JPH05347375A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH05347375A JPH05347375A JP4155201A JP15520192A JPH05347375A JP H05347375 A JPH05347375 A JP H05347375A JP 4155201 A JP4155201 A JP 4155201A JP 15520192 A JP15520192 A JP 15520192A JP H05347375 A JPH05347375 A JP H05347375A
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、二枚のＩＣペレットを樹脂封止す
ることにより樹脂封止型半導体装置の集積度を向上させ
る。 【構成】第１のＩＣペレット21の上に第１の両面貼着テ
ープ22を貼り付け、この両面貼着テープ22の上にリード
フレーム23を載置し、第２、第４、第５、第７、第１
０、第１２、第１４および第１５のインナーリード23d
をボンディングワイヤ24により第１のＩＣペレット21と
接続し、前記リードフレーム23の上に第２の両面貼着テ
ープ25を貼り付け、この両面貼着テープ25の上に第２の
ＩＣペレット26を載置し、このＩＣペレット26に第１、
第３、第６、第８、第９、第１１、第１３および第１６
のインナーリード23f をボンディングワイヤ24により接
続し、前記第１、第２のＩＣペレット21,26 、第１、第
２の両面貼着テープ22,25 、第１乃至第１６のインナー
リード23d,23f およびボンディングワイヤ24を樹脂31に
より封止している。従って、樹脂封止型半導体装置の集
積度を向上させることができる。
ることにより樹脂封止型半導体装置の集積度を向上させ
る。 【構成】第１のＩＣペレット21の上に第１の両面貼着テ
ープ22を貼り付け、この両面貼着テープ22の上にリード
フレーム23を載置し、第２、第４、第５、第７、第１
０、第１２、第１４および第１５のインナーリード23d
をボンディングワイヤ24により第１のＩＣペレット21と
接続し、前記リードフレーム23の上に第２の両面貼着テ
ープ25を貼り付け、この両面貼着テープ25の上に第２の
ＩＣペレット26を載置し、このＩＣペレット26に第１、
第３、第６、第８、第９、第１１、第１３および第１６
のインナーリード23f をボンディングワイヤ24により接
続し、前記第１、第２のＩＣペレット21,26 、第１、第
２の両面貼着テープ22,25 、第１乃至第１６のインナー
リード23d,23f およびボンディングワイヤ24を樹脂31に
より封止している。従って、樹脂封止型半導体装置の集
積度を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止型半導体装
置に係わり、特に集積度を向上させた樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法に関する。
置に係わり、特に集積度を向上させた樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図である。リードフレーム１の上にはＩＣペレ
ット２が設けられており、このＩＣペレット２はボンデ
ィングワイヤ３によりインナーリード１ａの一端と電気
的に接続されている。前記ＩＣペレット２、ボンディン
グワイヤ３およびインナーリード１ａは樹脂４により封
止されている。前記インナーリード１ａの他端にはアウ
ターリード１ｂが設けられており、このアウターリード
１ｂは前記樹脂４から突出している。
示す断面図である。リードフレーム１の上にはＩＣペレ
ット２が設けられており、このＩＣペレット２はボンデ
ィングワイヤ３によりインナーリード１ａの一端と電気
的に接続されている。前記ＩＣペレット２、ボンディン
グワイヤ３およびインナーリード１ａは樹脂４により封
止されている。前記インナーリード１ａの他端にはアウ
ターリード１ｂが設けられており、このアウターリード
１ｂは前記樹脂４から突出している。
【０００３】図９は、他の従来の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図である。リードフレーム１１の上には第１
および第２のＩＣペレット１２、１３が設けられてい
る。この第１のＩＣペレット１２はボンディングワイヤ
１４により第１のインナーリード１１ａの一端と電気的
に接続されており、第２のＩＣペレット１３はボンディ
ングワイヤ１４により第２のインナーリード１１ｂの一
端と電気的に接続されている。前記第１、第２のＩＣペ
レット１２、１３、ボンディングワイヤ１４および第
１、第２のインナーリード１１ａ、１１ｂは樹脂１５に
より封止されている。前記第１のインナーリード１１ａ
の他端には第１のアウターリード１１ｃが設けられてお
り、第２のインナーリード１１ｂの他端には第２のアウ
ターリード１１ｄが設けられている。この第１、第２の
アウターリード１１ｃ、１１ｄは前記樹脂１５から突出
している。
を示す断面図である。リードフレーム１１の上には第１
および第２のＩＣペレット１２、１３が設けられてい
る。この第１のＩＣペレット１２はボンディングワイヤ
１４により第１のインナーリード１１ａの一端と電気的
に接続されており、第２のＩＣペレット１３はボンディ
ングワイヤ１４により第２のインナーリード１１ｂの一
端と電気的に接続されている。前記第１、第２のＩＣペ
レット１２、１３、ボンディングワイヤ１４および第
１、第２のインナーリード１１ａ、１１ｂは樹脂１５に
より封止されている。前記第１のインナーリード１１ａ
の他端には第１のアウターリード１１ｃが設けられてお
り、第２のインナーリード１１ｂの他端には第２のアウ
ターリード１１ｄが設けられている。この第１、第２の
アウターリード１１ｃ、１１ｄは前記樹脂１５から突出
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体業界
には、多くの素子を限られたエリア内に集積すること、
即ち半導体装置の集積度を向上させることが強く要求さ
れている。
には、多くの素子を限られたエリア内に集積すること、
即ち半導体装置の集積度を向上させることが強く要求さ
れている。
【０００５】従来は、図８に示す樹脂封止型半導体装置
より集積度を向上させるため、図９に示すように、二枚
のＩＣペレットを樹脂封止することが考えられていた。
しかし、二枚のＩＣペレットをリードフレームの上に並
べて載置しても、装置の大きさが約２倍になるため、集
積度を向上させることはできない。
より集積度を向上させるため、図９に示すように、二枚
のＩＣペレットを樹脂封止することが考えられていた。
しかし、二枚のＩＣペレットをリードフレームの上に並
べて載置しても、装置の大きさが約２倍になるため、集
積度を向上させることはできない。
【０００６】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、二枚のＩＣペレットを
樹脂封止することにより集積度を向上させた樹脂封止型
半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
されたものであり、その目的は、二枚のＩＣペレットを
樹脂封止することにより集積度を向上させた樹脂封止型
半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、第１の半導体素子が形成された第１のペ
レットと、前記第１のペレットの上に設けられた第１の
絶縁物と、前記第１の絶縁物の上に設けられ、第１のワ
イヤにより前記第１のペレットと接続されるリードフレ
ームと、前記リードフレームの上に設けられた第２の絶
縁物と、前記第２の絶縁物の上に設けられ、第２のワイ
ヤにより前記リードフレームと接続され、前記第１のペ
レットに形成された前記第１の半導体素子と同一の方向
に形成された第２の半導体素子を有する第２のペレット
と、前記第１、第２のペレット、前記第１、第２の絶縁
物、前記第１、第２のワイヤおよび前記リードフレーム
を封止する樹脂とを具備することを特徴としている。
解決するため、第１の半導体素子が形成された第１のペ
レットと、前記第１のペレットの上に設けられた第１の
絶縁物と、前記第１の絶縁物の上に設けられ、第１のワ
イヤにより前記第１のペレットと接続されるリードフレ
ームと、前記リードフレームの上に設けられた第２の絶
縁物と、前記第２の絶縁物の上に設けられ、第２のワイ
ヤにより前記リードフレームと接続され、前記第１のペ
レットに形成された前記第１の半導体素子と同一の方向
に形成された第２の半導体素子を有する第２のペレット
と、前記第１、第２のペレット、前記第１、第２の絶縁
物、前記第１、第２のワイヤおよび前記リードフレーム
を封止する樹脂とを具備することを特徴としている。
【０００８】また、第１の半導体素子が形成された第１
のペレットの上に第１の絶縁物を設ける工程と、前記第
１の絶縁物の上にリードフレームを設ける工程と、前記
リードフレームを第１のワイヤにより前記第１のペレッ
トと接続する工程と、前記リードフレームの上に第２の
絶縁物を設ける工程と、前記第２の絶縁物の上に、前記
第１のペレットに形成された前記第１の半導体素子と同
一の方向に第２の半導体素子を有する第２のペレットを
設ける工程と、前記第２のペレットを第２のワイヤによ
り前記リードフレームと接続する工程と、前記第１、第
２のペレット、前記第１、第２の絶縁物、前記リードフ
レームおよび前記第１、第２のワイヤを樹脂により封止
する工程とからなることを特徴としている。
のペレットの上に第１の絶縁物を設ける工程と、前記第
１の絶縁物の上にリードフレームを設ける工程と、前記
リードフレームを第１のワイヤにより前記第１のペレッ
トと接続する工程と、前記リードフレームの上に第２の
絶縁物を設ける工程と、前記第２の絶縁物の上に、前記
第１のペレットに形成された前記第１の半導体素子と同
一の方向に第２の半導体素子を有する第２のペレットを
設ける工程と、前記第２のペレットを第２のワイヤによ
り前記リードフレームと接続する工程と、前記第１、第
２のペレット、前記第１、第２の絶縁物、前記リードフ
レームおよび前記第１、第２のワイヤを樹脂により封止
する工程とからなることを特徴としている。
【０００９】
【作用】この発明は、第１のペレットの上に第１の絶縁
物を設け、この第１の絶縁物の上にリードフレームを設
け、このリードフレームの上に第２の絶縁物を設け、こ
の第２の絶縁物の上に第２のペレットを設けている。こ
のような構造によって二枚のペレットを樹脂封止するこ
とにより、樹脂封止型半導体装置の集積度を向上させる
ことができる。
物を設け、この第１の絶縁物の上にリードフレームを設
け、このリードフレームの上に第２の絶縁物を設け、こ
の第２の絶縁物の上に第２のペレットを設けている。こ
のような構造によって二枚のペレットを樹脂封止するこ
とにより、樹脂封止型半導体装置の集積度を向上させる
ことができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１１】図１乃至図５は、この発明の実施例による
樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す平面図および断
面図である。図２（ａ）および（ｂ）は、表面上に複数
の図示せぬ半導体素子を有する第１のＩＣペレット２１
を示すものである。この第１のＩＣペレット２１の上に
は、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、絶縁物から
なる第１の両面貼着テープ２２が貼り付けられる。
樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す平面図および断
面図である。図２（ａ）および（ｂ）は、表面上に複数
の図示せぬ半導体素子を有する第１のＩＣペレット２１
を示すものである。この第１のＩＣペレット２１の上に
は、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、絶縁物から
なる第１の両面貼着テープ２２が貼り付けられる。
【００１２】この後、図４（ａ）および（ｂ）に示すよ
うに、前記第１の両面貼着テープ２２の上にはリードフ
レーム２３が載置される。このリードフレーム２３には
枠２７が設けられており、この枠２７には第１乃至第１
６のアウターリード２８ａ〜２８ｐそれぞれの一端が設
けられている。前記第１乃至第８のアウターリード２８
ａ〜２８ｈそれぞれの他端には第１のタイバー２９ａが
設けられており、この第１のタイバー２９ａには第１乃
至第８のインナーリード２３ａ〜２３ｈそれぞれの一端
が設けられている。前記第９乃至第１６のアウターリー
ド２８ｉ〜２８ｐそれぞれの他端には第２のタイバー２
９ｂが設けられており、この第２のタイバー２９ｂには
第９乃至第１６のインナーリード２３ｉ〜２３ｐそれぞ
れの一端が設けられている。前記第１および第２のタイ
バー２９ａ、２９ｂそれぞれの一端は前記枠２７の一方
側とつながっており、前記第１および第２のタイバー２
９ａ〜２９ｂそれぞれの他端は前記枠２７の他方側とつ
ながっている。前記第１乃至第１６のインナーリード２
３ａ〜２３ｐそれぞれの他端は、リードフレーム２３の
中央部に向かって延び、この中央部の近傍において外側
方向（紙面上で左右方向）に直角に曲げられ、枠２７方
向に延出している。これらインナーリード２３ａ〜２３
ｐのうち２３ａ、２３ｃ、２３ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２
３ｋ、２３ｎ、２３ｐは２３ｂ、２３ｄ、２３ｅ、２３
ｇ、２３ｊ、２３ｌ、２３ｎ、２３ｏより他端が突出さ
れており、前記第２、第４、第５、第７、第１０、第１
２、第１４および第１５のインナーリード２３ｂ、２３
ｄ、２３ｅ、２３ｇ、２３ｊ、２３ｌ、２３ｎ、２３ｏ
はボンディングワイヤ２４により第１のＩＣペレット２
１と電気的に接続される。次に、図５（ａ）および
（ｂ）に示すように、前記リードフレーム２３の上には
絶縁物からなる第２の両面貼着テープ２５が貼り付けら
れる。
うに、前記第１の両面貼着テープ２２の上にはリードフ
レーム２３が載置される。このリードフレーム２３には
枠２７が設けられており、この枠２７には第１乃至第１
６のアウターリード２８ａ〜２８ｐそれぞれの一端が設
けられている。前記第１乃至第８のアウターリード２８
ａ〜２８ｈそれぞれの他端には第１のタイバー２９ａが
設けられており、この第１のタイバー２９ａには第１乃
至第８のインナーリード２３ａ〜２３ｈそれぞれの一端
が設けられている。前記第９乃至第１６のアウターリー
ド２８ｉ〜２８ｐそれぞれの他端には第２のタイバー２
９ｂが設けられており、この第２のタイバー２９ｂには
第９乃至第１６のインナーリード２３ｉ〜２３ｐそれぞ
れの一端が設けられている。前記第１および第２のタイ
バー２９ａ、２９ｂそれぞれの一端は前記枠２７の一方
側とつながっており、前記第１および第２のタイバー２
９ａ〜２９ｂそれぞれの他端は前記枠２７の他方側とつ
ながっている。前記第１乃至第１６のインナーリード２
３ａ〜２３ｐそれぞれの他端は、リードフレーム２３の
中央部に向かって延び、この中央部の近傍において外側
方向（紙面上で左右方向）に直角に曲げられ、枠２７方
向に延出している。これらインナーリード２３ａ〜２３
ｐのうち２３ａ、２３ｃ、２３ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２
３ｋ、２３ｎ、２３ｐは２３ｂ、２３ｄ、２３ｅ、２３
ｇ、２３ｊ、２３ｌ、２３ｎ、２３ｏより他端が突出さ
れており、前記第２、第４、第５、第７、第１０、第１
２、第１４および第１５のインナーリード２３ｂ、２３
ｄ、２３ｅ、２３ｇ、２３ｊ、２３ｌ、２３ｎ、２３ｏ
はボンディングワイヤ２４により第１のＩＣペレット２
１と電気的に接続される。次に、図５（ａ）および
（ｂ）に示すように、前記リードフレーム２３の上には
絶縁物からなる第２の両面貼着テープ２５が貼り付けら
れる。
【００１３】この後、図１（ａ）および（ｂ）に示すよ
うに、前記第２の両面貼着テープ２５の上には、表面上
に複数の図示せぬ半導体素子を有する第２のＩＣペレッ
ト２６が載置される。この第２のＩＣペレット２６は、
ボンディングワイヤ２４により第１、第３、第６、第
８、第９、第１１、第１３および第１６のインナーリー
ド２３ａ、２３ｃ、２３ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２３ｋ、
２３ｎ、２３ｐと電気的に接続される。次に、前記第
１、第２のＩＣペレット２１、２６、第１、第２の両面
貼着テープ２２、２５、ボンディングワイヤ２４および
第１乃至第１６のインナーリード２３ａ〜２３ｐは図示
せぬ樹脂により封止される。
うに、前記第２の両面貼着テープ２５の上には、表面上
に複数の図示せぬ半導体素子を有する第２のＩＣペレッ
ト２６が載置される。この第２のＩＣペレット２６は、
ボンディングワイヤ２４により第１、第３、第６、第
８、第９、第１１、第１３および第１６のインナーリー
ド２３ａ、２３ｃ、２３ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２３ｋ、
２３ｎ、２３ｐと電気的に接続される。次に、前記第
１、第２のＩＣペレット２１、２６、第１、第２の両面
貼着テープ２２、２５、ボンディングワイヤ２４および
第１乃至第１６のインナーリード２３ａ〜２３ｐは図示
せぬ樹脂により封止される。
【００１４】図６は、上記のように製造された樹脂封止
型半導体装置を示す斜視図である。前記第１および第２
のＩＣペレット２１、２６は樹脂３１に封止されてお
り、この樹脂３１にはアウターリード２８ａ〜２８ｐが
突出している。
型半導体装置を示す斜視図である。前記第１および第２
のＩＣペレット２１、２６は樹脂３１に封止されてお
り、この樹脂３１にはアウターリード２８ａ〜２８ｐが
突出している。
【００１５】図７（ａ）は、図６に示す９ａー９ａ線に
沿った断面図であり、図７（ｂ）は、図６に示す９ｂー
９ｂ線に沿った断面図である。第１のＩＣペレット２１
の上には絶縁物からなる第１の両面貼着テープ２２が貼
り付けられており、この第１の両面貼着テープ２２の上
にはリードフレーム２３が載置されている。このリード
フレーム２３の上には絶縁物からなる第２の両面貼着テ
ープ２５が貼り付けられており、この第２の両面貼着テ
ープ２５の上には第２のＩＣペレット２６が載置されて
いる。
沿った断面図であり、図７（ｂ）は、図６に示す９ｂー
９ｂ線に沿った断面図である。第１のＩＣペレット２１
の上には絶縁物からなる第１の両面貼着テープ２２が貼
り付けられており、この第１の両面貼着テープ２２の上
にはリードフレーム２３が載置されている。このリード
フレーム２３の上には絶縁物からなる第２の両面貼着テ
ープ２５が貼り付けられており、この第２の両面貼着テ
ープ２５の上には第２のＩＣペレット２６が載置されて
いる。
【００１６】前記リードフレーム２３には第１乃至第１
６のインナーリード２３ｄ、２３ｆが設けられている。
前記第４のインナーリード２３ｄの他端はボンディング
ワイヤ２４により第１のＩＣペレット２１と電気的に接
続されており、第６のインナーリード２３ｆの他端はボ
ンディングワイヤ２４により第２のＩＣペレット２６と
電気的に接続されている。前記第１、第２のＩＣペレッ
ト２１、２６、第１、第２の両面貼着テープ２２、２
５、第１乃至第１６のインナーリード２３ｄ、２３ｆお
よびボンディングワイヤ２４は樹脂３１により封止され
ている。前記第１乃至第１６のインナーリード２３ｄ、
２３ｆそれぞれの一端にはアウターリード２８ａ〜２８
ｐが設けられており、このアウターリード２８ａ〜２８
ｐは樹脂３１から突出している。
６のインナーリード２３ｄ、２３ｆが設けられている。
前記第４のインナーリード２３ｄの他端はボンディング
ワイヤ２４により第１のＩＣペレット２１と電気的に接
続されており、第６のインナーリード２３ｆの他端はボ
ンディングワイヤ２４により第２のＩＣペレット２６と
電気的に接続されている。前記第１、第２のＩＣペレッ
ト２１、２６、第１、第２の両面貼着テープ２２、２
５、第１乃至第１６のインナーリード２３ｄ、２３ｆお
よびボンディングワイヤ２４は樹脂３１により封止され
ている。前記第１乃至第１６のインナーリード２３ｄ、
２３ｆそれぞれの一端にはアウターリード２８ａ〜２８
ｐが設けられており、このアウターリード２８ａ〜２８
ｐは樹脂３１から突出している。
【００１７】上記実施例によれば、第１のＩＣペレット
２１の上に第１の両面貼着テープ２２を貼り付け、この
第１の両面貼着テープ２２の上にリードフレーム２３を
載置し、このリードフレーム２３の上に第２の両面貼着
テープ２５を貼り付け、この第２の両面貼着テープ２５
の上に第２のＩＣペレット２６を載置している。これに
より、二枚のＩＣペレットが封止された樹脂封止型半導
体装置を従来のそれと同一の大きさで形成することがで
きる。この結果、この発明の樹脂封止型半導体装置にお
ける集積度を従来の樹脂封止型半導体装置におけるそれ
の約２倍にすることができる。したがって、従来より多
機能、且つ多容量である樹脂封止型半導体装置を形成す
ることができる。
２１の上に第１の両面貼着テープ２２を貼り付け、この
第１の両面貼着テープ２２の上にリードフレーム２３を
載置し、このリードフレーム２３の上に第２の両面貼着
テープ２５を貼り付け、この第２の両面貼着テープ２５
の上に第２のＩＣペレット２６を載置している。これに
より、二枚のＩＣペレットが封止された樹脂封止型半導
体装置を従来のそれと同一の大きさで形成することがで
きる。この結果、この発明の樹脂封止型半導体装置にお
ける集積度を従来の樹脂封止型半導体装置におけるそれ
の約２倍にすることができる。したがって、従来より多
機能、且つ多容量である樹脂封止型半導体装置を形成す
ることができる。
【００１８】また、インナーリード２３ａ、２３ｃ、２
３ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２３ｋ、２３ｎ、２３ｐの他端
を２３ｂ、２３ｄ、２３ｅ、２３ｇ、２３ｊ、２３ｌ、
２３ｎ、２３ｏより突出させているため、第１、第２の
ＩＣペレット２１、２６とインナーリード２３ａ〜２３
ｐとのワイヤボンディングを同一方向から行うことがで
きる。
３ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２３ｋ、２３ｎ、２３ｐの他端
を２３ｂ、２３ｄ、２３ｅ、２３ｇ、２３ｊ、２３ｌ、
２３ｎ、２３ｏより突出させているため、第１、第２の
ＩＣペレット２１、２６とインナーリード２３ａ〜２３
ｐとのワイヤボンディングを同一方向から行うことがで
きる。
【００１９】尚、上記実施例では、第１のＩＣペレット
２１の上に第１の両面貼着テープ２２を貼り付け、この
第１の両面貼着テープ２２の上にリードフレーム２３を
載置しているが、リードフレーム２３の下に第１の両面
貼着テープ２２を貼り付け、この第１の両面貼着テープ
２２の下に第１のＩＣペレット２１を貼り付けることも
可能である。
２１の上に第１の両面貼着テープ２２を貼り付け、この
第１の両面貼着テープ２２の上にリードフレーム２３を
載置しているが、リードフレーム２３の下に第１の両面
貼着テープ２２を貼り付け、この第１の両面貼着テープ
２２の下に第１のＩＣペレット２１を貼り付けることも
可能である。
【００２０】また、第１のＩＣペレット２１に第２、第
４、第５、第７、第１０、第１２、第１４および第１５
のインナーリード２３ｂ、２３ｄ、２３ｅ、２３ｇ、２
３ｊ、２３ｌ、２３ｎ、２３ｏをそれぞれボンディング
ワイヤ２４により電気的に接続し、第２のＩＣペレット
２６に第１、第３、第６、第８、第９、第１１、第１３
および第１６のインナーリード２３ａ、２３ｃ、２３
ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２３ｋ、２３ｎ、２３ｐをそれぞ
れボンディングワイヤ２４により電気的に接続している
が、同一のインナーリードをボンディングワイヤ２４に
より第１および第２のＩＣペレット２１、２６それぞれ
と電気的に接続すること、例えば第１１のインナーリー
ド２３ｋをボンディングワイヤ２４により第１および第
２のＩＣペレット２１、２６それぞれと電気的に接続す
ることも可能である。
４、第５、第７、第１０、第１２、第１４および第１５
のインナーリード２３ｂ、２３ｄ、２３ｅ、２３ｇ、２
３ｊ、２３ｌ、２３ｎ、２３ｏをそれぞれボンディング
ワイヤ２４により電気的に接続し、第２のＩＣペレット
２６に第１、第３、第６、第８、第９、第１１、第１３
および第１６のインナーリード２３ａ、２３ｃ、２３
ｆ、２３ｈ、２３ｉ、２３ｋ、２３ｎ、２３ｐをそれぞ
れボンディングワイヤ２４により電気的に接続している
が、同一のインナーリードをボンディングワイヤ２４に
より第１および第２のＩＣペレット２１、２６それぞれ
と電気的に接続すること、例えば第１１のインナーリー
ド２３ｋをボンディングワイヤ２４により第１および第
２のＩＣペレット２１、２６それぞれと電気的に接続す
ることも可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
第１のペレットの上に第１の絶縁物を設け、この第１の
絶縁物の上にリードフレームを設け、このリードフレー
ムの上に第２の絶縁物を設け、この第２の絶縁物の上に
第２のペレットを設けている。したがって、二枚のペレ
ットを樹脂封止することにより樹脂封止型半導体装置の
集積度を向上させることができる。
第１のペレットの上に第１の絶縁物を設け、この第１の
絶縁物の上にリードフレームを設け、このリードフレー
ムの上に第２の絶縁物を設け、この第２の絶縁物の上に
第２のペレットを設けている。したがって、二枚のペレ
ットを樹脂封止することにより樹脂封止型半導体装置の
集積度を向上させることができる。
【図１】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示すものであり、図１（ａ）は、第２の両
面貼着テープの上に第２のＩＣペレットを載置する工程
を示す断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す
７−７線に沿った断面図。
の製造方法を示すものであり、図１（ａ）は、第２の両
面貼着テープの上に第２のＩＣペレットを載置する工程
を示す断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す
７−７線に沿った断面図。
【図２】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示すものであり、図２（ａ）は、第１のＩ
Ｃペレットを示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２
（ａ）に示す３ー３線に沿った断面図。
の製造方法を示すものであり、図２（ａ）は、第１のＩ
Ｃペレットを示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２
（ａ）に示す３ー３線に沿った断面図。
【図３】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示すものであり、図３（ａ）は、第１のＩ
Ｃペレットの上に第１の両面貼着テープを貼り付ける工
程を示す断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示
す４−４線に沿った断面図。
の製造方法を示すものであり、図３（ａ）は、第１のＩ
Ｃペレットの上に第１の両面貼着テープを貼り付ける工
程を示す断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示
す４−４線に沿った断面図。
【図４】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示すものであり、図４（ａ）は、第１の両
面貼着テープの上にリードフレームを載置する工程を示
す断面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す５−
５線に沿った断面図。
の製造方法を示すものであり、図４（ａ）は、第１の両
面貼着テープの上にリードフレームを載置する工程を示
す断面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す５−
５線に沿った断面図。
【図５】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示すものであり、図５（ａ）は、リードフ
レームの上に第２の両面貼着テープを貼り付ける工程を
示す断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す６
−６線に沿った断面図。
の製造方法を示すものであり、図５（ａ）は、リードフ
レームの上に第２の両面貼着テープを貼り付ける工程を
示す断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す６
−６線に沿った断面図。
【図６】この発明の実施例による樹脂封止型半導体装置
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図７】図７（ａ）は、図６に示す９ａ−９ａ線に沿っ
た断面図であり、図７（ｂ）は、図６に示す９ｂ−９ｂ
線に沿った断面図。
た断面図であり、図７（ｂ）は、図６に示す９ｂ−９ｂ
線に沿った断面図。
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図。
【図９】他の従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面
図。
図。
21…第１のＩＣペレット、22…第１の両面貼着テープ、
23…リードフレーム、23a …第１のインナーリード、23
b …第２のインナーリード、23c …第３のインナーリー
ド、23d …第４のインナーリード、23e …第５のインナ
ーリード、23f…第６のインナーリード、23g …第７の
インナーリード、23h …第８のインナーリード、23i …
第９のインナーリード、23j …第１０のインナーリー
ド、23k …第１１のインナーリード、23l …第１２のイ
ンナーリード、23m …第１３のインナーリード、23n …
第１４のインナーリード、23o …第１５のインナーリー
ド、23p …第１６のインナーリード、24…ボンディング
ワイヤ、25…第２の両面貼着テープ、26…第２のＩＣペ
レット、27…枠、28a …第１のアウターリード、28b…
第２のアウターリード、28c …第３のアウターリード、
28d …第４のアウターリード、28e …第５のアウターリ
ード、28f …第６のアウターリード、28g …第７のアウ
ターリード、28h …第８のアウターリード、28i …第９
のアウターリード、28j …第１０のアウターリード、28
k …第１１のアウターリード、28l …第１２のアウター
リード、28m …第１３のアウターリード、28n …第１４
のアウターリード、28o …第１５のアウターリード、28
p …第１６のアウターリード、29a …第１のタイバー、
29b …第２のタイバー、31…樹脂。
23…リードフレーム、23a …第１のインナーリード、23
b …第２のインナーリード、23c …第３のインナーリー
ド、23d …第４のインナーリード、23e …第５のインナ
ーリード、23f…第６のインナーリード、23g …第７の
インナーリード、23h …第８のインナーリード、23i …
第９のインナーリード、23j …第１０のインナーリー
ド、23k …第１１のインナーリード、23l …第１２のイ
ンナーリード、23m …第１３のインナーリード、23n …
第１４のインナーリード、23o …第１５のインナーリー
ド、23p …第１６のインナーリード、24…ボンディング
ワイヤ、25…第２の両面貼着テープ、26…第２のＩＣペ
レット、27…枠、28a …第１のアウターリード、28b…
第２のアウターリード、28c …第３のアウターリード、
28d …第４のアウターリード、28e …第５のアウターリ
ード、28f …第６のアウターリード、28g …第７のアウ
ターリード、28h …第８のアウターリード、28i …第９
のアウターリード、28j …第１０のアウターリード、28
k …第１１のアウターリード、28l …第１２のアウター
リード、28m …第１３のアウターリード、28n …第１４
のアウターリード、28o …第１５のアウターリード、28
p …第１６のアウターリード、29a …第１のタイバー、
29b …第２のタイバー、31…樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 25/18
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の半導体素子が形成された第１のペ
レットと、 前記第１のペレットの上に設けられた第１の絶縁物と、 前記第１の絶縁物の上に設けられ、第１のワイヤにより
前記第１のペレットと接続されるリードフレームと、 前記リードフレームの上に設けられた第２の絶縁物と、 前記第２の絶縁物の上に設けられ、第２のワイヤにより
前記リードフレームと接続され、前記第１のペレットに
形成された前記第１の半導体素子と同一の方向に形成さ
れた第２の半導体素子を有する第２のペレットと、 前記第１、第２のペレット、前記第１、第２の絶縁物、
前記第１、第２のワイヤおよび前記リードフレームを封
止する樹脂と、 を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 第１の半導体素子が形成された第１のペ
レットの上に第１の絶縁物を設ける工程と、 前記第１の絶縁物の上にリードフレームを設ける工程
と、 前記リードフレームを第１のワイヤにより前記第１のペ
レットと接続する工程と、 前記リードフレームの上に第２の絶縁物を設ける工程
と、 前記第２の絶縁物の上に、前記第１のペレットに形成さ
れた前記第１の半導体素子と同一の方向に第２の半導体
素子を有する第２のペレットを設ける工程と、 前記第２のペレットを第２のワイヤにより前記リードフ
レームと接続する工程と、 前記第１、第２のペレット、前記第１、第２の絶縁物、
前記リードフレームおよび前記第１、第２のワイヤを樹
脂により封止する工程と、 からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155201A JPH05347375A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155201A JPH05347375A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347375A true JPH05347375A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15600712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4155201A Pending JPH05347375A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347375A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6215192B1 (en) | 1997-06-12 | 2001-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated circuit package and integrated circuit package control system |
| KR100286591B1 (ko) * | 1996-11-26 | 2001-06-01 | 마찌다 가쯔히꼬 | 반도체집적회로장치및그의제조방법 |
| DE19747105B4 (de) * | 1996-12-27 | 2005-05-12 | Lg Semicon Co. Ltd., Cheongju | Bauelement mit gestapelten Halbleiterchips |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP4155201A patent/JPH05347375A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100286591B1 (ko) * | 1996-11-26 | 2001-06-01 | 마찌다 가쯔히꼬 | 반도체집적회로장치및그의제조방법 |
| DE19747105B4 (de) * | 1996-12-27 | 2005-05-12 | Lg Semicon Co. Ltd., Cheongju | Bauelement mit gestapelten Halbleiterchips |
| US6215192B1 (en) | 1997-06-12 | 2001-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Integrated circuit package and integrated circuit package control system |
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