JPS63309876A - マルチ型dcSQUID磁力計 - Google Patents

マルチ型dcSQUID磁力計

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JPS63309876A
JPS63309876A JP14648887A JP14648887A JPS63309876A JP S63309876 A JPS63309876 A JP S63309876A JP 14648887 A JP14648887 A JP 14648887A JP 14648887 A JP14648887 A JP 14648887A JP S63309876 A JPS63309876 A JP S63309876A
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JP
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coil
loop
type
inductance
5quid
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JP14648887A
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Inventor
Yujiro Kato
加藤 雄二郎
Hidefumi Asano
秀文 浅野
Keiichi Tanabe
圭一 田辺
Osamu Michigami
修 道上
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NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、超伝導量子干渉素子(SQUID : Su
perconducting Quantus Int
erference Device)を用いたdc S
Q旧り磁力計に係り、特に、磁界の空間分布を1n−s
 ituに(in its original pla
ce;その場で)測定できるようにしたマルチ型da 
5QUID磁力計に関する。
「従来技術」 従来から微小磁界の計測に用いられているdcSQtl
lD磁力計は、単一チャンネル型のものであり、バルク
ボビンに巻かれたピックアップコイルに単一の超伝導量
子干渉素子(SQUID)をハイブリッドに結合した構
成をとっている。
この種の5QUIDは、集積回路技術を用いて製作され
、たとえば、第5図に示す5quare washer
型の5QUIDループlと、第6図に示すスパイラル状
の入力コイル4とを保有する形式のものである。
5QUIDループlと入力コイル4とは、絶縁層を介し
て上下に構成され、相互インダクタンスにより電気的に
結合される。
そして、5QUIDループ1に、下地電極・対向電極共
にpb金合金用いたジョセフソン接合が接続され、5Q
UIDが構成される。
「発明が解決しようとする問題点」 ところで、上述した従来のdc 5QUID磁力計には
、次のような問題点があった。
■ 単一チャンネルであるため、時間的・空間的に変化
する磁界の空間分布を、1n−situに計測すること
ができない。
■ 5quare washer型の5QUIDループ
lを用いると、ループ1のインダクタンスの値が5qu
are washerの加工精度に強く依存するため、
インダクタンスの制御性が低下する。
■ 5quare washer型の5QLIIDルー
プlを用いると、第5図に示す、中央の開口部2とルー
プ本体lの外周とを連結するスリット部3のインダクタ
ンスを低減化するために、第7図に示す接地面構造が必
要となる。この結果、接地面5とループ本体lとが絶縁
層を挟んだコンデンサの構造になるため、静電容量Cが
増大する。また、接地面構造を用いても、スリット部3
のインダクタンスを完全には低減化することはできず、
5QUIDループlのインダクタンスの制御性がさらに
低下する。
■ 第6図に示すスパイラル状の平面型コイル4を入力
コイルに用いた場合、ターン数を増やして感度の向上を
図ろうとすると、線幅、およびピッチを小さくせねばな
らず、加工が困難になると同時に断線しやすくなる。
■ スパイラル状の入力コイル4を用いると、入力コイ
ル4と5QUIDル一プ本体1とがコンデンサを構成し
、静電容量の増大を招く。
■ 静電容量が増大すると、LC共振モードの電圧が小
さくなり、5QUIDの動作領域内に多数のステップが
現れ、出力が歪む。
■ 信号入力を検出して、入力コイルに送り込むピック
アップコイルとして、バルクボビンに巻かれたピックア
ップコイルを用いると、ボビンは機械的に加工され、加
工精度を高くできないため、ゼロ入力の調整が困難とな
る。
■ バルクボビンに巻かれたピックアップコイルにより
多チャンネル化を図ろうとすると、5Qtl l Dル
ープ、入力コイル、ピックアップコイルの各コイルの中
心軸を平行にするのが困難となる。
■ 下地電極・対向電極共にpb金合金構成されるジョ
セフソン接合を基本素子に用いると、5QUID特性が
、室温での長期保存、あるいは室温と極低温の間の熱サ
イクルによって変化することがあり、5QUIDの寿命
が短くなる。
本発明は、上述の欠点を改善するためになされたもので
、出力に歪がなく、インダクタンスおよびゼロ入力調整
の再現性・制御性に優れ、磁界の空間分布が1n−si
tuに評価できる高性能・長寿命のマルチ型da 5Q
UID磁力計を提供することを目的とする。
「問題点を解決するための手段」 上述した問題点を解決するためにこの発明は、5QIJ
IDループとして並列の超伝導ループを用い、信号の入
力コイルにメアンダ型コイルを用い、ピックアップコイ
ルに平面型のマグネットメータ型コイル、あるいはグラ
ディオメータ型コイルを用いてなる要素dc 5Qtl
lDを、M×N(M、Nは整数)のマトリックス状に配
列してなるマルチ型dc 5QUIDを有することを特
徴とする。
また、基本となるジョセフソン接合に、Nb−oxid
e−Pb、または、Nb5Ge−oxide−Pb ト
ンネル接合を用いたことを特徴とする。
従来の技術とは、5QUIDループ、入力コイル、ピッ
クアップコイルの構成方法、多チャンネルであること、
およびジョセフソン接合の下地電極の材料と形成方法が
異なる。
「作用」 この発明によれば、次のような作用・効果が得られる。
■超伝導ループを複数並列に接続して5QUIDループ
を形成したから、各超伝導ループのインダクタンス誤差
が相殺され、所定のインダクタンスを容易に実現するこ
とができる。すなわち、5QUIDループのインダクタ
ンスの制御性が向上する。
■入力コイルにメアンダ型コイルを採用したため、大き
なインダクタンスを比較的容易に実現できる。
このため、従来のスパイラル状の入力コイルに比べてタ
ーン数を少なくできる。また、線幅やピッチを小さくす
る必要がないから、加工が容易となり、断線する確率も
ずっと小さくなる。
■ピックアップコイルにマグネットメータ型コイル、ま
たはグラディオメータ型コイルを採用したので、従来の
バルクボビンに巻き付けたピックアップコイルに比べて
、バランスが優れ、ゼロ入力の調整も容易となる。
また、多チャンネル化した場合も、各コイルのバランス
がよい。
■多チャンネル化したので、空間的な広がりをもちつつ
変化する磁界を1n−situに測定できる。
■ジョセフソン接合をNb−ox 1de−Pb、また
はNb3Ge−oxide−Pb接合としたから、安定
かつ長寿命である。
「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第1図は、この発明の一実施例によるマルチ型da 5
QUID磁力計に使用する要素5QUIDの構成を示す
図である。
この要素5QUIDを、3×3、あるいは4×4のマト
リックス状に配列し、多チャンネルとしたものが、本実
施例によるマルチ型dc 5QUID磁力計である。
第1図において、6はピックアップコイル、7は入力コ
イル、8は5QUIDループ、9はジョセフソン接合で
あり、これらから要素5QUID 10が構成されてい
る。
以下、これらの構成要素につき説明する。
ピックアップコイル6には、第2図(a)に示すグラデ
ィオメータ型のコイルが使用される。これは、1対の矩
形状コイルに逆向きの電流が流れるように、ラインを交
差した形になっている。なお、ピックアップコイル6に
は、同図(b)に示すようなlターンのマグネットメー
タ型コイルを使用してもよい。
このピックアップコイル6は、入力コイル7と一体化さ
れており、入力信号を検出して入力コイル7に電流を流
す。
入力コイル7には、第3図に示すようなメアン−’I− ダ(meander)型のコイルを用いる。このコイル
のインダクタンスは、矩形波1周期分のインダクタンス
の和である。ここで、各矩形のインダクタンスをL(s
quare)とし、矩形がn個あるとすると、入力コイ
ル7のインダクタンスLiは、次式で与えられる。
Li= noL(square)−・・・(1)矩形の
インダクタンスL(square)は、通常大きくとれ
るので、矩形の個数nを小さくしても、入力コイル7の
インダクタンスLiを大きくすることができる。
入力コイル7に流れる電流は、5QUIDループ8に磁
界を送り、超伝導体であるsqu+Dループ8中に電流
を生じさせる。
5QUIDループ8は、第4図に示すような超伝導ルー
プ、すなわち、ループの大きさくaXb)に比べて線幅
2cが無視できるような、超伝導ストリップラインによ
り構成された超伝導ループを、n個(第1図では6個)
並列に接続したものである。
3QUIDループ8に生じた電流は、これに接続された
一対のジョセフソン接合9に流れ、あらかじめジョセフ
ソン接合9に流していたバイアス電流Ibに重量され、
バイアス電流rbを変調する。すなわち、ジョセフソン
接合9の両端の電圧を入力信号に応じて変化させ、5Q
tllD 10の出力信号とする。
ジョセフソン接合9の下地電極には、Nb5Gesある
いはNbを用い、下地電極・対向電極間の、非常に薄い
絶縁膜からなるトンネルバリアには、下地電極の安定酸
化物を、対向電極にはPbを用いて、安定性を改善する
。すなわち、ジョセフソン接合9の構成は、Nb5Ge
−ox 1de−Pb、またはNb−oxide−pb
という形になる。
この場合、Nb3Ge、あるいはNb上にはpb薄膜を
形成する。また、Nb3Ge−oxide−PbSNb
−oxide−Pbトンネル接合の臨界電流の制御、お
よび接合品質の向上のためには、CF4クリーニング法
が不可欠であり、CF4クリーニング法を用いることに
より、臨界電流値の制御は容易となる。なお、CF4ク
リ−ユング法については、米国特許第4,412,90
2号に詳述されている。
上述した要素5QtllD 10を、4×4個、あるい
は3x3個、同一基板上に配列することにより、マルチ
型の3QtllDを作製する。
次に、この実施例の作用・効果を、従来のものと対比し
ながら、以下に説明する。
■ジョセフソン接合9について。
ジョセフソン接合9には、臨界電流の制御性および安定
性が要求される。
従来から用いられているPb合金接合は、臨界電流の制
御性は良好であるが、室温での長期保存、および5Qt
llDの動作温度である4、2にの極低温と室温との間
の熱サイクルに対し、臨界電流値が変化することがあり
、安定性に問題があった。pb合金接合が安定でない理
由は、酸化物バリヤ内の酸素が対向電極との界面に拡散
すること、および接合部の対向電極にヒロック(hil
lock :突起)が生ずることの2点である。
これに対して、本実施例で使用したNb5Ge、または
Nbは、融点が非常に高く、しかも機械的強度が大きい
ため、室温保存による再結晶や、熱サイクルに伴う応力
の影響を受けず安定である。Nb、Ge。
あるいはNb上に形成したpb薄膜は、Nb3Ge、あ
るいはNbに対する密着力に優れ、その結果室温保存に
よる再結晶や、ヒロックの発生が防止される。
さらに、Nb5GeやNbを酸化して形成される酸化物
は、pbの酸化物に比べて安定であるため、酸素が対向
電極に拡散することはない。
■5QUIDループ8について。
5QUIDループ8は、雑音のスペクトル密度S F 
sすなわち、 SF 〜4Ka4’Ls”/ R−−(2)ただし、K
nはボルツマン定数、 ■は絶対温度、 Rは接合の抵抗 を小さくするために、できるだけ低い値(通常は100
pH以下)が望ましい。
従来の5quare washer型の5QUIDルー
プlにおいては、第5図に示す開口部2のインダクタン
スLcとスリット部3のインダクタンスし、との和のイ
ンダクタンスL8、すなわち、 t、s = t、c + t+・−・−(3)が、5Q
UIDループlのインダクタンスになるため、インダク
タンスLcとLlの両方を制御しなければならなかった
この場合、開口部2のインダクタンスLcは、開口部2
のサイズで規定され、開口部2の幅が1μm変化すると
約1.6PH増減する。また、開口部2のエツジに凹凸
があると、その箇所で磁束トラップが生じて、雑音や誤
動作の原因になることがある。
さらに、スリット部3のインダクタンスL1は、接地面
5の構造、および接地面5との間の絶縁層の厚みにより
、±lO%以上変化する。以上の理由により、従来の5
QUIDループlにおいては、インダクタンスの制御が
困難であった。
これに対して、本実施例の5QUIDループ8は、第4
図に示すような超伝導ループをn個(6個)並列に接続
したものである。−個の超伝導ループのインダクタンス
L(loop)は、ループの幅a1長さb、およびスト
リップラインの線幅2cを用いて次式で表される。
L(loop)= (μo/lt )・(−2(a+b
)+2(a’+b”)”’+(a+b)* In(2a
b/c) −a−1n(a+(a’+b”)””)−b−1n(b
+(a”+b”)”’) )・・・・・・(4) このとき、5QUIDループ8のインダクタンスLsは
、Ls= L(loop)/n・・−−(5)となる。
ここで、インダクタンスL(loop)を、はぼ1nH
程度の制御し易い値に選び、並列個数nをIO程度に選
べば、所定のインダクタンス(< 100PH)が得ら
れることになる。
一個のループのインダクタンスL(loop)は、スト
リップラインの加工精度により変動するが、n個並列に
接続すると、上記の式から明らかなように、トータルの
変動分は1/nに減少する。このため、5QUIDルー
プ8のインダクタンスLsの制御性は向上することにな
る。
また、本実施例による5QUIDループ8では、従来の
5quare washer型のSQU I Dループ
1で不可欠であった接地面構造が不必要となり、プロセ
スの工数が減ることにより、歩留まりが向上する。それ
のみならず、接地構造とループとの間の静電容量そのも
のをなくすことができる。
■入力コイル7について。
本実施例では、入力コイル7に、第3図に示すようなメ
アンダ型のコイルを用いる。この入力コイル7のインダ
クタンスLiは、前述した(1)式で与えられるが、再
度記載すると、 Li = n−L(square) となる。各矩形のインダクタンスL(square)は
、通常大きくとれるので、矩形の数nを小さくしても、
入力コイル7のインダクタンスLiを大きくできる。
このため、従来のスパイラル状の入力コイル4(第6図
)に比べて、ターン数を小さくでき、しかも、線幅やピ
ッチを小さくする必要がないため、加工が容易であるだ
けでなく、断線する確率が格段に小さくなる。
■ピックアップコイル6について。
本実施例では、ピックアップコイル6に、第2図に示す
ようなコイルを用いる。これらのコイルは、集積回路技
術を用いて形成するため、加工精度を高くできる。この
ため、従来のバルクボビンに巻き付けたピックアップコ
イルに比べて、バランスが優れ、ゼロ入力の調整の必要
がなく、多チャンネルにした場合にも、各コイル間のバ
ランスが良い。
■多チャンネル化について。
本実施例では、3×3、あるいは4X4のマトリックス
状に5QtllDを配置するため、磁界の空間分布の1
n−situ評価が可能となる。
以上の効果により、出力に歪がなく、インダクタンスお
よびゼロ入力調整の再現性・制御性に優れ、磁界の空間
分布が1n−situに評価できる高性能・超寿命のマ
ルチ型da 5QUID磁力計を提供することができる
以下に、本実施例の実験例について説明する。
なお、以下の説明においては、5quare wash
er型の5QUIDループlと、本実施例の5QUID
ループ8とを区別するために、前者を5quare w
asherlとよび、後者を並列ループ8とよぶことと
する。
実験例1 (SQUIDループの実験例)−辺が2イン
チのSt基板を2枚用意し、squarewasher
l 、および並列ループ8により、5QUIDループを
形成し、インダクタンスの制御性を比較した。
まず、一枚の基板には、第7図に示すような従来の5q
uare washerlを作製した。すなわち、1辺
100μmの開口部2と、5μm幅のスリット部3と、
スリット部3直下に50μm幅の接地面5とを有する2
、5mmX2.5mmの5quare washerl
を形成した。
一方、他の一枚の基板には、第1図に示すような、並列
ループ8を形成した。すなわち、線幅が10μm1隣合
う2辺の長さがそれぞれ0 、2 mff1qおよび1
mmの矩形のコイルを、IO個並列にした並列ループ8
を形成した。
これらの5QUIDループ1.8のインダクタンスを評
価したところ、5quare washerlの方は、
設計値157pHに対して、16%も大きい182pH
であった。一方、並列ループ8の方は、143pHの設
計値に対して、わずかに2%のずれしかない145p■
であった。
5quare vasherlでは、スリット部3のイ
ンダクタンスによる設計値からのずれが10%、開口@
2そのものの加工精度によるものが6%であった。この
ように、並列ループ8によるインダクタンスの制御性が
良好であることが示された。
実験例2(入力コイルの評価) 実験例1において形成したものと同様の5QUIDルー
プを各2種類ずつ作製し、これに入力コイルを付加して
、そのインダクタンス特性を調べた。
まず、5quare washer Iの基板の一方に
は、線幅5μm・ピッチ10μmの50ターンのスパイ
ラル状の入力コイル4を、他方には、同様の構成の10
0ターンのスパイラル状の入力コイル4を形成した。
一方、並列ループ8の基板の一方には、6個の矩形コイ
ルを並列にした並列ループ8を形成し、この並列ループ
8上に、それぞれのコイルに重なるように、線幅10μ
mのメアンダ型の入力コイル7を形成した。また、他方
の基板には、10個の矩形コイルを並列にした並列ルー
プ8を形成し、上と同様の入力コイル7を形成した。
次に、これら入力コイル4,7のインダクタンスを評価
した。50ターンのスパイラル状入力コイル4のインダ
クタンスは7nHであり、Squarewasher 
1との結合定数は0.85であった。また、100ター
ンのスパイラル状入力コイル4のインダクタンスを評価
しようとしたところ、断線により入力コイルとしての機
能を果たさなかった。
一方、メアンダ型の入力コイル7のインダクタンスを評
価したところ、6個の並列ループ8上の入力コイル7の
インダクタンスは7nH,10個の並列ループ8上の入
力コイル7のインダクタンスは12nHであった。メア
ンダ型の入力コイル7の並列ループ8に対する結合定数
は、0.8であった。
次に、これらの基板を用いて、5QUIDを形成し、磁
気応答特性を調べたところ、5quare washe
r型の5QUIDでは、LC共振モードにともなう著し
い波形の歪みがみられた。これに対して、並列ループ型
の5OIJIDでは、歪も小さく、良好な磁気応答特性
を示した。
この実験例から明らかなように、本実施例による入力コ
イル7は、10nH以上のインダクタンスを有するもの
でも断線等がなく、高性能であることが確認できた。
実験例3(ピックアップコイルを接続してのゼロ調整の
評価) 実験例2において形成した6個のコイルからなる並列ル
ープ8、およびその直上に形成されたメアンダ型の入力
コイル7を有する基板を3枚用いて、1枚にはバルクボ
ビンに巻かれたピックアップコイルを接続し、他の2枚
には、それぞれ、薄膜により同一基板上に形成したマグ
ネットメータ、およびグラディオメータ状のピックアッ
プコイル6を接続して、ゼロ入力の調整を行った。
バルクボビンは、低温でも歪の小さい石英パイプに溝を
切ったものを用いた。このピックアップコイルのインダ
クタンスは、2μHであった。一方、薄膜で形成したピ
ックアップコイルのインダクタンスも2μHにした。
これらの基板を用いて、5QUIDを形成し、超伝導シ
ールドの中に挿入し、入力信号ゼロの状態で、出力がゼ
ロになるよう5QtllDの位置を、マニュピユレータ
により、微少に変化させつつゼロ入力の調整を行った結
果、バルクボビンに巻かれたピックアップコイルを用い
た5QtllDでは、ゼロ入力の調整が不可能であった
一方、薄膜で形成したピックアップコイル6を用いた5
QLIIDでは、容易に調整ができた。このように、薄
膜で形成したピックアップコイルでは、−20= 加工精度が高くとれたためバランスが良く、ゼロ入力の
調整が容易であった。
実験例4(ジョセフソン接合を接続しての評価)実験例
2において形成した、6個のコイルからなる並列ループ
8と、メアンダ型の入力コイル7とからなる基板を3枚
用いて、そのうちの1枚には、下地電極・対向電極共に
pb金合金なるジョセフソン接合を接続し、他の2枚の
基板には、CF4クリーニング法により、それぞれNb
−ox 1de−Pb接合、1sGe−ox 1de−
Pb接合からなるジョセフソン接合を形成して、要素5
QLIIDとしての基本動作の確認および信頼性の評価
を行った。
これらの5QUIDのゼロ入力磁界での臨界電流は、そ
れぞれ、30μAl2OμA1および15μ^であった
。これらの5QtllDは、良好な磁界応答特性を示し
たが、下地電極がPb合金で構成されるものは、室温と
液体ヘリウム温度との間の熱サイクルに対し、わずか3
回のサイクルで機能を果たさなくなった。
これに対して、下地電極がNbあるいはNb5Geで構
成された本実施例の要素5QUID l Oは、200
回以上のサイクルに対しても全く特性が変化せず、その
高信頼性が確認できた。
実験例5(マルチチャンネルの評価) 実験例4で形成したような、グラディオメータ型のピッ
クアップコイル6を有し、6個のコイルにより並列ルー
プ8が構成され、かつ並列ループ8の直上にメアンダ型
の人力コイル7が形成された形の要素5QUID 10
を、複数個マトリックス状に配列して、多チャンネル化
した。
すなわち、面積5 cmX 5 cmの基板上に、上記
の要素5QtllD 10を4X4のマトリックス状に
配列したマルチ型の5QUIDと、上と同一の基板上に
、要素5QUID I Oを3×3のマトリックス状に
配列したマルチ型の5QU1.Dとを作製した。なお、
グラディオメータは、5 mmX 5 mmのループを
2mm離して2個逆向きに接続した構造をなしている。
次に、これらの5QUIDを用いて、空間的に変化する
微小磁界の計測を行った。これらの5QUIDを用いる
ことにより、10−+00e以上の精度で空間磁界の分
布が測定できることが分かった。
「発明の効果」 以上説明したように、この発明によるマルチ型dc 5
QIJID磁力計は、5QUIDループに並列の超伝導
ループ、入力コイルにメアンダ型のコイル、ピックアッ
プコイルに平面型のマグネットメータ、またはグラディ
オメータを用いた超伝導量子干渉素子(SQUID)を
、3×3あるいは4×4に配列した構成としたので、次
の効果を得ることができる。
■出力に歪がない。
■インダクタンスおよびゼロ入力調整の再現性・制御性
に優れる。
■磁界の空間分布が1n−situに評価できる。
また、基本となるジョセフソン接合に、Nb5Ge−o
xide−Pb、あるいはNb−ox 1de−Pb 
トンネル接合を用いたので、 ■超寿命、高性能のマルチ型dc 5QUID磁力計を
提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による要素5QUIDlO
の構成を示す図、 第2図はピックアップコイルの構成を示す図で、同図(
a)はグラディオメータ型、同図(b)はマグネットメ
ータ型のコイル、 第3図はメアンダ型の入力コイル7の構成を示す図、 第4図は超伝導ストリップラインにより構成されるルー
プインダクタンスの構成を示す図、第5図は5quar
e washer型の5QUIDループの構成を示す図
、 第6図はスパイラル状の入力コイルの構成を示す図、 第7図は接地面構造を有する5quare washe
r型の5QUIDループの構成を示す図である。 l・・・・・・従来の5quare washer型の
5QUIDループ、2・・・・・・開口部、3・・・・
・スリット部、4・・・・・・スパイラル状の入力コイ
ル、6・・・・・・ピックアップコイル、7・・・・・
・入力コイル、8・・・・・・本発明の一実施例による
並列型の5QUIDループ、 9・・・・・・ジョセフソン接合、 10・・・・・・要素5QUID。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)SQUIDループとして並列の超伝導ループを用
    い、信号の入力コイルにメアンダ型コイルを用い、ピッ
    クアップコイルに平面型のマグネットメータ型コイル、
    あるいはグラディオメータ型コイルを用いてなる要素d
    cSQUIDを、M×N(M、Nは整数)のマトリック
    ス状に配列してなるマルチ型dcSQUIDを有するこ
    とを特徴とするマルチ型dcSQUID磁力計。
  2. (2)基本となるジョセフソン接合に、Nb−oxid
    e−Pb、または、Nb_3Ge−oxide−Pbト
    ンネル接合を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載のマルチ型dcSQUID磁力計。
JP14648887A 1987-06-12 1987-06-12 マルチ型dcSQUID磁力計 Pending JPS63309876A (ja)

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JPS63309876A true JPS63309876A (ja) 1988-12-16

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JP (1) JPS63309876A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH042980A (ja) * 1990-04-19 1992-01-07 Seiko Instr Inc 高感度磁場検出器
JPH04238281A (ja) * 1991-01-21 1992-08-26 Seiko Instr Inc 電気化学反応測定装置
JP2008014699A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Tokyo Institute Of Technology 電解処理における膜厚測定方法及び膜厚測定装置

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JPH04238281A (ja) * 1991-01-21 1992-08-26 Seiko Instr Inc 電気化学反応測定装置
JP2008014699A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Tokyo Institute Of Technology 電解処理における膜厚測定方法及び膜厚測定装置

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