JPH05206319A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH05206319A JPH05206319A JP4012887A JP1288792A JPH05206319A JP H05206319 A JPH05206319 A JP H05206319A JP 4012887 A JP4012887 A JP 4012887A JP 1288792 A JP1288792 A JP 1288792A JP H05206319 A JPH05206319 A JP H05206319A
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- semiconductor chip
- semiconductor device
- resin
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱性のきわめて良い半導体装置を提供す
る。 【構成】 ダイパッド２と、このダイパッド２上に取り
付けられる半導体チップ１と、前記ダイパッド２および
半導体チップ１を樹脂封止する封止用樹脂４を備え、前
記ダイパッド２を前記半導体チップ１を包みこむように
形成し、このダイパッド２の内側および半導体チップ１
を封止用樹脂４によって樹脂封止する。
る。 【構成】 ダイパッド２と、このダイパッド２上に取り
付けられる半導体チップ１と、前記ダイパッド２および
半導体チップ１を樹脂封止する封止用樹脂４を備え、前
記ダイパッド２を前記半導体チップ１を包みこむように
形成し、このダイパッド２の内側および半導体チップ１
を封止用樹脂４によって樹脂封止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、パワー集積
回路のような高い放熱性が要求される半導体装置および
その製造方法に関する。
回路のような高い放熱性が要求される半導体装置および
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１４は従来の半導体装置を示す断面図
であり、図において、符号１は半導体チップ、２は半導
体チップ１を取り付けるダイパッド、３は外部リード、
そして、符号４は半導体チップ１およびダイパッド２を
樹脂封止するための封止用樹脂である。
であり、図において、符号１は半導体チップ、２は半導
体チップ１を取り付けるダイパッド、３は外部リード、
そして、符号４は半導体チップ１およびダイパッド２を
樹脂封止するための封止用樹脂である。
【０００３】半導体チップ１はダイパッド２の上にはん
だ付け、あるいは樹脂などの接着材によって接着されて
いる。また、半導体チップ１およびダイパッド２はとも
に封止用樹脂４によって外部に露出しないように全体が
完全に樹脂封止され、かつ、側部には複数本の外部リー
ド３が突設されている。
だ付け、あるいは樹脂などの接着材によって接着されて
いる。また、半導体チップ１およびダイパッド２はとも
に封止用樹脂４によって外部に露出しないように全体が
完全に樹脂封止され、かつ、側部には複数本の外部リー
ド３が突設されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成され、外部に露出する放熱体は外部リー
ドのみであるため、半導体チップより発生する熱の放熱
性がきわめて悪いという課題があった。この発明は、か
かる課題を解決するために提案されたもので、高い放熱
性を備えた半導体装置および製造容易な半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
上のように構成され、外部に露出する放熱体は外部リー
ドのみであるため、半導体チップより発生する熱の放熱
性がきわめて悪いという課題があった。この発明は、か
かる課題を解決するために提案されたもので、高い放熱
性を備えた半導体装置および製造容易な半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項第
１項記載の半導体装置においては、ダイパッドが封止用
樹脂の表面に露出して取り付けられている。
１項記載の半導体装置においては、ダイパッドが封止用
樹脂の表面に露出して取り付けられている。
【０００６】この発明に係る請求項第２項記載の半導体
装置においては、ダイパッドが半導体チップを包みこむ
ように形成され、当該ダイパッドの中および半導体チッ
プが封止用樹脂によって樹脂封止されている。
装置においては、ダイパッドが半導体チップを包みこむ
ように形成され、当該ダイパッドの中および半導体チッ
プが封止用樹脂によって樹脂封止されている。
【０００７】この発明に係る請求項第３項記載の半導体
装置においては、ダイパッドが半導体チップを包みこむ
ように形成され、かつ前記半導体チップおよび前記ダイ
パッド全体が封止用樹脂によって樹脂封止されている。
装置においては、ダイパッドが半導体チップを包みこむ
ように形成され、かつ前記半導体チップおよび前記ダイ
パッド全体が封止用樹脂によって樹脂封止されている。
【０００８】この発明に係る請求項第４項記載の半導体
装置においては、ダイパッドが半導体チップを包みこむ
ように形成され、かつ、当該ダイパッドの開口端部に放
熱用フィンが封止用樹脂より露出して突設されている。
装置においては、ダイパッドが半導体チップを包みこむ
ように形成され、かつ、当該ダイパッドの開口端部に放
熱用フィンが封止用樹脂より露出して突設されている。
【０００９】この発明に係る請求項第５項記載の半導体
装置においては、放熱板が封止用樹脂の表面に露出して
取り付けられている。
装置においては、放熱板が封止用樹脂の表面に露出して
取り付けられている。
【００１０】この発明に係る請求項第６項記載の半導体
装置においては、放熱板がダイパッドおよび半導体チッ
プを包みこむように形成され、かつ、当該放熱板の中、
前記ダイパッドおよび半導体チップが封止用樹脂によっ
て樹脂封止されている。
装置においては、放熱板がダイパッドおよび半導体チッ
プを包みこむように形成され、かつ、当該放熱板の中、
前記ダイパッドおよび半導体チップが封止用樹脂によっ
て樹脂封止されている。
【００１１】この発明に係る請求項第７項記載の半導体
装置においては、ダイパッドの端部部に、外部に露出す
る放熱用突起が封止用樹脂の表面に沿って設けられてい
る。
装置においては、ダイパッドの端部部に、外部に露出す
る放熱用突起が封止用樹脂の表面に沿って設けられてい
る。
【００１２】この発明に係る請求項第８項記載の半導体
装置においては、ヒートスプレッダーが設けられ、当該
ヒートスプレッダーがダイパッドおよび半導体チップと
ともに封止用樹脂によって樹脂封止され、かつ、当該ヒ
ートスプレッダーの端部に、外部に露出する放熱用突起
が設けられている。
装置においては、ヒートスプレッダーが設けられ、当該
ヒートスプレッダーがダイパッドおよび半導体チップと
ともに封止用樹脂によって樹脂封止され、かつ、当該ヒ
ートスプレッダーの端部に、外部に露出する放熱用突起
が設けられている。
【００１３】この発明に係る請求項第９項記載の半導体
装置においては、ヒートスプレッダーが設けられ、当該
ヒートスプレッダーがダイパッドおよび半導体チップと
ともに封止用樹脂によって樹脂封止され、前記ヒートス
プレッダーの端部に、外部に露出する放熱用突起が設け
られ、かつ、当該放熱用突起が外部リードとともに下方
に折り曲げられている。
装置においては、ヒートスプレッダーが設けられ、当該
ヒートスプレッダーがダイパッドおよび半導体チップと
ともに封止用樹脂によって樹脂封止され、前記ヒートス
プレッダーの端部に、外部に露出する放熱用突起が設け
られ、かつ、当該放熱用突起が外部リードとともに下方
に折り曲げられている。
【００１４】この発明にかかる請求項第１０項記載の半
導体装置の製造方法においては、放熱板をダイパッドお
よび半導体チップを包みこむように形成し、当該放熱板
の中にダイパッド上に半導体チップを取り付け、かつ、
前記半導体チップとリードフレームとを接続線によって
接続したものを挿入し、つづいて、前記放熱板の中を封
止用樹脂によって樹脂封止する。
導体装置の製造方法においては、放熱板をダイパッドお
よび半導体チップを包みこむように形成し、当該放熱板
の中にダイパッド上に半導体チップを取り付け、かつ、
前記半導体チップとリードフレームとを接続線によって
接続したものを挿入し、つづいて、前記放熱板の中を封
止用樹脂によって樹脂封止する。
【００１５】この発明にかかる請求項第１１項記載の半
導体装置の製造方法においては、ダイパットおよび半導
体チップを包み込むように形成された放熱板を所定間隔
おきに配し、当該放熱板の中にダイパッド上に半導体チ
ップを取り付けるとともに、前記半導体チップとリード
フレームとを接続線によって接続したものを挿入し、つ
づいて、各放熱板の中を封止用樹脂によって樹脂封止
し、つづいて、前記リードフレームを各半導体装置ごと
に切り離す。
導体装置の製造方法においては、ダイパットおよび半導
体チップを包み込むように形成された放熱板を所定間隔
おきに配し、当該放熱板の中にダイパッド上に半導体チ
ップを取り付けるとともに、前記半導体チップとリード
フレームとを接続線によって接続したものを挿入し、つ
づいて、各放熱板の中を封止用樹脂によって樹脂封止
し、つづいて、前記リードフレームを各半導体装置ごと
に切り離す。
【００１６】
【作用】この発明に係る請求項第１項記載の半導体装置
は、ダイパッドが外部に露出していることにより放熱性
が高められる。
は、ダイパッドが外部に露出していることにより放熱性
が高められる。
【００１７】この発明に係る請求項第２項記載の半導体
装置は、ダイパッドが半導体チップを包み込むように形
成され、かつ、ダイパッドの外側面を除いてダイパッド
の中および半導体チップのみが封止用樹脂によって樹脂
封止されているため、ダイパッドの露出面積がきわめて
大きく放熱性が高められる。
装置は、ダイパッドが半導体チップを包み込むように形
成され、かつ、ダイパッドの外側面を除いてダイパッド
の中および半導体チップのみが封止用樹脂によって樹脂
封止されているため、ダイパッドの露出面積がきわめて
大きく放熱性が高められる。
【００１８】この発明に係る請求項第３項記載の半導体
装置は、ダイパッドが半導体チップを包みこむように形
成され、かつ前記半導体チップおよび前記ダイパッド全
体が封止用樹脂によって樹脂封止されていることによ
り、半導体装置の性能が高められる。
装置は、ダイパッドが半導体チップを包みこむように形
成され、かつ前記半導体チップおよび前記ダイパッド全
体が封止用樹脂によって樹脂封止されていることによ
り、半導体装置の性能が高められる。
【００１９】この発明に係る請求項第４項記載の半導体
装置は、ダイパッドが半導体チップを包み込むように形
成され、かつ、ダイパッドの中および半導体チップのみ
が封止用樹脂によって樹脂封止され、ダイパッドの表面
は外部に露出され、さらに、ダイパッドの開口端部に外
部に露出する放熱用フィンが突設されているため、ダイ
パッドの露出面積はさらに大きく放熱性が高められる。
装置は、ダイパッドが半導体チップを包み込むように形
成され、かつ、ダイパッドの中および半導体チップのみ
が封止用樹脂によって樹脂封止され、ダイパッドの表面
は外部に露出され、さらに、ダイパッドの開口端部に外
部に露出する放熱用フィンが突設されているため、ダイ
パッドの露出面積はさらに大きく放熱性が高められる。
【００２０】この発明に係る請求項第５項記載の半導体
装置は、放熱板が外部に露出して取り付けられているた
め、放熱性が高められる。
装置は、放熱板が外部に露出して取り付けられているた
め、放熱性が高められる。
【００２１】この発明に係る請求項第６項記載の半導体
装置は、放熱板がダイパッドおよび半導体チップを包み
込むように形成され、かつ、放熱板の中、ダイパッドお
よび半導体チップのみが封止用樹脂によって樹脂封止さ
れ、放熱板の表面は外部に露出していることにより、露
出面積がきわめて大きく放熱性が高められる。
装置は、放熱板がダイパッドおよび半導体チップを包み
込むように形成され、かつ、放熱板の中、ダイパッドお
よび半導体チップのみが封止用樹脂によって樹脂封止さ
れ、放熱板の表面は外部に露出していることにより、露
出面積がきわめて大きく放熱性が高められる。
【００２２】この発明に係る請求項第７項記載の半導体
装置は、ダイパッドの端部に、外部に露出する放熱用突
起が封止用樹脂の表面に沿って設けられていることによ
り、放熱性が高められる。
装置は、ダイパッドの端部に、外部に露出する放熱用突
起が封止用樹脂の表面に沿って設けられていることによ
り、放熱性が高められる。
【００２３】この発明に係る請求項第８項記載の半導体
装置は、ヒートスプレッダーの端部に、外部に露出する
放熱用突起が設けられていることにより、放熱性が高め
られる。
装置は、ヒートスプレッダーの端部に、外部に露出する
放熱用突起が設けられていることにより、放熱性が高め
られる。
【００２４】この発明に係る請求項第９項記載の半導体
装置は、ヒートスプレッダーの端部に外部に露出する放
熱用突起が突設され、かつ当該放熱用突起が外部リード
とともに下方に折り曲げられていることにより、放熱用
突起をを外部リードとともに基板にはんだ付けなどする
ことにより、さらに、放熱性は高められる。
装置は、ヒートスプレッダーの端部に外部に露出する放
熱用突起が突設され、かつ当該放熱用突起が外部リード
とともに下方に折り曲げられていることにより、放熱用
突起をを外部リードとともに基板にはんだ付けなどする
ことにより、さらに、放熱性は高められる。
【００２５】この発明に係る請求項第１０項記載の半導
体装置は、放熱板をダイパッドおよび半導体チップを包
みこむように形成し、当該放熱板の中にダイパッド上に
半導体チップを取り付け、かつ、前記半導体チップとリ
ードフレームとを接続線によって接続したものを挿入
し、つづいて、前記放熱板の中を封止用樹脂によって樹
脂封止することにより、半導体装置の製造が容易とな
る。
体装置は、放熱板をダイパッドおよび半導体チップを包
みこむように形成し、当該放熱板の中にダイパッド上に
半導体チップを取り付け、かつ、前記半導体チップとリ
ードフレームとを接続線によって接続したものを挿入
し、つづいて、前記放熱板の中を封止用樹脂によって樹
脂封止することにより、半導体装置の製造が容易とな
る。
【００２６】この発明に係る請求項第１１項記載の半導
体装置は、ダイパットおよび半導体チップを包み込むよ
うに形成された放熱板を所定間隔おきに配し、当該放熱
板の中にダイパッド上に半導体チップを取り付けるとと
もに、前記半導体チップとリードフレームとを接続線に
よって接続したものを挿入し、つづいて、各放熱板の中
を封止用樹脂によって樹脂封止し、つづいて、前記リー
ドフレームを各半導体装置ごとに切り離すことにより、
半導体装置の量産が可能となる。
体装置は、ダイパットおよび半導体チップを包み込むよ
うに形成された放熱板を所定間隔おきに配し、当該放熱
板の中にダイパッド上に半導体チップを取り付けるとと
もに、前記半導体チップとリードフレームとを接続線に
よって接続したものを挿入し、つづいて、各放熱板の中
を封止用樹脂によって樹脂封止し、つづいて、前記リー
ドフレームを各半導体装置ごとに切り離すことにより、
半導体装置の量産が可能となる。
【００２７】
【実施例】実施例１．図１は、請求項第１項に係る半導
体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、薄
い矩形板状に形成されたダイパット２の上面に半導体チ
ップ１がはんだ付け若しくは樹脂性の接着材などで接着
することにより取り付けられている。また、ダイパッド
２の下面を除いて、半導体チップ１およびダイパット２
は、封止用樹脂４によって外部に露出しないように完全
に樹脂封止され、ダイパッド２の下面のみが放熱し易い
ように外部に露出している。さらに、封止用樹脂の側部
に（紙面上垂直に）複数本の外部リードが突設されてい
る（図省略）。
体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、薄
い矩形板状に形成されたダイパット２の上面に半導体チ
ップ１がはんだ付け若しくは樹脂性の接着材などで接着
することにより取り付けられている。また、ダイパッド
２の下面を除いて、半導体チップ１およびダイパット２
は、封止用樹脂４によって外部に露出しないように完全
に樹脂封止され、ダイパッド２の下面のみが放熱し易い
ように外部に露出している。さらに、封止用樹脂の側部
に（紙面上垂直に）複数本の外部リードが突設されてい
る（図省略）。
【００２８】実施例２．図２は、請求項第２項に係る半
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
ダイパット２は半導体チップ１を包み込むように断面略
リップ溝状に形成されている。また、半導体チップ１は
ダイパッド２の底板部２ａの上に、はんだ付け若しくは
樹脂性の接着材などで接着することにより取り付けられ
ている。そして、ダイパッド２の中に封止用樹脂４が充
填され、この封止用樹脂４によってダイパッド２の表面
を除いて、ダイパッド２の内側および半導体チップ１は
完全に樹脂封止され、ダイパッド２の表面のみが放熱し
易いように外部に露出している。また、四方に外部リー
ドが突出されている（図省略）。
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
ダイパット２は半導体チップ１を包み込むように断面略
リップ溝状に形成されている。また、半導体チップ１は
ダイパッド２の底板部２ａの上に、はんだ付け若しくは
樹脂性の接着材などで接着することにより取り付けられ
ている。そして、ダイパッド２の中に封止用樹脂４が充
填され、この封止用樹脂４によってダイパッド２の表面
を除いて、ダイパッド２の内側および半導体チップ１は
完全に樹脂封止され、ダイパッド２の表面のみが放熱し
易いように外部に露出している。また、四方に外部リー
ドが突出されている（図省略）。
【００２９】実施例３．図３は、請求項第３項に係る半
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
実施例２において、ダイパッド２の中だけでなくその外
側にも封止用樹脂４が充填され、この封止用樹脂４によ
って半導体チップ１とともにダイパッド２の全体が外部
に露出しないように完全に樹脂封止されている。その他
の構成は実施例２と略同じである。なお、ダイパッド２
の表側の封止用樹脂４の被覆厚は、ダイパッド２の放熱
性を低下させないように可能な限り薄くされている。
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
実施例２において、ダイパッド２の中だけでなくその外
側にも封止用樹脂４が充填され、この封止用樹脂４によ
って半導体チップ１とともにダイパッド２の全体が外部
に露出しないように完全に樹脂封止されている。その他
の構成は実施例２と略同じである。なお、ダイパッド２
の表側の封止用樹脂４の被覆厚は、ダイパッド２の放熱
性を低下させないように可能な限り薄くされている。
【００３０】実施例４．図４は、請求項第４項に係る半
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
実施例２において、ダイパット２の開口縁端部に、この
部分を相反する方向に水平に折り曲げることにより放熱
用フィン５，５が封止用樹脂より突出した状態に形成さ
れている。その他の構成は第２の実施例と略同じであ
る。
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
実施例２において、ダイパット２の開口縁端部に、この
部分を相反する方向に水平に折り曲げることにより放熱
用フィン５，５が封止用樹脂より突出した状態に形成さ
れている。その他の構成は第２の実施例と略同じであ
る。
【００３１】実施例５．図５は、請求項第５項に係る半
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
図において、符号６は半導体チップ１より発生する熱を
放熱するための放熱板である。放熱板６は矩形板状に形
成され、ダイパッド２の下側に直接、接着材などによっ
て取り付けられている。そして、この放熱板６の下面を
除いて、半導体チップ１、ダイパッド２および放熱板６
の上面は封止用樹脂４によって外部に露出しないように
完全に樹脂封止され、放熱板６の下面のみが放熱し易い
ように外部に露出している。なお、実施例では放熱板６
はダイパッド２の裏側に直接取り付けられているが、放
熱板６とダイパッド２との間に封止用樹脂４を充填して
ダイパッド２より離して設置してもよい。
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
図において、符号６は半導体チップ１より発生する熱を
放熱するための放熱板である。放熱板６は矩形板状に形
成され、ダイパッド２の下側に直接、接着材などによっ
て取り付けられている。そして、この放熱板６の下面を
除いて、半導体チップ１、ダイパッド２および放熱板６
の上面は封止用樹脂４によって外部に露出しないように
完全に樹脂封止され、放熱板６の下面のみが放熱し易い
ように外部に露出している。なお、実施例では放熱板６
はダイパッド２の裏側に直接取り付けられているが、放
熱板６とダイパッド２との間に封止用樹脂４を充填して
ダイパッド２より離して設置してもよい。
【００３２】実施例６．図６は、請求項第６項に係る半
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
実施例５において、放熱板６が半導体チップ１およびダ
イパッド２を包み込むように断面略リップ溝状に形成さ
れている。また、半導体チップ１はダイパッド２の上に
はんだ付け若しくは樹脂性の接着材などで接着すること
により取り付けられ、かつ、半導体チップ１およびダイ
パッド２はともに放熱板６の底板部６ａの上に設置され
ている。そして、放熱板６の中に封止用樹脂４が充填さ
れ、この封止用樹脂４によって放熱板６の内側、ダイパ
ッド２および半導体チップ１は完全に樹脂封止され、放
熱板６の表側のみが放熱し易いように外部に露出してい
る。なお、実施例では、ダイパッド２は放熱板６の底板
部６ａの上に直接設置されているが、ダイパッド２と放
熱板６との間に封止用樹脂４を充填することにより隙間
が生じていてもよい。
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
実施例５において、放熱板６が半導体チップ１およびダ
イパッド２を包み込むように断面略リップ溝状に形成さ
れている。また、半導体チップ１はダイパッド２の上に
はんだ付け若しくは樹脂性の接着材などで接着すること
により取り付けられ、かつ、半導体チップ１およびダイ
パッド２はともに放熱板６の底板部６ａの上に設置され
ている。そして、放熱板６の中に封止用樹脂４が充填さ
れ、この封止用樹脂４によって放熱板６の内側、ダイパ
ッド２および半導体チップ１は完全に樹脂封止され、放
熱板６の表側のみが放熱し易いように外部に露出してい
る。なお、実施例では、ダイパッド２は放熱板６の底板
部６ａの上に直接設置されているが、ダイパッド２と放
熱板６との間に封止用樹脂４を充填することにより隙間
が生じていてもよい。
【００３３】実施例７．図７は、請求項第７項に係る半
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
半導体チップ１およびダイパッド２はともに、封止用樹
脂４によって完全に樹脂封止されている。また、ダイパ
ッド２の周縁部には、この部分を封止用樹脂４の表面に
沿って真下に折り曲げるなどして露出面積を可能な限り
大きくするために放熱用突起７が設けられ、放熱効果が
高められている。また、四方に複数本の外部リード３が
突設されている。
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
半導体チップ１およびダイパッド２はともに、封止用樹
脂４によって完全に樹脂封止されている。また、ダイパ
ッド２の周縁部には、この部分を封止用樹脂４の表面に
沿って真下に折り曲げるなどして露出面積を可能な限り
大きくするために放熱用突起７が設けられ、放熱効果が
高められている。また、四方に複数本の外部リード３が
突設されている。
【００３４】実施例８．図８は、請求項第８項に係る半
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
図において、符号８は半導体チップ１より発生する熱を
放熱するためのヒートスプレッターである。ヒートスプ
レッダー８はダイパッド２の下側に取り付けられ、半導
体チップ１、ダイパッド２とともに封止用樹脂４によっ
て外部に露出しないように完全に樹脂封止されている。
また、ヒートスプレッダー８の端部には、封止用樹脂
４の表面に沿って放熱用突起７が突設され、放熱用突起
７は封止用樹脂４の表面に沿って突設され、露出面積を
可能な限り大きくすることにより、放熱効果が高められ
ている。また、外部リード３が四方に突設されている。
導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であり、
図において、符号８は半導体チップ１より発生する熱を
放熱するためのヒートスプレッターである。ヒートスプ
レッダー８はダイパッド２の下側に取り付けられ、半導
体チップ１、ダイパッド２とともに封止用樹脂４によっ
て外部に露出しないように完全に樹脂封止されている。
また、ヒートスプレッダー８の端部には、封止用樹脂
４の表面に沿って放熱用突起７が突設され、放熱用突起
７は封止用樹脂４の表面に沿って突設され、露出面積を
可能な限り大きくすることにより、放熱効果が高められ
ている。また、外部リード３が四方に突設されている。
【００３５】実施例９．図９は、請求項第８項に係る半
導体装置の他の実施例を示す半導体装置の断面図であ
り、実施例８において、放熱用突起７が外部リード３と
３との間より水平に突設され、露出面積を可能な限り大
きくすることにより、放熱効果が高められている。その
他の構成は、実施例８と略同じであるため、その説明を
省略する。
導体装置の他の実施例を示す半導体装置の断面図であ
り、実施例８において、放熱用突起７が外部リード３と
３との間より水平に突設され、露出面積を可能な限り大
きくすることにより、放熱効果が高められている。その
他の構成は、実施例８と略同じであるため、その説明を
省略する。
【００３６】実施例１０．図１０は、請求項第８項に係
る半導体装置の他の実施例を示す半導体装置の断面図で
あり、実施例８において、ヒートスプレッダー（図省
略）の端部に放熱用突起７が突設され、当該放熱用突起
７は露出面積を可能な限り大きくして放熱効果を高める
ために真上に略Ｌ字状に折り曲げられている。その他の
構成は実施例８と略同じであるため、その説明を省略す
る。
る半導体装置の他の実施例を示す半導体装置の断面図で
あり、実施例８において、ヒートスプレッダー（図省
略）の端部に放熱用突起７が突設され、当該放熱用突起
７は露出面積を可能な限り大きくして放熱効果を高める
ために真上に略Ｌ字状に折り曲げられている。その他の
構成は実施例８と略同じであるため、その説明を省略す
る。
【００３７】実施例１１．図１１は、請求項第９項に係
る半導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であ
り、実施例８において、ヒートスプレッダー（図省略）
の端部に放熱用突起７が突設されている。放熱用突起７
は外部リード３と３との間より突設され、露出面積を大
きくするために外部リード３とともに下方に折り曲げら
れ、かつ、外部リード３とともに基板（図省略）にはん
だ付けすることにより放熱性が著しく高められている。
る半導体装置の一実施例を示す半導体装置の断面図であ
り、実施例８において、ヒートスプレッダー（図省略）
の端部に放熱用突起７が突設されている。放熱用突起７
は外部リード３と３との間より突設され、露出面積を大
きくするために外部リード３とともに下方に折り曲げら
れ、かつ、外部リード３とともに基板（図省略）にはん
だ付けすることにより放熱性が著しく高められている。
【００３８】実施例１２．図１２は、請求項第１０項に
係る半導体装置の製造方法の一実施例を示す半導体装置
の分解斜視図であり、図において、符号９はインナーリ
ードであり、１０は半導体チップ１の電極とインナーリ
ード９とを接続するための接続線（ワイヤー）である。
係る半導体装置の製造方法の一実施例を示す半導体装置
の分解斜視図であり、図において、符号９はインナーリ
ードであり、１０は半導体チップ１の電極とインナーリ
ード９とを接続するための接続線（ワイヤー）である。
【００３９】あらかじめ、放熱板６をダイパッド２およ
び半導体チップ１を包みこむように形成し、当該放熱板
６の中にダイパッド２上に半導体チップ１を取り付け
（ダイボンデング）、かつ、前記半導体チップ１とイン
ナーリード９とを接続線１０によって接続し（ワイヤー
ボンデング）、つづいて、前記放熱板６の中を樹脂封止
する。この製造方法により実施例６の半導体装置が得ら
れる。
び半導体チップ１を包みこむように形成し、当該放熱板
６の中にダイパッド２上に半導体チップ１を取り付け
（ダイボンデング）、かつ、前記半導体チップ１とイン
ナーリード９とを接続線１０によって接続し（ワイヤー
ボンデング）、つづいて、前記放熱板６の中を樹脂封止
する。この製造方法により実施例６の半導体装置が得ら
れる。
【００４０】実施例１３．図１３は、請求項第１１項に
係る半導体装置の製造方法の一実施例を示す半導体装置
の斜視図であり、図において、符号１１はリードフレー
ムである。リードフレーム１１には、ダイパッド、イン
ナーリードおよび外部リードが形成される（いづれも、
図省略）。実施例１２の半導体装置の製造方法におい
て、ダイパッド２上に半導体チップ１を取り付け、前記
半導体チップ１とリードフレーム１１とを接続線１０に
よって接続し、前記リードフレーム１１をダイパッド２
および半導体チップ１とともに所定間隔おきに配された
放熱板６の中に挿入し、つづいて、各放熱板６の中を樹
脂封止し、つづいて、リードフレーム１１を各半導体装
置ごとに切り離す。
係る半導体装置の製造方法の一実施例を示す半導体装置
の斜視図であり、図において、符号１１はリードフレー
ムである。リードフレーム１１には、ダイパッド、イン
ナーリードおよび外部リードが形成される（いづれも、
図省略）。実施例１２の半導体装置の製造方法におい
て、ダイパッド２上に半導体チップ１を取り付け、前記
半導体チップ１とリードフレーム１１とを接続線１０に
よって接続し、前記リードフレーム１１をダイパッド２
および半導体チップ１とともに所定間隔おきに配された
放熱板６の中に挿入し、つづいて、各放熱板６の中を樹
脂封止し、つづいて、リードフレーム１１を各半導体装
置ごとに切り離す。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項第１項に係
る半導体装置によれば、ダイパッドが外部に露出してい
るため、放熱性がきわめてよいという効果がある。
る半導体装置によれば、ダイパッドが外部に露出してい
るため、放熱性がきわめてよいという効果がある。
【００４２】また、請求項第２項に係る半導体装置によ
れば、ダイパッドが半導体チップを包み込むように形成
され、かつ、ダイパッドの外側面を除いてダイパッドの
中および半導体チップのみが封止用樹脂によって樹脂封
止されているため、ダイパッドの露出面積がきわめて大
きく放熱性がきわめてよいという効果がある。
れば、ダイパッドが半導体チップを包み込むように形成
され、かつ、ダイパッドの外側面を除いてダイパッドの
中および半導体チップのみが封止用樹脂によって樹脂封
止されているため、ダイパッドの露出面積がきわめて大
きく放熱性がきわめてよいという効果がある。
【００４３】また、請求項第３項に係る半導体装置によ
れば、ダイパッドが半導体チップを包みこむように形成
され、かつ前記半導体チップおよび前記ダイパッド全体
が封止用樹脂によって樹脂封止されているため、腐食な
どを防止でき半導体装置の信頼性が良いという効果があ
る。
れば、ダイパッドが半導体チップを包みこむように形成
され、かつ前記半導体チップおよび前記ダイパッド全体
が封止用樹脂によって樹脂封止されているため、腐食な
どを防止でき半導体装置の信頼性が良いという効果があ
る。
【００４４】また、請求項第４項に係る半導体装置によ
れば、ダイパッドが半導体チップを包み込むように形成
され、かつ、ダイパッドの中および半導体チップのみが
封止用樹脂によって樹脂封止され、ダイパッドの表面は
外部に露出され、さらに、ダイパッドの開口端部に外部
に露出する放熱用フィンが突設されているため、露出面
積はさらに大きく放熱性がきわめてよいという効果があ
る。
れば、ダイパッドが半導体チップを包み込むように形成
され、かつ、ダイパッドの中および半導体チップのみが
封止用樹脂によって樹脂封止され、ダイパッドの表面は
外部に露出され、さらに、ダイパッドの開口端部に外部
に露出する放熱用フィンが突設されているため、露出面
積はさらに大きく放熱性がきわめてよいという効果があ
る。
【００４５】また、請求項第５項に係る半導体装置によ
れば、放熱板が外部に露出して取り付けられているた
め、放熱性がきわめてよいという効果がある。
れば、放熱板が外部に露出して取り付けられているた
め、放熱性がきわめてよいという効果がある。
【００４６】また、請求項第６項に係る半導体装置によ
れば、放熱板がダイパッドおよび半導体チップを包み込
むように形成され、かつ、放熱板の中、ダイパッドおよ
び半導体チップのみが封止用樹脂によって樹脂封止さ
れ、放熱板の表面は外部に露出しているため、露出面積
がきわめて大きく放熱性がきわめてよいという効果があ
る。
れば、放熱板がダイパッドおよび半導体チップを包み込
むように形成され、かつ、放熱板の中、ダイパッドおよ
び半導体チップのみが封止用樹脂によって樹脂封止さ
れ、放熱板の表面は外部に露出しているため、露出面積
がきわめて大きく放熱性がきわめてよいという効果があ
る。
【００４７】また、請求項第７項に係る半導体装置によ
れば、ダイパッドの端部に、外部に露出する放熱用突起
が封止用樹脂の表面に沿って設けられているため、放熱
性がきわめてよいという効果がある。
れば、ダイパッドの端部に、外部に露出する放熱用突起
が封止用樹脂の表面に沿って設けられているため、放熱
性がきわめてよいという効果がある。
【００４８】また、請求項第８項に係る半導体装置によ
れば、ヒートスプレッダーが設けられ、当該ヒートスプ
レッダーがダイパッドおよび半導体チップとともに封止
用樹脂によって樹脂封止され、かつ、前記ヒートスプレ
ッダーの端部に、外部に露出する放熱用突起が設けられ
ているため、放熱性がきわめてよいという効果がある。
れば、ヒートスプレッダーが設けられ、当該ヒートスプ
レッダーがダイパッドおよび半導体チップとともに封止
用樹脂によって樹脂封止され、かつ、前記ヒートスプレ
ッダーの端部に、外部に露出する放熱用突起が設けられ
ているため、放熱性がきわめてよいという効果がある。
【００４９】また、請求項第９項に係る半導体装置によ
れば、放熱用突起が外部リードとともに下方に折り曲げ
られているため、放熱用突起を外部リードとともに基板
にはんだ付けなどすることにより、放熱用突起を介して
基板への放熱が可能になり、放熱性はきわめてよいとい
う効果がある。
れば、放熱用突起が外部リードとともに下方に折り曲げ
られているため、放熱用突起を外部リードとともに基板
にはんだ付けなどすることにより、放熱用突起を介して
基板への放熱が可能になり、放熱性はきわめてよいとい
う効果がある。
【００５０】また、請求項第１０項に係る半導体装置に
よれば、放熱板をダイパッドおよび半導体チップを包み
こむように形成し、当該放熱板の中にダイパッド上に半
導体チップを取り付け、かつ、前記半導体チップとイン
ナーリードとを接続線によって接続したものを挿入し、
つづいて、前記放熱板の中を樹脂封止するため、半導体
装置の製造がきわめて容易にできるという効果がある。
よれば、放熱板をダイパッドおよび半導体チップを包み
こむように形成し、当該放熱板の中にダイパッド上に半
導体チップを取り付け、かつ、前記半導体チップとイン
ナーリードとを接続線によって接続したものを挿入し、
つづいて、前記放熱板の中を樹脂封止するため、半導体
装置の製造がきわめて容易にできるという効果がある。
【００５１】また、請求項第１１項に係る半導体装置に
よれば、ダイパッド上に半導体チップを取り付け、前記
半導体チップとリードフレームとを接続線によって接続
し、前記リードフレームをダイパッドおよび半導体チッ
プとともに所定間隔おきに配された放熱板の中に挿入
し、つづいて、各放熱板の中を樹脂封止し、つづいて、
リードフレームを各半導体装置ごとに切り離すことによ
り、一回の工程で数多くの半導体装置を製造することが
でき、半導体装置の量産が可能となるという効果があ
る。
よれば、ダイパッド上に半導体チップを取り付け、前記
半導体チップとリードフレームとを接続線によって接続
し、前記リードフレームをダイパッドおよび半導体チッ
プとともに所定間隔おきに配された放熱板の中に挿入
し、つづいて、各放熱板の中を樹脂封止し、つづいて、
リードフレームを各半導体装置ごとに切り離すことによ
り、一回の工程で数多くの半導体装置を製造することが
でき、半導体装置の量産が可能となるという効果があ
る。
【図１】半導体装置の断面図である。
【図２】半導体装置の断面図である。
【図３】半導体装置の断面図である。
【図４】半導体装置の断面図である。
【図５】半導体装置の断面図である。
【図６】半導体装置の断面図である。
【図７】半導体装置の断面図である。
【図８】半導体装置の断面図である。
【図９】半導体装置の一部斜視図である。
【図１０】半導体装置の一部斜視図である。
【図１１】半導体装置の一部斜視図である。
【図１２】半導体装置の製造方法を示す一部斜視図であ
る。
る。
【図１３】半導体装置の製造方法を示す一部斜視図であ
る。
る。
【図１４】従来の半導体装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ 半導体チップ ２ ダイパッド ３ 外部リード ４ 封止用樹脂 ５ 放熱用フィン ６ 放熱板 ７ 放熱用突起 ８ ヒートスプレッター ９ インナーリード １０ 接続線（ワイヤー） １１ リードフレーム
Claims (11)
- 【請求項１】 ダイパッドと、このダイパッド上に取り
付けられる半導体チップと、前記ダイパッドおよび半導
体チップを樹脂封止する封止用樹脂を備えてなる半導体
装置において、前記ダイパッドを封止用樹脂の表面に露
出したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 ダイパッドと、このダイパッド上に取り
付けられる半導体チップと、前記ダイパッドおよび半導
体チップを樹脂封止する封止用樹脂を備えてなる半導体
装置において、前記ダイパッドを前記半導体チップを包
みこむように形成し、当該ダイパッドの中および半導体
チップを樹脂封止したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 ダイパッドと、このダイパッド上に取り
付けられる半導体チップと、前記ダイパットおよび半導
体チップを樹脂封止する封止用樹脂を備えてなる半導体
装置において、前記ダイパッドを前記半導体チップを包
みこむように形成し、かつ、前記半導体チップおよび前
記ダイパッド全体を封止用樹脂によって樹脂封止してな
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 ダイパッドと、このダイパッド上に取り
付けられる半導体チップと、前記ダイパッドおよび半導
体チップを樹脂封止する封止用樹脂を備えてなる半導体
装置において、前記ダイパッドを前記半導体チップを包
みこむように形成し、かつ、当該ダイパッドの端部に放
熱用フィンを前記封止用樹脂より露出して形成したこと
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 ダイパッドと、このダイパッド上に取り
付けられる半導体チップと、前記ダイパッドおよび半導
体チップを樹脂封止する封止用樹脂を備えてなる半導体
装置において、放熱板を前記封止用樹脂の表面に露出し
て取り付けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 ダイパッドと、このダイパッド上に取り
付けられる半導体チップと、前記ダイパッドおよび半導
体チップを樹脂封止する封止用樹脂を備えてなる半導体
装置において、放熱板を前記ダイパッドおよび半導体チ
ップを包みこむように形成し、かつ、当該放熱板の中、
前記ダイパッドおよび半導体チップを封止用樹脂によっ
て樹脂封止したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】 ダイパッドと、このダイパッド上に取り
付けられる半導体チップと、前記ダイパッドおよび半導
体チップを樹脂封止する封止用樹脂を備えてなる半導体
装置において、前記ダイパッドの端部に、外部に露出す
る放熱用突起を前記封止用樹脂の表面に沿って設けたこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 ダイパッドと、このダイパッド上に取り
付けられる半導体チップと、前記ダイパッドおよび半導
体チップを樹脂封止する封止用樹脂を備えてなる半導体
装置において、ヒートスプレッダーを前記ダイパッドお
よび半導体チップとともに封止用樹脂によって樹脂封止
し、かつ、当該ヒートスプレッダーの端部に、外部に露
出する放熱用突起を設けたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項９】 ダイパッドと、このダイパッド上に取り
付けられる半導体チップと、前記ダイパッドおよび半導
体チップを樹脂封止する封止用樹脂を備えてなる半導体
装置において、ヒートスプレッダーをダイパッドおよび
半導体チップとともに封止用樹脂によって樹脂封止し、
当該ヒートスプレッダーの端部に、外部に露出する放熱
用突起を設け、かつ、当該放熱用突起を外部リードとと
もに下方に折り曲げたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１０】 放熱板をダイパッドおよび半導体チッ
プを包みこむように形成し、この放熱板の中にダイパッ
ド上に半導体チップを取り付け、かつ、前記半導体チッ
プとリードフレームとを接続線によって接続したものを
前記放熱板の中に挿入し、つづいて、前記放熱板の中を
封止用樹脂によって樹脂封止することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 ダイパッドおよび半導体チップを包み
こむように形成された放熱板を所定間隔おきに配し、当
該放熱板の中にダイパッド上に半導体チップを取り付け
るとともに、前記半導体チップとリードフレームとを接
続線によって接続したものを挿入し、つづいて、各放熱
板の中を封止用樹脂によって樹脂封止し、つづいて、前
記リードフレームを各半導体装置ごとに切り離すことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4012887A JPH05206319A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4012887A JPH05206319A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206319A true JPH05206319A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11817917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4012887A Pending JPH05206319A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206319A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687007A3 (en) * | 1994-05-31 | 1997-04-16 | Motorola Inc | Surface mount electronic assembly and manufacturing process |
| JP2007150044A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2016127196A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 株式会社ソシオネクスト | 電子装置及び電子装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP4012887A patent/JPH05206319A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0687007A3 (en) * | 1994-05-31 | 1997-04-16 | Motorola Inc | Surface mount electronic assembly and manufacturing process |
| JP2007150044A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP2016127196A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 株式会社ソシオネクスト | 電子装置及び電子装置の製造方法 |
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