JPH0535340Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0535340Y2 JPH0535340Y2 JP12267387U JP12267387U JPH0535340Y2 JP H0535340 Y2 JPH0535340 Y2 JP H0535340Y2 JP 12267387 U JP12267387 U JP 12267387U JP 12267387 U JP12267387 U JP 12267387U JP H0535340 Y2 JPH0535340 Y2 JP H0535340Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting ring
- lead wire
- superconducting
- coil
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
本考案はDC−スクイツド磁束計に関し、更に
詳しくは磁界検出のノイズ磁束の低減をはかつた
ものである。
詳しくは磁界検出のノイズ磁束の低減をはかつた
ものである。
<従来の技術>
DC−スクイツド磁束計は、ジヨセフソン接合
を有する超伝導リングとピツクアツプコイル、イ
ンプツトコイル等を含んで構成されており、超伝
導リングに加わる外部磁界に対し磁束量子φ。
(2.07×10-15wb)を周期とした電圧信号を出力す
るもので、高感度で磁束測定を行うことが出来
る。
を有する超伝導リングとピツクアツプコイル、イ
ンプツトコイル等を含んで構成されており、超伝
導リングに加わる外部磁界に対し磁束量子φ。
(2.07×10-15wb)を周期とした電圧信号を出力す
るもので、高感度で磁束測定を行うことが出来
る。
第3図はこの様なスクイツド磁束計を示す一般
的な構成図である。図において、1はジヨセフソ
ン接合部A,Bを有する超伝導リング、2はこの
超伝導リング1に結合するインダクタンスL1の
インプツトコイル、21,22は超伝導材料で出
来たインプツトコイル2の端子、3はインダクタ
ンスLpのピツクアツプコイルで、インプツトコ
イル2とともに超伝導閉ループを構成するように
端子21,22を介して直列に接続されている。
36は2つのジヨセフソン接合間にバイアス電流
を供給するためのバイアス電流源、7は超伝導リ
ング1からの出力電圧を増幅する増幅器である。
ここで、超伝導リング1、インプツトコイル2、
端子21,22、ピツクアツプコイル3はいずれ
もクライオスタツト8内に収納され、液体ヘリウ
ム温度に維持される。
的な構成図である。図において、1はジヨセフソ
ン接合部A,Bを有する超伝導リング、2はこの
超伝導リング1に結合するインダクタンスL1の
インプツトコイル、21,22は超伝導材料で出
来たインプツトコイル2の端子、3はインダクタ
ンスLpのピツクアツプコイルで、インプツトコ
イル2とともに超伝導閉ループを構成するように
端子21,22を介して直列に接続されている。
36は2つのジヨセフソン接合間にバイアス電流
を供給するためのバイアス電流源、7は超伝導リ
ング1からの出力電圧を増幅する増幅器である。
ここで、超伝導リング1、インプツトコイル2、
端子21,22、ピツクアツプコイル3はいずれ
もクライオスタツト8内に収納され、液体ヘリウ
ム温度に維持される。
第4図は薄膜積層プレーナ型と呼ばれる超伝導
リングおよびインプツトコイルの従来例を示す斜
視図で、これら超伝導リングおよびインプツトコ
イルは例えばシリコン基板にNbなどの超伝導金
属を蒸着・積層して形成する。
リングおよびインプツトコイルの従来例を示す斜
視図で、これら超伝導リングおよびインプツトコ
イルは例えばシリコン基板にNbなどの超伝導金
属を蒸着・積層して形成する。
この例では超伝導リングは中央部に孔33を有
する矩形状の一辺の中央部が突出した凸状とさ
れ、孔33から延長して前記突部を2分するよう
に絶縁溝34が形成され、前記突部の先端とリー
ド線38の先端の間にジヨセフソン接合が設けら
れている。なお、絶縁溝34は超伝導金属で覆つ
ているが、これは超伝導リングに発生する磁束を
孔33の中に集中させる為で有る。アース用リー
ド線38の他端はアース接続用パツド37に接続
されており、突部を有する辺の対辺の中央部には
バイアス用リード線36の一端が接続され、その
他端にはバイアス電流接続用のパツド35が接続
されている。なお、2は渦巻き状のインプツトコ
イル、32はモジユレーシヨンコイルであり、超
伝導リング31を含めてそれぞれが互いに絶縁し
て形成されている。第5図はこの様な超伝導リン
グのリード線と超伝導リングの位置関係を示すも
ので、各リード線に流れるバイアス電流に重畳す
るノイズ電流による磁場が超伝導リングをよぎら
ないのでノイズは発生しない。
する矩形状の一辺の中央部が突出した凸状とさ
れ、孔33から延長して前記突部を2分するよう
に絶縁溝34が形成され、前記突部の先端とリー
ド線38の先端の間にジヨセフソン接合が設けら
れている。なお、絶縁溝34は超伝導金属で覆つ
ているが、これは超伝導リングに発生する磁束を
孔33の中に集中させる為で有る。アース用リー
ド線38の他端はアース接続用パツド37に接続
されており、突部を有する辺の対辺の中央部には
バイアス用リード線36の一端が接続され、その
他端にはバイアス電流接続用のパツド35が接続
されている。なお、2は渦巻き状のインプツトコ
イル、32はモジユレーシヨンコイルであり、超
伝導リング31を含めてそれぞれが互いに絶縁し
て形成されている。第5図はこの様な超伝導リン
グのリード線と超伝導リングの位置関係を示すも
ので、各リード線に流れるバイアス電流に重畳す
るノイズ電流による磁場が超伝導リングをよぎら
ないのでノイズは発生しない。
<考案が解決しようとする問題点>
しかしながら、上記のような構成においてはバ
イアス電流接続用のパツドとアース接続用のパツ
ドが離れた位置に有るので、これらのパツドヘボ
ンデイング作業をする際の作業性が悪いという問
題が有る。また、作業性をよくするために2つの
パツドを近接して設けた場合、例えば第6図に示
すようにリード線は超伝導リングの側面を通つて
対辺まで導かれる。この場合リード線が超伝導リ
ングの近傍を通るとバイアス電流に重畳している
ノイズ電流の磁場が超伝導リングにカツプルして
精度低下の原因となる。このためリード線を超伝
導リングから遠ざけた経路を通つて対辺まで導く
ことが考えられるが基板の小形化という点で問題
である。
イアス電流接続用のパツドとアース接続用のパツ
ドが離れた位置に有るので、これらのパツドヘボ
ンデイング作業をする際の作業性が悪いという問
題が有る。また、作業性をよくするために2つの
パツドを近接して設けた場合、例えば第6図に示
すようにリード線は超伝導リングの側面を通つて
対辺まで導かれる。この場合リード線が超伝導リ
ングの近傍を通るとバイアス電流に重畳している
ノイズ電流の磁場が超伝導リングにカツプルして
精度低下の原因となる。このためリード線を超伝
導リングから遠ざけた経路を通つて対辺まで導く
ことが考えられるが基板の小形化という点で問題
である。
本考案は上記従来技術の問題点に鑑みて成され
たもので、超伝導リングが形成される基板の小形
化および作業性を妨げることなくノイズ電流の磁
場が超伝導リングにカツプルすることのない超伝
導リングを提供することを目的とするものであ
る。
たもので、超伝導リングが形成される基板の小形
化および作業性を妨げることなくノイズ電流の磁
場が超伝導リングにカツプルすることのない超伝
導リングを提供することを目的とするものであ
る。
<問題点を解決するための手段>
上記問題点を解決するための本考案の構成は、
被測定磁束を検出するピツクアツプコイルと、こ
のピツクアツプコイルに接続され、このコイルと
ともに超伝導閉ループを形成するインプツトコイ
ルと、このインプツトコイルに結合する超伝導リ
ングを含んで構成されるDC−スクイド磁束計に
おいて、前記超伝導リングは、2つのジヨセフソ
ン接合を基板に形成されたアース接続用リード線
との間で形成し、前記超伝導リングにバイアス電
圧を供給するためのリード線を、前記超伝導リン
グの中央部を横切るとともに、前記アース用リー
ド線に重畳して形成したことを特徴とするもので
ある。
被測定磁束を検出するピツクアツプコイルと、こ
のピツクアツプコイルに接続され、このコイルと
ともに超伝導閉ループを形成するインプツトコイ
ルと、このインプツトコイルに結合する超伝導リ
ングを含んで構成されるDC−スクイド磁束計に
おいて、前記超伝導リングは、2つのジヨセフソ
ン接合を基板に形成されたアース接続用リード線
との間で形成し、前記超伝導リングにバイアス電
圧を供給するためのリード線を、前記超伝導リン
グの中央部を横切るとともに、前記アース用リー
ド線に重畳して形成したことを特徴とするもので
ある。
<実施例>
第1図は本考案の一実施例を示す要部斜視図で
ある。図において第4図と同一要素には同一符号
を付して示すが、従来例と異なる点はアース接続
用のリード線38に重畳してバイアス電流源接続
用のリード線36を形成したことにある。なお、
リード線36は超伝導リングの中央部を横切つて
配置されている。また、図ではインプツトコイル
は省略して有り、リード線36は図示しない絶縁
層に設けたコンタクトホール40を介して超伝導
リングに接続される。また、リード線36と38
は絶縁層により絶縁されている。従つてバイアス
電流源IBはパツド35から導入され、コンタクト
ホール40を通じて超伝導リング31を通りジヨ
セフソン接合部を通つてリード線38を介してア
ース接続用パツド側に流れる。上記構成によれば
バイアス電流接続用のパツドとアース接続用のパ
ツドを近接して配置することが可能であり、ま
た、第4図の従来例においては超伝導リングに発
生する磁束を孔33の中に集中させる為に絶縁溝
34を超伝導金属で覆つているが、本考案におい
てはこの超伝導金属をバイアス用リード線36に
代えて形成する。
ある。図において第4図と同一要素には同一符号
を付して示すが、従来例と異なる点はアース接続
用のリード線38に重畳してバイアス電流源接続
用のリード線36を形成したことにある。なお、
リード線36は超伝導リングの中央部を横切つて
配置されている。また、図ではインプツトコイル
は省略して有り、リード線36は図示しない絶縁
層に設けたコンタクトホール40を介して超伝導
リングに接続される。また、リード線36と38
は絶縁層により絶縁されている。従つてバイアス
電流源IBはパツド35から導入され、コンタクト
ホール40を通じて超伝導リング31を通りジヨ
セフソン接合部を通つてリード線38を介してア
ース接続用パツド側に流れる。上記構成によれば
バイアス電流接続用のパツドとアース接続用のパ
ツドを近接して配置することが可能であり、ま
た、第4図の従来例においては超伝導リングに発
生する磁束を孔33の中に集中させる為に絶縁溝
34を超伝導金属で覆つているが、本考案におい
てはこの超伝導金属をバイアス用リード線36に
代えて形成する。
第2図は第1図のF部を断面で示すもので、リ
ード線36を流れる電流とリード線38を流れる
電流が逆向きとなり、互いのリード線に発生する
磁場をキヤンセルしている状態を示している。な
お、本実施例において超伝導リングを矩形としそ
の一辺に突部を設けた形状としたが、矩形部分は
円で有つても楕円で有つても良い。
ード線36を流れる電流とリード線38を流れる
電流が逆向きとなり、互いのリード線に発生する
磁場をキヤンセルしている状態を示している。な
お、本実施例において超伝導リングを矩形としそ
の一辺に突部を設けた形状としたが、矩形部分は
円で有つても楕円で有つても良い。
<考案の効果>
以上実施例とともに具体的に説明したように本
考案によれば、超伝導リングが形成される基板の
小形化および作業性を妨げることなくノイズ電流
の磁場が超伝導リングにカツプルすることのない
DC−スクイツド磁束計を実現する事が出来る。
考案によれば、超伝導リングが形成される基板の
小形化および作業性を妨げることなくノイズ電流
の磁場が超伝導リングにカツプルすることのない
DC−スクイツド磁束計を実現する事が出来る。
第1図は本考案の一実施例を示す構成斜視図、
第2図は第1図の超伝導リングのF部の断面図、
第3図はDC−スクイツド磁束計の一般的な構成
図、第4図は超伝導リングの従来例を示す構成
図、第5図、第6図は超伝導リングとリード線に
発生するノイズ電流による磁場の関係を示す図で
ある。 2……インプツトコイル、31……超伝導リン
グ、36,38……リード線、A,B……ジヨセ
フソン接合部。
第2図は第1図の超伝導リングのF部の断面図、
第3図はDC−スクイツド磁束計の一般的な構成
図、第4図は超伝導リングの従来例を示す構成
図、第5図、第6図は超伝導リングとリード線に
発生するノイズ電流による磁場の関係を示す図で
ある。 2……インプツトコイル、31……超伝導リン
グ、36,38……リード線、A,B……ジヨセ
フソン接合部。
Claims (1)
- 被測定磁束を検出するピツクアツプコイルと、
このピツクアツプコイルに接続され、このコイル
とともに超伝導閉ループを形成するインプツトコ
イルと、このインプツトコイルに結合する超伝導
リングを含んで構成されるDC−スクイド磁束計
において、前記超伝導リングは、2つのジヨセフ
ソン接合を基板に形成されたアース接続用リード
線との間で形成し、前記超伝導リングにバイアス
電圧を供給するためのリード線を、前記超伝導リ
ングの中央部を横切るとともに、前記アース用リ
ード線に重畳して形成したことを特徴とするDC
−スクイツド磁束計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12267387U JPH0535340Y2 (ja) | 1987-08-11 | 1987-08-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12267387U JPH0535340Y2 (ja) | 1987-08-11 | 1987-08-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6427671U JPS6427671U (ja) | 1989-02-17 |
| JPH0535340Y2 true JPH0535340Y2 (ja) | 1993-09-08 |
Family
ID=31370821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12267387U Expired - Lifetime JPH0535340Y2 (ja) | 1987-08-11 | 1987-08-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0535340Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-08-11 JP JP12267387U patent/JPH0535340Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6427671U (ja) | 1989-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5053834A (en) | High symmetry dc SQUID system | |
| US4801882A (en) | Thin film SQUID magnetometer for a device for measuring weak magnetic fields | |
| US5166614A (en) | Integrated-type squid magnetometer having a magnetic shield, and a multichannel squid magnetometer using the same | |
| JPH05297089A (ja) | 磁気センサ | |
| US5767043A (en) | Multiple squid direct signal injection device formed on a single layer substrate | |
| JP3093135B2 (ja) | 平面ソレノイド及び平面ソレノイドを用いたsquid磁力計 | |
| JP2005535134A (ja) | 超電導量子干渉装置 | |
| US5955400A (en) | SQUID integrated with pickup coils | |
| JP3254162B2 (ja) | 超伝導量子干渉素子 | |
| JPH0535340Y2 (ja) | ||
| JPH01200679A (ja) | 超電導量子干渉計 | |
| JPH06194433A (ja) | 磁力計 | |
| JP2000091653A (ja) | 超伝導量子干渉素子 | |
| JPH05299711A (ja) | Squid | |
| JPS63309876A (ja) | マルチ型dcSQUID磁力計 | |
| JP2775969B2 (ja) | スクイッドベクトル磁束計のピックアップコイル | |
| JP2526601B2 (ja) | 超伝導磁力計 | |
| JP2002118301A (ja) | Squid磁気センサ | |
| JPH0572309A (ja) | Dc−squid素子 | |
| JP2878738B2 (ja) | 記録再生兼用薄膜磁気ヘッド | |
| JPH07253454A (ja) | Dc−squid磁束計 | |
| JP2832547B2 (ja) | 高感度磁束計 | |
| JPH04124884A (ja) | Dc―squid磁力計 | |
| JPH043986A (ja) | インプットコイルを備えたsquid素子 | |
| JPH0419582A (ja) | 酸化物超伝導量子干渉デバイス |