JPH0537072A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
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- JPH0537072A JPH0537072A JP18988091A JP18988091A JPH0537072A JP H0537072 A JPH0537072 A JP H0537072A JP 18988091 A JP18988091 A JP 18988091A JP 18988091 A JP18988091 A JP 18988091A JP H0537072 A JPH0537072 A JP H0537072A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 戻り光雑音を抑制できる上、熱放散効率を良
くして信頼性を向上できる半導体レーザ素子を提供す
る。 【構成】 チップ本体１の端面２aのレーザ光出射箇所
２２０の周囲に、活性層２０５よりも小さいバンドギャ
ップを有する半導体材料からなる光吸収層４,４を設け
る。上記端面２aと光吸収層４,４との間に、活性層２０
５よりも大きいバンドギャップを有する半導体材料から
なり、上記端面全域を覆う窓層３aを設ける。
くして信頼性を向上できる半導体レーザ素子を提供す
る。 【構成】 チップ本体１の端面２aのレーザ光出射箇所
２２０の周囲に、活性層２０５よりも小さいバンドギャ
ップを有する半導体材料からなる光吸収層４,４を設け
る。上記端面２aと光吸収層４,４との間に、活性層２０
５よりも大きいバンドギャップを有する半導体材料から
なり、上記端面全域を覆う窓層３aを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ素子に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザを応用した機器において
は、いわゆる戻り光雑音を低減することが一般的な課題
となっている。図７に示すように、例えば光ピックアッ
プの場合、半導体レーザ素子７００がレーザ光出射面７
００aから出射したレーザ光Ｌ1は光ディスク７０１に入
射し、光ディスク７０１に反射されて、再び半導体レー
ザ素子７００側に戻って来る。この戻って来たレーザ光
(以下、「戻り光」という。)Ｌ2は、半導体レーザ素子７
００(図８に内部構造を示す)に取り込まれて、活性層８
１５のキャリア濃度を乱し、発振縦モードや光出力を変
動させる(戻り光雑音)。また、戻り光Ｌ2は光出射時に
比して一般に大きな光ビーム径で戻って来るため、活性
層８１５を挟むクラッド層８１４,８１６にも入射す
る。クラッド層８１４,８１６は戻り光Ｌ2に対して透明
に構成されているため、入射した戻り光Ｌ2はクラッド
層８１４,８１６内部を伝搬する。そして、活性層８１
５内のレーザ光と干渉を起こして、戻り光雑音を増大さ
せる。
は、いわゆる戻り光雑音を低減することが一般的な課題
となっている。図７に示すように、例えば光ピックアッ
プの場合、半導体レーザ素子７００がレーザ光出射面７
００aから出射したレーザ光Ｌ1は光ディスク７０１に入
射し、光ディスク７０１に反射されて、再び半導体レー
ザ素子７００側に戻って来る。この戻って来たレーザ光
(以下、「戻り光」という。)Ｌ2は、半導体レーザ素子７
００(図８に内部構造を示す)に取り込まれて、活性層８
１５のキャリア濃度を乱し、発振縦モードや光出力を変
動させる(戻り光雑音)。また、戻り光Ｌ2は光出射時に
比して一般に大きな光ビーム径で戻って来るため、活性
層８１５を挟むクラッド層８１４,８１６にも入射す
る。クラッド層８１４,８１６は戻り光Ｌ2に対して透明
に構成されているため、入射した戻り光Ｌ2はクラッド
層８１４,８１６内部を伝搬する。そして、活性層８１
５内のレーザ光と干渉を起こして、戻り光雑音を増大さ
せる。
【０００３】このような現象を防ぐために、従来の半導
体レーザ素子７００は、図８中に示すように、レーザ光
出射端面７００aのうちレーザ光を発する箇所(活性層８
１５内で、電流挟窄層８１２に形成されたストライプ状
溝８１３近傍の箇所)８２０の周囲に高反射率を有する
誘電体膜８０４,８０４を設けている。これにより、戻
り光Ｌ2がクラッド層８１４,８１６に入射する量を抑え
て、戻り光雑音を抑制するようにしている。なお、８０
３,８０６は、チップ本体８００を保護するために端面
７００a,７００b全域に設けた誘電体膜(低反射率のも
の)を示している。
体レーザ素子７００は、図８中に示すように、レーザ光
出射端面７００aのうちレーザ光を発する箇所(活性層８
１５内で、電流挟窄層８１２に形成されたストライプ状
溝８１３近傍の箇所)８２０の周囲に高反射率を有する
誘電体膜８０４,８０４を設けている。これにより、戻
り光Ｌ2がクラッド層８１４,８１６に入射する量を抑え
て、戻り光雑音を抑制するようにしている。なお、８０
３,８０６は、チップ本体８００を保護するために端面
７００a,７００b全域に設けた誘電体膜(低反射率のも
の)を示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体レーザ素子７００は、端面７００a,７００b
全域を熱伝導の悪い誘電体膜８０３,８０４,８０６で覆
っているため、熱放散効率が低下して、この結果、信頼
性が損なわれるという問題がある。
来の半導体レーザ素子７００は、端面７００a,７００b
全域を熱伝導の悪い誘電体膜８０３,８０４,８０６で覆
っているため、熱放散効率が低下して、この結果、信頼
性が損なわれるという問題がある。
【０００５】そこで、この発明の目的は、戻り光雑音を
抑制できる上、熱放散効率を高レベルに維持でき、した
がって信頼性を向上できる半導体レーザ素子を提供する
ことにある。
抑制できる上、熱放散効率を高レベルに維持でき、した
がって信頼性を向上できる半導体レーザ素子を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の半導体レーザ素子は、レーザ発振を行う
活性層を含む半導体層からなり、上記半導体層の端面の
うちの特定箇所からレーザ光を出射するチップ本体と、
上記活性層よりも小さいバンドギャップを有する半導体
材料からなり、上記チップ本体の上記端面のうち上記レ
ーザ光を出射する箇所の周囲を覆う光吸収層と、上記活
性層よりも大きいバンドギャップを有する半導体材料か
らなり、上記チップ本体の上記端面と上記光吸収層との
間に設けられ上記端面全域を覆う窓層を備えたことを特
徴としている。
に、この発明の半導体レーザ素子は、レーザ発振を行う
活性層を含む半導体層からなり、上記半導体層の端面の
うちの特定箇所からレーザ光を出射するチップ本体と、
上記活性層よりも小さいバンドギャップを有する半導体
材料からなり、上記チップ本体の上記端面のうち上記レ
ーザ光を出射する箇所の周囲を覆う光吸収層と、上記活
性層よりも大きいバンドギャップを有する半導体材料か
らなり、上記チップ本体の上記端面と上記光吸収層との
間に設けられ上記端面全域を覆う窓層を備えたことを特
徴としている。
【０００７】
【作用】半導体レーザ素子が出射したレーザ光が光ディ
スク等によって反射されて、従来と同様にレーザ光を出
射した端面に戻って来るものとする。ここで、上記端面
を覆っている光吸収層は、チップ本体を構成する活性層
よりもバンドギャップが小さい半導体材料からなるの
で、戻り光を効果的に吸収する。したがって、チップ本
体(主としてクラッド層)に取り込まれる戻り光の量が制
限され、戻り光雑音が低減される。しかも上記端面と光
吸収層との間に設けられた窓層は、上記端面における発
振レーザ光の吸収を抑制してレーザ発振を安定させると
共に、従来の誘電体膜に比して高い熱伝導率で熱放散を
行う。したがって、安定な高出力動作を行うことができ
る上、信頼性が向上する。
スク等によって反射されて、従来と同様にレーザ光を出
射した端面に戻って来るものとする。ここで、上記端面
を覆っている光吸収層は、チップ本体を構成する活性層
よりもバンドギャップが小さい半導体材料からなるの
で、戻り光を効果的に吸収する。したがって、チップ本
体(主としてクラッド層)に取り込まれる戻り光の量が制
限され、戻り光雑音が低減される。しかも上記端面と光
吸収層との間に設けられた窓層は、上記端面における発
振レーザ光の吸収を抑制してレーザ発振を安定させると
共に、従来の誘電体膜に比して高い熱伝導率で熱放散を
行う。したがって、安定な高出力動作を行うことができ
る上、信頼性が向上する。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の半導体レーザ素子を図示の
実施例により詳細に説明する。
実施例により詳細に説明する。
【０００９】図１に示すように、この半導体レーザ素子
は、ＶＳＩＳ(Ｖチャネルド・サブストレート・インナ
ー・ストライプ)構造を有するチップ本体１と、このチ
ップ本体１の互いに対向する端面２a,２b全域を覆う窓
層３a,３bと、窓層３aの外側に設けられた光吸収層４,
４からなっている。上記チップ本体１は、p型ＧaＡs基
板２０１と、ストライプ状溝２０３を有するn型ＧaＡs
電流挟窄層２０２と、p型Ｇa0.55Ａl0.45Ａsクラッド層
２０４と、p型Ｇa0.86Ａl0.14Ａs活性層２０５と、n型
Ｇa0.55Ａl0.45Ａsクラッド層２０６と、n型ＧaＡsコン
タクト層２０７を備えている。上記活性層２０５のＡl
混晶比０.１４は発振波長７８０nmに相当する。窓層３
a,３bは、Ｇa1-xＡlxＡs(x＞０.１４)からなり、上記活
性層２０５よりも大きいバンドギャップを有している。
一方、光吸収層４,４は、Ｇa1-yＡlyＡs(y＜０.１４)か
らなり、上記活性層２０５よりも小さいバンドギャップ
を有している。この光吸収層４,４は、チップ本体１の
端面２aのうちレーザ光を出射する箇所２２０の両側に
分離して設けられている。
は、ＶＳＩＳ(Ｖチャネルド・サブストレート・インナ
ー・ストライプ)構造を有するチップ本体１と、このチ
ップ本体１の互いに対向する端面２a,２b全域を覆う窓
層３a,３bと、窓層３aの外側に設けられた光吸収層４,
４からなっている。上記チップ本体１は、p型ＧaＡs基
板２０１と、ストライプ状溝２０３を有するn型ＧaＡs
電流挟窄層２０２と、p型Ｇa0.55Ａl0.45Ａsクラッド層
２０４と、p型Ｇa0.86Ａl0.14Ａs活性層２０５と、n型
Ｇa0.55Ａl0.45Ａsクラッド層２０６と、n型ＧaＡsコン
タクト層２０７を備えている。上記活性層２０５のＡl
混晶比０.１４は発振波長７８０nmに相当する。窓層３
a,３bは、Ｇa1-xＡlxＡs(x＞０.１４)からなり、上記活
性層２０５よりも大きいバンドギャップを有している。
一方、光吸収層４,４は、Ｇa1-yＡlyＡs(y＜０.１４)か
らなり、上記活性層２０５よりも小さいバンドギャップ
を有している。この光吸収層４,４は、チップ本体１の
端面２aのうちレーザ光を出射する箇所２２０の両側に
分離して設けられている。
【００１０】この半導体レーザ素子は次のようにして作
製される。まず、図３(a)に示すように、ＬＰＥ(液相エ
ピタキシャル成長)法により、p型ＧaＡs基板２０１上に
n型ＧaＡs電流挟窄層２０２を０.８μmの厚さに成長す
る。この電流挟窄層２０２に基板２０１に至る幅３μ
m、深さ１.０μmのストライプ状溝２０３を化学エッチ
ングして形成する。この後、２回目のＬＰＥ成長を行っ
て、p型Ｇa0.55Ａl0.14Ａsクラッド層２０４を平坦部
(溝２０３が存在しない部分)で０.２μm、p型Ｇa0.86Ａ
l0.14Ａs活性層２０５を０.０６μm、n型Ｇa0.55Ａl0.
45Ａsクラッド層２０６を１μm、n型ＧaＡsコンタクト
層２０７を２μmの厚さでそれぞれ連続的に成長させ
る。この成長が完了したウエハを劈開またはエッチング
して、図３(a)下側に示すようにバー(短冊)状２００に
加工する(なお、同図(a)上側は１チップ分を示してい
る。)。次に、同図(b)に示すように、上記バー２００の
端面２a,２bおよび上面２cに、ＭＯＣＶＤ(有機金属化
学気相成長)法により、活性層２０４よりも混晶比の大
きいＧa1-xＡlxＡs窓層２１０を０.１μm、活性層より
混晶比の低いＧa1-yＡlyＡs光吸収層２１１を３μmの厚
さで積層成長する。例えば、窓層２１０の混晶比をx＝
０.６に設定して、活性層２０５に対して十分大きいバ
ンドギャップを持たせて光吸収量が少なくなるようにす
る。一方、光吸収層２１１の混晶比をy＝０に設定、す
なわちＧaＡsとして光吸収量が大きくなるようにする。
次に、図２(c),(d)に示すように、エッチングを行っ
て、窓層２１０,光吸収層２１１のうちバー２００上面
に存する部分と、光吸収層２１１のうち端面３bに存す
る部分を除去する。また、光吸収層４のうちレーザ光出
射箇所２２０に存する部分を帯状にエッチングして除去
する。このとき、光吸収層４の下地となる窓層３aはチ
ップ本体１の端面２aがエッチングされるのを防止す
る。最後に、チップ本体１の上下に電極２１２,２１３
を形成する。
製される。まず、図３(a)に示すように、ＬＰＥ(液相エ
ピタキシャル成長)法により、p型ＧaＡs基板２０１上に
n型ＧaＡs電流挟窄層２０２を０.８μmの厚さに成長す
る。この電流挟窄層２０２に基板２０１に至る幅３μ
m、深さ１.０μmのストライプ状溝２０３を化学エッチ
ングして形成する。この後、２回目のＬＰＥ成長を行っ
て、p型Ｇa0.55Ａl0.14Ａsクラッド層２０４を平坦部
(溝２０３が存在しない部分)で０.２μm、p型Ｇa0.86Ａ
l0.14Ａs活性層２０５を０.０６μm、n型Ｇa0.55Ａl0.
45Ａsクラッド層２０６を１μm、n型ＧaＡsコンタクト
層２０７を２μmの厚さでそれぞれ連続的に成長させ
る。この成長が完了したウエハを劈開またはエッチング
して、図３(a)下側に示すようにバー(短冊)状２００に
加工する(なお、同図(a)上側は１チップ分を示してい
る。)。次に、同図(b)に示すように、上記バー２００の
端面２a,２bおよび上面２cに、ＭＯＣＶＤ(有機金属化
学気相成長)法により、活性層２０４よりも混晶比の大
きいＧa1-xＡlxＡs窓層２１０を０.１μm、活性層より
混晶比の低いＧa1-yＡlyＡs光吸収層２１１を３μmの厚
さで積層成長する。例えば、窓層２１０の混晶比をx＝
０.６に設定して、活性層２０５に対して十分大きいバ
ンドギャップを持たせて光吸収量が少なくなるようにす
る。一方、光吸収層２１１の混晶比をy＝０に設定、す
なわちＧaＡsとして光吸収量が大きくなるようにする。
次に、図２(c),(d)に示すように、エッチングを行っ
て、窓層２１０,光吸収層２１１のうちバー２００上面
に存する部分と、光吸収層２１１のうち端面３bに存す
る部分を除去する。また、光吸収層４のうちレーザ光出
射箇所２２０に存する部分を帯状にエッチングして除去
する。このとき、光吸収層４の下地となる窓層３aはチ
ップ本体１の端面２aがエッチングされるのを防止す
る。最後に、チップ本体１の上下に電極２１２,２１３
を形成する。
【００１１】このようにした作製された半導体レーザ素
子は次のように動作する。端面２aから出射したレーザ
光が光ディスク等によって反射されて、従来と同様に上
記端面２aに戻って来るものとする。ここで、光吸収層
４,４は、活性層２０５よりもバンドギャップが大きく
設定されているので、戻り光を効果的に吸収する。した
がって、チップ本体１(主としてクラッド層２０４,２０
６)に取り込まれる戻り光の量を制限でき、戻り光雑音
をを低減することができる。実際に、図２に示すよう
に、戻り光雑音ＲＩＮを低減することができた。しか
も、レーザ光出射端面２aと光吸収層４,４との間に設け
た窓層３aは、上記端面２aにおける発振レーザ光の吸収
を抑制してレーザ発振を安定させると共に、従来の誘電
体膜に比して高い熱伝導率で熱放散を行う。したがっ
て、安定な高出力動作を長期間行うことができ、信頼性
を向上させることができる。
子は次のように動作する。端面２aから出射したレーザ
光が光ディスク等によって反射されて、従来と同様に上
記端面２aに戻って来るものとする。ここで、光吸収層
４,４は、活性層２０５よりもバンドギャップが大きく
設定されているので、戻り光を効果的に吸収する。した
がって、チップ本体１(主としてクラッド層２０４,２０
６)に取り込まれる戻り光の量を制限でき、戻り光雑音
をを低減することができる。実際に、図２に示すよう
に、戻り光雑音ＲＩＮを低減することができた。しか
も、レーザ光出射端面２aと光吸収層４,４との間に設け
た窓層３aは、上記端面２aにおける発振レーザ光の吸収
を抑制してレーザ発振を安定させると共に、従来の誘電
体膜に比して高い熱伝導率で熱放散を行う。したがっ
て、安定な高出力動作を長期間行うことができ、信頼性
を向上させることができる。
【００１２】なお、図４に示すように、光吸収層４０４
を除去する領域(開口４０５)をレーザ出射箇所４２０の
形状に合わせ形成しても良い。このようにした場合、チ
ップ本体４００に戻り光が取り込まれるのを更に効果的
に防止でき、戻り光雑音をより一層抑制することができ
る。
を除去する領域(開口４０５)をレーザ出射箇所４２０の
形状に合わせ形成しても良い。このようにした場合、チ
ップ本体４００に戻り光が取り込まれるのを更に効果的
に防止でき、戻り光雑音をより一層抑制することができ
る。
【００１３】また、チップ本体は、図５に示すように電
流挟窄層５１６をクラッド層５１５で挟んだ構造として
も良い。この場合、まずＬＰＥ法により、クラッド層５
１３,活性層５１４,クラッド層５１５aを順に積層す
る。次に、電流挟窄層５１６を成長した後、ストライプ
状溝５１７を形成する。次に、ＬＰＥ法により上記クラ
ッド層５１５aと同一組成からなるクラッド層５１５bを
成長する。
流挟窄層５１６をクラッド層５１５で挟んだ構造として
も良い。この場合、まずＬＰＥ法により、クラッド層５
１３,活性層５１４,クラッド層５１５aを順に積層す
る。次に、電流挟窄層５１６を成長した後、ストライプ
状溝５１７を形成する。次に、ＬＰＥ法により上記クラ
ッド層５１５aと同一組成からなるクラッド層５１５bを
成長する。
【００１４】また、チップ本体は、図６に示すようにメ
サ部６１６を有する構造としても良い。この場合、まず
ＬＰＥ法により、ＩnＧaＡlＰ系の材料を用いてクラッ
ド層６１３,活性層６１４,クラッド層６１５を順に積層
する。次に、クラッド層６１５を中央部をストライプ状
に残して両側をエッチングして、メサ部６１６を形成す
る。続いて、ＬＰＥ法により、電流挟窄層６１７を成長
する。このとき、メサ部６１６の上面には結晶が成長せ
ず、メサ部６１６に沿ってストライプ状の電流経路を形
成することができる。なお、窓層６０３a,６０３bの組
成は例えば(Ａl0.65Ｇa0.35)0.5Ｉn0.5Ｐとし、光吸収
層６０４,６０４の組成はＧa0.5Ｉn0.5Ｐ乃至ＧaＡsと
する。
サ部６１６を有する構造としても良い。この場合、まず
ＬＰＥ法により、ＩnＧaＡlＰ系の材料を用いてクラッ
ド層６１３,活性層６１４,クラッド層６１５を順に積層
する。次に、クラッド層６１５を中央部をストライプ状
に残して両側をエッチングして、メサ部６１６を形成す
る。続いて、ＬＰＥ法により、電流挟窄層６１７を成長
する。このとき、メサ部６１６の上面には結晶が成長せ
ず、メサ部６１６に沿ってストライプ状の電流経路を形
成することができる。なお、窓層６０３a,６０３bの組
成は例えば(Ａl0.65Ｇa0.35)0.5Ｉn0.5Ｐとし、光吸収
層６０４,６０４の組成はＧa0.5Ｉn0.5Ｐ乃至ＧaＡsと
する。
【００１５】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の半
導体レーザ素子は、チップ本体の端面のレーザ光出射箇
所の周囲に活性層よりも小さいバンドギャップを有する
光吸収層を設け、かつ上記端面と光吸収層との間に活性
層よりも大きいバンドギャップを有し上記端面全域を覆
う窓層を設けているので、上記光吸収層によって戻り光
がチップ本体に取り込まれるのを制限でき、しかも上記
窓層によって高い熱伝導率で熱放散を行うことができ
る。したがって、戻り光雑音を抑制できる上、熱放散効
率を良くして信頼性を向上させることができる。
導体レーザ素子は、チップ本体の端面のレーザ光出射箇
所の周囲に活性層よりも小さいバンドギャップを有する
光吸収層を設け、かつ上記端面と光吸収層との間に活性
層よりも大きいバンドギャップを有し上記端面全域を覆
う窓層を設けているので、上記光吸収層によって戻り光
がチップ本体に取り込まれるのを制限でき、しかも上記
窓層によって高い熱伝導率で熱放散を行うことができ
る。したがって、戻り光雑音を抑制できる上、熱放散効
率を良くして信頼性を向上させることができる。
【図１】 この発明の一実施例の半導体レーザ素子の構
造を示す斜視図である。
造を示す斜視図である。
【図２】 上記半導体レーザ素子の戻り光雑音特性を示
す図である。
す図である。
【図３】 上記半導体レーザ素子の作製工程を示す図で
ある。
ある。
【図４】 この発明の別の実施例の半導体レーザ素子の
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図５】 この発明の別の実施例の半導体レーザ素子の
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図６】 この発明の別の実施例の半導体レーザ素子の
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図７】 従来の半導体レーザ素子の動作を説明する図
である。
である。
【図８】 従来の半導体レーザ素子の構造を示す斜視図
である。
である。
１,４００,５００,６００ チップ本体 ２a,２b,４０２a,４０２b,５０２a,５０２b,６０２a,６
０２b 端面 ３a,３b,４０３a,４０３b,５０３a,５０３b,６０３a,６
０３b 窓層 ４,４０４,５０４,６０４ 光吸収層 ２０１ p型ＧaＡs基板 ２０２ n型ＧaＡs電流挟窄層 ２０３ ストライプ状溝 ２０４ p型Ｇa0.55Ａl0.45Ａsクラッド層 ２０５ p型Ｇa0.86Ａl0.14Ａs活性層 ２０６ n型Ｇa0.55Ａl0.45Ａsクラッド層 ２０７ n型ＧaＡsコンタクト層 ２２０,４２０,５２０,６２０ レーザ光出射箇所
０２b 端面 ３a,３b,４０３a,４０３b,５０３a,５０３b,６０３a,６
０３b 窓層 ４,４０４,５０４,６０４ 光吸収層 ２０１ p型ＧaＡs基板 ２０２ n型ＧaＡs電流挟窄層 ２０３ ストライプ状溝 ２０４ p型Ｇa0.55Ａl0.45Ａsクラッド層 ２０５ p型Ｇa0.86Ａl0.14Ａs活性層 ２０６ n型Ｇa0.55Ａl0.45Ａsクラッド層 ２０７ n型ＧaＡsコンタクト層 ２２０,４２０,５２０,６２０ レーザ光出射箇所
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 レーザ発振を行う活性層を含む半導体層
からなり、上記半導体層の端面のうちの特定箇所からレ
ーザ光を出射するチップ本体と、 上記活性層よりも小さいバンドギャップを有する半導体
材料からなり、上記チップ本体の上記端面のうち上記レ
ーザ光を出射する箇所の周囲を覆う光吸収層と、 上記活性層よりも大きいバンドギャップを有する半導体
材料からなり、上記チップ本体の上記端面と上記光吸収
層との間に設けられ上記端面全域を覆う窓層を備えたこ
とを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18988091A JPH0537072A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18988091A JPH0537072A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537072A true JPH0537072A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16248728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18988091A Pending JPH0537072A (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537072A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013503466A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | ナノプラス ゲーエムベーハー ナノシステムズ アンド テクノロジーズ | レーザーミラー上に取り付けられた吸収体を備える半導体レーザー |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP18988091A patent/JPH0537072A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013503466A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | ナノプラス ゲーエムベーハー ナノシステムズ アンド テクノロジーズ | レーザーミラー上に取り付けられた吸収体を備える半導体レーザー |
| US8879599B2 (en) | 2009-08-26 | 2014-11-04 | Nanoplus Gmbh Nanosystems And Technologies | Semiconductor laser with absorber applied to a laser mirror |
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