JPH0536830U - 縦型拡散装置の炉口部保温装置 - Google Patents
縦型拡散装置の炉口部保温装置Info
- Publication number
- JPH0536830U JPH0536830U JP9321291U JP9321291U JPH0536830U JP H0536830 U JPH0536830 U JP H0536830U JP 9321291 U JP9321291 U JP 9321291U JP 9321291 U JP9321291 U JP 9321291U JP H0536830 U JPH0536830 U JP H0536830U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】縦型拡散炉に於いて炉口部の保温性を改善し、
ヒータ下部領域の温度安定性を向上させ、ヒータ下部領
域に位置するウェーハの生成膜の均一性を向上させる。 【構成】縦型拡散炉の炉口部１６をスカベンジャ１１で
覆い、該スカベンジャの内面を鏡面状とし、炉口部から
輻射されるヒータ２の熱を、スカベンジャによって反射
し、炉口部の保温をし、ヒータ下部領域の温度を安定さ
せる。
ヒータ下部領域の温度安定性を向上させ、ヒータ下部領
域に位置するウェーハの生成膜の均一性を向上させる。 【構成】縦型拡散炉の炉口部１６をスカベンジャ１１で
覆い、該スカベンジャの内面を鏡面状とし、炉口部から
輻射されるヒータ２の熱を、スカベンジャによって反射
し、炉口部の保温をし、ヒータ下部領域の温度を安定さ
せる。
Description
【０００１】
本考案は、半導体製造装置の１つである縦型拡散装置の炉口部保温装置、特に 炉口部保温に供されるスカベンジャの改良に係るものである。
【０００２】
半導体製造素子の製造工程に於て、ウェーハを熱処理し、又ウェーハへの不純 物の拡散反応を行わせる工程があり、斯かる工程の為、縦型拡散装置が設備され る。
【０００３】 従来例の縦型拡散装置について図２により説明する。
【０００４】 立設した石英製の反応管１の周囲をヒータ２で囲み、前記反応管１の内部を所 定の温度に加熱維持し、該反応管１にウェーハ３を装入して、反応ガスを流通さ せ、ウェーハの表面処理を行う。
【０００５】 図２中、４は前記反応管１の内部の温度分布を均一化する均熱管であり、前記 反応管１には該反応管１の上部に連通する反応ガス供給管５より反応ガスが供給 され、該反応管１の下部に連通した排出管６より排出される様になっている。
【０００６】 又、前記ウェーハ３はボート７に多段に保持された状態で、前記反応管１に装 入されるが、該ボート７は前記反応管１の炉口部分に装入されるキャップ８に立 設されており、該キャップ８の下端部に形成されたフランジ９は、前記反応管１ の下端に形成された炉口フランジ１０に気密に当接して前記反応管１を気密に閉 塞する。
【０００７】 又、前記反応管１が前記ヒータ２より下方に突出する部分の炉口部１６はスカ ベンジャ１１によって囲まれ、該スカベンジャ１１により、前記反応ガスの漏出 、熱の拡散を防止している。
【０００８】 尚、図中１２は前記スカベンジャ１１に漏出した、反応ガスを排気する為の排 気ダクトである。
【０００９】
前記スカベンジャ１１は、主に反応ガスの排気を目的としており、炉口部１６ よりヒータ２の熱が拡散するのを効果的には防止しておらず、ヒータ２下部領域 の温度安定性を悪くしている。その為、前記縦型拡散炉のウェーハ処理ではヒー タ２下部領域に位置するウェーハの膜の均一性が悪くなっていた。
【００１０】 本考案は斯かる実情に鑑み、縦型拡散炉に於いて炉口部の保温性を改善し、ヒ ータ下部領域の温度安定性を向上させ、ヒータ下部領域に位置するウェーハの生 成膜の均一性を向上させようとするものである。
【００１１】
本考案は、縦型拡散炉の炉口部をスカベンジャで覆い、該スカベンジャの内面 を鏡面状としたことを特徴とするものである。
【００１２】
炉口部から輻射されるヒータの熱を、スカベンジャによって反射し、炉口部の 保温をし、ヒータ下部領域の温度を安定する。
【００１３】
以下、図面に基づき本考案の一実施例を説明する。
【００１４】 尚、以下の縦型拡散炉の構成は上記した従来と同様であるので説明を省略する 。
【００１５】 炉口部１６からのヒータ２の熱の拡散の１つの態様として熱輻射がある。本考 案ではこの熱輻射を防止し、ヒータ２下部領域の温度安定性を向上させる。
【００１６】 図１は、スカベンジャ１１の斜視図であり、該スカベンジャ１１は前記炉口部 １６を囲繞する様に箱型となっており、底面には前記反応管１が貫通する孔１３ が穿設され、又側面には前記反応ガス供給管５、排出管６が貫通する側孔１４， １５が穿設されている。而して、該スカベンジャ１１の内面にクロームメッキ、 或は鏡面研磨をする等、鏡面状にする。
【００１７】 前記スカベンジャ１１の内面を鏡面状にすることで、ヒータ２からの輻射熱が 前記スカベンジャ１１の内面で反射され、熱輻射が防止される。
【００１８】 この熱輻射の防止でヒータ２下部領域の温度安定性が向上する。
【００１９】 又、他の実施例として、特に図示しないが、スカベンジャ１１を複数の箱体に よる多重構造とし、好ましくは各箱体の内面を鏡面状とし、スカベンジャ１１に よる熱反射を効果的にする。
【００２０】 更に又、他の実施例として、スカベンジャ１１の内面を鏡面状にすると共に２ 重且中空構造とし、スカベンジャ１１による熱反射をより完全とする。
【００２１】
以上述べた如く本考案によれば、スカベンジャにより炉口下部からの熱輻射を 防止できるので、ヒータ下部領域の温度安定性を向上させ得、ヒータ下部領域に 位置するウェーハの生成膜の均一性を向上させることができる。
【図１】本考案の一実施例を示すスカベンジャの斜視図
である。
である。
【図２】本考案が実施される縦型拡散炉の一例を示す概
略図である。
略図である。
２ ヒータ １１ スカベンジャ １６ 炉口部
Claims (3)
- 【請求項１】 縦型拡散炉の炉口部をスカベンジャで覆
い、該スカベンジャの内面を鏡面状としたことを特徴と
する縦型拡散装置の炉口部保温装置。 - 【請求項２】 スカベンジャを多重構造とした請求項１
の縦型拡散装置の炉口部保温装置。 - 【請求項３】 スカベンジャを２重中空構造とし、中空
部を真空とした請求項１の縦型拡散装置の炉口部保温装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9321291U JPH0536830U (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 縦型拡散装置の炉口部保温装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9321291U JPH0536830U (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 縦型拡散装置の炉口部保温装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536830U true JPH0536830U (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=14076263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9321291U Pending JPH0536830U (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 縦型拡散装置の炉口部保温装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536830U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206826A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nippon Texas Instr Kk | 半導体熱処理装置 |
| JPH04111417A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
| JPH04132216A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 熱処理装置 |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP9321291U patent/JPH0536830U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206826A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nippon Texas Instr Kk | 半導体熱処理装置 |
| JPH04111417A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
| JPH04132216A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 熱処理装置 |
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