JPH0831211B2 - 光ディスクメモリ装置 - Google Patents
光ディスクメモリ装置Info
- Publication number
- JPH0831211B2 JPH0831211B2 JP61046865A JP4686586A JPH0831211B2 JP H0831211 B2 JPH0831211 B2 JP H0831211B2 JP 61046865 A JP61046865 A JP 61046865A JP 4686586 A JP4686586 A JP 4686586A JP H0831211 B2 JPH0831211 B2 JP H0831211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- light
- disk
- electrodes
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 この発明は、書換可能な不揮発性の配向を規定する手
段（以下NVLという）と液晶（以下LCという）とを一体
化して有せしめた書換可能な光メモリ装置（特に光ディ
スクメモリ装置）に関する。
段（以下NVLという）と液晶（以下LCという）とを一体
化して有せしめた書換可能な光メモリ装置（特に光ディ
スクメモリ装置）に関する。
「従来の技術」 光ディスクメモリ装置として、コンパクトディスクに
代表されるように、レーザ光の凹状のピットでの反射具
合を利用した書換不可能なディジタル式ディスクメモリ
装置が知られている。この応用はオーディオ用、ビデオ
用のみならず、情報処理用の光ディスクメモリ装置とし
てきわめて将来を有望視されている。しかしこれらディ
スクメモリは書換が不可能である。このため、書換を可
能とする方式が求められ、その代表例として光磁気メモ
リ装置が知られている。さらに、カルコゲン系（テルル
系）を用いたアモルファス半導体の光ディスクメモリ装
置も知られている。
代表されるように、レーザ光の凹状のピットでの反射具
合を利用した書換不可能なディジタル式ディスクメモリ
装置が知られている。この応用はオーディオ用、ビデオ
用のみならず、情報処理用の光ディスクメモリ装置とし
てきわめて将来を有望視されている。しかしこれらディ
スクメモリは書換が不可能である。このため、書換を可
能とする方式が求められ、その代表例として光磁気メモ
リ装置が知られている。さらに、カルコゲン系（テルル
系）を用いたアモルファス半導体の光ディスクメモリ装
置も知られている。
「発明が解決したいとする問題点」 しかし光磁気メモリを用いたディスクメモリ装置はき
わめて高価かつ希少材料を用いており、将来の多量生産
に不安を残す。またカルコゲン系アモルファス半導体を
用いた方法は光の制御がきわめて微妙である。
わめて高価かつ希少材料を用いており、将来の多量生産
に不安を残す。またカルコゲン系アモルファス半導体を
用いた方法は光の制御がきわめて微妙である。
これらの点より、本来多量生産し得る材料を用いるこ
と、光のオン、オフをより容易に行い得ること、不揮発
性を有し、メモリをストア（保持）し続ける時何等の外
部エネルギを必要としないこと、等の機能を有する手段
が求められていた。
と、光のオン、オフをより容易に行い得ること、不揮発
性を有し、メモリをストア（保持）し続ける時何等の外
部エネルギを必要としないこと、等の機能を有する手段
が求められていた。
これらの目的のため、本発明人の出願による強誘電性
結晶（以下FLCという）を用いた光ディスク装置（昭和6
0年８月７日出願）特願昭60−173936がある。
結晶（以下FLCという）を用いた光ディスク装置（昭和6
0年８月７日出願）特願昭60−173936がある。
この発明の光メモリ装置は、「書き込み」には光エネ
ルギと電界、「書き消し」には電界または電界と光エネ
ルギとを用いる。また「読み出し」は光エネルギを用い
る。しかし、この本発明人の出願になる光ディスク装置
は、ディスクのコンタクト部でディスクの回転（一般に
は1800rpm）のしゅう動がなされる方式である。このた
め、このコンタクト部での電気的接触不良を生じやす
い。
ルギと電界、「書き消し」には電界または電界と光エネ
ルギとを用いる。また「読み出し」は光エネルギを用い
る。しかし、この本発明人の出願になる光ディスク装置
は、ディスクのコンタクト部でディスクの回転（一般に
は1800rpm）のしゅう動がなされる方式である。このた
め、このコンタクト部での電気的接触不良を生じやす
い。
本発明はこうした問題点を解決するものである。
「問題を解決するための手段」 本発明はかかる発明をさらに改良したものである。す
なわち、メモリディスクの一対の電極に対し外部より電
圧を印加するに際し、メモリディスクのコンタクト部で
の信頼性低下を防がんとしたものである。
なわち、メモリディスクの一対の電極に対し外部より電
圧を印加するに際し、メモリディスクのコンタクト部で
の信頼性低下を防がんとしたものである。
即ち、問題を解決するために、本発明は電極を互いに
有する一対の基板を電極を有する面を内側にして対向さ
せて形成された液晶装置において、この電極間に不揮発
性の配向を規定する手段（以下Non−volatile layer me
ans即ちNVLという）を有せしめる。特にこのNVLを一方
または双方の電極上に設ける。そしてこのNVLを実質的
に配向処理層の一部として取り扱うことにより、LCにと
ってより表面安定化（Surface stabilize）を行わんと
するものである。この前記基板間に介在させている液晶
を不揮発性とせしめ、このNVLが有する２つの異なる配
向により、液晶の配向を定め、ひいてはこの液晶装置の
記憶の読み出しの際の照射光の透過、非透過を制御させ
る方式とせしめたものである。
有する一対の基板を電極を有する面を内側にして対向さ
せて形成された液晶装置において、この電極間に不揮発
性の配向を規定する手段（以下Non−volatile layer me
ans即ちNVLという）を有せしめる。特にこのNVLを一方
または双方の電極上に設ける。そしてこのNVLを実質的
に配向処理層の一部として取り扱うことにより、LCにと
ってより表面安定化（Surface stabilize）を行わんと
するものである。この前記基板間に介在させている液晶
を不揮発性とせしめ、このNVLが有する２つの異なる配
向により、液晶の配向を定め、ひいてはこの液晶装置の
記憶の読み出しの際の照射光の透過、非透過を制御させ
る方式とせしめたものである。
そして前記した一対の電極の外部よりの電圧の印加の
ため、回転可能なディスクの中心部にコンタクト部を設
ける。そしてこのコンタクト部に電気的に連結しこのデ
ィスクと動作中は固着するジグ、すなわちディスクの回
転に従って回転するジグを設ける。さらにこのジグにし
ゅう動して外部より一対のディスクの電極に印加する電
圧供給手段を有せしめた。
ため、回転可能なディスクの中心部にコンタクト部を設
ける。そしてこのコンタクト部に電気的に連結しこのデ
ィスクと動作中は固着するジグ、すなわちディスクの回
転に従って回転するジグを設ける。さらにこのジグにし
ゅう動して外部より一対のディスクの電極に印加する電
圧供給手段を有せしめた。
本発明はさらにこの凹凸表面を有する面上に電気的に
電極より遊離（フローティング）したNVLを設ける。そ
して他方の電極上は平坦性を有し、この表面にラビング
等の処理を施したいわゆる配向処理を行った。そしてこ
の一対の電極間は各ビットを0.5μ程度の巾に近づける
ため、４μｍあるいはそれ以下の電極間隔（好ましくは
0.5〜２μ）を有する液晶装置とした。その中に液晶材
料として、例えばカイラル（キラルともいう）スメクチ
ックＣ相（SmC＊）を呈する強誘電性液晶（FLCという）
を用い高温で封入し、少しづつ温度を下げることにより
SmC＊相を呈する双安定な状態を得る。
電極より遊離（フローティング）したNVLを設ける。そ
して他方の電極上は平坦性を有し、この表面にラビング
等の処理を施したいわゆる配向処理を行った。そしてこ
の一対の電極間は各ビットを0.5μ程度の巾に近づける
ため、４μｍあるいはそれ以下の電極間隔（好ましくは
0.5〜２μ）を有する液晶装置とした。その中に液晶材
料として、例えばカイラル（キラルともいう）スメクチ
ックＣ相（SmC＊）を呈する強誘電性液晶（FLCという）
を用い高温で封入し、少しづつ温度を下げることにより
SmC＊相を呈する双安定な状態を得る。
本発明はかかる液晶が一方向にそろった状態におい
て、一対を構成する両電極間に臨界電圧（Ec）以上の電
圧（電界）を印加すると、液晶分子の持つ多極子の向き
が逆の一方向に揃い、「書き消し」を行うものである。
他方FLCの臨界電圧（この電圧以上の高い電圧が印加さ
れると液晶の反転が行われる電圧をいう）以下の電圧値
を有し、初期の書き消しの方向と逆の方向に電界を印加
しつつ所定の記録用トラック上の番地に光または熱ビー
ムを照射し、その部分の温度を上昇させ「書き込み」を
行うものである。するとこの温度上昇によりこの液晶の
臨界電圧を下げることができる。このため同じ電圧であ
ってもこの熱または光ビームが照射されない液晶は初期
の状態を保持し、この熱または光ビームが照射された部
分のみ逆向きの配向とさせ記録をさせることができる。
て、一対を構成する両電極間に臨界電圧（Ec）以上の電
圧（電界）を印加すると、液晶分子の持つ多極子の向き
が逆の一方向に揃い、「書き消し」を行うものである。
他方FLCの臨界電圧（この電圧以上の高い電圧が印加さ
れると液晶の反転が行われる電圧をいう）以下の電圧値
を有し、初期の書き消しの方向と逆の方向に電界を印加
しつつ所定の記録用トラック上の番地に光または熱ビー
ムを照射し、その部分の温度を上昇させ「書き込み」を
行うものである。するとこの温度上昇によりこの液晶の
臨界電圧を下げることができる。このため同じ電圧であ
ってもこの熱または光ビームが照射されない液晶は初期
の状態を保持し、この熱または光ビームが照射された部
分のみ逆向きの配向とさせ記録をさせることができる。
そしてこの２つの状態な双安定性（バイスタビリテ
ィ）を有し、電圧を切っても変化しないため不揮発性を
有する。
ィ）を有し、電圧を切っても変化しないため不揮発性を
有する。
このため、光の読み出しに際しては、ディスクメモリ
入射側及び出射側に約90°ずらした一対の偏光板を配設
する。
入射側及び出射側に約90°ずらした一対の偏光板を配設
する。
以下に光メモリ装置の「読み出し」、「書き出し」、
「書き込み」の原理を略記する。
「書き込み」の原理を略記する。
まず光メモリ装置の内部の情報の「読み出し」を以下
に記す。
に記す。
本発明の光メモリ装置は、それぞれが電極を有する一
対の基板をその電極を有する面を互いに内側にして対抗
せしめ、その電極間にNVLと、前記したSmC＊相を呈する
強誘電性液晶（FLC）を充填する。本発明はセルを構成
する一対の基板（光の入射側を対抗基板、内部側（奥
側）を単に基板という）とその内側に配設されている電
極（光の入射側の電極を対抗電極、内部側を単に電極と
いう）さらにその電極上に配向処理層を有する。
対の基板をその電極を有する面を互いに内側にして対抗
せしめ、その電極間にNVLと、前記したSmC＊相を呈する
強誘電性液晶（FLC）を充填する。本発明はセルを構成
する一対の基板（光の入射側を対抗基板、内部側（奥
側）を単に基板という）とその内側に配設されている電
極（光の入射側の電極を対抗電極、内部側を単に電極と
いう）さらにその電極上に配向処理層を有する。
本発明では、この光メモリ装置に対するビームの入射
光の経路は、レーザ光源より第１の偏光板を経てオート
・トッキング装置、対抗基板、対抗電極、NVL、液晶、
配向処理層、電極、基板、第２の偏光板を経てフォトセ
ンサに至る。
光の経路は、レーザ光源より第１の偏光板を経てオート
・トッキング装置、対抗基板、対抗電極、NVL、液晶、
配向処理層、電極、基板、第２の偏光板を経てフォトセ
ンサに至る。
そして液晶の位相と２つの偏光板の位相との位相差が
合致した場合、透光性となる。しかしこのビーム光が偏
光板とその位相角をずらせていると非透過または難透過
となる。その結果、光照射ビームからの透過量が十分な
コントラストを有するならば光が照射された番地の
「０」，「１」の判定が可能となる。
合致した場合、透光性となる。しかしこのビーム光が偏
光板とその位相角をずらせていると非透過または難透過
となる。その結果、光照射ビームからの透過量が十分な
コントラストを有するならば光が照射された番地の
「０」，「１」の判定が可能となる。
記憶の「書消し」はこのLCに正または負の臨界電圧
（Ec）より十分大きい所定の電圧をこのディスクメモリ
の全面に一対の電極間に加えることにより実施する。
（Ec）より十分大きい所定の電圧をこのディスクメモリ
の全面に一対の電極間に加えることにより実施する。
また所定の番地の「書き込み」は、ディスクメモリの
所定の記録用トラック上に対し、電気的に臨界電圧より
小さく書き込みが行われない程度の電圧であって、書き
消しとは逆方向の電圧即ち臨界電圧（Ec）より小さい電
圧を印加する。さらに加えて同時に液晶の配向角をみだ
す程度に強いビーム光または熱を照射する。すると熱ま
たは光エネルギが供給された番地のみは液晶の双極子の
方向が初期の状態と異なる方向に配される。かくするこ
とにより初期状態を「０」とするならば、光照射により
「１」とすることができる。
所定の記録用トラック上に対し、電気的に臨界電圧より
小さく書き込みが行われない程度の電圧であって、書き
消しとは逆方向の電圧即ち臨界電圧（Ec）より小さい電
圧を印加する。さらに加えて同時に液晶の配向角をみだ
す程度に強いビーム光または熱を照射する。すると熱ま
たは光エネルギが供給された番地のみは液晶の双極子の
方向が初期の状態と異なる方向に配される。かくするこ
とにより初期状態を「０」とするならば、光照射により
「１」とすることができる。
即ちこのビット単位の書き込みおよびディスク全面の
書消しを繰り返し行うことができる。
書消しを繰り返し行うことができる。
「作用」 かくすることにより、 （１）偏光板をフォトセンサ部および入射光側に配設
し、ディスクメモリ上に密接して配設しなくてよい。
し、ディスクメモリ上に密接して配設しなくてよい。
（２）不揮発性メモリとして液晶とNVLとの複合構造を
用いるため、メモリの「書き込み」が高いスピード（マ
イクロ秒のオーダ）で実施可能であり、また「書消し」
はディスク状メモリの全面に対し瞬時に行い得る。書換
プロセスでの繰り返しによる疲労が本質的にない。
用いるため、メモリの「書き込み」が高いスピード（マ
イクロ秒のオーダ）で実施可能であり、また「書消し」
はディスク状メモリの全面に対し瞬時に行い得る。書換
プロセスでの繰り返しによる疲労が本質的にない。
（３）液晶の使用材料が特殊な希少元素材料を用いるこ
となくかつ部品点数が少ないため安価になり得る。
となくかつ部品点数が少ないため安価になり得る。
（４）液晶とNVLとの複合構造を用いるため不揮発性で
あり、臨界電界をより明確にし得る。記憶保持のため新
たなエネルギを必要とせず、省エネルギである。
あり、臨界電界をより明確にし得る。記憶保持のため新
たなエネルギを必要とせず、省エネルギである。
以下に実施例に従って本発明を説明する。
「実施例１」 第１図は本発明の光ディスクメモリ装置の構成を示
す。
す。
第１の系（100）は情報の「読み出し」用であり第２
の系（101）は情報の「書き込み」用である。また（10
3）は情報の「書消し」用である。ディスクは（10）に
より示す。
の系（101）は情報の「書き込み」用である。また（10
3）は情報の「書消し」用である。ディスクは（10）に
より示す。
光メモリディスク（10）は円板状を有し、その縦断面
図が示されている。一対の対抗する基板（３）及び基板
（３′）を有する。基板（３′）及び対抗基板（３）は
ともに透光性である。さらにその一対の基板の内側には
一対の透光性電極（４），（４′）を有する。さらにそ
の少なくとも一方例えば図面では対抗電極（４）上にNV
L（５）を設ける。
図が示されている。一対の対抗する基板（３）及び基板
（３′）を有する。基板（３′）及び対抗基板（３）は
ともに透光性である。さらにその一対の基板の内側には
一対の透光性電極（４），（４′）を有する。さらにそ
の少なくとも一方例えば図面では対抗電極（４）上にNV
L（５）を設ける。
そしてこの第１図における光ディスクメモリの部分の
拡大図を第２図に斜視図で示す。
拡大図を第２図に斜視図で示す。
縦断面図において、一方の対抗基板（３）はその内側
の面を凹凸を有する。そしてこの表面上には透明の対抗
電極（４）,NVL（５）を有する。他方の基板（３′）の
内側表面は平坦であり、この内側表面にが電極（４），
配向膜（７）を有する。そして配向膜（７）とNVL
（５）との間には液晶（６）が充填されている。
の面を凹凸を有する。そしてこの表面上には透明の対抗
電極（４）,NVL（５）を有する。他方の基板（３′）の
内側表面は平坦であり、この内側表面にが電極（４），
配向膜（７）を有する。そして配向膜（７）とNVL
（５）との間には液晶（６）が充填されている。
この一方の対抗基板（３）の内表面において記録用ト
ラック（27）と案内トラック（26）とを有する。その結
果、記録用トラックでの液晶の厚さ（28）は案内用トラ
ックでの液晶の厚さ（29）より薄くする。
ラック（27）と案内トラック（26）とを有する。その結
果、記録用トラックでの液晶の厚さ（28）は案内用トラ
ックでの液晶の厚さ（29）より薄くする。
そのため同じ電圧でも記録用トラックの液晶を選択的
に書き込みしやすい。第１図における書き換え用レーザ
光（22），読み出し用レーザ光（16）は、記録用トラッ
ク上のみをオートフォーカス・サーボ機構（21），（1
1）により焦点を合わせると同時に走査を行うことがで
きる。そして案内用トラック（26）によりレーザビーム
（16），（22）がずれても公知のフォーカス・サーボ機
構によりもとにもどすことができる。
に書き込みしやすい。第１図における書き換え用レーザ
光（22），読み出し用レーザ光（16）は、記録用トラッ
ク上のみをオートフォーカス・サーボ機構（21），（1
1）により焦点を合わせると同時に走査を行うことがで
きる。そして案内用トラック（26）によりレーザビーム
（16），（22）がずれても公知のフォーカス・サーボ機
構によりもとにもどすことができる。
本発明は、この凸部表面を有する側にNVLを有し、こ
こに対しまたはこの近傍のLCに対し光ビームまたは熱ビ
ームを集光して照射する。
こに対しまたはこの近傍のLCに対し光ビームまたは熱ビ
ームを集光して照射する。
するとこのNVLにより規定されたLCの配向を初期の第
１の配向より異なる第２の配向に変えることができる。
１の配向より異なる第２の配向に変えることができる。
さらにこの記録用トラックのみを拡大して示した実施
例の縦断面図を第３図に示す。
例の縦断面図を第３図に示す。
第３図（Ａ）において、NVLとしてここでは対抗電極
（４）上に強誘電体薄膜（以下FEという）とこの上側に
導体または半導体のクラスタ（島状にそれぞれが電気的
に遊離（フローティング）している塊が群を有して散在
している）を設けた。このクラスタは読み出し用のレー
ザ光（16）に対し透光性であることが好ましく、例えば
酸化インジュームスズ、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化アン
チモン、非晶質シリコン、アモルファスSixC1-X（０＜
Ｘ≦１），Si3N4-X（0.5＜Ｘ＜４）を用い得る。
（４）上に強誘電体薄膜（以下FEという）とこの上側に
導体または半導体のクラスタ（島状にそれぞれが電気的
に遊離（フローティング）している塊が群を有して散在
している）を設けた。このクラスタは読み出し用のレー
ザ光（16）に対し透光性であることが好ましく、例えば
酸化インジュームスズ、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化アン
チモン、非晶質シリコン、アモルファスSixC1-X（０＜
Ｘ≦１），Si3N4-X（0.5＜Ｘ＜４）を用い得る。
またこのFEとしてビニリデンフロライド(CH2CF2)（VD
Fという）とテトラフロロエチレン(CF2CF2)とを混合し
て得られる共重合体を用いた。これを10重量％メチル・
エチル・チトン中にとかし、希釈した。さらにこれをス
ピン法にて電極上に塗布した。このスピン回転数と希釈
の程度によりFEの厚さを制御できる。スピンコート後、
例えば140℃に加熱し、不要物を気化し、加えて共重合
体の結晶化を助長させることにより、100〜5000Å例え
ば1000Åときわめて薄く形成できる。他方の電極
（４′）上に、同様のFEであっても、他のFE例えばビニ
リデンクロライド(CH2CC12)（VDC1）、またVDFとトリフ
ロロエチレン(TrFE2)との共重合体を用いてもよい。こ
こでは他方の電極（４′）上にはナイロン薄膜（７）を
形成し、この表面にラビング処理を施した。
Fという）とテトラフロロエチレン(CF2CF2)とを混合し
て得られる共重合体を用いた。これを10重量％メチル・
エチル・チトン中にとかし、希釈した。さらにこれをス
ピン法にて電極上に塗布した。このスピン回転数と希釈
の程度によりFEの厚さを制御できる。スピンコート後、
例えば140℃に加熱し、不要物を気化し、加えて共重合
体の結晶化を助長させることにより、100〜5000Å例え
ば1000Åときわめて薄く形成できる。他方の電極
（４′）上に、同様のFEであっても、他のFE例えばビニ
リデンクロライド(CH2CC12)（VDC1）、またVDFとトリフ
ロロエチレン(TrFE2)との共重合体を用いてもよい。こ
こでは他方の電極（４′）上にはナイロン薄膜（７）を
形成し、この表面にラビング処理を施した。
この後、これら一対の基板（３），（３′）を所定の
間隔離間し、そのNVL（５）と配向処理膜（７）との間
に液晶（５）が充填される。
間隔離間し、そのNVL（５）と配向処理膜（７）との間
に液晶（５）が充填される。
さらにこの間には液晶性物質例えばS8（オクチル・オ
キシ・ベンジリデン・アミノ・メチル・ブチル・ベンゾ
エイト）とB7またはB8とのブレンド液晶を充填した。こ
れ以外でもDOBAMBC等の液晶性物質または複数のビレン
ドを施した液晶性物質を充填し得る。その一例として、
Ferroelectrics 1984 Vo1.59 pp126〜136J.W.Goodbyら
により“Ferroelectrics Switching in the Titled Sme
c−tic Phase of R−Ｃ−３−４−ｎ−Hexyloxydenzyli
dene4′−Am′no−（２−Chloropropyl）（innamate（H
OBACPC），特開昭59−89051、特開昭59−118744を用い
てもよい。
キシ・ベンジリデン・アミノ・メチル・ブチル・ベンゾ
エイト）とB7またはB8とのブレンド液晶を充填した。こ
れ以外でもDOBAMBC等の液晶性物質または複数のビレン
ドを施した液晶性物質を充填し得る。その一例として、
Ferroelectrics 1984 Vo1.59 pp126〜136J.W.Goodbyら
により“Ferroelectrics Switching in the Titled Sme
c−tic Phase of R−Ｃ−３−４−ｎ−Hexyloxydenzyli
dene4′−Am′no−（２−Chloropropyl）（innamate（H
OBACPC），特開昭59−89051、特開昭59−118744を用い
てもよい。
この光メモリディスク（10）は、周辺を液晶が大気に
触れないように、第１図に示す如く封止（30），（3
0′）されている。この光メモリディスクは（10）の中
心部には一対の電極（４），（４′）より延在した外部
コンタクト用電極（32），（32′）を有する。この外部
コンタクト用電極（32），（32′）は、ジグ（14）と補
助ジグ（14′）とによりディスクを固定する際端子（3
1），（31′）と電気的に連結させる。さらにこのジグ
は記憶の書き込み（101），書消し（102）の際その信号
源（25）より導出したリード（13），（13′）と接続さ
れている。
触れないように、第１図に示す如く封止（30），（3
0′）されている。この光メモリディスクは（10）の中
心部には一対の電極（４），（４′）より延在した外部
コンタクト用電極（32），（32′）を有する。この外部
コンタクト用電極（32），（32′）は、ジグ（14）と補
助ジグ（14′）とによりディスクを固定する際端子（3
1），（31′）と電気的に連結させる。さらにこのジグ
は記憶の書き込み（101），書消し（102）の際その信号
源（25）より導出したリード（13），（13′）と接続さ
れている。
光ディスク（10）の外部コンタクト用電極（32），
（32′）と端子（31），（31′）とのコンタクトは、光
ディスク（10）を回転させる駆動系（15）のジク（14）
に補助ジグ（14′）により密着させる際に同時に行わ
れ、コンタクト部でのしゅう動はない。このためディス
クのコンタクト部における信頼性の低下を防ぐことがで
きる。
（32′）と端子（31），（31′）とのコンタクトは、光
ディスク（10）を回転させる駆動系（15）のジク（14）
に補助ジグ（14′）により密着させる際に同時に行わ
れ、コンタクト部でのしゅう動はない。このためディス
クのコンタクト部における信頼性の低下を防ぐことがで
きる。
かくしてこの外部コンタクト用電極（32），（32′）
より所定の電圧例えば−15Vを印加し、記録用トラック
の全面を「０」の状態とする。さらにこのディスク（10
に対し情報の「書き込み」を系（101）を用いて行う。
即ち、全面に一方向に配設した液晶に対し、光ビーム特
に赤外線を（23）より、進光光学系、位置補正等の系
（21）を経て所定の番地に対し照射（22）し、所定の番
地の位相を初期状態よりずらすことにより書き込みを行
う。
より所定の電圧例えば−15Vを印加し、記録用トラック
の全面を「０」の状態とする。さらにこのディスク（10
に対し情報の「書き込み」を系（101）を用いて行う。
即ち、全面に一方向に配設した液晶に対し、光ビーム特
に赤外線を（23）より、進光光学系、位置補正等の系
（21）を経て所定の番地に対し照射（22）し、所定の番
地の位相を初期状態よりずらすことにより書き込みを行
う。
情報の「読み出し」に関しては系（100）を用いる。
即ち、半導体レーザ（12）よりの光ビームは偏光板
（８）、集光光学系、位置の補正（オートラッキング装
置）（11）を経て、ディスクメモリ（10）に光（16）を
入射させる。さらにこのディスクメモリより光が（1
6′）として透過し、第２図の位置補正、光学系（1
1′）、第２の偏光板（８′）を経て受光センサ（９）
に至る。
（８）、集光光学系、位置の補正（オートラッキング装
置）（11）を経て、ディスクメモリ（10）に光（16）を
入射させる。さらにこのディスクメモリより光が（1
6′）として透過し、第２図の位置補正、光学系（1
1′）、第２の偏光板（８′）を経て受光センサ（９）
に至る。
参考例１ この実施例は第１図、第２図の光メモリ装置を用い
る。特にこのうち記録用トラックに関し第３図（Ｂ）の
構造を用いた。即ち、本発明の光ディスクメモリの一部
を拡大して示したものである。図面において、プラスチ
ック基板（３），（３′）例えばアクリル樹脂またはコ
ーニング7059ガラス基板を用いた。この基板上に電極と
して透光性導電膜（４），（４′）を形成する。そして
この一対の電極（４′），対抗電極（４）の内側の少な
くとも一方にNVL（５）を設ける。このNVL（５）は窒化
珪素膜（５−１）（平均厚さ50〜150Å），シリコン半
導体の膜（５−２）（平均厚さ300〜1000Å，窒化珪素
膜（50〜1000Å）（５−３）より構成させている。この
シリコン半導体の膜は読み出し用のレーザ光（波長700
〜900nm）に対しては透光性を有し、かつ正または負の
電荷捕獲中心として作用する。さらに電極（４′）に対
してはナイロン薄膜を形成し、ラビング処理を行った。
この後この間に実施例１と同様の液晶を充填した。
る。特にこのうち記録用トラックに関し第３図（Ｂ）の
構造を用いた。即ち、本発明の光ディスクメモリの一部
を拡大して示したものである。図面において、プラスチ
ック基板（３），（３′）例えばアクリル樹脂またはコ
ーニング7059ガラス基板を用いた。この基板上に電極と
して透光性導電膜（４），（４′）を形成する。そして
この一対の電極（４′），対抗電極（４）の内側の少な
くとも一方にNVL（５）を設ける。このNVL（５）は窒化
珪素膜（５−１）（平均厚さ50〜150Å），シリコン半
導体の膜（５−２）（平均厚さ300〜1000Å，窒化珪素
膜（50〜1000Å）（５−３）より構成させている。この
シリコン半導体の膜は読み出し用のレーザ光（波長700
〜900nm）に対しては透光性を有し、かつ正または負の
電荷捕獲中心として作用する。さらに電極（４′）に対
してはナイロン薄膜を形成し、ラビング処理を行った。
この後この間に実施例１と同様の液晶を充填した。
参考例２ 第３図（Ｃ）は第３図（Ｂ）を変形した実施例であ
る。第３図（Ｂ）はNVLは窒化珪素（５−１），（５−
３）と半導体のクラスタ（５−２）とによりなる。また
他の電極（４′）上には窒化珪素膜（７−１）と有機膜
（７−２）とよりなり、この有機膜上面にラビング処理
を施した。この場合、液晶はTN（ツィステッド・ネマチ
ック・スーパーツィステッド・ネマチック型液晶）を用
いた。するとこの液晶は電界の有無で光の透過、非透過
を決め得る。このため、「書き消し」としてクラスタ
（５−２）に正または負の電荷を注入捕獲させて成就す
る。また「書き込み」は熱または光のビームのみにより
記録用トラックの所定の番地のクラスタの電荷を放出
し、「無」とすれば、逆の透過または非透過を決定でき
る。もちろんこの液晶として実施例１と同様の強誘電性
液晶を用いることも可能である。
る。第３図（Ｂ）はNVLは窒化珪素（５−１），（５−
３）と半導体のクラスタ（５−２）とによりなる。また
他の電極（４′）上には窒化珪素膜（７−１）と有機膜
（７−２）とよりなり、この有機膜上面にラビング処理
を施した。この場合、液晶はTN（ツィステッド・ネマチ
ック・スーパーツィステッド・ネマチック型液晶）を用
いた。するとこの液晶は電界の有無で光の透過、非透過
を決め得る。このため、「書き消し」としてクラスタ
（５−２）に正または負の電荷を注入捕獲させて成就す
る。また「書き込み」は熱または光のビームのみにより
記録用トラックの所定の番地のクラスタの電荷を放出
し、「無」とすれば、逆の透過または非透過を決定でき
る。もちろんこの液晶として実施例１と同様の強誘電性
液晶を用いることも可能である。
その他は実施例２と同じである。
参考例３ この実施例は、第３図（Ｄ）にその縦断面図を示す。
一方の電極（４）上にはシリコンが過剰に添加された窒
化珪素膜（５）を有する。この窒化珪素膜（Si3N4-X0.5
＜Ｘ＜４）はシリコンの不対結合手を多量に有し、これ
をNVLとして作用させることができる。また他方の電極
（４′）上には誘電体膜（５′−２）と誘光性の電荷捕
獲層（５′−１）を設けた。即ち一対の電極の双方上に
NVLを設けた例である。この他は実施例１と同様であ
る。
一方の電極（４）上にはシリコンが過剰に添加された窒
化珪素膜（５）を有する。この窒化珪素膜（Si3N4-X0.5
＜Ｘ＜４）はシリコンの不対結合手を多量に有し、これ
をNVLとして作用させることができる。また他方の電極
（４′）上には誘電体膜（５′−２）と誘光性の電荷捕
獲層（５′−１）を設けた。即ち一対の電極の双方上に
NVLを設けた例である。この他は実施例１と同様であ
る。
「効果」 以上の説明より明らかな如く、本発明は、ディスク内
に液晶を有し、光や電界により情報の入出力を行う方式
の光ディスクメモリ装置において、ディスク内に設けら
れた一対の電極間に電界を印加するためのコンタクト部
において、電気的接触不良の発生を防ぎ、信頼性の低下
を防ぐことができた。
に液晶を有し、光や電界により情報の入出力を行う方式
の光ディスクメモリ装置において、ディスク内に設けら
れた一対の電極間に電界を印加するためのコンタクト部
において、電気的接触不良の発生を防ぎ、信頼性の低下
を防ぐことができた。
本発明の光ディスクメモリ装置は液晶を用いるため書
換回数が比較的多い場合に特に有効である。
換回数が比較的多い場合に特に有効である。
そして記録トラックと案内トラックとを設け、この記
録トラックを読み出し用のレーザ光また書き込み用レー
ザ光を照射することにより隣の内側または外側のトラッ
クへの読み出し、書き込みの際の飛びを除去することが
できた。
録トラックを読み出し用のレーザ光また書き込み用レー
ザ光を照射することにより隣の内側または外側のトラッ
クへの読み出し、書き込みの際の飛びを除去することが
できた。
本発明の光学系は「読み出し」と「書き込み」とで異
なる光学系を用いた。しかし、他の方式としてこれらを
ハーフミラーを用い同じ光源とし得る。しかしこの場合
は「書き込み」と「読み出し」の光量の10倍以上も異な
るため、部品点数は少なくなるが光路設計が面倒になる
欠点を有する。
なる光学系を用いた。しかし、他の方式としてこれらを
ハーフミラーを用い同じ光源とし得る。しかしこの場合
は「書き込み」と「読み出し」の光量の10倍以上も異な
るため、部品点数は少なくなるが光路設計が面倒になる
欠点を有する。
さらに本発明を一部修正した方式として偏光板を「書
き消し」または「書きこみ」において耐えることができ
るならばディスクの光照射面側に配設することは可能で
ある。しかしディスクメモリのすべてに２枚の偏光板を
設けるため製造コスト上昇に繋がる欠点を有する。
き消し」または「書きこみ」において耐えることができ
るならばディスクの光照射面側に配設することは可能で
ある。しかしディスクメモリのすべてに２枚の偏光板を
設けるため製造コスト上昇に繋がる欠点を有する。
さらに本発明の実施例においては、光の読み出し反射
層により反射させる光の有無または大小を比較して識別
する方式を主として示した。しかし光ディスク装置とし
ては照射光の大小を比較してその「０」，「１」を判別
してもよい。
層により反射させる光の有無または大小を比較して識別
する方式を主として示した。しかし光ディスク装置とし
ては照射光の大小を比較してその「０」，「１」を判別
してもよい。
かかる方式において、「書き込み」および「読み出
し」が光方式のため、メモリ容量がきわめて大きいとい
う特長を有する。
し」が光方式のため、メモリ容量がきわめて大きいとい
う特長を有する。
本発明の実質的応用は単に民生用のコンパクトディス
クメモリのみならず、大容量のファイルメモリに対して
も有効である。
クメモリのみならず、大容量のファイルメモリに対して
も有効である。
第１図は本発明の光ディスクメモリ装置の構成を示す。 第２図は本発明の光ディスクメモリ装置の部分拡大図を
示す。 第３図は記録用トラックの拡大した縦断面図を示す。
示す。 第３図は記録用トラックの拡大した縦断面図を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】一対の基板の内側に互いに電極を有し、該
電極間に液晶が充填され、一方または双方の前記電極上
に前記液晶の不揮発性の配向を規定する手段を有するデ
ィスク構造の液晶装置をディスクとした、光ディスクメ
モリ装置において、 前記電極に電圧を印加し、かつ前記ディスクの回転に従
って回転するジグが、前記ディスクの中心部に設けられ
ていること を特徴とする光ディスクメモリ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61046865A JPH0831211B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 光ディスクメモリ装置 |
| US07/017,091 US4832456A (en) | 1986-03-04 | 1987-02-20 | Liquid crystal disc memory with circular grooves for auto-focusing of write-in beam |
| EP87102731A EP0235748A3 (en) | 1986-03-04 | 1987-02-26 | Liquid crystal disc memory |
| KR1019870001877A KR910000109B1 (ko) | 1986-03-04 | 1987-03-03 | 액정 디스크 기억장치 |
| CN87101753A CN1009507B (zh) | 1986-03-04 | 1987-03-04 | 液晶光盘存储器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61046865A JPH0831211B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 光ディスクメモリ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204486A JPS62204486A (ja) | 1987-09-09 |
| JPH0831211B2 true JPH0831211B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=12759234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61046865A Expired - Lifetime JPH0831211B2 (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 光ディスクメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831211B2 (ja) |
-
1986
- 1986-03-04 JP JP61046865A patent/JPH0831211B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62204486A (ja) | 1987-09-09 |
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