JPS62206826A - 半導体熱処理装置 - Google Patents
半導体熱処理装置Info
- Publication number
- JPS62206826A JPS62206826A JP61049203A JP4920386A JPS62206826A JP S62206826 A JPS62206826 A JP S62206826A JP 61049203 A JP61049203 A JP 61049203A JP 4920386 A JP4920386 A JP 4920386A JP S62206826 A JPS62206826 A JP S62206826A
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- JP
- Japan
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- inert gas
- gas
- semiconductor
- cylindrical partition
- partition wall
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B21/00—Arrangements for supplying or controlling air or other gases for drying solid materials or objects
- F26B21/40—Arrangements for supplying or controlling air or other gases for drying solid materials or objects using gases other than air
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B9/00—Machines or apparatus for drying solid materials or objects at rest or with only local agitation; Domestic airing cupboards
- F26B9/06—Machines or apparatus for drying solid materials or objects at rest or with only local agitation; Domestic airing cupboards in stationary drums or chambers
- F26B9/066—Machines or apparatus for drying solid materials or objects at rest or with only local agitation; Domestic airing cupboards in stationary drums or chambers the products to be dried being disposed on one or more containers, which may have at least partly gas-previous walls, e.g. trays or shelves in a stack
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は不純物拡散袋（青等の半導体熱処理装置（：関
するものである。
するものである。
口、従来技術
半導体ウェハ４二対して不純物拡散処理を行なう装置と
して、従来、縦型拡散装置が知られている。
して、従来、縦型拡散装置が知られている。
この縦型拡散装置の一例を第５図及び第６図（：示す。
この装置Ｃ；よれば、拡散炉９は、炉芯管１と、この
炉芯管を加熱する電気炉２とで構成されていて、多数の
半導体基板６を保持するボート４を保持棒５が保持して
炉芯管９内に搬出入される。
炉芯管を加熱する電気炉２とで構成されていて、多数の
半導体基板６を保持するボート４を保持棒５が保持して
炉芯管９内に搬出入される。
６はボックス状のスカベンジャーで、半導体搬出入用の
炉芯管開口部１０を包囲して配され、スカベンジャー６
内の空気、反応ガス、拡散ガス等１１は排出ロアより排
出される。 スカベンジャー６の一方の側面には、空気
１２流入用の小孔８が設けられている。
炉芯管開口部１０を包囲して配され、スカベンジャー６
内の空気、反応ガス、拡散ガス等１１は排出ロアより排
出される。 スカベンジャー６の一方の側面には、空気
１２流入用の小孔８が設けられている。
このような拡散装置では、半導体基板３を炉９内鑑：搬
入する際に、スカベンジャー６内で、炉芯管１の開口部
１０近くまで取付けられたヒーター２の輻射熱により昇
温したスカベンジャ−６壁部によって、半導体基板６が
加熱されて外気に曝される。 更に、炉芯管１Ｃ；入っ
ていく際も、配列された半導体基板間の空気１３や、周
囲から巻き込まれた空気１６により、半導体基板３とこ
の表面上の酸化膜との界面ζ：外気が取込まれて酸素と
の結びつきが不完全な膜が生じる。 これによって、界
面電荷密度が増加し、半導体素子の特性を劣化させると
共に、外気による汚染の問題もある。
入する際に、スカベンジャー６内で、炉芯管１の開口部
１０近くまで取付けられたヒーター２の輻射熱により昇
温したスカベンジャ−６壁部によって、半導体基板６が
加熱されて外気に曝される。 更に、炉芯管１Ｃ；入っ
ていく際も、配列された半導体基板間の空気１３や、周
囲から巻き込まれた空気１６により、半導体基板３とこ
の表面上の酸化膜との界面ζ：外気が取込まれて酸素と
の結びつきが不完全な膜が生じる。 これによって、界
面電荷密度が増加し、半導体素子の特性を劣化させると
共に、外気による汚染の問題もある。
ハ６発明の目的
本発明の目的は、外気等の不純ガスの侵入及びこれによ
る悪影響を十二分（＝防止できる半導体熱処理装置を提
供するものである。
る悪影響を十二分（＝防止できる半導体熱処理装置を提
供するものである。
二０発明の構成
・１即ち、本発明は、熱処理炉本体（例えば炉芯管）と
、この熱処理炉本体の半導体微出入口（例えば炉芯管開
口部）にてこの半導体搬出入口の周囲に設けられたガス
排出部（例えばボックス状のスカベンジャー）と、この
ガス排出部の内周側ζ二て前記半導体搬出入口に沿って
設けられた筒状隔壁（例えば後述の円筒状隔壁）とを有
し、前記ガス排出部内書二てガス排出のためのガス流を
形成するガス流形成手段（例えば空気導入孔とその排出
口との組合せ）が設けられていると共書二、望ましくは
このガス流と順流的に、前記筒状隔壁の一方側からその
内部に不活性ガスを供給して前記筒状隔壁の他方側から
、前記熱処理炉本体内のガスと一諸に導出する第２のガ
ス流形成手段（例えば円筒状隔壁に形成された不活性ガ
ス噴出口と、その対向壁部に形成されたガス排出孔）が
設けられている拡散等の半導体熱処理装置に係るもので
ある。
、この熱処理炉本体の半導体微出入口（例えば炉芯管開
口部）にてこの半導体搬出入口の周囲に設けられたガス
排出部（例えばボックス状のスカベンジャー）と、この
ガス排出部の内周側ζ二て前記半導体搬出入口に沿って
設けられた筒状隔壁（例えば後述の円筒状隔壁）とを有
し、前記ガス排出部内書二てガス排出のためのガス流を
形成するガス流形成手段（例えば空気導入孔とその排出
口との組合せ）が設けられていると共書二、望ましくは
このガス流と順流的に、前記筒状隔壁の一方側からその
内部に不活性ガスを供給して前記筒状隔壁の他方側から
、前記熱処理炉本体内のガスと一諸に導出する第２のガ
ス流形成手段（例えば円筒状隔壁に形成された不活性ガ
ス噴出口と、その対向壁部に形成されたガス排出孔）が
設けられている拡散等の半導体熱処理装置に係るもので
ある。
ホ、実施例
以下、本発明を不純物拡散炉に適用した実施例を図面に
ついて詳細：二説明する。
ついて詳細：二説明する。
本実施例による縦型拡散装置を示す第１図〜第４図にお
いて、既述した第５図及び第６図の例と共通する部分に
は共通符号を付し、その説明を省略することがある。
いて、既述した第５図及び第６図の例と共通する部分に
は共通符号を付し、その説明を省略することがある。
本実施例による装置書＝おいては、スカベンジャー６の
内周側に円筒状（特に透明石英製の）隔壁２０が半導体
搬出入口１０に沿って設けられている。 即ち、円筒状
隔壁２０は炉芯管１のフラン１７２７上ｌ：設置されて
いて、Ｎ１等の不活性ガス２６が導入パイプ２２より不
活性ガス供給用ボックス２４に導かれ、このボックス２
４の複数のスリット孔２５からウェハ３に向りて不活性
ガスカーテンを形成する如くに噴出される。 噴出され
た不活性ガス２６は対向する排出孔２６より吸引され、
スカベンジャー６の空気・ガス排出ロアより排気される
。 ウェハ６が挿入され、不活性ガス２３が噴出されて
いる間、空気流入口８が閉じられていると、排気孔２６
の吸引効果が上がり、炉芯管１内に流入する空気（前述
の１３）を流入防止する上で一層好ましい。 炉芯管１
はウニへ挿入の際、不活性ガス２８が下部よりパージさ
れ、管内及びクエ力量を満たし、噴出された不活性ガス
２６と共に排出孔２６からされる。 この不活性ガスの
流れをスムーズにするため、不活性ガス供給ボックス２
４は空気流入口８の側に、排出孔２６は空気・ガス排気
ロアの側にそれぞれ配設され、かつウェハ６は水平面に
対して不活性ガス供給用ボックス２４の側を軍艦；、排
出孔２６の側を上にして傾け、炉芯管１から排出される
高温のパージガス２８がウニ力量を流れ易くする。 こ
のために、排出孔２６の位置は不活性ガス供給用ボック
スのガス噴出口２５の位置より上に設置すると効果的で
ある。 図中の２１は空気、反応ガス、拡散ガス、不活
性ガス等の排ガスである。
内周側に円筒状（特に透明石英製の）隔壁２０が半導体
搬出入口１０に沿って設けられている。 即ち、円筒状
隔壁２０は炉芯管１のフラン１７２７上ｌ：設置されて
いて、Ｎ１等の不活性ガス２６が導入パイプ２２より不
活性ガス供給用ボックス２４に導かれ、このボックス２
４の複数のスリット孔２５からウェハ３に向りて不活性
ガスカーテンを形成する如くに噴出される。 噴出され
た不活性ガス２６は対向する排出孔２６より吸引され、
スカベンジャー６の空気・ガス排出ロアより排気される
。 ウェハ６が挿入され、不活性ガス２３が噴出されて
いる間、空気流入口８が閉じられていると、排気孔２６
の吸引効果が上がり、炉芯管１内に流入する空気（前述
の１３）を流入防止する上で一層好ましい。 炉芯管１
はウニへ挿入の際、不活性ガス２８が下部よりパージさ
れ、管内及びクエ力量を満たし、噴出された不活性ガス
２６と共に排出孔２６からされる。 この不活性ガスの
流れをスムーズにするため、不活性ガス供給ボックス２
４は空気流入口８の側に、排出孔２６は空気・ガス排気
ロアの側にそれぞれ配設され、かつウェハ６は水平面に
対して不活性ガス供給用ボックス２４の側を軍艦；、排
出孔２６の側を上にして傾け、炉芯管１から排出される
高温のパージガス２８がウニ力量を流れ易くする。 こ
のために、排出孔２６の位置は不活性ガス供給用ボック
スのガス噴出口２５の位置より上に設置すると効果的で
ある。 図中の２１は空気、反応ガス、拡散ガス、不活
性ガス等の排ガスである。
隔壁２０及びこれに設けられた上記不活性ガス供給ボッ
クス２４は第３図に明示する外観形状を有しているが、
その不活性ガス噴出口２５は第４図のようにスリット状
や小円孔状でありてよい。
クス２４は第３図に明示する外観形状を有しているが、
その不活性ガス噴出口２５は第４図のようにスリット状
や小円孔状でありてよい。
また、円筒状隔壁２０を炉芯管１のフランジ２７の土に
設置すること；二より、プランジ２７とヒーター２０間
から発生するパーティクルがウェハに付着することを防
止できる。
設置すること；二より、プランジ２７とヒーター２０間
から発生するパーティクルがウェハに付着することを防
止できる。
上述したように、本実施例ａユよれば、スカベンジャー
６において、半導体基板３を囲む円筒状隔壁２０を設け
、この隔壁に不活性ガス供給用ボックス２４を取付けて
ここに不活性ガスを導入して半導体基板に向って噴出し
、気体カーテンを形成すると共に、対向する隔壁（＝排
気孔２６を設けることにより、配列されたウニ力量の空
気を排出して不活性ガスで満たし、かつ空気が拡散炉内
に侵入するのを防ぐことができる。 これによって、外
気等が侵入して性蛯劣化が生じるのを十二分に防止でき
る。 しかもこの場合、円筒状隔壁２０及び不活性ガス
供給用ボックス２４を透明（高純度）石英で作ることζ
二より、ヒーター２からの輻射熱を透過して温度が上昇
しないので、挿入されるウェハを輻射熱で加熱すること
がなく、低温度でウニ力量の空気と不活性ガスの置換が
可能となる。 また、クエへ引出しの際は、加熱された
ウェハの輻射熱を反射することなく透過するので、冷却
効果が高く、不活性ガスカーテンによる冷却が効果的に
作用し、低い温度に冷却された後、スカベンジャーの外
に取り出すことが可能となる。
６において、半導体基板３を囲む円筒状隔壁２０を設け
、この隔壁に不活性ガス供給用ボックス２４を取付けて
ここに不活性ガスを導入して半導体基板に向って噴出し
、気体カーテンを形成すると共に、対向する隔壁（＝排
気孔２６を設けることにより、配列されたウニ力量の空
気を排出して不活性ガスで満たし、かつ空気が拡散炉内
に侵入するのを防ぐことができる。 これによって、外
気等が侵入して性蛯劣化が生じるのを十二分に防止でき
る。 しかもこの場合、円筒状隔壁２０及び不活性ガス
供給用ボックス２４を透明（高純度）石英で作ることζ
二より、ヒーター２からの輻射熱を透過して温度が上昇
しないので、挿入されるウェハを輻射熱で加熱すること
がなく、低温度でウニ力量の空気と不活性ガスの置換が
可能となる。 また、クエへ引出しの際は、加熱された
ウェハの輻射熱を反射することなく透過するので、冷却
効果が高く、不活性ガスカーテンによる冷却が効果的に
作用し、低い温度に冷却された後、スカベンジャーの外
に取り出すことが可能となる。
以上、本発明を例示したが、上述の実施例は本発明の技
術的思想に基いて更に変形が可能である。
術的思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、上述の隔壁２０は必尤しも円筒状でなくてもよ
く、楕円形、方形などの形状でも目的を達することがで
きる。 また、不活性ガス供給用ボックス２４から不活
性ガスを噴出する噴出口２５の形状、個数等は上述のも
のに限定されることはない。 噴出口２５から噴出され
るガス２３の角度は必ずしも水平でなくてもよく、傾け
たウェハに合わせた角度、あるいは複数の噴出口列、ス
リット列にそれぞれの角度をもたせてもよい。 本発明
は、炉芯管開口部を上１＝、底部を下にした縦型拡散炉
に限定するものではなく、炉芯管を逆に配置した縦型拡
散炉においても有効である。 また、拡散以外の熱処理
炉にも適用できるし、或いは縦型でなくて横型の炉にも
勿論適用可能である。
く、楕円形、方形などの形状でも目的を達することがで
きる。 また、不活性ガス供給用ボックス２４から不活
性ガスを噴出する噴出口２５の形状、個数等は上述のも
のに限定されることはない。 噴出口２５から噴出され
るガス２３の角度は必ずしも水平でなくてもよく、傾け
たウェハに合わせた角度、あるいは複数の噴出口列、ス
リット列にそれぞれの角度をもたせてもよい。 本発明
は、炉芯管開口部を上１＝、底部を下にした縦型拡散炉
に限定するものではなく、炉芯管を逆に配置した縦型拡
散炉においても有効である。 また、拡散以外の熱処理
炉にも適用できるし、或いは縦型でなくて横型の炉にも
勿論適用可能である。
へ０発明の作用効果
本発明は上述した如く、半導体搬出入口に沿って設けら
れた筒状隔壁内に不活性ガスを供給して他方の側から排
出しているので、配列された半導体間の空気を排出して
不活性ガスで満たし、かつ空気が炉内に侵入するのを防
ぐことができる。
れた筒状隔壁内に不活性ガスを供給して他方の側から排
出しているので、配列された半導体間の空気を排出して
不活性ガスで満たし、かつ空気が炉内に侵入するのを防
ぐことができる。
これによって、外気等が侵入して性能劣化が生じるのを
十二分に防止できる。
十二分に防止できる。
第１図〜第４図は本発明の実施例を示すものでありて、
第１図は縦型拡散装置の要部概略断面図、第２図は第１
図のｎ−ｎ線断面図、 第３図は円筒状隔壁を明示するための斜視図、第４図（
Ａ）及び（Ｂ）は不活性ガス噴出口のパターンを例示す
る図 である。 第５図は従来の縦型拡散装置の要部概略断面図、第６図
は同装置の一部破断要部斜視図 である。 なお、図面（＝示す符号において、 １・・・・・・・、・・・・・炉芯管 ２・・・・・・・・・・・・ヒーター ３・・・・・・・・・・・・半導体ウェハ４・・・・・
・・・・・・・ホー） ６・・・・・・・・・・・・スカベンジャー７・・・・
・・・・・・・・排出口 ８・・・・・・・・・・・・空気流入孔１０・・・・・
・・・・・半導体搬出入口（開口部）１２・・・・・・
・・・・空気 ２０・・・・・・・・・・円筒状隔壁 ２１・・・・・・・・・・排ガス ２２・・・・・・・・・・不活性ガス導入バイブ２６・
・・・・・・・・・不活性ガス ２４・・・・・・・・・・不活性ガス供給ボックス２５
・・・・・・・・・・噴出口 ２６・・・・・・・・・・排出孔 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第２図 第３図 第４図 乙
図のｎ−ｎ線断面図、 第３図は円筒状隔壁を明示するための斜視図、第４図（
Ａ）及び（Ｂ）は不活性ガス噴出口のパターンを例示す
る図 である。 第５図は従来の縦型拡散装置の要部概略断面図、第６図
は同装置の一部破断要部斜視図 である。 なお、図面（＝示す符号において、 １・・・・・・・、・・・・・炉芯管 ２・・・・・・・・・・・・ヒーター ３・・・・・・・・・・・・半導体ウェハ４・・・・・
・・・・・・・ホー） ６・・・・・・・・・・・・スカベンジャー７・・・・
・・・・・・・・排出口 ８・・・・・・・・・・・・空気流入孔１０・・・・・
・・・・・半導体搬出入口（開口部）１２・・・・・・
・・・・空気 ２０・・・・・・・・・・円筒状隔壁 ２１・・・・・・・・・・排ガス ２２・・・・・・・・・・不活性ガス導入バイブ２６・
・・・・・・・・・不活性ガス ２４・・・・・・・・・・不活性ガス供給ボックス２５
・・・・・・・・・・噴出口 ２６・・・・・・・・・・排出孔 である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第２図 第３図 第４図 乙
Claims (1)
- １、熱処理炉本体と、この熱処理炉本体の半導体搬出入
口にてこの半導体搬出入口の周囲に設けられたガス排出
部と、このガス排出部の内周側にて前記半導体搬出入口
に沿って設けられた筒状隔壁とを有し、前記ガス排出部
内にてガス排出のためのガス流を形成するガス流形成手
段が設けられていると共に、前記筒状隔壁の一方側から
その内部に不活性ガスを供給して前記筒状隔壁の他方側
から、前記熱処理炉本体内のガスと一緒に導出する第２
のガス流形成手段が設けられている半導体熱処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049203A JPS62206826A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 半導体熱処理装置 |
| US07/019,453 US4823480A (en) | 1986-03-06 | 1987-02-26 | Semiconductor heat-treating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61049203A JPS62206826A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 半導体熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62206826A true JPS62206826A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12824431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61049203A Pending JPS62206826A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 半導体熱処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4823480A (ja) |
| JP (1) | JPS62206826A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63134665A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-06-07 | シリコン・バレー・グループ・インコーポレーテツド | ガス掃気器 |
| JPH0536830U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-18 | 国際電気株式会社 | 縦型拡散装置の炉口部保温装置 |
| JPH0569945U (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 縦型基板熱処理装置 |
| JPH06177225A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 環境制御装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5065089A (en) * | 1990-06-01 | 1991-11-12 | Tovex Tech, Inc. | Circuit handler with sectioned rail |
| US5025570A (en) * | 1990-10-19 | 1991-06-25 | Moffat William A | Modular convective oven with anti-contamination features |
| DE4326308C1 (de) * | 1993-08-05 | 1994-10-20 | Jenoptik Jena Gmbh | Transportvorrichtung für Magazine zur Aufnahme scheibenförmiger Objekte |
| US5997588A (en) * | 1995-10-13 | 1999-12-07 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Semiconductor processing system with gas curtain |
| US5937536A (en) * | 1997-10-06 | 1999-08-17 | Pharmacopeia, Inc. | Rapid drying oven for providing rapid drying of multiple samples |
| JP5109376B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2012-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4223450A (en) * | 1979-07-05 | 1980-09-23 | Airco, Inc. | Methods and apparatus for controlling gas flows |
| US4318749A (en) * | 1980-06-23 | 1982-03-09 | Rca Corporation | Wettable carrier in gas drying system for wafers |
| JPS58218115A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-19 | Sony Corp | 熱処理装置 |
| US4518349A (en) * | 1983-12-01 | 1985-05-21 | Better Semiconductor Processes (Bsp) | Cantilevered boat-free semiconductor wafer handling system |
| US4610628A (en) * | 1983-12-28 | 1986-09-09 | Denkoh Co., Ltd. | Vertical furnace for heat-treating semiconductor |
| US4597736A (en) * | 1985-05-03 | 1986-07-01 | Yield Engineering Systems, Inc. | Method and apparatus for heating semiconductor wafers |
-
1986
- 1986-03-06 JP JP61049203A patent/JPS62206826A/ja active Pending
-
1987
- 1987-02-26 US US07/019,453 patent/US4823480A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63134665A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-06-07 | シリコン・バレー・グループ・インコーポレーテツド | ガス掃気器 |
| JPH0536830U (ja) * | 1991-10-17 | 1993-05-18 | 国際電気株式会社 | 縦型拡散装置の炉口部保温装置 |
| JPH0569945U (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 縦型基板熱処理装置 |
| JPH06177225A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 環境制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4823480A (en) | 1989-04-25 |
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