JPH0535217B2 - - Google Patents
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- JPH0535217B2 JPH0535217B2 JP3111886A JP3111886A JPH0535217B2 JP H0535217 B2 JPH0535217 B2 JP H0535217B2 JP 3111886 A JP3111886 A JP 3111886A JP 3111886 A JP3111886 A JP 3111886A JP H0535217 B2 JPH0535217 B2 JP H0535217B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は真空槽内で物質の蒸気のクラスタと
反応性ガスの遊離基とを射突させ、上記の物質と
反応性ガスの化合物を被蒸着材の表面に蒸着する
蒸着装置に関するものである。
反応性ガスの遊離基とを射突させ、上記の物質と
反応性ガスの化合物を被蒸着材の表面に蒸着する
蒸着装置に関するものである。
第２図は、例えば特願昭59−116908号特許願に
示された従来の化合物薄膜の蒸着装置を模式的に
示す概念図である。図において、１は真空槽、２
はこの真空槽内に配置され、表面に化合物薄膜を
蒸着する被蒸着材、３は導電性材料からなり、ノ
ズルを有する密閉型の坩堝、４はこの坩堝に充填
され、上記化合物薄膜を組成する物質、５は上記
坩堝３を放射電子の衝撃により加熱する坩堝加熱
フイラメント、６は上記物質４の蒸気を上記坩堝
３のノズルから噴出させて形成したクラスタ（塊
状原子集団）、７はこのクラスタに放射電子を衝
突させ、その一部をイオン化するイオン化フイラ
メント、８はこのイオン化フイラメントから電子
を引き出し、加速する電子引き出し電極、９は上
記クラスタ６に上記イオン化フイラメント７から
放射した電子を衝突させ、その構成原子の１個だ
けをイオン化したクラスタ・イオン、１０はこの
クラスタ・イオンを電界で加速し、運動エネルギ
を付与する加速電極、１１は上記坩堝加熱フイラ
メント５で発生する熱を遮蔽する熱遮蔽板、１２
は上記イオン化フイラメント７で発生する熱を遮
蔽する熱遮蔽板、１５は上記真空槽１を排気する
真空排気装置、１６は上記真空槽１を所定の真空
度に自動的に保持するためのゲート・バルブ、２
０は上記化合物薄膜を組成する分子状態の反応性
ガス、２１はこの反応性ガスの分子をイオン化
し、ノズルからイオン・ビームとして噴出させる
イオン・ビーム発生器であつて、この従来装置で
は、高周波放電型のものを使用している。２２は
上記イオン・ビーム発生器により、上記反応性ガ
ス２０をイオン化したガス・イオン、２３はこの
ガス・イオンを集束する静電レンズ系、２４は上
記ガス・イオン２２を偏向する偏向電極、２５は
上記真空槽１の外に配置され、上記反応性ガス２
０を圧縮充填したガス・ボンベ、２６はこのガ
ス・ボンベの圧縮ガスを減圧するリーク・バル
ブ、４１は上記反応性ガス２０を上記被蒸着材２
の表面に向けて噴出するノズルを有するガス噴出
器である。
示された従来の化合物薄膜の蒸着装置を模式的に
示す概念図である。図において、１は真空槽、２
はこの真空槽内に配置され、表面に化合物薄膜を
蒸着する被蒸着材、３は導電性材料からなり、ノ
ズルを有する密閉型の坩堝、４はこの坩堝に充填
され、上記化合物薄膜を組成する物質、５は上記
坩堝３を放射電子の衝撃により加熱する坩堝加熱
フイラメント、６は上記物質４の蒸気を上記坩堝
３のノズルから噴出させて形成したクラスタ（塊
状原子集団）、７はこのクラスタに放射電子を衝
突させ、その一部をイオン化するイオン化フイラ
メント、８はこのイオン化フイラメントから電子
を引き出し、加速する電子引き出し電極、９は上
記クラスタ６に上記イオン化フイラメント７から
放射した電子を衝突させ、その構成原子の１個だ
けをイオン化したクラスタ・イオン、１０はこの
クラスタ・イオンを電界で加速し、運動エネルギ
を付与する加速電極、１１は上記坩堝加熱フイラ
メント５で発生する熱を遮蔽する熱遮蔽板、１２
は上記イオン化フイラメント７で発生する熱を遮
蔽する熱遮蔽板、１５は上記真空槽１を排気する
真空排気装置、１６は上記真空槽１を所定の真空
度に自動的に保持するためのゲート・バルブ、２
０は上記化合物薄膜を組成する分子状態の反応性
ガス、２１はこの反応性ガスの分子をイオン化
し、ノズルからイオン・ビームとして噴出させる
イオン・ビーム発生器であつて、この従来装置で
は、高周波放電型のものを使用している。２２は
上記イオン・ビーム発生器により、上記反応性ガ
ス２０をイオン化したガス・イオン、２３はこの
ガス・イオンを集束する静電レンズ系、２４は上
記ガス・イオン２２を偏向する偏向電極、２５は
上記真空槽１の外に配置され、上記反応性ガス２
０を圧縮充填したガス・ボンベ、２６はこのガ
ス・ボンベの圧縮ガスを減圧するリーク・バル
ブ、４１は上記反応性ガス２０を上記被蒸着材２
の表面に向けて噴出するノズルを有するガス噴出
器である。
従来の化合物薄膜の蒸着装置は上記のように構
成されており、まず、真空排気装置１５により真
空槽１の真空度が10-6Torr程度になるまで排気
する。その後、イオン・ビーム発生器２１を作動
させて、反応性ガス２０が例えば、酸素の場合、
そのガス・イオン２２、すなわちO2 +をガス噴出
器４１のノズルから噴出させて、被蒸着材２の表
面に射突させる。一方、坩堝３内の物質４の蒸気
圧が数Torrになる温度、例えば、物質４がアル
ミニウムの場合、1600℃位まで、坩堝加熱フイラ
メント５からの放射電子の衝撃により坩堝３を加
熱し、物質４の蒸気を坩堝３のノズルから真空槽
１内に噴出させる。噴出された物質４の蒸気は坩
堝３のノズルの近傍において、断熱膨脹による過
冷却のため過飽和状態となつて凝縮し、クラスタ
６が形成される。次いで、このクラスタ６にイオ
ン化フイラメント７から放射され、電子引き出し
電極８で加速された電子を衝突させ、その一部を
イオン化して、クラスタ・イオン９を形成する。
このクラスタ・イオン９を加速電極１０の電界で
加速して運動エネルギを付与し、イオン化しない
中性のクラスタ６と共に被蒸着材２の表面に射突
させる。被蒸着材２の表面では、物質４の蒸気の
クラスタ６及びクラスタ・イオン９と反応性ガス
２０及びガス・イオン２２との化学反応が進行
し、例えば、物質４がアルミニウムで、反応性ガ
ス２０が酸素の場合、被蒸着材２の表面には化合
物である酸化アルミニウムAl2O3の薄膜が形成さ
れる。
成されており、まず、真空排気装置１５により真
空槽１の真空度が10-6Torr程度になるまで排気
する。その後、イオン・ビーム発生器２１を作動
させて、反応性ガス２０が例えば、酸素の場合、
そのガス・イオン２２、すなわちO2 +をガス噴出
器４１のノズルから噴出させて、被蒸着材２の表
面に射突させる。一方、坩堝３内の物質４の蒸気
圧が数Torrになる温度、例えば、物質４がアル
ミニウムの場合、1600℃位まで、坩堝加熱フイラ
メント５からの放射電子の衝撃により坩堝３を加
熱し、物質４の蒸気を坩堝３のノズルから真空槽
１内に噴出させる。噴出された物質４の蒸気は坩
堝３のノズルの近傍において、断熱膨脹による過
冷却のため過飽和状態となつて凝縮し、クラスタ
６が形成される。次いで、このクラスタ６にイオ
ン化フイラメント７から放射され、電子引き出し
電極８で加速された電子を衝突させ、その一部を
イオン化して、クラスタ・イオン９を形成する。
このクラスタ・イオン９を加速電極１０の電界で
加速して運動エネルギを付与し、イオン化しない
中性のクラスタ６と共に被蒸着材２の表面に射突
させる。被蒸着材２の表面では、物質４の蒸気の
クラスタ６及びクラスタ・イオン９と反応性ガス
２０及びガス・イオン２２との化学反応が進行
し、例えば、物質４がアルミニウムで、反応性ガ
ス２０が酸素の場合、被蒸着材２の表面には化合
物である酸化アルミニウムAl2O3の薄膜が形成さ
れる。
なお、上記従来装置の説明ではガス噴出器４１
のノズルから噴出するガス・イオン２１は静電レ
ンズ系２３と偏向電極２４を用いて集束・偏向を
行なつていないが、これらを用いると、被蒸着材
２の表面におけるガス・イオン２２のビームの射
突位置を制御することにより、局部的な膜の形成
や膜質を制御することができる。
のノズルから噴出するガス・イオン２１は静電レ
ンズ系２３と偏向電極２４を用いて集束・偏向を
行なつていないが、これらを用いると、被蒸着材
２の表面におけるガス・イオン２２のビームの射
突位置を制御することにより、局部的な膜の形成
や膜質を制御することができる。
上記のような従来の化合物薄膜の蒸着装置で
は、イオン・ビーム発生器２１で反応性ガス２０
をイオン化するが、ガス噴出器４１内の反応性ガ
ス２０の圧力が低いため、平均自由行程が大き
く、反応性ガス２０の分子と電子との衝突確率が
低くてイオン化が困難である。従つて、真空槽１
内には反応性ガス２０の大部分が分子の状態で噴
出して活性度が低く、被蒸着材２の表面に化合物
薄膜が蒸着しにくいという問題点があつた。
は、イオン・ビーム発生器２１で反応性ガス２０
をイオン化するが、ガス噴出器４１内の反応性ガ
ス２０の圧力が低いため、平均自由行程が大き
く、反応性ガス２０の分子と電子との衝突確率が
低くてイオン化が困難である。従つて、真空槽１
内には反応性ガス２０の大部分が分子の状態で噴
出して活性度が低く、被蒸着材２の表面に化合物
薄膜が蒸着しにくいという問題点があつた。
この発明はかかる問題点を解決するためになさ
れたもので、被蒸着材の表面に能率よく、安定し
て質のよい化合物薄膜を蒸着することができる蒸
着装置を得ることを目的とする。
れたもので、被蒸着材の表面に能率よく、安定し
て質のよい化合物薄膜を蒸着することができる蒸
着装置を得ることを目的とする。
この発明に係る蒸着装置は真空槽内において、
被蒸着材の表面に射突する物質蒸気のクラスタを
発生する蒸気発生器と、上記被蒸着材の表面に向
けて反応性ガスを噴出するガス噴出器とこの噴出
した反応性ガスの遊離基を発生する遊離基発生手
段とを設け上記被蒸着材の表面に上記の物質と反
応性ガスとの化合物を蒸着するようにしたもので
ある。
被蒸着材の表面に射突する物質蒸気のクラスタを
発生する蒸気発生器と、上記被蒸着材の表面に向
けて反応性ガスを噴出するガス噴出器とこの噴出
した反応性ガスの遊離基を発生する遊離基発生手
段とを設け上記被蒸着材の表面に上記の物質と反
応性ガスとの化合物を蒸着するようにしたもので
ある。
この発明においては、被蒸着材の表面に蒸着す
べき化合物を組成する物質蒸気のクラスタと上記
化合物を組成する反応性ガスの分子を解離した極
めて活性度の高い遊離基とが上記被蒸着材の表面
に向けて射突するので、上記物質蒸着のクラスタ
と反応性ガスの遊離基との化学反応が能率よく、
安定して行なわれる。
べき化合物を組成する物質蒸気のクラスタと上記
化合物を組成する反応性ガスの分子を解離した極
めて活性度の高い遊離基とが上記被蒸着材の表面
に向けて射突するので、上記物質蒸着のクラスタ
と反応性ガスの遊離基との化学反応が能率よく、
安定して行なわれる。
第１図はこの発明の一実施例を模式的に示す概
念図であり、１〜１２，１５，１６，２０，２
５，２６，４１は上記従来装置と同一または相当
のものである。２７は反応性ガス２０の分子を解
離した極めて活性度の高い遊離基、３１は上記真
空槽１の側面に設けた窓ガラス、４２は上記ガス
噴出器４１から噴出した上記反応性ガス２０の分
子を解離し、極めて活性度の高い遊離基２７を発
生するレーザ装置であつて、短波長のレーザ光線
をだし、上記真空槽１の外から上記窓ガラス３１
を通して、上記反応性ガス２０に照射する。４３
は上記レーザ装置４２からのレーザ光線を透過す
る部分と反射面とを有するハーフ・ミラー、４４
は上記レーザ装置４２からのレーザ光線を反射す
るミラーである。なお、上記の坩堝３、坩堝加熱
フイラメント５、イオン化フイラメント７、電子
引き出し電極８及び加速電極１０により蒸気発生
器が構成され、また、上記のレーザ装置４２、ハ
ーフ・ミラー４３、ミラー４４により遊離基発生
手段５０が構成されている。
念図であり、１〜１２，１５，１６，２０，２
５，２６，４１は上記従来装置と同一または相当
のものである。２７は反応性ガス２０の分子を解
離した極めて活性度の高い遊離基、３１は上記真
空槽１の側面に設けた窓ガラス、４２は上記ガス
噴出器４１から噴出した上記反応性ガス２０の分
子を解離し、極めて活性度の高い遊離基２７を発
生するレーザ装置であつて、短波長のレーザ光線
をだし、上記真空槽１の外から上記窓ガラス３１
を通して、上記反応性ガス２０に照射する。４３
は上記レーザ装置４２からのレーザ光線を透過す
る部分と反射面とを有するハーフ・ミラー、４４
は上記レーザ装置４２からのレーザ光線を反射す
るミラーである。なお、上記の坩堝３、坩堝加熱
フイラメント５、イオン化フイラメント７、電子
引き出し電極８及び加速電極１０により蒸気発生
器が構成され、また、上記のレーザ装置４２、ハ
ーフ・ミラー４３、ミラー４４により遊離基発生
手段５０が構成されている。
上記のように構成された化合物の蒸着装置にお
いて、真空槽１を10-7〜10-6Torrの高い真空度
になるまで排気した後、反応性ガス２０、例え
ば、酸素をガス噴出器４１のノズルから被蒸着材
２の表面に向けて噴出する。この噴出した酸素ガ
スに遊離基発生手段５０のレーザ装置４２からハ
ーフ・ミラー４３、ミラー４４を介して短波長の
レーザ光線を照射して、酸素の分子O2を解離し
て活性度の高い遊離基O*とし、解離しなかつた
酸素の分子O2と共に被蒸着材２の表面に射突さ
せる。この際、ハーフ・ミラー４３とミラー４４
はそれぞれの反射面がガス噴出器４１の噴出方向
の中心軸と平行になるように配置され、レーザ装
置４２はレーザ光線がハーフ・ミラー４３の反射
面に直角よりやゝ小さい角度で入射し、ミラー４
４とハーフ・ミラー４３との間で反射を繰返すよ
うに配置される。一方、従来装置と同じく、蒸気
発生器３０を構成する坩堝３と坩堝加熱フイラメ
ント５により、坩堝３内の物質４の蒸気圧が数
Torrになる温度、例えば、物質４がアルミニウ
ムの場合、約1600℃まで加熱され、アルミニウム
の蒸気を坩堝３のノズルから10-5〜10-4Torrの
真空度に維持された真空槽１内に噴出させる。噴
出したアルミニウムの蒸気は断熱膨脹による過冷
却で過飽和状態となつて、凝縮されクラスタ６と
なる。次いで、このクラスタ６にイオン化フイラ
メント７からの電子を衝突させて、クラスタ・イ
オン９を形成する。このクラスタ・イオン９は加
速電極１０の電界で加速され、イオン化しない中
性のクラスタ６と共に被蒸着材２の表面に射突さ
れ、上記活性度の高い遊離基O*との化学反応が
進行し、これらの化合物である酸化アルミニウム
Al2O3が上記被蒸着材２の表面に能率よく安定し
て蒸着する。
いて、真空槽１を10-7〜10-6Torrの高い真空度
になるまで排気した後、反応性ガス２０、例え
ば、酸素をガス噴出器４１のノズルから被蒸着材
２の表面に向けて噴出する。この噴出した酸素ガ
スに遊離基発生手段５０のレーザ装置４２からハ
ーフ・ミラー４３、ミラー４４を介して短波長の
レーザ光線を照射して、酸素の分子O2を解離し
て活性度の高い遊離基O*とし、解離しなかつた
酸素の分子O2と共に被蒸着材２の表面に射突さ
せる。この際、ハーフ・ミラー４３とミラー４４
はそれぞれの反射面がガス噴出器４１の噴出方向
の中心軸と平行になるように配置され、レーザ装
置４２はレーザ光線がハーフ・ミラー４３の反射
面に直角よりやゝ小さい角度で入射し、ミラー４
４とハーフ・ミラー４３との間で反射を繰返すよ
うに配置される。一方、従来装置と同じく、蒸気
発生器３０を構成する坩堝３と坩堝加熱フイラメ
ント５により、坩堝３内の物質４の蒸気圧が数
Torrになる温度、例えば、物質４がアルミニウ
ムの場合、約1600℃まで加熱され、アルミニウム
の蒸気を坩堝３のノズルから10-5〜10-4Torrの
真空度に維持された真空槽１内に噴出させる。噴
出したアルミニウムの蒸気は断熱膨脹による過冷
却で過飽和状態となつて、凝縮されクラスタ６と
なる。次いで、このクラスタ６にイオン化フイラ
メント７からの電子を衝突させて、クラスタ・イ
オン９を形成する。このクラスタ・イオン９は加
速電極１０の電界で加速され、イオン化しない中
性のクラスタ６と共に被蒸着材２の表面に射突さ
れ、上記活性度の高い遊離基O*との化学反応が
進行し、これらの化合物である酸化アルミニウム
Al2O3が上記被蒸着材２の表面に能率よく安定し
て蒸着する。
なお、上記実施例では、遊離基発生手段５０は
レーザ装置４２とハーフ・ミラー４３、ミラー４
４とから構成されるものとしたが、所定の高い真
空領域で反応性ガス２０の分子を解離し、活性化
した遊離基２７が得られるものであれば、他の方
式の遊離基発生手段、例えば、電子ビーム装置で
あつてもよい。この電子ビーム装置は電子ビーム
を分子に衝突させた場合、そのエネルギーレベル
によつて起こる現象を応用したもので、非常に高
い電子密度の電子を分子に衝突させると、イオン
化及び励起状態の分子も生成されるが、分子間の
結合が切れていわゆる原子に遊離（解離）した状
態が作られる。
レーザ装置４２とハーフ・ミラー４３、ミラー４
４とから構成されるものとしたが、所定の高い真
空領域で反応性ガス２０の分子を解離し、活性化
した遊離基２７が得られるものであれば、他の方
式の遊離基発生手段、例えば、電子ビーム装置で
あつてもよい。この電子ビーム装置は電子ビーム
を分子に衝突させた場合、そのエネルギーレベル
によつて起こる現象を応用したもので、非常に高
い電子密度の電子を分子に衝突させると、イオン
化及び励起状態の分子も生成されるが、分子間の
結合が切れていわゆる原子に遊離（解離）した状
態が作られる。
また、蒸気発生器３０のイオン化フイラメント
７、電子引き出し電極８、加速電極１０を省略
し、クラスタ・イオン９を形成せずに、クラスタ
６を直接、被蒸着材２に射突させてもよい。
７、電子引き出し電極８、加速電極１０を省略
し、クラスタ・イオン９を形成せずに、クラスタ
６を直接、被蒸着材２に射突させてもよい。
さらに、上記実施例では、被蒸着材２の表面に
対し、坩堝３、電子引き出し電極８、加速電極１
０は対向し、ガス噴出器４１、ハーフ・ミラー４
３、ミラー４４は傾斜配置させたものを示した
が、被蒸着材２の表面にクラスタ６及びクラス
タ・イオン９と反応性ガス２０及びその遊離基２
７とが重層して射突するのであれば、坩堝３、電
子引き出し電極８、加速電極１０とガス噴出器４
１、ハーフ・ミラー４３、ミラー４４の配置は他
の形式のものであつてもよい。
対し、坩堝３、電子引き出し電極８、加速電極１
０は対向し、ガス噴出器４１、ハーフ・ミラー４
３、ミラー４４は傾斜配置させたものを示した
が、被蒸着材２の表面にクラスタ６及びクラス
タ・イオン９と反応性ガス２０及びその遊離基２
７とが重層して射突するのであれば、坩堝３、電
子引き出し電極８、加速電極１０とガス噴出器４
１、ハーフ・ミラー４３、ミラー４４の配置は他
の形式のものであつてもよい。
この発明は以上説明したとおり、所定の真空度
に保持された真空槽内において、被蒸着材の表面
に蒸着すべき化合物を組成する物質蒸気のクラス
タと上記化合物を組成する反応性ガスの分子を解
離した極めて活性度の高い遊離基とを上記被蒸着
材の表面に射突させるので、上記被蒸着材の表面
には上記の物質と反応性ガスとの化合物が能率よ
く、安定して蒸着するという効果がある。
に保持された真空槽内において、被蒸着材の表面
に蒸着すべき化合物を組成する物質蒸気のクラス
タと上記化合物を組成する反応性ガスの分子を解
離した極めて活性度の高い遊離基とを上記被蒸着
材の表面に射突させるので、上記被蒸着材の表面
には上記の物質と反応性ガスとの化合物が能率よ
く、安定して蒸着するという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を模式的に示す概
念図、第２図は従来の化合物薄膜の蒸着装置を模
式的に示す概念図である。 図において、１は真空槽、２は被蒸着材、３は
坩堝、４は物質、５は坩堝加熱フイラメント、６
はクラスタ、７はイオン化フイラメント、８は電
子引き出し電極、９はクラスタ・イオン、１０は
加速電極、１５は真空排気装置、２０は反応性ガ
ス、２７は遊離基、３０は蒸気発生器、３１は窓
ガラス、４１はガス噴出器、４２はレーザ装置、
４３はハーフ・ミラー、４４はミラー、５０は遊
離基発生手段である。なお、各図中、同一符号は
同一または相当部分を示す。
念図、第２図は従来の化合物薄膜の蒸着装置を模
式的に示す概念図である。 図において、１は真空槽、２は被蒸着材、３は
坩堝、４は物質、５は坩堝加熱フイラメント、６
はクラスタ、７はイオン化フイラメント、８は電
子引き出し電極、９はクラスタ・イオン、１０は
加速電極、１５は真空排気装置、２０は反応性ガ
ス、２７は遊離基、３０は蒸気発生器、３１は窓
ガラス、４１はガス噴出器、４２はレーザ装置、
４３はハーフ・ミラー、４４はミラー、５０は遊
離基発生手段である。なお、各図中、同一符号は
同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の真空度を有し、被蒸着材を収容する真
空槽、この真空槽内に設けられ、上記被蒸着材の
表面に射突される物質の蒸気をクラスタ状に発生
させる蒸気発生器、上記被蒸着材の表面に射突さ
れる反応性ガスの遊離基を発生する遊離基発生手
段を備え、上記被蒸着材の表面に上記の物質と反
応性ガスとの化合物を蒸着させることを特徴とす
る蒸着装置。 ２ 遊離基発生手段は反応性ガスに照射されるレ
ーザ光線を出すレーザ装置であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の蒸着装置。 ３ レーザ装置はレーザ光線を反応性ガスに複数
回照射させる反射ミラーを有することを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の蒸着装置。 ４ 遊離基発生手段は反応性ガスに照射される電
子ビームを発生する電子ビーム装置であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の蒸着装
置。 ５ 蒸気発生器はクラスタ状の物質蒸気をイオン
化装置とイオン化したクラスタ・イオンを加速す
る加速電極を有することを特徴とする第１項ない
し第４項のいずれかに記載の蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111886A JPS62188774A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111886A JPS62188774A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188774A JPS62188774A (ja) | 1987-08-18 |
| JPH0535217B2 true JPH0535217B2 (ja) | 1993-05-26 |
Family
ID=12322489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3111886A Granted JPS62188774A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62188774A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03245523A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 量子井戸構造の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP3111886A patent/JPS62188774A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62188774A (ja) | 1987-08-18 |
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