JPH0536598A - 半導体基板表面処理装置 - Google Patents
半導体基板表面処理装置Info
- Publication number
- JPH0536598A JPH0536598A JP3190464A JP19046491A JPH0536598A JP H0536598 A JPH0536598 A JP H0536598A JP 3190464 A JP3190464 A JP 3190464A JP 19046491 A JP19046491 A JP 19046491A JP H0536598 A JPH0536598 A JP H0536598A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- hmds
- unit
- substrate surface
- surface treatment
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＨＭＤＳ処理後の半導体基板に有機物が残存し
ないようにすることによって、ホトレジストと半導体基
板の間の密着性を向上させる。 【構成】半導体基板２にホトレジストを塗布する前に、
ＨＭＤＳを含有した窒素ガスを吹き出し板８から供給し
てＨＭＤＳ処理を行うユニットＢを備えた半導体基板表
面処理装置において、ユニットＢでＨＭＤＳ処理を行な
う前に半導体基板２をスピンチャック４に載せ、回転さ
せながら滴下ノズル１からアルカリ溶液を半導体基板２
上へ滴下するユニットＡを設けている。
ないようにすることによって、ホトレジストと半導体基
板の間の密着性を向上させる。 【構成】半導体基板２にホトレジストを塗布する前に、
ＨＭＤＳを含有した窒素ガスを吹き出し板８から供給し
てＨＭＤＳ処理を行うユニットＢを備えた半導体基板表
面処理装置において、ユニットＢでＨＭＤＳ処理を行な
う前に半導体基板２をスピンチャック４に載せ、回転さ
せながら滴下ノズル１からアルカリ溶液を半導体基板２
上へ滴下するユニットＡを設けている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路などの
パターンを半導体基板上に形成する上でホトレジストを
塗布する前の前処理としてＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシ
ラザン）処理を行う半導体基板表面処理装置に関する。
パターンを半導体基板上に形成する上でホトレジストを
塗布する前の前処理としてＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシ
ラザン）処理を行う半導体基板表面処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路の製造において、
ホトレジストを塗布する前の処理として行うＨＭＤＳ処
理は、ホトレジストと半導体基板との間の密着性を向上
させるために行う処理で、レジストパターンを形成する
ために行う現像あるいはレジストパターンを形成した後
にフッ酸系溶液に半導体基板を浸漬させて行うウェット
エッチングの際、ホトレジストと半導体基板との間に水
あるいは薬液が進入するのを防ぐために行われる。
ホトレジストを塗布する前の処理として行うＨＭＤＳ処
理は、ホトレジストと半導体基板との間の密着性を向上
させるために行う処理で、レジストパターンを形成する
ために行う現像あるいはレジストパターンを形成した後
にフッ酸系溶液に半導体基板を浸漬させて行うウェット
エッチングの際、ホトレジストと半導体基板との間に水
あるいは薬液が進入するのを防ぐために行われる。
【０００３】従来の半導体基板表面処理装置は、図３の
構成図に示されるように、室温から２００°Ｃまで温度
制御可能なプレート７と、室温より高い温度（例えば８
０°Ｃ）でＨＭＤＳ処理を行うことが可能なように処理
温度を一定に保つための保温カバー６と、半導体基板全
体をカバーできる大きさでその下面に２０〜５０個の直
径１ｍｍ程度の穴が面内均等に設けられた円板からなる
吹き出し板８とから構成されており、プレート７上に載
置された半導体基板２の表面へＨＭＤＳを含有した窒素
ガスを吹き出し板８から供給して処理される。このＨＭ
ＤＳを含有した窒素ガスは、ＨＭＤＳを窒素ガスでバブ
リングを行うバブラー１０から配管９を通じて吹き出し
板８へ供給される。
構成図に示されるように、室温から２００°Ｃまで温度
制御可能なプレート７と、室温より高い温度（例えば８
０°Ｃ）でＨＭＤＳ処理を行うことが可能なように処理
温度を一定に保つための保温カバー６と、半導体基板全
体をカバーできる大きさでその下面に２０〜５０個の直
径１ｍｍ程度の穴が面内均等に設けられた円板からなる
吹き出し板８とから構成されており、プレート７上に載
置された半導体基板２の表面へＨＭＤＳを含有した窒素
ガスを吹き出し板８から供給して処理される。このＨＭ
ＤＳを含有した窒素ガスは、ＨＭＤＳを窒素ガスでバブ
リングを行うバブラー１０から配管９を通じて吹き出し
板８へ供給される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
基板表面処理装置では、ＨＭＤＳ処理の後基板表面に有
機物が付着している場合があり、ホトレジストの塗布を
行うとき、ホトレジストと基板表面の間の密着力が弱く
なる。密着力が弱くなると、ウェットエッチング工程で
のホトレジストのはがれ、あるいあサイドエッチ量の増
大が起こり、半導体回路のパターンが欠落したり、また
設計寸法より細く形成されたりし、製品の歩留りの低下
を招くという問題点がある。
基板表面処理装置では、ＨＭＤＳ処理の後基板表面に有
機物が付着している場合があり、ホトレジストの塗布を
行うとき、ホトレジストと基板表面の間の密着力が弱く
なる。密着力が弱くなると、ウェットエッチング工程で
のホトレジストのはがれ、あるいあサイドエッチ量の増
大が起こり、半導体回路のパターンが欠落したり、また
設計寸法より細く形成されたりし、製品の歩留りの低下
を招くという問題点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板表面
処理装置は、半導体基板表面にＨＭＤＳを付着させる前
に半導体基板表面に付着している有機物を除去するため
に、基板表面にアルカリ溶液（例えばテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドなどの有機アルカリ化合物の水溶
液）を滴下し半導体基板を回転させるためのスピンユニ
ットと、半導体基板表面にＨＭＤＳを含有した窒素ガス
を供給するためのユニットとを備えている。
処理装置は、半導体基板表面にＨＭＤＳを付着させる前
に半導体基板表面に付着している有機物を除去するため
に、基板表面にアルカリ溶液（例えばテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドなどの有機アルカリ化合物の水溶
液）を滴下し半導体基板を回転させるためのスピンユニ
ットと、半導体基板表面にＨＭＤＳを含有した窒素ガス
を供給するためのユニットとを備えている。
【０００６】なお、本発明に有機アルカリ化合物の水溶
液を使用する理由は、半導体基板の薬液処理に使用でき
る有機アルカリ化合物は限られており、その中で現像処
理に用いる２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液が、基板に付着した有機物に対する洗浄効
果が特に大きいという知見に基づいている。
液を使用する理由は、半導体基板の薬液処理に使用でき
る有機アルカリ化合物は限られており、その中で現像処
理に用いる２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液が、基板に付着した有機物に対する洗浄効
果が特に大きいという知見に基づいている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施例１の基本構成図で、ユニット
ＡとユニットＢで構成されている。ユニットＡのスピン
チャック４上に載置された半導体基板２を、スピンモー
ター５で５０ｒｐｍの回転速度で回転させる。次に滴下
ノズル１を、半導体基板２の端から中心に向かって１０
ｃｍ／ｓｅｃの速度で掃引させながら、２．３８％のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を滴下して
半導体基板２上に盛り、６０秒間１０ｒｐｍの回転速度
で半導体基板２を回転させた後、３００ｒｐｍの回転速
度で回転させながら、純粋供給ノズル１２より純水を半
導体基板の中心に吐出させ、純水洗浄を行う。
る。図１は本発明の実施例１の基本構成図で、ユニット
ＡとユニットＢで構成されている。ユニットＡのスピン
チャック４上に載置された半導体基板２を、スピンモー
ター５で５０ｒｐｍの回転速度で回転させる。次に滴下
ノズル１を、半導体基板２の端から中心に向かって１０
ｃｍ／ｓｅｃの速度で掃引させながら、２．３８％のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を滴下して
半導体基板２上に盛り、６０秒間１０ｒｐｍの回転速度
で半導体基板２を回転させた後、３００ｒｐｍの回転速
度で回転させながら、純粋供給ノズル１２より純水を半
導体基板の中心に吐出させ、純水洗浄を行う。
【０００８】純水吐出を停止して、２０秒間４０００ｒ
ｐｍの回転速度で純水を振りきった後、半導体基板２の
回転を停止させ、半導体基板２をユニットＢのプレート
７上に搬送する。１２０°Ｃに温度制御されたプレート
７上で６０秒間半導体基板２を加熱処理して、表面の水
分を除去した後、バブラー１０のＨＭＤＳ中で窒素ガス
のバブリングをして発生させたＨＭＤＳを含有させた窒
素ガスを配管９を通じて吹きだし板８から２０リットル
／ｍｉｎの流量で半導体基板２へ供給し、ＨＭＤＳ処理
を行う。
ｐｍの回転速度で純水を振りきった後、半導体基板２の
回転を停止させ、半導体基板２をユニットＢのプレート
７上に搬送する。１２０°Ｃに温度制御されたプレート
７上で６０秒間半導体基板２を加熱処理して、表面の水
分を除去した後、バブラー１０のＨＭＤＳ中で窒素ガス
のバブリングをして発生させたＨＭＤＳを含有させた窒
素ガスを配管９を通じて吹きだし板８から２０リットル
／ｍｉｎの流量で半導体基板２へ供給し、ＨＭＤＳ処理
を行う。
【０００９】上記、基板表面処理装置において、ユニッ
トＡでのスピン回転速度，回転時間は、２．３８％テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液について設定
した値であり、これ以外のアルカリ水溶液に対しては、
別途最適条件を設定して行なう。また、ユニットＢのプ
レート７は室温から２００°Ｃまで温度制御可能なもの
を用いることとし、ＨＭＤＳ処理を室温で行うか、加熱
された状態で行うかということ、および半導体基板２の
表面に供給するＨＭＤＳ含有窒素ガスの流量についても
別途最適条件を設定して行なうことは当然である。
トＡでのスピン回転速度，回転時間は、２．３８％テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液について設定
した値であり、これ以外のアルカリ水溶液に対しては、
別途最適条件を設定して行なう。また、ユニットＢのプ
レート７は室温から２００°Ｃまで温度制御可能なもの
を用いることとし、ＨＭＤＳ処理を室温で行うか、加熱
された状態で行うかということ、および半導体基板２の
表面に供給するＨＭＤＳ含有窒素ガスの流量についても
別途最適条件を設定して行なうことは当然である。
【００１０】図２は本発明の実施例２の基本構成図であ
る。実施例２の基板表面処理装置は、ユニットＡの２．
３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を
滴下するノズルとして半導体基板２の全体に前記水溶液
を浴びせることができるシャワーノズル１１を使用す
る。ユニットＡのスピンチャック４上に載置された半導
体基板装置２を、スピンモーター５で３００ｒｐｍの回
転速度で回転させる。次に、半導体基板２の中心の上部
に設置してあるシャワーノズル１１から、回転している
半導体基板２の中心に２．３８％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液を０．４リットル／ｍｉｎの流
量で吐出する。
る。実施例２の基板表面処理装置は、ユニットＡの２．
３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を
滴下するノズルとして半導体基板２の全体に前記水溶液
を浴びせることができるシャワーノズル１１を使用す
る。ユニットＡのスピンチャック４上に載置された半導
体基板装置２を、スピンモーター５で３００ｒｐｍの回
転速度で回転させる。次に、半導体基板２の中心の上部
に設置してあるシャワーノズル１１から、回転している
半導体基板２の中心に２．３８％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド水溶液を０．４リットル／ｍｉｎの流
量で吐出する。
【００１１】次に、５０ｒｐｍに回転速度を下げ、半導
体基板２上に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液を盛ってから吐出を停止する。６０秒間
２０ｒｐｍの回転速度で半導体基板２を回転させた後、
再び、３００ｒｐｍに回転速度を上げ、２．３８％テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の吐出を行
う。２０秒後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液の吐出を停止させ、半導体基板２を３００ｒｐｍ
で回転させ、純水を純水供給ノズル１２より半導体基板
２の中心に吐出させ、純水洗浄を行う。純水吐出を停止
して２０秒間４０００ｒｐｍの回転速度で純水を振りき
った後、半導体基板２をユニットＢのプレート７上に搬
送する。ユニットＢでの処理の方法は、前記実施例と同
じ方法で行う。
体基板２上に２．３８％テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液を盛ってから吐出を停止する。６０秒間
２０ｒｐｍの回転速度で半導体基板２を回転させた後、
再び、３００ｒｐｍに回転速度を上げ、２．３８％テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の吐出を行
う。２０秒後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液の吐出を停止させ、半導体基板２を３００ｒｐｍ
で回転させ、純水を純水供給ノズル１２より半導体基板
２の中心に吐出させ、純水洗浄を行う。純水吐出を停止
して２０秒間４０００ｒｐｍの回転速度で純水を振りき
った後、半導体基板２をユニットＢのプレート７上に搬
送する。ユニットＢでの処理の方法は、前記実施例と同
じ方法で行う。
【００１２】本実施例では、半導体基板２を回転させな
がら、シャワーノズル１１より２．３８％テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液を吐出することによ
り、効率的に半導体基板２の表面に付着している有機物
を除去することができるという利点がある。
がら、シャワーノズル１１より２．３８％テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液を吐出することによ
り、効率的に半導体基板２の表面に付着している有機物
を除去することができるという利点がある。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＨＭＤＳ
を半導体基板表面に供給して表面反応させる前に有機ア
ルカリ化合物水溶液で表面処理をすることによって、半
導体基板表面に付着している有機物を除去するので、半
導体基板とホトレジストとの間にウェットエッチング工
程に対して十分な密着力をもたせることができ、図４に
示すようにウェットエッチング時のサイドエッチ量を約
半分に小さくすることができる効果がある。
を半導体基板表面に供給して表面反応させる前に有機ア
ルカリ化合物水溶液で表面処理をすることによって、半
導体基板表面に付着している有機物を除去するので、半
導体基板とホトレジストとの間にウェットエッチング工
程に対して十分な密着力をもたせることができ、図４に
示すようにウェットエッチング時のサイドエッチ量を約
半分に小さくすることができる効果がある。
【図１】本発明の実施例１の基本構成図である。
【図２】本発明の実施例２の基本構成図である。
【図３】従来の半導体基板表面処理装置の基本構成図で
ある。
ある。
【図４】本発明の処理装置と従来の処理装置とのウェッ
トエッチングにおけるサイドエッチ量を比較した図であ
る。
トエッチングにおけるサイドエッチ量を比較した図であ
る。
１ 滴下ノズル ２ 半導体基板 ３ カップ ４ スピンチャック ５ スピンモーター ６ 保温カバー ７ プレート ８ 吹き出し板 ９ 配管 １０ バブラー １１ シャワーノズル １２ 純水供給ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/16 7818−2Ｈ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板にホトレジストを塗布する前
に、ＨＭＤＳを含有した窒素ガス雰囲気でＨＭＤＳ処理
を行うユニットを備えた半導体基板表面処理装置におい
て、前記ＨＭＤＳ処理を行う前に、半導体基板表面にア
ルカリ溶液を滴下するためのユニットを設けたことを特
徴とする半導体基板表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3190464A JPH0536598A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体基板表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3190464A JPH0536598A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体基板表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536598A true JPH0536598A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16258555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3190464A Pending JPH0536598A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体基板表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536598A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100274751B1 (ko) * | 1997-06-24 | 2000-12-15 | 김영환 | 화학증폭형감광막패턴방법 |
| JP2005005602A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表面処理方法及び半導体装置の作製方法 |
| JP2012059924A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 感光性レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3190464A patent/JPH0536598A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100274751B1 (ko) * | 1997-06-24 | 2000-12-15 | 김영환 | 화학증폭형감광막패턴방법 |
| JP2005005602A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表面処理方法及び半導体装置の作製方法 |
| US7449408B2 (en) * | 2003-06-13 | 2008-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2012059924A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 感光性レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
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