JPH0536611A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0536611A JPH0536611A JP3216203A JP21620391A JPH0536611A JP H0536611 A JPH0536611 A JP H0536611A JP 3216203 A JP3216203 A JP 3216203A JP 21620391 A JP21620391 A JP 21620391A JP H0536611 A JPH0536611 A JP H0536611A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 89
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 238000007670 refining Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明の目的は、低コストの半導体装置及
びその製造方法を提供することにある。 【構成】 この発明の半導体装置は、基板１として金属
シリコンを用い、この金属シリコン基板１上に半導体グ
レードの高純度シリコンからなる活性層２を形成する。
びその製造方法を提供することにある。 【構成】 この発明の半導体装置は、基板１として金属
シリコンを用い、この金属シリコン基板１上に半導体グ
レードの高純度シリコンからなる活性層２を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、シリコン太陽電池、
トランジスタ等のシリコン半導体を用いた半導体装置及
びその製造方法に関する。
トランジスタ等のシリコン半導体を用いた半導体装置及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体シリコンを用いた太陽電池、トラ
ンジスタは、純度９９．９９９％程度の半導体グレード
のシリコンが用いられている。
ンジスタは、純度９９．９９９％程度の半導体グレード
のシリコンが用いられている。
【０００３】例えば、この半導体グレードのシリコンを
用いた太陽電池の場合は、まず、珪石、珪砂などの原鉱
を還元して、金属グレードシリコンを製造し、次にこの
金属グレードシリコンから、モノシラン、ジクロロシラ
ン、トリクロロシランなどのシラン系ガスを製造し、こ
のガスを用いて半導体グレードの多結晶シリコン、アモ
ルファスシリコンが製造されている。
用いた太陽電池の場合は、まず、珪石、珪砂などの原鉱
を還元して、金属グレードシリコンを製造し、次にこの
金属グレードシリコンから、モノシラン、ジクロロシラ
ン、トリクロロシランなどのシラン系ガスを製造し、こ
のガスを用いて半導体グレードの多結晶シリコン、アモ
ルファスシリコンが製造されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した半導体グレー
ドのシリコンを製造するためには、金属グレードシリコ
ンから更に水素還元などの精製作業を必要とするため、
コストが高くなるという難点があった。とりわけ、純度
が９９．９９％以上のシリコンを製造すると、飛躍的に
コストが上がることから、純度９９．９９％未満のシリ
コンを使用した半導体装置の開発が望まれている。
ドのシリコンを製造するためには、金属グレードシリコ
ンから更に水素還元などの精製作業を必要とするため、
コストが高くなるという難点があった。とりわけ、純度
が９９．９９％以上のシリコンを製造すると、飛躍的に
コストが上がることから、純度９９．９９％未満のシリ
コンを使用した半導体装置の開発が望まれている。
【０００５】この発明は上述した難点を解消し、低コス
トの半導体装置及びその製造方法を提供することをその
課題とする。
トの半導体装置及びその製造方法を提供することをその
課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置
は、基板として金属シリコンを用い、この金属シリコン
上に半導体グレードの高純度シリコンからなる活性層が
形成されてなる。
は、基板として金属シリコンを用い、この金属シリコン
上に半導体グレードの高純度シリコンからなる活性層が
形成されてなる。
【０００７】また、この発明の半導体装置は、基板とし
てシリコン純度が９９．９９％未満の低純度シリコンを
用い、この低純度シリコン上に半導体グレードの高純度
シリコンからなる活性層が形成されてなる。
てシリコン純度が９９．９９％未満の低純度シリコンを
用い、この低純度シリコン上に半導体グレードの高純度
シリコンからなる活性層が形成されてなる。
【０００８】さらに、この発明に係る半導体装置の製造
方法は、金属シリコン基板上に低温エピタキシャル成長
により、半導体グレードの高純度シリコンからなる活性
層を形成することを特徴とする。
方法は、金属シリコン基板上に低温エピタキシャル成長
により、半導体グレードの高純度シリコンからなる活性
層を形成することを特徴とする。
【０００９】この発明の半導体装置の製造方法は、金属
シリコン基板表面より高圧水素を拡散することにより、
少なくとも金属シリコン基板表面の不純物を除去して高
純度シリコン層を形成することを特徴とする。
シリコン基板表面より高圧水素を拡散することにより、
少なくとも金属シリコン基板表面の不純物を除去して高
純度シリコン層を形成することを特徴とする。
【００１０】また、この発明の半導体装置の製造方法
は、金属シリコン基板の一主面を加熱溶融した錫融液上
に接触させた状態で保持し、前記基板上に高エネルギー
ビームを照射して、基板１内の不純物を錫融液に溶出さ
せることにより、少なくとも前記基板の錫融液と接する
表面に純度が９９．９９９％以上の高純度シリコンから
なる活性層を形成することを特徴とする。
は、金属シリコン基板の一主面を加熱溶融した錫融液上
に接触させた状態で保持し、前記基板上に高エネルギー
ビームを照射して、基板１内の不純物を錫融液に溶出さ
せることにより、少なくとも前記基板の錫融液と接する
表面に純度が９９．９９９％以上の高純度シリコンから
なる活性層を形成することを特徴とする。
【００１１】
【作用】金属シリコン及び低純度シリコンは、原鉱を還
元して製造され、この精錬に要するエネルギーはアルミ
ニウム及びチタン精錬に要するエネルギーとほぼ同等で
ある。従って、低コストで大面積の基板が容易に入手可
能である。この低コストな基板においてもシリコン特性
をある程度備えており、この基板に高純度シリコンを容
易に形成することができるので、この形成した高純度シ
リコンを活性層として用いれば、低コストの半導体装置
が得られる。
元して製造され、この精錬に要するエネルギーはアルミ
ニウム及びチタン精錬に要するエネルギーとほぼ同等で
ある。従って、低コストで大面積の基板が容易に入手可
能である。この低コストな基板においてもシリコン特性
をある程度備えており、この基板に高純度シリコンを容
易に形成することができるので、この形成した高純度シ
リコンを活性層として用いれば、低コストの半導体装置
が得られる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例につき図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】まず、シリコン純度が９８〜９９．９９％
程度の低純度シリコン基板を用意する。
程度の低純度シリコン基板を用意する。
【００１４】この低純度シリコンは、珪石、珪砂の原鉱
を還元して得られる金属グレードのシリコン、いわゆる
金属シリコンが用いられる。例えば、この金属シリコン
は結晶タイプの珪石、主に石英をコークス、石炭と混ぜ
て大型のアーク炉中で加熱し、次式の反応により還元さ
れ、形成される。
を還元して得られる金属グレードのシリコン、いわゆる
金属シリコンが用いられる。例えば、この金属シリコン
は結晶タイプの珪石、主に石英をコークス、石炭と混ぜ
て大型のアーク炉中で加熱し、次式の反応により還元さ
れ、形成される。
【００１５】ＳｉＯ2＋２Ｃ→Ｓｉ＋２ＣＯ
【００１７】そして、シリコンは周期的に炉から浅い槽
に流し出され固められて、シリコンブロックが形成され
る。
に流し出され固められて、シリコンブロックが形成され
る。
【００１８】このシリコンブロックの純度は９８〜９
９．９９％であり、不純物は主に鉄とアルミニウムであ
る。この金属シリコン中の不純物の代表値を表１に示
す。
９．９９％であり、不純物は主に鉄とアルミニウムであ
る。この金属シリコン中の不純物の代表値を表１に示
す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１よりこの金属シリコンの純度は９９．
６％以下である。次に上記金属シリコンを用いた半導体
装置として太陽電池を例にとり以下に説明する。
６％以下である。次に上記金属シリコンを用いた半導体
装置として太陽電池を例にとり以下に説明する。
【００２１】図１は、この発明の一実施例を示す断面図
である。
である。
【００２２】まず、純度９８％の金属シリコンからなる
膜厚３００μｍの基板１を用意する。 金属シリコン１
上に光ＣＶＤ法、化学堆積法、プラズマＣＶＤ法等によ
る低温エピタキシャル成長により、ｎ-型の多結晶シリ
コン層２が形成される。そして、この多結晶シリコン層
２上にｐ型の非晶質シリコン層３またはｉ型層、ｐ型層
と順次積層した非晶質シリコン層を積層形成する。更
に、この非晶質シリコン層３上に透明電極４を基板１の
裏面に裏面電極５を設けることにより太陽電池が形成さ
れる。
膜厚３００μｍの基板１を用意する。 金属シリコン１
上に光ＣＶＤ法、化学堆積法、プラズマＣＶＤ法等によ
る低温エピタキシャル成長により、ｎ-型の多結晶シリ
コン層２が形成される。そして、この多結晶シリコン層
２上にｐ型の非晶質シリコン層３またはｉ型層、ｐ型層
と順次積層した非晶質シリコン層を積層形成する。更
に、この非晶質シリコン層３上に透明電極４を基板１の
裏面に裏面電極５を設けることにより太陽電池が形成さ
れる。
【００２３】次、図１に示した太陽電池の製造例につき
更に説明する。
更に説明する。
【００２４】まず、純度９８％、膜厚３００μｍの金属
シリコン基板１を用意する。そして、ＳｉＨ4ガスを５
ｓｃｃｍ、ＳｉＨ2Ｆ2ガスを５ｓｃｃｍ、希釈ガスとし
てＨ2ガスを１００ｓｃｃｍ、ＰＨ3（０．１％）／Ｈ2
ガスを１ｓｃｃｍ流し、基板温度を３００℃、ＲＦパワ
ーを１０Ｗ、圧力１００ｍＴｏｒｒで、プラズマＣＶＤ
法により膜厚５μｍのｎ-型多結晶シリコン層２を形成
する。
シリコン基板１を用意する。そして、ＳｉＨ4ガスを５
ｓｃｃｍ、ＳｉＨ2Ｆ2ガスを５ｓｃｃｍ、希釈ガスとし
てＨ2ガスを１００ｓｃｃｍ、ＰＨ3（０．１％）／Ｈ2
ガスを１ｓｃｃｍ流し、基板温度を３００℃、ＲＦパワ
ーを１０Ｗ、圧力１００ｍＴｏｒｒで、プラズマＣＶＤ
法により膜厚５μｍのｎ-型多結晶シリコン層２を形成
する。
【００２５】続いて、ＳｉＨ4ガスを５ｓｃｃｍ、希釈
ガスとしてＨ2ガスを１０ｓｃｃｍ、Ｂ2Ｈ6（１％）／
Ｈ2を５ｓｃｃｍ、基板温度１５０℃でＲＦパワー１０
Ｗ、圧力１００ｍＴｏｒｒに保持し、プラズマＣＶＤ法
によりｎ-型多結晶シリコン層２上に膜厚１００Åのｐ+
型の非晶質シリコン層３を形成する。
ガスとしてＨ2ガスを１０ｓｃｃｍ、Ｂ2Ｈ6（１％）／
Ｈ2を５ｓｃｃｍ、基板温度１５０℃でＲＦパワー１０
Ｗ、圧力１００ｍＴｏｒｒに保持し、プラズマＣＶＤ法
によりｎ-型多結晶シリコン層２上に膜厚１００Åのｐ+
型の非晶質シリコン層３を形成する。
【００２６】その後、金属シリコンは抵抗値が小さいの
で、この基板１裏面に直接Ａｌ蒸着により膜厚５０００
Åの裏面電極５を形成する。そしてスパッタリングによ
りＩＴＯからなる透明導電膜４をｐ+型非晶質シリコン
層３上に形成し、太陽電池が形成される。
で、この基板１裏面に直接Ａｌ蒸着により膜厚５０００
Åの裏面電極５を形成する。そしてスパッタリングによ
りＩＴＯからなる透明導電膜４をｐ+型非晶質シリコン
層３上に形成し、太陽電池が形成される。
【００２７】尚、ｐ+型非晶質シリコン層３とｎ-型多結
晶シリコン層２の界面に膜厚８０Å程度のノンドープの
非晶質シリコンを挿入するとさらに特性が向上する。
晶シリコン層２の界面に膜厚８０Å程度のノンドープの
非晶質シリコンを挿入するとさらに特性が向上する。
【００２８】このように低温エピタキシャルで基板１上
に多結晶シリコンからなる半導体層を形成する場合、製
造が低温なため、金属シリコンからの不純物が活性層に
拡散することなく、特性劣化を引き起こすことはない。
に多結晶シリコンからなる半導体層を形成する場合、製
造が低温なため、金属シリコンからの不純物が活性層に
拡散することなく、特性劣化を引き起こすことはない。
【００２９】また、製造時の温度が６００℃以下であれ
ば、基板１よりの不純物の拡散を防止することができ
る。従って、プラズマＣＶＤ法以外に光ＣＶＤ法、Ｆ2
を流したＣＶＤ法を用いたり、プラズマＣＶＤ法などで
低温で非晶質シリコンを形成した後、６００℃以下の温
度でアニールして、結晶化させるいわゆる固相成長法な
どを用いることができる。
ば、基板１よりの不純物の拡散を防止することができ
る。従って、プラズマＣＶＤ法以外に光ＣＶＤ法、Ｆ2
を流したＣＶＤ法を用いたり、プラズマＣＶＤ法などで
低温で非晶質シリコンを形成した後、６００℃以下の温
度でアニールして、結晶化させるいわゆる固相成長法な
どを用いることができる。
【００３０】続いて、この発明の第２の実施例につき図
２を参照して説明する。純度９８％、膜厚１ｍｍの金属
シリコン基板１を真空炉１０内に配置する、この基板１
は高圧に耐えるため１ｍｍ間隔で配置された支柱１１上
に載置する、そして、この支柱１１の下方に設けられた
ヒータ１２にて基板１を２００〜１３００℃に加熱す
る。この実施例においては、基板１を７００℃に加熱す
る、この状態で真空炉１０の上部に１００気圧程度の高
圧水素（Ｈ2）を供給し、真空炉１０の下部１０ｂを低
圧又は真空にする。
２を参照して説明する。純度９８％、膜厚１ｍｍの金属
シリコン基板１を真空炉１０内に配置する、この基板１
は高圧に耐えるため１ｍｍ間隔で配置された支柱１１上
に載置する、そして、この支柱１１の下方に設けられた
ヒータ１２にて基板１を２００〜１３００℃に加熱す
る。この実施例においては、基板１を７００℃に加熱す
る、この状態で真空炉１０の上部に１００気圧程度の高
圧水素（Ｈ2）を供給し、真空炉１０の下部１０ｂを低
圧又は真空にする。
【００３１】而して、基板１表面が高圧Ｈ2で拡散され
ると、基板１表面の不純物が水素化されて除去され、且
つ欠陥のターミネートがなされ、基板１表面に高純度シ
リコンからなる活性層が形成される。例えば基板温度７
００℃で１００気圧の高圧Ｈ2を１０分間拡散すること
で、厚さ１０μｍの高純度シリコンからなる活性層が形
成される。
ると、基板１表面の不純物が水素化されて除去され、且
つ欠陥のターミネートがなされ、基板１表面に高純度シ
リコンからなる活性層が形成される。例えば基板温度７
００℃で１００気圧の高圧Ｈ2を１０分間拡散すること
で、厚さ１０μｍの高純度シリコンからなる活性層が形
成される。
【００３２】この活性層に燐（Ｐ）などのｎ型不純物を
ドープして、ｎ-型半導体層を形成した後、前述と同様
に、ｐ+型非晶質シリコン層をプラズマＣＶＤ法により
形成する。その後、透明導電膜、裏面電極を形成するこ
とにより、太陽電池が得られる。
ドープして、ｎ-型半導体層を形成した後、前述と同様
に、ｐ+型非晶質シリコン層をプラズマＣＶＤ法により
形成する。その後、透明導電膜、裏面電極を形成するこ
とにより、太陽電池が得られる。
【００３３】図３はこの発明の第３の実施例を示す断面
図である。この図３に従い第３の実施例を説明する。
図である。この図３に従い第３の実施例を説明する。
【００３４】純度９８％、膜厚１ｍｍの金属シリコン基
板１を７００℃に加熱した錫（Ｓｎ）融液２０上に載
せ、基板１上に出力１００ｍＪ／ｃｍ2×１００Ｈｚの
エキシマレーザを照射する。このエキシマレーザの照射
により、基板１内の不純物がＳｎ融液２０に溶出し、基
板１のＳｎ融液２０と接する表面に高純度シリコンから
なる活性層を形成することができる。そして、前述した
第２の実施例と同様に、活性層にＰ等の不純物をドーブ
して、ｎ-型半導体層を形成した後、ｐ+型非晶質シリコ
ン層をプラズマＣＶＤ法により形成する。その後、透明
電極、裏面電極を形成することにより、太陽電池が得ら
れる。
板１を７００℃に加熱した錫（Ｓｎ）融液２０上に載
せ、基板１上に出力１００ｍＪ／ｃｍ2×１００Ｈｚの
エキシマレーザを照射する。このエキシマレーザの照射
により、基板１内の不純物がＳｎ融液２０に溶出し、基
板１のＳｎ融液２０と接する表面に高純度シリコンから
なる活性層を形成することができる。そして、前述した
第２の実施例と同様に、活性層にＰ等の不純物をドーブ
して、ｎ-型半導体層を形成した後、ｐ+型非晶質シリコ
ン層をプラズマＣＶＤ法により形成する。その後、透明
電極、裏面電極を形成することにより、太陽電池が得ら
れる。
【００３５】尚、上述した各実施例は、太陽電池につい
て説明しているが、この発明はスイッチングトランジス
タを主体として集積化した半導体装置等にも適用するこ
とができる。
て説明しているが、この発明はスイッチングトランジス
タを主体として集積化した半導体装置等にも適用するこ
とができる。
【００３６】
【発明の効果】上述したように、この発明は、金属シリ
コン及び低純度シリコンからなる低コストの基板に高純
度シリコンを容易に形成することができるので、このシ
リコンを活性層として用いれば、低コストの半導体装置
が得られる。
コン及び低純度シリコンからなる低コストの基板に高純
度シリコンを容易に形成することができるので、このシ
リコンを活性層として用いれば、低コストの半導体装置
が得られる。
【図１】この発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図２】この発明の第２の実施例の製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図３】この発明の第３の実施例の製造方法を示す断面
図である。
図である。
１ 金属シリコン基板
２ ｎ-型シリコン半導体層(活性層)
３ ｐ+型シリコン半導体層
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(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
7376−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｍ
Claims (10)
- 【請求項１】 基板として金属シリコンを用い、この金
属シリコン上に半導体グレードの高純度シリコンからな
る活性層が形成されてなる半導体装置。 - 【請求項２】 基板としてシリコン純度が９９．９９％
未満の低純度シリコンを用い、この低純度シリコン上に
半導体グレードの高純度シリコンからなる活性層が形成
されてなる半導体装置。 - 【請求項３】 金属シリコン基板上に低温エピタキシャ
ル成長により、半導体グレードの高純度シリコンからな
る活性層を形成することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】 金属シリコン基板上に低温エピタキシャ
ル成長により、半導体グレードの高純度シリコンからな
る一導電型の半導体層を形成し、この半導体層上に他導
電型の非晶質シリコン半導体層を形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 シリコン純度が９９．９９％未満の低純
度シリコンからなる基板上に、低温エピタキシャル成長
により、半導体グレードの高純度シリコンからなる活性
層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 シリコン純度が９９．９９％未満の低純
度シリコンからなる基板上に、低温エピタキシャル成長
により半導体グレードの高純度シリコンからなる一導電
型の半導体層を形成し、この半導体層上に他導電型非晶
質シリコン半導体層を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項７】 金属シリコン基板の表面より高圧水素を
拡散することにより、少なくとも金属シリコン基板表面
の不純物を除去して高純度シリコン層を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 シリコン純度が９９．９９％未満の低純
度シリコンからなる基板の表面より高圧水素を拡散する
ことにより、少なくとも低純度シリコン基板表面の不純
物を除去して、純度が９９．９９９％以上の半導体グレ
ードのシリコン層を形成することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項９】 金属シリコン基板の一主面を加熱溶融し
た錫融液上に接触させた状態で保持し、前記基板上に高
エネルギービームを照射して、基板１内の不純物を錫融
液に溶出させることにより、少なくとも前記基板の錫融
液と接する表面に純度が９９．９９９％以上の高純度シ
リコンからなる活性層を形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 シリコン純度が９９．９９％未満の低
純度シリコンからなる基板の一主面を加熱溶融した錫融
液上に接触させた状態で保持し、前記基板上に高エネル
ギービームを照射して、基板１内の不純物を錫融液に溶
出させることにより、少なくとも前記基板の錫融液と接
する表面に純度が９９．９９９％以上の高純度シリコン
からなる活性層を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21620391A JP3157201B2 (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 半導体装置の製造方法 |
| US07/922,579 US5455430A (en) | 1991-08-01 | 1992-07-30 | Photovoltaic device having a semiconductor grade silicon layer formed on a metallurgical grade substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21620391A JP3157201B2 (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536611A true JPH0536611A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3157201B2 JP3157201B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=16684890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21620391A Expired - Fee Related JP3157201B2 (ja) | 1991-08-01 | 1991-08-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3157201B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086516A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| JP2012503310A (ja) * | 2008-09-16 | 2012-02-02 | シエラ ソーラー パワー， インコーポレイテッド | 冶金級Ｓｉウエハ上のＣＶＤエピタキシャルＳｉ膜を使用して製造される太陽電池 |
| JP2013149897A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Innovation & Infinity Global Corp | 複合型太陽電池用の多結晶シリコン基板の製造方法 |
| JP2013149896A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Innovation & Infinity Global Corp | 複合型太陽電池用の多結晶シリコン基板及びそれを用いた太陽電池 |
-
1991
- 1991-08-01 JP JP21620391A patent/JP3157201B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086516A1 (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| JP2012503310A (ja) * | 2008-09-16 | 2012-02-02 | シエラ ソーラー パワー， インコーポレイテッド | 冶金級Ｓｉウエハ上のＣＶＤエピタキシャルＳｉ膜を使用して製造される太陽電池 |
| JP2013149897A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Innovation & Infinity Global Corp | 複合型太陽電池用の多結晶シリコン基板の製造方法 |
| JP2013149896A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Innovation & Infinity Global Corp | 複合型太陽電池用の多結晶シリコン基板及びそれを用いた太陽電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3157201B2 (ja) | 2001-04-16 |
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