JPH0537103A - Ceramic board - Google Patents
Ceramic boardInfo
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- JPH0537103A JPH0537103A JP17531091A JP17531091A JPH0537103A JP H0537103 A JPH0537103 A JP H0537103A JP 17531091 A JP17531091 A JP 17531091A JP 17531091 A JP17531091 A JP 17531091A JP H0537103 A JPH0537103 A JP H0537103A
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- pattern
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラスセラミック基板に関し、ガラスセラミ
ック基板の基板本体からその表面に形成したポリイミド
層の剥離を防止できるようにしたガラスセラミック基板
を提供することを目的とする。
【構成】 ガラスセラミック基板1の基板本体2の表面
に、この表面に積層される絶縁層3の周縁部に上記基板
本体2と絶縁層3との接着強度を確保するための接着パ
ターン4を形成する。また、上記接着パターン4は、基
板本体2内に設けたダミービア導体5に接続され、着錨
効果を得るようになっている。更に、該ダミービア導体
5は基板本体2内に設けた厚膜パターン10に接続さ
れ、上記着錨効果を増すようになっている。
(57) [Summary] [Object] With regard to a glass ceramic substrate, an object thereof is to provide a glass ceramic substrate capable of preventing peeling of a polyimide layer formed on the surface of the glass ceramic substrate body. [Structure] On a surface of a substrate body 2 of a glass ceramic substrate 1, an adhesive pattern 4 is formed on a peripheral portion of an insulating layer 3 laminated on the surface so as to secure adhesive strength between the substrate body 2 and the insulating layer 3. To do. Further, the adhesive pattern 4 is connected to the dummy via conductor 5 provided in the substrate body 2 so as to obtain an anchoring effect. Further, the dummy via conductor 5 is connected to the thick film pattern 10 provided in the substrate body 2 so as to enhance the anchoring effect.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック基板に関
し、特にガラスセラミック基板の薄膜の剥離を防止する
接着パターンを備えたセラミック基板に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic substrate, and more particularly to a ceramic substrate having an adhesive pattern for preventing peeling of a thin film of a glass ceramic substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、ガラスセラミック基板において
は、例えばその表面に表面実装部品を搭載するため、例
えば図3に示すように、ガラスセラミック基板101の
基板本体102の表面に蒸着、スパッタリング、イオン
プレーティング等の薄膜形成法によって例えば3〜7μ
m程度の膜厚のコレクタ(導体パターン)103を形成
し、更に、膜厚20〜40μm程度の絶縁層としてのポ
リイミド層105を形成し、ポリイミド層105のコレ
クタ103に対応する位置に写真法で孔104を形成し
てからポリイミド層105の表面に表面実装部品を搭載
する導体パターン106を薄膜形成法によって形成する
ことにより、基板本体102のビアホール107と部品
搭載位置との位置のずれを解消する技術がある。実際に
は、コレクタ103に接するポリイミド層105と表面
の導体パターン106との間に交互に積層された1層ま
たは複数層の中間導体パターンと、これと同数の別のポ
リイミド層とを設け、各層の中間導体パターンの位置を
少しずつずらせながらビアホール107及びコレクタ1
03と部品を搭載する表面の導体パターン106との位
置のずれを解消しているが、説明を簡単にするため、こ
れら中間導体パターン及びこれと同数の別のポリイミド
層は省略することにする。2. Description of the Related Art Conventionally, in a glass ceramic substrate, for example, a surface mount component is mounted on the surface thereof. Therefore, for example, as shown in FIG. For example, 3 to 7 μm depending on a thin film forming method such as coating.
A collector (conductor pattern) 103 having a film thickness of about m is formed, and a polyimide layer 105 as an insulating layer having a film thickness of about 20 to 40 μm is further formed. The polyimide layer 105 is photographed at a position corresponding to the collector 103. By forming the hole 104 and then forming the conductor pattern 106 for mounting the surface mount component on the surface of the polyimide layer 105 by a thin film forming method, the misalignment between the via hole 107 of the substrate body 102 and the component mounting position is eliminated. There is technology. In practice, one layer or a plurality of layers of intermediate conductor patterns alternately laminated between the polyimide layer 105 in contact with the collector 103 and the conductor pattern 106 on the surface and the same number of other polyimide layers are provided, and each layer is provided. Via hole 107 and collector 1 while gradually shifting the position of the intermediate conductor pattern of
03 and the position of the conductor pattern 106 on the surface on which the component is mounted are eliminated, but in order to simplify the explanation, these intermediate conductor patterns and the same number of other polyimide layers will be omitted.
【0003】上記ポリイミド層105は液状のポリイミ
ドを印刷した後、350〜450℃で30〜180分程
度加熱することにより硬化させて形成される。The polyimide layer 105 is formed by printing liquid polyimide and then heating it at 350 to 450 ° C. for about 30 to 180 minutes to cure it.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ポリイミド
層105を加熱して硬化させる時に、ポリイミド層10
5内にはこれを収縮させるような内部応力が発生し、ま
た、基板本体102からはポリイミド層105を変質さ
せるナトリウムイオンを含んだ有機溶剤成分が出てく
る。このポリイミド層105の内部応力と、ナトリウム
イオンによるポリイミド層105の変質との相乗作用に
よって、内部応力が最も集中するポリイミド層105の
周縁部で、ポリイミド層105が基板本体102から剥
離するという問題が生じている。この問題はガラスセラ
ミックにとくに顕著に顕れる現象であるが、ガラスセラ
ミック基板に限らずナトリユムを構成元素として含むセ
ラミック基板についても当然発生することになる。By the way, when the polyimide layer 105 is heated and cured, the polyimide layer 10
Internal stress that causes the polyimide layer 105 to contract is generated in the substrate 5, and an organic solvent component containing sodium ions that deteriorates the polyimide layer 105 emerges from the substrate body 102. Due to the synergistic effect of the internal stress of the polyimide layer 105 and the alteration of the polyimide layer 105 by sodium ions, there is a problem that the polyimide layer 105 is separated from the substrate main body 102 at the peripheral portion of the polyimide layer 105 where the internal stress is most concentrated. Has occurred. This problem is a phenomenon that is particularly prominent in glass ceramics, but it naturally occurs not only in glass ceramic substrates but also in ceramic substrates containing Natriumum as a constituent element.
【0005】本発明は、上記の事情を鑑みてなされたも
のであり、セラミック基板からの絶縁層としてのポリイ
ミド層の剥離を防止できるようにしたセラミック基板を
提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a ceramic substrate capable of preventing peeling of a polyimide layer as an insulating layer from the ceramic substrate.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、例えば図1に示すように、セラミック基
板1の基板本体2の表面に、この表面に積層される薄膜
層を構成する絶縁層3の周縁部に対応して、該絶縁層3
と上記基板本体2との接着強度を確保するための接着パ
ターン4を形成する構成としたものである。上記接着パ
ターン4には、該接着パターン4に接続されるダミービ
ア導体5を設ける構成とするのが好ましい。更に、上記
基板本体2内に厚膜パターン10を形成し、上記ダミー
ビア導体5を厚膜パターン10に接続するのが好まし
い。In order to achieve the above object, the present invention comprises a thin film layer laminated on the surface of a substrate body 2 of a ceramic substrate 1, as shown in FIG. 1, for example. The insulating layer 3 corresponding to the peripheral edge of the insulating layer 3
The adhesive pattern 4 for securing the adhesive strength between the substrate main body 2 and the substrate main body 2 is formed. It is preferable that the adhesive pattern 4 is provided with a dummy via conductor 5 connected to the adhesive pattern 4. Further, it is preferable to form the thick film pattern 10 in the substrate body 2 and connect the dummy via conductor 5 to the thick film pattern 10.
【0007】[0007]
【作用】本発明においては、基板本体2と絶縁層3との
間に接着パターン4を介在させているので、基板本体2
と接着パターン4との接合強度及び接着パターン4と絶
縁層3との接合強度が基板本体2と絶縁層3との直接接
合強度よりも強力になる。また、接着パターン4が基板
本体1内に設けたダミービア導体5に接続された構成と
すると、ダミービア導体5の錨着作用によって接着パタ
ーン4が基板本体2の表面部とともに剥離することが防
止される。上記ダミービア導体5は更に基板本体2内に
形成した厚膜パターン10に接続することによって、よ
り上記錨着効果を増すことができる。In the present invention, since the adhesive pattern 4 is interposed between the substrate body 2 and the insulating layer 3, the substrate body 2
The bonding strength between the adhesive pattern 4 and the bonding pattern 4 and the bonding strength between the bonding pattern 4 and the insulating layer 3 are stronger than the direct bonding strength between the substrate body 2 and the insulating layer 3. If the adhesive pattern 4 is connected to the dummy via conductor 5 provided in the substrate body 1, the adhesive pattern 4 is prevented from peeling together with the surface portion of the substrate body 2 due to the anchoring action of the dummy via conductor 5. . By connecting the dummy via conductor 5 to the thick film pattern 10 formed in the substrate body 2, the anchoring effect can be further enhanced.
【0008】[0008]
【実施例】以下、セラミック基板がガラスセラミック基
板である本発明の一実施例を図1及び図2に基づき説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention in which the ceramic substrate is a glass ceramic substrate will be described below with reference to FIGS.
【0009】図1に示すように、このガラスセラミック
基板1は、いわゆる、グリーンシート法によって作られ
た多層基板であり、表面を研磨された基板本体2と、基
板本体2の表面に形成されたコレクタ7及び接着パター
ン4と、コレクタ7を覆う絶縁層としてのポリイミド層
3と、該ポリイミド層3に写真法で形成した孔8の周囲
でポリイミド層3の表面に形成された表面導体パターン
9とを備えている。As shown in FIG. 1, the glass-ceramic substrate 1 is a multi-layer substrate produced by a so-called green sheet method, and has a substrate body 2 whose surface is polished and a substrate body 2 formed on the surface thereof. A collector 7 and an adhesive pattern 4, a polyimide layer 3 as an insulating layer covering the collector 7, and a surface conductor pattern 9 formed on the surface of the polyimide layer 3 around a hole 8 formed in the polyimide layer 3 by a photographic method. Is equipped with.
【0010】実際には、ポリイミド層3と表面導体パタ
ーン9との間には交互に積層された複数層の中間導体パ
ターンと別の複数層のポリイミド層とが設けられるが、
ここでは説明を簡単にするため、これらの中間導体パタ
ーンと別の複数層のポリイミド層とは省略している。In practice, a plurality of layers of intermediate conductor patterns and a plurality of layers of another polyimide layer, which are alternately laminated, are provided between the polyimide layer 3 and the surface conductor pattern 9.
Here, for simplification of description, these intermediate conductor patterns and a plurality of other polyimide layers are omitted.
【0011】上記コレクタ7及び接着パターン4は、例
えばクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、プラチナ
(Pt)等を蒸着、スパッタリング、イオンプレーティ
ング等の薄膜形成法で基板本体2の表面に付着させるこ
とによって形成される。コレクタ7の膜厚は導電性を確
保するため、例えば3〜7μm程度に形成され、接着パ
ターン4の膜厚はポリイミド層3の加熱硬化時に生じる
ポリイミド層3の内部応力に対して耐えられる程度の機
械的強度を確保できればよく、例えば上記ポリイミド層
3の厚さ程度以下に設定される。また、接着パターン4
の面積は、接着パターン4とポリイミド層3との接合強
度がポリイミド層3の加熱硬化時に生じるポリイミド層
3の内部応力によって剥離されない程度例えば幅5mm
に設定すればよい。The collector 7 and the adhesion pattern 4 are made by depositing, for example, chromium (Cr), molybdenum (Mo), platinum (Pt) or the like on the surface of the substrate body 2 by a thin film forming method such as vapor deposition, sputtering or ion plating. Formed by. The film thickness of the collector 7 is, for example, about 3 to 7 μm in order to ensure conductivity, and the film thickness of the adhesive pattern 4 is sufficient to withstand the internal stress of the polyimide layer 3 generated when the polyimide layer 3 is heat-cured. It suffices that the mechanical strength be secured, and for example, it is set to about the thickness of the polyimide layer 3 or less. Also, the adhesive pattern 4
Area is such that the bonding strength between the adhesive pattern 4 and the polyimide layer 3 is not separated by the internal stress of the polyimide layer 3 generated when the polyimide layer 3 is heated and cured, for example, a width of 5 mm.
You can set it to.
【0012】上記接着パターン4は、図2に示すよう
に、ポリイミド層3の周縁部の全周に対応して連続して
形成され、図1に示すように、基板本体1内に設けたダ
ミービア導体5に接続される。As shown in FIG. 2, the adhesive pattern 4 is continuously formed corresponding to the entire circumference of the peripheral edge portion of the polyimide layer 3, and as shown in FIG. 1, a dummy via provided in the substrate body 1 is formed. It is connected to the conductor 5.
【0013】このダミービア導体5は、基板本体2を形
成する時に通常のビア導体11を形成するのと同様に、
グリーンシートに開けられたビアホールに銅(Cu)、
モリブデン(Mo)、金(Au)等の微粉末あるいはこ
れを有機溶剤とともに混練したペーストを充填し、積層
後に焼結させる、という手順で作られる。The dummy via conductor 5 is formed in the same manner as the normal via conductor 11 is formed when the substrate body 2 is formed.
Copper (Cu) in the via hole opened in the green sheet,
A fine powder of molybdenum (Mo), gold (Au) or the like, or a paste obtained by kneading this with an organic solvent is filled, and the mixture is laminated and sintered.
【0014】ダミービア導体5の数、径、深さ及び分布
密度は、ポリイミド層3の剥離に対抗できる錨着力が得
られるように互いに関連して設計される。しかしなが
ら、図1に示すように、基板本体2内に厚膜パターン1
0を設け、ダミービア導体5の内端をこの厚膜パターン
10に接続する場合には、厚膜パターン10によってダ
ミービア導体5の錨着作用が大幅に高められるので、ダ
ミービア導体5の深さは基板本体1の厚さ全体にわたっ
て設ける必要はなく、例えば90μmの径のダミービア
導体5の場合には、表面側2〜3層以上数層程度の範囲
で設ければよい。この場合に、ダミービア導体5の深さ
をグリーンシート2〜3層よりも浅くすると必要な錨着
力が得難くなるので好ましくなく、又、数層を超えて深
くしても工数とダミービア導体5の素材が増加する割り
には効果の増大が少ないので好ましくない。The numbers, diameters, depths and distribution densities of the dummy via conductors 5 are designed in relation to each other so as to obtain an anchoring force that can resist peeling of the polyimide layer 3. However, as shown in FIG. 1, the thick film pattern 1 is formed in the substrate body 2.
When 0 is provided and the inner end of the dummy via conductor 5 is connected to the thick film pattern 10, since the anchoring action of the dummy via conductor 5 is significantly enhanced by the thick film pattern 10, the depth of the dummy via conductor 5 is set to the substrate. It is not necessary to provide it over the entire thickness of the main body 1. For example, in the case of the dummy via conductor 5 having a diameter of 90 μm, it may be provided within the range of 2 to 3 or more layers on the front side. In this case, it is not preferable to make the depth of the dummy via conductor 5 shallower than the two or three layers of the green sheet, because it becomes difficult to obtain the necessary anchoring force. This is not preferable because the increase in the effect is small despite the increase in the material.
【0015】上記厚膜パターン10は、基板本体2を形
成する時に内層導体パターンを形成するのと同様に、グ
リーンシートの表面に銅(Cu)、モリブデン(M
o)、金(Au)等の微粉末を有機溶剤とともに混練し
たペーストを印刷し、積層後に焼結させる、という手順
で作られる。また、この厚膜パターン10の膜厚は例え
ば50μm程度に設定される。The thick film pattern 10 has copper (Cu), molybdenum (M) on the surface of the green sheet, similar to the case where the inner layer conductor pattern is formed when the substrate body 2 is formed.
o), fine powder of gold (Au) or the like is kneaded together with an organic solvent, and a paste is printed and laminated and then sintered. The film thickness of the thick film pattern 10 is set to, for example, about 50 μm.
【0016】上記ポリイミド層3は、液状のポリイミド
を塗布して、350〜450℃で30〜180分加熱す
ることにより硬化させて作られる。この硬化後にコレク
タ7に対応する位置に写真法で孔8が形成される。この
ポリイミド層3の膜厚は、絶縁性を確保するため、20
〜40μm程度に設定される。The polyimide layer 3 is formed by applying liquid polyimide and heating it at 350 to 450 ° C. for 30 to 180 minutes to cure it. After this curing, holes 8 are formed in the position corresponding to the collector 7 by a photographic method. The thickness of the polyimide layer 3 is set to 20 in order to secure insulation.
It is set to about 40 μm.
【0017】また、表面導体パターン9はコレクタ7と
同様にスパッタリング等の薄膜形成法によって形成さ
れ、これの形成時に孔8の内部にスパットされる導体で
コレクタ7と接続される。Similarly to the collector 7, the surface conductor pattern 9 is formed by a thin film forming method such as sputtering, and is connected to the collector 7 by a conductor which is sputtered inside the hole 8 when the thin film forming method is formed.
【0018】このガラスセラミック基板1においては、
ポリイミド層3の周縁部が接着パターン4を介して基板
本体2に接合されるので、ポリイミド層3と接着パター
ン4との接合強度及び接着パターン4と基板本体2との
接合強度がポリイミド層3と基板本体2とを接合させた
時の接合強度よりも強力に接合できるとともに、ポリイ
ミド層3を加熱硬化させる時に基板本体2から出る有機
溶剤成分、特に、ナトリウムイオンが接着パターン4に
よって遮断され、ポリイミド層3がナトリウムイオンに
よって変質するおそれがなくなり、ポリイミド層3が接
着パターン4を介して基板本体2の表面に強固に接合さ
れる。In this glass ceramic substrate 1,
Since the peripheral portion of the polyimide layer 3 is bonded to the substrate body 2 via the adhesive pattern 4, the bonding strength between the polyimide layer 3 and the adhesive pattern 4 and the bonding strength between the adhesive pattern 4 and the substrate body 2 are the same as those of the polyimide layer 3. Bonding can be made stronger than the bonding strength when bonded to the substrate body 2, and organic solvent components, particularly sodium ions, that come out of the substrate body 2 when the polyimide layer 3 is heated and cured are blocked by the adhesive pattern 4, There is no risk of the layer 3 being altered by sodium ions, and the polyimide layer 3 is firmly bonded to the surface of the substrate body 2 via the adhesive pattern 4.
【0019】また、接着パターン4が基板本体2内に設
けたダミービア導体5に接続されているので、接着パタ
ーン4が基板本体2の表面とともに基板本体2から浮き
上がろうとするのに対して、ダミービア導体5が杭のよ
うな錨着作用を発揮し、接着パターン4が基板本体2か
ら浮き上がることを防止する。このダミービア導体5の
錨着作用はこれらの内端を厚膜パターン10に接続する
ことにより一層高められ、ポリイミド層3が接着パター
ン4を介して基板本体2の表面に強固に接合されること
とあいまって、ポリイミド層3が剥離したり、ポリイミ
ド層3及び接着パターン4とともに基板本体2の表面が
剥離したりすることを確実に防止できた。Further, since the adhesive pattern 4 is connected to the dummy via conductor 5 provided in the substrate body 2, the adhesive pattern 4 tries to float from the substrate body 2 together with the surface of the substrate body 2. The dummy via conductor 5 exerts an anchoring action like a pile, and prevents the adhesive pattern 4 from floating from the substrate body 2. The anchoring action of the dummy via conductor 5 is further enhanced by connecting the inner ends of the dummy via conductors 5 to the thick film pattern 10, and the polyimide layer 3 is firmly bonded to the surface of the substrate body 2 via the adhesive pattern 4. Together, it was possible to reliably prevent the polyimide layer 3 from peeling and the surface of the substrate body 2 together with the polyimide layer 3 and the adhesive pattern 4 from peeling off.
【0020】以上ガラスセラミック基板を例に説明した
が、この発明はナトリウムを構成元素とする他のセラミ
ック基板についても当然適用できることはもちろんであ
る。Although the glass-ceramic substrate has been described above as an example, the present invention can of course be applied to other ceramic substrates having sodium as a constituent element.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、絶縁層
の周縁部が接着パターンを介して基板本体の表面に強固
に接合される。また、該接着パターンがダミービアと接
続される構成とすると、上記絶縁層が加熱硬化時に生じ
る絶縁層の内部応力で接着パターンが基板本体の表面と
ともに基板本体から浮き上がることをダミービア導体の
錨着作用によって防止するので、加熱硬化時に絶縁層が
剥離することを防止できる。As described above, according to the present invention, the peripheral portion of the insulating layer is firmly bonded to the surface of the substrate body through the adhesive pattern. Further, when the adhesive pattern is connected to the dummy via, the adhesive stress of the dummy via conductor causes the adhesive pattern to float up from the substrate body together with the surface of the substrate body due to the internal stress of the insulating layer generated when the insulating layer is heated and cured. Since this is prevented, it is possible to prevent the insulating layer from peeling off during heat curing.
【0022】また、絶縁層を加熱硬化させる時に基板本
体から出るナトリウムイオン等の有機溶剤成分が接着パ
ターンによって遮断され、絶縁層がナトリウムイオン等
の有機溶剤成分で変質して絶縁層と基板本体との接合強
度を低下させるおそれがなくなるので、加熱硬化時に絶
縁層が剥離することを一層確実に防止できる。Further, when the insulating layer is heated and cured, organic solvent components such as sodium ions, which are emitted from the substrate body, are blocked by the adhesive pattern, and the insulating layer is denatured by the organic solvent components such as sodium ions and the insulating layer and the substrate body are separated from each other. Since there is no possibility of lowering the bonding strength of (1), peeling of the insulating layer during heat curing can be prevented more reliably.
【図1】本発明の一実施例の模式断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例の平面図である。FIG. 2 is a plan view of an embodiment of the present invention.
【図3】従来例の模式断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a conventional example.
【符号の説明】 1 セラミック基板(ガラスセラミック基板) 2 基板本体 3 ポリイミド層(絶縁層) 4 接着パターン 5 ダミービア導体 10 厚膜パターン[Explanation of symbols] 1 Ceramic substrate (glass ceramic substrate) 2 Board body 3 Polyimide layer (insulating layer) 4 Adhesion pattern 5 Dummy via conductor 10 thick film pattern
Claims (3)
面に、この表面に積層される薄膜層を構成する絶縁層
(3) の周縁部に対応して、該絶縁層(3) と上記基板本体
(2) との接着強度を確保するための接着パターン(4) を
形成することを特徴とするセラミック基板。1. An insulating layer constituting a thin film layer laminated on the surface of a substrate body (2) of a ceramic substrate (1).
Corresponding to the peripheral portion of (3), the insulating layer (3) and the substrate body
A ceramic substrate having an adhesive pattern (4) for ensuring adhesive strength with (2).
ービア導体(5) を設けた請求項1に記載のセラミック基
板。2. The ceramic substrate according to claim 1, further comprising a dummy via conductor (5) connected to the adhesive pattern (4).
を形成し、上記ダミービア導体(5) を厚膜パターン(10)
に接続した請求項1に記載のセラミック基板。3. A thick film pattern (10) in the substrate body (2).
To form a thick film pattern (10)
The ceramic substrate according to claim 1, which is connected to.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17531091A JPH0537103A (en) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | Ceramic board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17531091A JPH0537103A (en) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | Ceramic board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537103A true JPH0537103A (en) | 1993-02-12 |
Family
ID=15993860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17531091A Withdrawn JPH0537103A (en) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | Ceramic board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537103A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012015239A (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Denso Corp | Wiring board with built-in component |
| US12513829B2 (en) | 2022-06-03 | 2025-12-30 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board, semiconductor device, and wiring board manufacturing method |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP17531091A patent/JPH0537103A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012015239A (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Denso Corp | Wiring board with built-in component |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |