特徴とする液晶を用いた光メモリ
   装置。 ４ 特許請求の範囲第１項または第２項または第
   ３項において、フローテイング電荷捕獲中心層
   は、第１の誘電体膜と、第２の誘電体膜とで挟ま
   れて構成されていることを特徴とする液晶を用い
   た光メモリ装置。